MOS在控制器电路中的工作状态：开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）、截止状态。
2024-02-26 11:40:04
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造成损坏的原因可能有几个： 1.缺少保护电路。一般来说电路中应适当设置保护电路。以吸收电路中的瞬间高压。浪涌电压。保护关键元件。 2.参数选取不合理。没有余地。效应管的耐压。电流都应该流有
2020-06-30 14:41:49
请较大家，MOS管DS击穿在什么情况易发生，最近一产品在家里面用从来没有坏过！但是拿出去用很容易损坏！条件没什么特殊的
2012-09-17 13:42:15
元件受伤，虽然仍能工作，但是寿命受损。所以ESD对MOS管的损坏可能是一，三两种情况，并不一定每次都是第二种情况。上述这三种情况中，如果元件完全破坏，必能在生产及品质测试中被察觉而排除，影响较少。如果
2017-06-01 15:59:30
有谁用过IRLML6401，接法如下图，但是mos管不能导通是什么原因？
2015-12-18 11:19:37
管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流
2018-10-31 13:59:26
MOS管的半导体结构MOS管的工作机制MOS管的驱动应用
2021-03-08 06:06:47
由于MOS管栅极寄生电容以及寄生电感的存在使得MOS管驱动时栅极很容易发生谐振，常采用的办法是在栅极串接一个小电阻，我想问为什么电阻可以抑制振荡？请众位大神解释原因，呵呵，知其然不知其所以然！
2014-05-24 15:28:54
DS间加电容，测试两种差不多的MOS管，发现MOS里面芯片大的反而冲击电流小，这是为什么，两种级别差不多的MOS，里面的芯片DIE大的反而冲击电流小？，这是什么原因，耐冲击电流与MOS管的DIE大小有关系吗
2018-01-19 09:54:42
的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。 至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。 对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易
2019-02-14 11:35:54
型号，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动
2021-01-11 20:12:24
我们在规划制作电子捕鱼器时，有两种器材是必不可少的，一种是高频机的功率MOS管，首要用在高频电子捕鱼器中，另一种是低频电鱼机中的三极管，首要用于低频捕鱼器中，这两种元器材在运用中究竟有些什么区别呢
2019-05-30 00:34:14
电源反接，会给电路造成损坏，不过，电源反接是不可避免的。所以，我们就需要给电路中加入保护电路，达到即使接反电源，也不会损坏的目的。 一般可以使用在电源的正极串入一个二极管解决，不过，由于二极管
2021-12-31 07:01:52
什么是 MOS 管?MOS 管一般指 pmos。PMOS 是指 n 型衬底、p 沟道，靠空穴的流动运送电流的 MOS 管。电源反接，会给电路造成损坏，不过，电源反接是不可避免的。所以，我么就需要
2020-11-16 09:22:50
为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。下面的介绍中，也多以NMOS为主
2011-11-07 15:56:56
，发热也会增大，极易损坏MOS,所以高频时栅极栅极串的电阻不但要小，一般要加前置驱动电路的。下面我们先来了解一下MOS管开关的基础知识。1.MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种(另一种
2019-07-03 07:00:00
，发热也会增大，极易损坏MOS,所以高频时栅极栅极串的电阻不但要小，一般要加前置驱动电路的。下面我们先来了解一下MOS管开关的基础知识。1.MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种(另一种
2019-07-05 08:00:00
，发热也会增大，极易损坏MOS,所以高频时栅极栅极串的电阻不但要小，一般要加前置驱动电路的。下面我们先来了解一下MOS管开关的基础知识。1.MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种(另一种
2019-07-05 07:30:00
最近在做一个Mos管驱动产品，发现发烫得厉害，然后参考了其他竞品发现都有增加这么一个二极管，依样增加上去后就不烫了，这就是是什么原因呢？在网上找到了原因，如下：再看MOS管本身DS极间也有个二极管
2021-09-14 07:49:42
1.电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全
2020-10-10 11:21:32
`MOS管电路在通断过程中，Vgs的波形是一个完整的方波，但是Vds的波形是一条5v的直线，这是什么原因`
2021-03-15 16:48:53
使用ti的tps51621buck控制器，12V输出1V输出，高侧的mos管会出现损坏造成12V对地短路的情况，MOS管高侧选用的CSD16322Q5，参数满足要求，板子放在机箱中，测试MOS管的表面温度也不是很高。
2022-06-01 11:18:44
时产生的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOS管的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。 典型电路： 二、器件发热损坏 由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因
2018-10-29 14:07:49
很大。Mos损坏主要原因：过流----------持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁；过压----------源漏过压击穿、源栅极过压击穿；静电----------静电击穿。CMOS电路都怕
2019-07-26 07:00:00
一个简单的NPN+P_MOS开关控制，负载是850nm激光二极管，驱动MCU是STC15F2。现在出现mos管容易损坏的情况，本人菜鸟不知道是什么原因造成的，还望各位大神能指点一二
2018-08-29 18:06:20
我需要设计这样一个控制电路，电路的结构如图所示，由三极管控制MOS管通断的电路，现在我大概需要三种规格的控制电路；输入电压都是12V左右，可提供输出电流3种规格，分别是10A、5A、1A，希望大佬给个推荐，可以用哪三种MOS管实现呢！
2019-10-12 09:54:33
本帖最后由 XSJ7755 于 2017-4-18 19:54 编辑
我在工作中遇到的一个案例，客户端总是烧一个MOS 管的问题。参考附图！为什么总是损坏MOSFETQ8212？同一片主板上用料五颗，请高手分析下原因
2017-04-18 19:56:14
什么是MOS管？MOS管的工作原理是什么？MOS管和晶体三极管相比有何特性呢？
2022-02-22 07:53:36
管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流
2018-10-25 14:40:18
` 我们在规划制作电子捕鱼器时，有两种器材是必不可少的，一种是高频机的功率MOS管，首要用在高频电子捕鱼器中，另一种是低频电鱼机中的三极管，首要用于低频捕鱼器中，这两种元器材在运用中究竟
2018-12-10 15:04:30
，截止损耗（漏电流引起的，这个忽略不计），还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内，mos即会正常工作，超出承受范围，即发生损坏。而开关损耗往往大于导通状态损耗（不同mos这个差距可能很大。Mos损坏主要原因：过流----------持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁；过压
2021-07-05 07:19:31
还是换上原来一样型号的才解决问题。检测到MOS管损坏后，更换时其周边的灌流电路的元件也必须全部更换，因为该MOS管的损坏也可能是灌流电路元件的欠佳引起MOS管损坏。即便是MOS管本身原因损坏，在MOS
2019-02-23 16:23:40
关于怎样确定MOS管是否会击穿的问题。在网上有看到大概两种说法：1.计算雪崩能量然后进行判断MOS管是否会损坏；2.计算MOS管结温然后查出对应的击穿电压。第一种不知道是要测所有的能量还是只是大于
2018-12-21 10:46:27
1.MOS管并联的可行性分析 由下面的某颗MOS管的温度曲线可以看出MOS管的内阻的温度特性是随温度的升高内阻也增大，如果在并联过程中由于某种原因（比如RDSON比较低，电流路径比较短等）导致
2018-10-12 16:47:54
MOSFET的击穿有哪几种？如何处理MOS管小电流发热严重情况？MOS管小电流发热的原因MOS管小电流发热严重怎么解决MOS管为什么可以防止电源反接？
2021-03-29 08:19:48
大家在电路设计时，经常需要通过主电源给各个模块供电，而且这些模块的供电经常是需要可以控制的。如何控制电源的通断，我想最简单的就是选用MOS管去控制，主要两个方面的原因：1.MOS管导通电
2023-02-28 16:32:33
过热烧毁。四、快恢复二极管规格型号不符。更换新二极管时错将工作参数不符合要求的管子换上或者接线错误，造成二极管管击穿损坏。五、电路板短路，用蒸汽清洁的电路板后，没有晾干，由水造成电路短路故障而造成的。请在用蒸汽清洁后，再用压缩空气吹一遍再检测应该可以避免这种损坏。快恢复二极管规格书下载：
2021-05-13 17:27:00
哪位大神能帮忙分析下这个电路，安装电池的过程中MOS管会有20%的损坏。除开静电的损坏，还有有其他可能没有呢?
2018-09-11 13:36:23
`<p> 挖掘mos管被击穿的原因及解决方案 一、MOS管本身的输入电阻很高，而栅源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上
2018-11-05 14:26:45
MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。 至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。 对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所以
2018-10-18 18:15:23
。 至于为什么不适用号耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。 对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS，下面的介绍中，也
2018-12-03 14:43:36
`肖特基二极管用久了，难免会磕磕碰碰，但是一般情况下肖特基二极管损坏的原因是什么呢？今天就由立深鑫就给大家普及一下肖特基二极管损坏常见的原因。 一、运行管理欠佳。值班运行人员工作不负责任，对外
2018-12-18 14:02:04
整流二极管的损坏原因整流二极管的检查方法整流二极管的代换
2021-04-02 06:17:32
导通给电机加电。请问各位大神，这是什么原因造成的？查了资料，有说是因为正转突然反转会使得直流母线电压升高，超过了MOS继电器开关的耐压值，MOS管被击穿。也有说是因为正转突然反转会使得电机输出大电流
2020-06-28 10:18:32
是什么原因导致了MOS管发热？
2021-06-07 06:21:08
的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。典型电路：第二种：器件发热损坏由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因分为直流功率
2019-03-13 06:00:00
1.MOS管并联的可行性分析 由下面的某颗MOS管的温度曲线可以看出MOS管的内阻的温度特性是随温度的升高内阻也增大，如果在并联过程中由于某种原因（比如RDSON比较低，电流路径比较短等）导致
2018-11-28 12:08:27
上面因素。 五、选取耐压BVDSS 在大多数情况下，因为设计的电子系统输入电压是相对固定的，公司选取特定的供应商的一些料号，产品额定电压也是固定的。 数据表中功率MOS管的击穿电压BVDSS有
2018-11-19 15:21:57
。 MOS管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS管，或者PMOS
2018-11-08 14:11:41
，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。 对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS管。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源
2018-10-26 14:32:12
时产生的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOS管的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。 典型电路: 二、器件发热损坏 由超出安全区域弓|起发热而导致的。发热的原因
2018-11-21 13:52:55
的MOS管，而不会使用以前的三极管。但是性能再优越，也会出现损坏的情况，那作为厂家来说应该怎么检测MOS管是否损坏呢？ 电路中，如何判断MOS管的完好或失效，与单独鉴别MOS好坏不完全相同，电路中完好
2018-12-27 13:49:40
把这些损耗控制在MOS管承受规格之内，MOS管即会正常工作，超出承受范围，即发生损坏。 而开关损耗往往大于导通状态损耗，尤其是PWM没完全打开，处于脉宽调制状态时（对应电动车的起步加速状态），而最高
2019-02-28 10:53:29
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 11:36 编辑
MOS管被击穿的原因及解决方案如下： 第一、MOS管本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或
2012-07-14 15:34:14
UCC21225A的其他部分工作正常；由于自举二极管的存在，功率回路的高压不会传导到驱动供电轨，对系统其他部分无影响。任意MOS的GS短路系统功能正常；如果失效发生在上桥臂MOS，高压会损坏
2022-01-18 07:00:00
电源开关管损坏的原因分析
2019-05-28 11:27:38
电源开关管损坏的主要原因有以下13种：1．软启动电路失效2．开关管集成电路板反峰吸收电路失效3．正反馈过强4．定时电容失效漏电5．稳压电路中的去耦电容失效6．稳压电路的负反馈开环7．开关管发射极
2011-08-09 11:51:44
9V的电压。更换下方MOS，恢复正常。器件型号，TVS PESD24S1UB；PMOS DMP510DL。由于问题故障率太大，不能进行生产。请各位大大帮忙看看到底为什么会导致MOS损坏。怎么解决？谢谢`
2019-12-30 10:30:50
萌新求助，求一种简单的MOS管直流电机驱动电路
2021-10-19 06:49:59
电路是这样，输入电压110V，缓启动后面接了两个220uf电容。以前同样的电路实验没有问题，后来几年后也是同样的电路拿出来用，结果烧MOS管。我猜测原因如下，不知道对不对，请各位大神指教。电源上电
2020-04-26 14:17:30
的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。典型电路：第二种：器件发热损坏由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因分为直流功率
2021-11-10 07:00:00
刨根问底。对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS，下面的介绍中，也多以NMOS为主。MOS管的三个管教之间有
2017-12-05 09:32:00
的MOS管，不建议刨根问底。对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS，下面的介绍中，也多以NMOS为主。MOS管的三个
2017-08-15 21:05:01
的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。 对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS
2018-11-27 13:44:26
输入电压110V，缓启动后面接了两个220uf电容。以前同样的电路实验没有问题，后来几年后也是同样的电路拿出来用，结果烧mos管。我猜测原因如下，不知道对不对，请各位大神指教。电源上电的时候
2020-05-20 10:06:20
12V；；；请问各位大佬MOS管的这种损坏属于什么损坏，是什么导致的，感觉GS有2M应该是没事的，这个管子以前遇到的损坏都是GS直接短路了，这个现象不一样
2021-05-25 08:21:12
小弟是电子初学者，经常在设计电路时MOSFET管出现损坏，请问造成MOSFET管损坏有哪些原因？
2019-02-19 10:15:25
其实MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。 静电击穿有两种
2022-05-14 10:22:39
产品在某一个批次的生产中突然发现20%的DC-DC芯片不通电，并且都表现为下MOS损坏。外围硬件设计，有什么因素可能导致下MOS管损坏呢？如何去分析对比电源IC批次性差异呢？
2023-01-12 17:01:27
行输出管损坏是彩电最常见的故障,造成行输出管损坏的原因不外乎以下几种原因. 1.过压击穿:行输出管
2006-04-17 22:19:162017
晶闸管损坏原因判别
....当晶闸管损坏后需要检查分析其原因时，可把管芯从冷却套中取出，打开芯盒再取出芯片，观察其损坏后的痕迹，以判断是
2009-07-28 08:15:261536 如何判别晶闸管损坏原因
....当晶闸管损坏后需要检查分析其原因时，可把管芯从冷却套中取出，打开芯盒再取出芯片，观察其损坏后
2010-03-08 09:47:31676 MOS管损毁原因总结
2017-06-19 14:22:32
26 mos在控制器电路中的工作状态：开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）、截止状态。
2019-07-27 08:08:007470 Mos在控制器电路中的工作状态：开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）、截止状态。
2019-08-01 16:45:587262 什么是MOS管？它有什么特点？在常见的控制器电路中，MOS管有几个工作状态，而MOS 主要损耗也对应这几个状态，本文就来探讨一下MOS的这些状态的原理。MOS的工作状态分为：开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）、截止状态。
2020-08-09 14:15:005952 ，截止损耗（漏电流引起的，这个忽略不计），还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在Mos承受规格之内，Mos即会正常工作，超出承受范围，即发生损坏。而开关损耗往往大于导通状态损耗，不同Mos这个差距可能很大。 Mos损坏主要原因：
2020-08-14 10:14:093048 mos管的损坏主要围绕雪崩损坏、器件发热损坏、内置二极管破坏、由寄生振荡导致的破坏、栅极电涌、静电破坏这五大方面。接下来就由小编针对mos管的损坏原因做以下简明介绍。
2022-03-11 11:20:172517 
MOS是电压驱动型器件，只要栅极和源级间给一个适当电压，源级和漏级间通路就形成。这个电流通路的电阻被成为MOS内阻，就是导通电阻。这个内阻大小基本决定了MOS芯片能承受的最大导通电流（当然和其它因素有关，最有关的是热阻），内阻越小承受电流越大（因为发热小）。
2022-04-14 08:34:1518858 过快的充电会导致激烈的米勒震荡，但过慢的充电虽减小了震荡，但会延长开关从而增加开关损耗。Mos开通过程源级和漏级间等效电阻相当于从无穷大电阻到阻值很小的导通内阻（导通内阻一般低压mos只有几毫欧姆）的一个转变过程。
2022-08-17 14:37:411134 Mos主要损耗也对应这几个状态，开关损耗（开通过程和关断过程），导通损耗，截止损耗（漏电流引起的，这个忽略不计），还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内，mos即会正常工作，超出承受范围，即发生损坏。
2023-01-30 10:48:26805 Mos是电压驱动型器件，只要栅极和源级间给一个适当电压，源级和漏级间通路就形成。这个电流通路的电阻被成为Mos内阻，就是导通电阻。
2023-02-07 09:46:111584 电阻损坏的原因有哪些？ 电阻是电子元器件中最基础、最常见的一种元件，用于控制电路中的电流和电压。但是，电阻也会出现损坏的情况。电阻损坏的原因有以下几点： 1. 过载使用：过载是电阻损坏最常见的原因
2023-08-29 16:46:444998 光耦损坏故障原因有哪些 光耦怎么测好坏？ 光耦（Opto-Coupler）是一种将光电设备和电子设备相互隔离或耦合的器件，它通常由发光二极管（LED）和光敏三极管（光电二极管或光敏三极管）组成
2023-11-20 16:16:282522 Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常见的半导体器件，广泛应用于各种电子设备中。然而，在实际应用中，MOS管可能会因为各种原因而损坏。本文将对MOS管损坏的原因进行分析
2023-12-28 16:09:38416 
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