PI宣布推出900V氮化镓(GaN)器件，为InnoSwitch3系列反激式开关IC再添新品。新IC采用了PI特有的PowiGaN技术，可提供高达100W的功率，效率超过93%，因而无需散热片，并可简化空间受限型应用的电源设计。
2023-03-31 02:10:00
3363 
基于InnoSwitch 3-EP的PowiGaN 开关是PI恒压/恒流准谐振离线反激式开关IC产品系列。它采用同步整流和FluxLink 磁感耦合技术替代传统光耦，并具有丰富的开关选项，高度集成的开关IC集成了功率开关、保护、反馈和同步整流，可以稳定输出电压和电流，提升整体电源效率。
2023-11-02 11:42:39225 
氮化镓、MMIC、射频SoC以及光网络技术的并行发展共同助力提高设计和成本效率。5G的出现促使人们重新思考从半导体到基站系统架构再到网络拓扑的无线基础设施。在半导体层面上，硅基氮化镓的主流商业化
2019-07-31 07:47:23
65W氮化镓电源原理图
2022-10-04 22:09:30
氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
(86) ，因此在正常体温下，它会在人的手中融化。
又过了65年，氮化镓首次被人工合成。直到20世纪60年代，制造氮化镓单晶薄膜的技术才得以出现。作为一种化合物，氮化镓的熔点超过1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
从将PC适配器的尺寸减半，到为并网应用创建高效、紧凑的10 kW转换，德州仪器为您的设计提供了氮化镓解决方案。LMG3410和LMG3411系列产品的额定电压为600 V，提供从低功率适配器到超过2 kW设计的各类解决方案。
2019-08-01 07:38:40
数据中心），或任何可以处理高达数百伏高电压的设备，均可受益于氮化镓等技术，从而提高电源管理系统的效率和规模。（白皮书下载：GaN将能效提高到一个新的水平。）
寻找理想开关
任何电源管理系统的核心
2019-03-14 06:45:11
氮化镓电源设计从入门到精通，这个系列直播共分为八讲，本篇第六讲将为您介绍EMC优化和整改技巧，助您完成电源工程师从入门到精通的蜕变。前期回顾（点击下方内容查看上期直播）：- 第一讲：元器件选型
2021-12-29 06:31:58
的PowiGaN方案具有高集成度、易于工厂开发的特点；纳微半导体的GaNFast方案则可以通过高频实现充电器的小型化和高效率（小米65W也是采用此方案）。对于氮化镓快充普及浪潮的来临，各大主流电商及电源厂
2020-03-18 22:34:23
的节能。这些电力足以为30多万个家庭提供一年的电量。 任何可以直接从电网获得电力的设备（从智能手机充电器到数据中心），或任何可以处理高达数百伏高电压的设备，均可受益于氮化镓等技术，从而提高电源管理系统的效率和规模。（白皮书下载：GaN将能效提高到一个新的水平。）
2020-11-03 08:59:19
的选择。 生活更环保 为了打破成本和大规模采用周期，一种新型功率半导体技术需要解决最引人注目应用中现有设备的一些缺点。氮化镓为功率调节的发展创造了机会，使其在高电压应用中的贡献远远超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
在所有电力电子应用中，功率密度是关键指标之一，这主要由更高能效和更高开关频率驱动。随着基于硅的技术接近其发展极限，设计工程师现在正寻求宽禁带技术如氮化镓（GaN）来提供方案。
2020-10-28 06:01:23
度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小等独特的性能，被誉为第三代半导体材料。氮化镓在光电器件、功率器件、射频微波器件、激光器和探测器件等方面展现出巨大的潜力，甚至为该行业带来跨越式
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化镓（GaN）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器方面，主要是集成氮化镓MOS管，可适配小型变压器和高功率器件，充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
氮化镓为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷（低电容）、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件，以及分立氮化镓的典型开关频率（65kHz）相比，集成式氮化镓器件提升到的 200kHz。
氮化镓电源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。
更快：氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
。氮化镓的性能优势曾经一度因高成本而被抵消。最近，氮化镓凭借在硅基氮化镓技术、供应链优化、器件封装技术以及制造效率方面的突出进步成功脱颖而出，成为大多数射频应用中可替代砷化镓和 LDMOS 的最具成本
2017-08-15 17:47:34
激光器是20世纪四大发明之一，半导体激光器是采用半导体芯片加工工艺制备的激光器，具有体积小、成本低、寿命长等优势，是应用最多的激光器类别。氮化镓激光器（LD）是重要的光电子器件，基于GaN材料
2020-11-27 16:32:53
产生深远影响。MACOM估计，采用0.1美元/千瓦时的平均能量率模型时，仅将一年内部署的新大型基站转换为MACOM硅基氮化镓技术一项便可节省超过1亿美元的费用。 新时代 硅基氮化镓从早期研发到商业规模
2018-08-17 09:49:42
GaN如何实现快速开关？氮化镓能否实现高能效、高频电源的设计？
2021-06-17 10:56:45
氮化镓 (GaN) 可为便携式产品提供更小、更轻、更高效的桌面 AC-DC 电源。Keep Tops 氮化镓（GaN）是一种宽带隙半导体材料。 当用于电源时，GaN 比传统硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
的转换器。在氮化镓（GaN）功率FET的早期阶段，故障很常见。更严格的栅极环路设计要求，更高的dv/dt和共源电感的影响使得电路对寄生和噪声更敏感。当TI推出第一个600V GaN功率级样品时，我惊叹于该
2019-07-29 04:45:12
灵活应对不同的应用场景。2. 应用领域 适配器 充电器 AC-DC 开关电源. 特性 集成氮化镓直接驱动（6V DRV） 集成高压启动（700V） 集成高压 BROWN-IN &
2023-03-28 10:24:46
AN011: NV612x GaNFast功率集成电路(氮化镓)的热管理
2023-06-19 10:05:37
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 该GaN内部匹配（IM）FET与其他技术相比，具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化镓（GaN）高电子迁移率基于晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。 氮化镓与硅或砷化镓相比具有更好的性能，包括更高的击穿电压，更高的饱和电子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
数量，实现了高度集成的充电器设计。钰泰半导体ETA80G25采用SSOP10封装，内置650V耐压，850mΩ D-mode氮化镓开关管。内部开关管漏极连接大面积铜箔散热，可实现良好的散热并满足绝缘耐压要求
2021-11-28 11:16:55
纳维半导体•氮化镓功率集成电路的性能影响•氮化镓电源集成电路的可靠性影响•应用示例：高密度手机充电器•应用实例：高性能电机驱动器•应用示例；高功率开关电源•结论
2023-06-16 10:09:51
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
功率氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势，并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机
2018-11-05 09:51:35
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 编辑
整合意法半导体的制造规模、供货安全保障和电涌耐受能力与MACOM的硅上氮化镓射频功率技术，瞄准主流消费
2018-02-12 15:11:38
不同，MACOM氮化镓工艺的衬底采用硅基。硅基氮化镓器件既具备了氮化镓工艺能量密度高、可靠性高等优点，又比碳化硅基氮化镓器件在成本上更具有优势，采用硅来做氮化镓衬底，与碳化硅基氮化镓相比，硅基氮化镓晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41
多个方面都无法满足要求。在基站端，由于对高功率的需求，氮化镓（GaN）因其在耐高温、优异的高频性能以及低导通损耗、高电流密度的物理特性，是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器（PA）芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
系列光隔离探头现场条件因该氮化镓快充PCBA设计密度很高，阻容采用0402器件，只能采用不是最优方案的同轴延长线连接（通常推荐采用MCX母座连接，可最大限度减少引线误差）。现场连接图如下：▲图1：接线
2023-01-12 09:54:23
`明佳达优势供应NV6115氮化镓MOS+NCP1342主控芯片PWM控制器丝印1342AMDCD。产品信息1、NV6115氮化镓MOS丝印：NV6115芯片介绍：NV6115氮化镓MOS，是针对
2021-01-08 17:02:10
DER-937是一款采用高度集成的升压PFC和氮化镓反激式开关IC设计的100W USB PD充电器，总共仅使用117个元件深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power
2021-11-10 17:34:53
）1.1脉冲条件脉冲宽度：120µsec，占空比10％笔记Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脉冲条件脉冲宽度：120µsec，占空比10％笔记Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:24:16
应对不同的应用场景。2. 应用领域 适配器 充电器 AC-DC 开关电源特性 集成氮化镓直接驱动（6V DRV） 集成高压启动（700V） 集成高压 BROWN-IN &
2023-03-28 10:31:57
搭载高通(Qualcomm®) Quick Charge™ 5技术的通用型氮化镓电源适配器可在5分钟内将智能手机的电量从0%充至50%高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先驱和全球供应商
2021-08-12 10:55:49
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：氮化镓发展技术编号：JFSJ-21-041作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在单个芯片上集成多个
2021-07-06 09:38:20
碳化硅（SiC）和硅上氮化镓（GaN-on-Si）。这两种突破性技术都在电动汽车市场中占有一席之地。与Si IGBT相比，SiC提供更高的阻断电压、更高的工作温度（SiC-on-SiC）和更高的开关
2018-07-19 16:30:38
极限。而上限更高的氮化镓，可以将充电效率、开关速度、产品尺寸和耐热性的优势有机统一，自然更受青睐。
随着全球能量需求的不断增加，采用氮化镓技术除了能满足能量需求，还可以有效降低碳排放。事实上，氮化镓
2023-06-15 15:47:44
度为1.1 eV，而氮化镓的禁带宽度为3.4 eV。由于宽禁带材料具备高电场强度，耗尽区窄短，从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构。例如，一个典型的650V横向氮化镓晶体管，可以支持超过800V
2023-06-15 15:53:16
目前，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，宽禁带，以下简称为：WBG）”以及基于新型材料的电力半导体，其研究开发技术备受瞩目。根据日本环保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2020-10-27 09:28:22
eMode硅基氮化镓技术，创造了专有的AllGaN™工艺设计套件（PDK），以实现集成氮化镓 FET、氮化镓驱动器，逻辑和保护功能于单芯片中。该芯片被封装到行业标准的、低寄生电感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
的 3 倍多，所以说氮化镓拥有宽禁带特性（WBG）。
禁带宽度决定了一种材料所能承受的电场。氮化镓比传统硅材料更大的禁带宽度，使它具有非常细窄的耗尽区，从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
流，但随着5G的到来，砷化镓器件将无法满足在如此高的频率下保持高集成度。[color=rgb(51, 51, 51) !important]于是，GaN成为下一个热点。氮化镓作为一种宽禁带半导体，可承受更高
2019-07-08 04:20:32
7. Fly-Buck隔离电源和Fly-Back的电路比较高功率密度GaN伺服驱动器的设计 采用TI氮化镓和电容隔离方案设计的伺服驱动器如图8所示。LMG3410是集成了驱动的GaN FET功率级芯片
2019-03-14 06:45:08
受到市场相当不错的回响，应用需求也越来越多。近年来在消费性电源领域引发话题的手机快速充电、USB-PD等技术，就是氮化镓组件可以大展身手的舞台。和电动车的情况类似，快速充电也是智能型手机或便携设备
2021-09-23 15:02:11
明佳达电子优势供应氮化镓功率芯片NV6127+晶体管AON6268丝印6268，只做原装，价格优势，实单欢迎洽谈。产品信息型号1：NV6127丝印：NV6127属性：氮化镓功率芯片封装：QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
客户测试后再进行下一步沟通。作为光隔离探头的提供方，麦科信工程师对测试过程提供了技术支持。测试背景：3C消费类产品，其电源采用氮化镓（GaN）半桥方案。测试目的：氮化镓半桥上下管的Vgs及Vds，分析
2023-02-01 14:52:03
的测试，让功率半导体设备更快上市并尽量减少设备现场出现的故障。为帮助设计工程师厘清设计过程中的诸多细节问题，泰克与电源行业专家携手推出“氮化镓电源设计从入门到精通“8节系列直播课，氮化镓电源设计从入门到
2020-11-18 06:30:50
如何带工程师完整地设计一个高效氮化镓电源，包括元器件选型、电路设计和PCB布线、电路测试和优化技巧、磁性元器件的设计和优化、环路分析和优化、能效分析和优化、EMC优化和整改技巧、可靠性评估和分析。
2021-06-17 06:06:23
我经常感到奇怪，我们的行业为什么不在加快氮化镓 (GaN) 晶体管的部署和采用方面加大合作力度；毕竟，大潮之下，没人能独善其身。每年，我们都看到市场预测的前景不太令人满意。但通过共同努力，我们就能
2022-11-16 06:43:23
如何实现小米氮化镓充电器是一个c to c 的一个充电器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但这个口不可以充电，它是用来转VGA,HDMI,DP之类了，可以外接显示器，拓展坞之类的。要用氮化镓
2021-09-14 06:06:21
导读：将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能，并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多，从而有可能实现更低的开关损耗。然而，当
2022-11-16 06:23:29
如何设计GaN氮化镓 PD充电器产品？
2021-06-15 06:30:55
，在这种电压下，氮化镓的性能要打很大折扣，”Huang说道，“氮化镓的高成本是阻止其进入消费电子领域的另一个障碍。如果将来智能手机的前端可以采用更高的电压供电，那么氮化镓技术或许是一个很好的备选项，当然
2016-08-30 16:39:28
氮化镓开关管来取代，一颗顶四颗，并且具有更低的导通电阻。通过使用氮化镓开关管来减少硅MOS管的数量，还可以减小保护板的面积，使保护板可以集成到主板上，节省一块PCB，降低整体成本。储能电源储能电源通常
2023-02-21 16:13:41
这样的领导者正在将氮化镓和固态半导体技术与这些过程相结合，以更低的成本进行广泛使用，从而改变行业的基础状况。采油与传统的干燥和加热方法相比，射频能量使用更少的能量，而且高精度可使每瓦都得到有效利用。从
2018-01-18 10:56:28
第 1 步 – 栅极驱动选择 驱动GaN增强模式高电子迁移率晶体管（E-HEMT）的栅极与驱动硅（Si）MOSFET的栅极有相似之处，但有一些有益的差异。 驱动氮化镓E-HEMT不会消除任何
2023-02-21 16:30:09
功率，降额使用。
PI官方的资料显示，INN3378C属于InnoSwitch3-Pro家族，它采用了PI独家的PowiGaN技术，也就是内置了GaN氮化镓功率器件，相比传统MOSFET可以输出更大
2023-06-16 14:05:50
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2022-11-10 06:36:09
，以及分享GaN FET和集成电路目前在功率转换领域替代硅器件的步伐。
误解1：氮化镓技术很新且还没有经过验证
氮化镓器件是一种非常坚硬、具高机械稳定性的宽带隙半导体，于1990年代初首次用于生产高
2023-06-25 14:17:47
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
2019-09-02 07:16:34
日前，在广州举行的2013年LED外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率LED的研发及产业化”的报告，与同行一道分享了硅衬底
2014-01-24 16:08:55
纳微集成氮化镓电源解决方案及应用
2023-06-19 11:10:07
氮化镓GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程吗？然后提取参数想基于candence model editor进行氮化镓器件的建模，有可能实现吗？求教ICCAP软件呢？
2019-11-29 16:04:02
、设计和评估高性能氮化镓功率芯片方面，起到了极大的贡献。
应用与技术营销副总裁张炬（Jason Zhang）在氮化镓领域工作了 20 多年，专门从事高频、高密度的电源设计。他创造了世界上最小的参考设计，被多家头部厂商采用并投入批量生产。
2023-06-15 15:28:08
，整合优势资源，让客户更加方便地用上氮化镓技术，获得氮化镓低开关损耗、高效率的优势，降低充电器的能耗，节能减排助力“3060双碳”战略。茂睿芯年初发布了业界最小体积SOT23-6的高频QR ACDC
2021-11-12 11:53:21
无可争议的冠军。它已经在雷达和5G无线技术中得到了应用，很快将在电动汽车的逆变器中普及。你甚至可以买到基于氮化镓的USB壁式充电器，它们体积小且功率非常高。不过，还有比它更好的东西吗？有能让射频放大器变得
2023-02-27 15:46:36
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案，相对于传统的、基于硅材料的技术，创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案，相对于传统的、基于硅材料的技术，创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
Power Integrations（PI）于2019年7月27日发布了结合PowiGaN技术的全新InnoSwitch™3系列恒压/恒流离线反激式开关电源IC，利用GaN（氮化镓）技术
2020-01-02 15:34:204077 。以首发PI最新 PowiGaN 芯片 InnoSwitch4-CZ 系列的 Anker 65W超能充为例，上市不到两个月，单品就已豪取五千以上评价。 便携小巧、充电快速、散热性佳……评价的优点也正是 PowiGaN 系列芯片的特点。 在氮化镓快充产品的设计中，主要需要用到三颗核心芯片，分别
2021-08-06 10:32:135340 、适配器和敞开式电源。 哪些 PI InnoSwitch 产品采用 PowiGaN 技术？ 基于 PowiGaN的 IC 在整个负载范围内的效率高达 95％，在封闭式适配器不需散热
2021-09-07 11:21:321632 PI邀请您参加21ic主办的PI专场线上研讨会，我们的技术专家将为您介绍PI的高集成电源芯片InnoSwitch3系列产品的技术优势，助您实现USB PD快充充电器的小型化设计。并利用PI
2021-10-25 17:20:491142 USB PD快充是目前主流的快充协议，而USB Type-C接口也在手机和笔记本上广泛应用，USB Type-C接口内置USB PD快充协议的通信线，并且支持USB PD标准的电压与电流，USB Type-C接口是USB PD快充协议的主流载体，所以说USB PD和USB Type-C是一套相辅相成的关系。
2021-12-27 15:19:551199 PI公司的HiperPFS-5功率因数校正IC内部集成750V PowiGaN氮化镓开关，在无需散热片的情况下可提供高达240W的输出功率，并可实现优于0.98的功率因数。
2022-11-11 11:03:17530
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