使用GaN FET构建高速系统并非易事。开关电场可占据封装上方和周围的空间,因此组装使用GaN FET用于无线系统的系统对于整体性能至关重要。本文着眼于不同封装技术对不同应用的影响以及这些技术如何用于构建高性能GaN设备。
2019-03-11 08:04:004608 电子发烧友网报道(文/黄山明)随着智能家居的发展,高效高性能的小体积电源越来越被市场青睐。想要将电源体积做得更小,但同时能够保证最好的性能,氮化镓(GaN)的出现,让这一方案得以实现。在智能家居
2024-01-19 00:21:003338 应用,实现新型电源和转换系统。(例如,5G通信电源整流器和服务器计算)GaN不断突破新应用的界限,并开始取代汽车、工业和可再生能源市场中传统硅基电源解决方案。 图1:硅设计与GaN设计的磁性元件功率密度
2022-11-07 06:26:02
的好处。虽然增强型GaN器件仍然比硅MOSFET更昂贵,但它们更适合于电源设计,并提供了大大提高性能和效率的设计路径。高压设计案例开关电源(SMPS)设计是提高效率和节约能源的答案。大多数新设计都采用
2017-05-03 10:41:53
器件的商业可用性,比如电机逆变器的GaN HEMT和直流部分的高性能电容器正在不断满足设计人员对于大功率电机驱动的可靠性需求,这些关键部件让设计人员能够提升现有的产品,是电机变得更加紧凑、轻便而且价格
2019-07-16 00:27:49
,几代MOSFET晶体管使电源设计人员实现了双极性早期产品不可能实现的性能和密度级别。然而,近年来,这些已取得的进步开始逐渐弱化,为下一个突破性技术创造了空间和需求。这就是氮化镓(GaN)引人注目
2022-11-14 07:01:09
,其设计的方案满足所有这些挑战;与旧式慢速基于硅的半导体设计相比,成本相近甚至更低。” 应需而生的GaN功率IC Stephen解释说,速率与效率是电源设计中两个至关重要的参数,至今常用的半导体材料
2017-09-25 10:44:14
都应通过这样的测试。依我看,JEDEC制定的标准应该涵盖这类测试。您说呢?” 客户的质疑是对的。为使GaN被广泛使用,其可靠性需要在预期应用中得到证明,而不是仅仅通过硅材料配方合格认证(silicon
2018-09-10 14:48:19
半导体材料可实现比硅基表亲更小,更快,更可靠的器件,并具有更高的效率,这些功能使得在各种电源应用中减少重量,体积和生命周期成本成为可能。 Si,SiC和GaN器件的击穿电压和导通电阻。 Si,SiC
2022-08-12 09:42:07
宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅(Si)和第二代化合物半导体砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)、磷化铟(InP)等之后迅速发展起来的第三代半导体
2019-06-25 07:41:00
更多是数字电源控制已准备好迎接GaN。因此,随着GaN继续开发,并应用于高密度和高性能电源解决方案,我们不必等待开发控制器时要借助GaN带给行业的优势。因此,这就是“准备就绪”的含义:它是指“现在就开始
2018-08-30 15:05:41
好准备了吗?对这一问题的答案要比数字电源控制是否能够使用GaN这个问题复杂。所以,随着GaN在不断向前发展,并且在高密度和高性能电源解决方案中寻找用武之地,我们也不必非要等到控制器发展到能够利用GaN优势
2018-09-06 15:31:50
以与LDMOS 相竞争的成本来提供其性能优势。 MACOM的硅上 GaN器件能提供超过 70%的能量效率,并在 900 MHz 和 2.45GHz 频率下均具有高的增益。这些频率都是工业、科学和医学应用的开放
2017-05-01 15:47:21
为什么GaN可以在市场中取得主导地位?简单来说,相比LDMOS硅技术而言,GaN这一材料技术,大大提升了效率和功率密度。约翰逊优值,表征高频器件的材料适合性优值, 硅技术的约翰逊优值仅为1, GaN最高,为324。而GaAs,约翰逊优值为1.44。肯定地说,GaN是高频器件材料技术上的突破。
2019-06-26 06:14:34
的开关速度比硅MOSFET快很多,从而有可能实现更低的开关损耗。然而,当压摆率很高时,特定的封装类型会限制GaN FET的开关性能。将GaN FET与驱动器集成在一个封装内可以减少寄生电感,并且优化
2018-08-30 15:28:30
苛刻的环境需要高性能的电源转换
2019-06-03 16:45:06
高性能便携式 DC 工作台电源
2019-08-21 14:05:42
有哪些新型可用于基带处理的高性能DSP?性能参数如何?
2018-06-24 05:20:19
随着微电子技术的迅速发展,高性能MCU广泛地运用在嵌入式系统中,完成数据的采集、分析、处理与通讯功能。有线模式下的数据通讯系统,由于受时空、环境等因素的制约,不能完全满足所有条件下任务的执行,而通过
2019-08-16 08:31:36
什么是高性能Sub-GHz无线芯片?高性能Sub-GHz无线芯片有哪些应用?
2021-05-28 06:40:13
为什么要开发一款高性能卫星应用手持终端?高性能卫星应用手持终端有什么优势?
2021-05-17 07:18:51
如何实现高性能的射频测量系统? 高性能射频测量系统该怎么正确选用阻抗匹配元件?在设计PCB装配式开关模块时需要考虑什么?
2021-04-14 06:46:36
高性能计算机的发展史高性能计算机的内容高性能计算机的应用高性能计算机的现状高性能计算机的应用领域高性能计算机的未来展望
2019-09-10 10:42:36
希荻微电子HL7503高性能DCDC通过高通认证 希荻微电子推出的3A高性能DCDC芯片HL7503,通过了高通严格的测试认证,成为进入其高端平台参考设计的全球两家电源管理芯片公司之一。据了解,希荻
2015-08-28 10:49:13
兼首席执行官John Croteau表示:“本协议是我们引领射频工业向硅上氮化镓技术转化的漫长征程中的一个里程碑。截至今天,MACOM通过化合物半导体小厂改善并验证了硅上氮化镓技术的优势,射频性能和可靠性
2018-02-12 15:11:38
是硅基氮化镓技术。2017 电子设计创新大会展台现场演示在2017年的电子设计创新大会上,MACOM上海无线产品中心设计经理刘鑫表示,硅衬底有一些优势,材料便宜,散热系数好。且MACOM在高性能射频领域
2017-07-18 16:38:20
OPC、UVLO、OV,开关频率和软启动通过 LMG1210 上的引脚搭接进行死区时间调节电源板和子卡实现优化死区时间显示 GaN 效率提高 5%
2019-01-02 16:17:21
PWR系列高性能可编程交流电源的波形编辑功能及应用
2021-03-16 14:41:08
下以更高的转换频率运行。这意味着,在同样的条件下,GaN可实现比基于硅材料的解决方案更高的效率。TI日前发布了LMG5200,随着这款全集成式原型机的推出,工程师们能够轻松地将GaN技术融入到电源
2018-09-11 14:04:25
全新的电源应用在同等的电压下以更高的转换频率运行。这意味着,在同样的条件下,GaN可实现比基于硅材料的解决方案更高的效率。TI日前发布了LMG5200,随着这款全集成式原型机的推出,工程师们能够轻松地将
2018-09-10 15:02:53
) 和激光二极管 (LD),并改进 III 族氮化物器件通过实现 III 族氮化物器件薄膜的同质外延生长,显着提高了性能。块状 GaN 单晶可以通过高压溶液生长 (HPGS) 生长,氢化物气相外延
2021-07-07 10:26:01
产品重要性的同时,不约而同地表示要将精力集中在高性能模拟产品上。那么,在众说纷纭“高性能”的情况下,什么产品才是高性能模拟产品?面对集成度越来越高的半导体行业,高性能模拟产品是否生存不易?中国市场对高性能模拟产品的接受程度如何?
2019-06-20 06:22:00
方形,通过两个晶格常数(图中标记为a 和c)来表征。GaN 晶体结构在半导体领域,GaN 通常是高温下(约为1,100°C)在异质基板(射频应用中为碳化硅[SiC],电源电子应用中为硅[Si])上通过
2019-08-01 07:24:28
v-1 s-1,是硅基晶体管的四分之一。低电子迁移率阻滞了透明晶体管的电流承载能力。目前,薄膜晶体管受限于低电流、低速率、且需高压驱动。当务之急是找出能生产透明高性能器件的替代材料。 替代导电氧化物
2020-11-27 16:30:52
组件高出一大截,但其开关速度、切换损失等性能指针,也是硅组件难以望其项背的。碳化硅具有极佳的材料特性,可以显著降低开关损耗,因此电源开关的操作频率可以大为提高,从而使电源系统的尺寸明显缩小。至于在转换
2021-09-23 15:02:11
(GaN)技术实现比使用传统硅功率晶体管更高的效率。氮化镓具有极高的电子迁移率和低温度系数,这使得功率晶体管具有非常低的导通电阻(R上),从而最大限度地减少了导通状态传导损耗。横向晶体管结构还实现了极低
2023-02-21 15:57:35
RF 应用来说越来越具有吸引力。迈向5G 之路与GaAs、硅或其他传统半导体材料相比,GaN将在5G 网络应用中大放异彩,如高频和尺寸受限的小型蜂窝。如下图所示,随着标准向5G 演变,无线网络的强化会
2017-07-28 19:38:38
1VDC负载电压的48 VDC输入电压所用的电信架构解决方案。我们将探讨高性能GaN功率晶体管的能力,以使用新方法以更高效率和更高功率密度为功率数据中心和电信系统提供电源。此方法在效率和功率密度方面都比
2018-08-29 15:10:47
,实现了更高的开关频率,减少甚至去除了散热器。图2显示了GaN和硅FET之间48V至POL的效率比较。 图 2:不同负载电流下GaN与硅直流/直流转换器的48V至POL效率 TI的新型48V至POL
2019-07-29 04:45:02
目前传统硅半导体器件的性能已逐渐接近其理论极限, 即使采用最新的硅器件和软开关拓扑,效率在开关频率超过 250 kHz 时也会受到影响。 而增强型氮化镓晶体管 GaN HEMT(gallium
2023-09-18 07:27:50
意义上的极限却是横亘在硅材料面前的一条无法逾越的鸿沟。与此同时,一种基于GaN的全新电源和转化系统正应运而生,它们的功率损耗更低,产生的热量也更少。由于高温会提高运行成本、干扰网络信号并诱发设备故障
2019-03-01 09:52:45
氮化镓(GaN)是最接近理想的半导体开关的器件,能够以非常高的能效和高功率密度实现电源转换。但GaN器件在某些方面不如旧的硅技术强固,因此需谨慎应用,集成正确的门极驱动对于实现最佳性能和可靠性至关重要。本文着眼于这些问题,给出一个驱动器方案,解决设计过程的风险。
2020-10-28 06:59:27
如何实现高性能的射频测试解决方案NI软硬件的关键作用是什么
2021-05-06 07:24:55
速度环,内环为电流环。为了实现PMSM高性能控制,我们会采用各种复杂的算法来实现目标,这其中电流环相关算法又是重中之重。但是需要指出,电流环性能好坏除了与采用的算法有关之外,还与...
2021-08-27 06:45:22
与碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比,氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 可显著降低开关损耗和提高功率密度。这些特性对于数字电源转换器等高开关频率应用大有裨益,可帮助减小磁性元件
2022-11-04 06:18:50
通过FPGA来构建一个低成本、高性能、开放架构的数据平面引擎可以为网络安全设备提供性能提高的动力。随着互联网技术的飞速发展,性能成为制约网络处理的一大瓶颈问题。FPGA作为一种高速可编程器件,为网络安全流量处理提供了一条低成本、高性能的解决之道。
2019-08-12 08:13:53
是什么推动着高精度模拟芯片设计?如何利用专用晶圆加工工艺实现高性能模拟IC?
2021-04-07 06:38:35
,固有的快速开关瞬变,缺乏反向恢复和高温工作能力。这些优异的性能似乎是高性能功率转换器的完美组合。 然而,要实现GaN的性能潜力,必须考虑两个重要方面。首先,人们普遍认为GaN的快速瞬态开关能力将
2023-02-24 15:09:34
如何去实现一种高性能IP电话语音终端系统的设计?
2021-06-04 06:39:06
传统网络接口处理流程包括哪些步骤?如何去实现一种高性能网络接口设计?
2021-05-20 06:41:48
如何在电源转换应用中实现高性能、成本优化型实时控制设计
2021-03-16 07:56:20
如何成功实现高性能数字无线电?
2021-05-24 06:25:47
您已了解GaN晶体管出色的性能,您很兴奋。样品总算来到,您将它们放入板中。您打开电源,施加负载,结果……性能并没有比以前更好。更糟糕的是,遇到了以前不存在的开关问题。这些晶体管不好。真遗憾。为何出现这种情况?有没有可能遗漏了什么?如何正确理解GaN?十分重要!
2019-07-30 06:21:32
对于高压开关电源应用,碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47:31
导读:将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能,并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多,从而有可能实现更低的开关损耗。然而,当
2022-11-16 06:23:29
如何设计高性能的SDI信号链?对PCB布板和电源设计有哪些建议?TI在SDI领域的具体方案是什么?
2021-05-24 06:48:22
如何设计并实现一种高性能中频采样系统?中频采样系统系统总体设计由哪些组成?它们分别有什么作用?
2021-04-07 07:09:32
更低成本的塑料封装。对于电源设计人员来说,理解GaN有可能带来的性能提升,以及某些会随时间影响到最终产品性能的退化机制很重要。联合电子设备工程委员会 (JEDEC) 针对硅器件的认证标准经证明是产品
2019-07-12 12:56:17
射频VMMK器件是怎么提高性能的?通过降低寄生电感和电容吗?
2019-08-01 08:23:35
)封装,并且能帮助电源设计人员迅速发挥这种材料的真正优势。为了给GaN创造广阔的市场发展空间,TI致力于帮助客户简化这款产品的使用性,并优化其性能。我们深知,TI必须另辟蹊径。通过将GaN FET与高性能
2018-08-30 15:05:40
CJC89888芯片特点是什么?低功耗芯片设计要点是什么?怎么实现低功耗单芯片高性能音频CODEC的设计?
2021-06-03 06:27:25
怎么实现多内核处理器开发趋势下的高性能视频系统设计?
2021-06-03 06:19:40
PCB设计团队的组建建议是什么高性能PCB设计的硬件必备基础高性能PCB设计面临的挑战和工程实现
2021-04-26 06:06:45
高性能呢?我们一起来看看吧。具体步骤:1、右键点击桌面计算机,在打开的菜单项中选择属性;Win11笔记本电源计划怎么设置?Win11设置电源计划为高性能的方法2、控制面板 - 所有控制面板项 - 系统
2021-12-31 08:17:47
1.电源右键点击电源图标选择电源选项—选择高性能模式。若没有高性能模式选择左边创建电源计划(图一所示)—点击下一步(如图二所示)—选择创建(如图三所示)图一图二图三2.显卡①右击空白桌面,打开英伟达
2021-12-31 07:03:36
成功实现高性能数字无线电
2020-12-22 06:59:41
时钟设备设计使用 I2C 可编程小数锁相环 (PLL),可满足高性能时序需求,这样可以产生零 PPM(百万分之一)合成误差的频率。高性能时钟 IC 具有多个时钟输出,用于驱动打印机、扫描仪和路由器等
2019-08-12 06:50:43
能源并占用更小空间,所面临的挑战丝毫没有减弱。氮化镓(GaN)等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年,电力电子领域将管理大约80%的能源,而2005年这一比例仅为30
2018-11-20 10:56:25
在所有电力电子应用中,功率密度是关键指标之一,这主要由更高能效和更高开关频率驱动。随着基于硅的技术接近其发展极限,设计工程师现在正寻求宽禁带技术如氮化镓(GaN)来提供方案。
2020-10-28 06:01:23
氮化镓 (GaN) 可为便携式产品提供更小、更轻、更高效的桌面 AC-DC 电源。Keep Tops 氮化镓(GaN)是一种宽带隙半导体材料。 当用于电源时,GaN 比传统硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
严酷的汽车环境要求高性能电源转换
2019-09-18 09:31:24
受益于集成器件保护,直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压(600V)氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT) 的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型
2023-02-14 15:06:51
基础(凌特资料)实现可靠的高性能数字电源为了更好地理解数字电源的架构选择和关键性能参数,最好先搞清楚使用数字回路的好处。通过采用数字回路控制来实现电源转换,可使开发人员的设计和业务大大受益。通过可再编程
2020-07-02 14:31:59
怎样利用可编程逻辑来实现高性能的罪犯抓捕系统?
2021-04-28 06:39:25
运行的信息不够充分。此外,PA 设计工程师可以利用测得的负载牵引数据确定最佳负载阻抗目标值,以便在指定频率下实现最佳功率和效率。然而,设计人员通过仿真模型使用负载牵引数据还可以做得更多。具体来说,通过
2018-08-04 14:55:07
频率合成器的高性能架构实现技术详解
2021-04-07 06:48:49
一种高性能QAM解调器的设计与实现
提出了一种适用于DVB-C标准的高性能QAM解调器。通过采用改进的解调算法并优化其VLSI实现结构,该设计在现场测试中不仅取得
2010-05-28 14:20:0621 一、PCB设计团队的组建建议 二、高性能PCB设计的硬件必备基础三、高性能PCB设计面临的挑战和工程实现 1.研发周期的挑战 2.成本的挑战 3.高速的挑战 4.高密的挑战 5.电源、地噪声
2010-10-07 11:08:320
高性能电源保护电路
摘要:对电源产品来讲,保护电路是不可缺少的。电源配有一个高性能的保护电路对其整体性能的提高又是至关重要
2009-07-17 11:35:32685 氮化镓(GaN)技术超越硅 实现更高电源转换效率——来自安森美半导体Onsemi
2015-12-23 11:06:2028 此网络研讨会强调了通过为高性能Python实施多种英特尔工具和技术而实现的显着性能提升。
2018-11-08 06:06:002402 达拉斯, 2016年4月25日/PRNewswire/- 基于数十年的电源管理创新,德州仪器(TI)(纳斯达克股票代码:TXN)今天宣布推出600 -V氮化镓(GaN)70mΩ场效应晶体管(FET
2019-08-07 10:17:061928 由于可以在较高频率、电压和温度下工作且功率损耗较低,宽禁带半导体(SiC 和GaN)现在配合传统硅一同用于汽车和RF 通信等严苛应用中。随着效率的提高,对Si、SiC和GaN器件进行安全、精确的测试
2020-11-18 10:38:0027 电子发烧友网站提供《实现可靠高性能数字电源.pdf》资料免费下载
2023-11-16 15:02:580 为帮助业界更好地利用GaN和SiC等宽带隙技术,在电动汽车、清洁能源解决方案和数据中心等应用中实现更高性能电源转换,Allegro宣布推出新型高带宽电流传感器 ACS37030和ACS37032,这些全新高功率密度传感器能够降低能量损耗,同时改进SiC和GaN技术的效率和可靠性。
2024-03-04 16:50:18173
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