N沟道耗尽型MOSFET
1) N沟道耗尽型MOSFET的结构
N
2009-09-16 09:41:43
23374 LT8672 是用于反向输入保护的有源整流器控制器。该器件驱动一个外部 N 沟道 MOSFET 以取代一个功率肖特基二极管。
2017-10-16 15:46:368829 
本文我们将根据使用了几种MOSFET的双脉冲测试结果，来探讨MOSFET的反向恢复特性。该评估中的试验电路将使用上一篇文章中给出的基本电路图。另外，相应的确认工作也基于上次内容，因此请结合
2020-12-21 14:25:457583 
用P沟道MOSFET设计反向电压保护电路
2022-04-29 17:42:3614394 
用N沟道MOSFET设计反向电压保护电路
2022-04-29 17:59:3415878 
该电路实现过流、过压保护的主要原理与 图2 电路基本一致。不过当电路触发过流、过压保护功能时，仅是电流方向为D→S的MOSFET实现保护作用。对于另外一颗MOSFET，当电流较小、其体二极管还未正向导通时，电流会从其沟道流过；当其体二极管正向导通后，电流会同时从沟道、体二极管流过。
2023-11-07 14:42:49634 
硬件面试中有遇到过这样的事吗？通常让你画一个增强型的MOSFET，或是N沟道MOSFET或是P沟道MOSFET
2023-11-21 15:05:31779 
电源管理系统要实现高能源转换效率、完善可靠的故障保护，离不开高性能的开关器件。近日，豪威集团全新推出两款MOSFET：业内最低内阻双N沟道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N沟道
2022-06-28 11:01:01750 
`深圳市三佛科技有限公司 供应 3415 20V SOT-23 P沟道MOS 带ESD保护 HN3415D，库存现货HN3415D采用先进的沟道技术，提供优良的RDS（开），低栅极电荷和低至1.8V
2021-03-11 11:14:52
和工作原理 功率MOSFET的种类：按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型；对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在
2019-06-14 00:37:57
MOSFET 晶体管是可以电压驱动电流。常用的是N沟道MOSFET，P沟道的制作成本高。简单功率MOSFET电机控制器。这是一个典型的 MOSFET开关电路。由于电动机负载是电感性的，因此在电感
2021-09-13 08:27:30
相反。由于其中存在可用的P型杂质，因此该MOSFET中的通道是预先构建的。一旦在栅极端施加负 (-) 电压，N型中的少数电荷载流子(如电子)就会被吸引到P型沟道。在这种情况下，一旦漏极反向偏置，则器件
2022-09-27 08:00:00
IC图2：用自举电路对高侧N沟道MOSFET进行栅控极性决定了MOSFET的图形符号。不同之处在于体二极管和箭头符号相对于端子的方向。图3：P沟道和N沟道MOSFET的原理图注意体二极管和箭头相对漏极
2018-03-03 13:58:23
概述：CN2305是上海如韵电子出品的一款P沟道增强型功率MOSFET，它采用先进工艺，提供较低的导通电阻，低栅极电荷和低工作电压，栅极电压可低至2.5V。CN2305适合用于电池保护，或PWM开关中的应用。
2021-04-13 06:46:20
通道MOSFET来在反向电压情况出现时提供保护功能。然而，这样的控制电路比较复杂，并且高电流p通道MOSFET也比较昂贵，并且会增加总体系统成本。P通道MOSFET常见的Rds(on) 会在低输入电压
2018-09-04 14:59:07
`AON7544 N沟道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS（αMOSLV）技术，具有极低的RDS（on），低栅极电压和高电流能力，非常适合应用在DC/DC电路中
2020-05-29 08:39:05
型号：G16P03VDS：-30VIDS ：-16A封装: DFN3*3-8L沟道：P沟道种类：绝缘栅(MOSFET)G16P03 原装，G16P03库存现货热销售后服务：公司免费提供样品，并提供产品运用
2020-11-05 16:48:43
MOSFET的浮栅驱动。高速度（HS）比较器保护公共总线通过关闭短路的电源将MOSFET置于300ns以下并保证低反向当前。一种外接电阻可编程HS检测电平比较器允许用户设置N沟道MOSFET
2020-09-28 16:35:05
Q2体二极管中的电流比正常工作状况下大很多。导致了MOSFET Q2的P-N结上存储更多电荷。 在t2~t3时段，MOSFET Q2施加门极信号，在t0~t1时段剧增的谐振电流流经MOSFET Q2沟道
2019-09-17 09:05:04
。该控制器可保护电路免受可能过高，过低或过低的输入电压的影响。它通过控制两个背对背连接的N沟道MOSFET的栅极来工作，以将输出保持在安全范围内。 UV和OV设定点由UV和OV输入上的电阻分压器配置
2019-02-21 09:48:51
编辑-Z场效应晶体管是一种电压控制器件，根据场效应管的结构分为结型场效应（简称JFET）和绝缘栅场效应（简称MOSFET）两大类。按沟道材料：结型和绝缘栅型分为N沟道和P沟道。根据导电方式：耗尽型
2021-12-28 17:08:46
Multisim10.0元件库没P沟道耗尽型MOSFET管，为什么，我其他几种都找到了结型FET增强型FET，耗尽型没P的啊
2012-11-03 10:45:54
`<p><font face="Verdana">N沟道MOSFET概述<br/&
2010-08-17 09:21:57
N沟道MOSFET驱动电路LTC4446资料下载内容主要介绍了：LTC4446功能和特点LTC4446引脚功能LTC4446内部方框图LTC4446应用电路
2021-04-15 06:53:16
为正时，它充当增强型MOSFET。N沟道场效应管与P沟道场效应管介绍N沟道MOSFET的源极接地，漏极连接到负载，当栅极施加正电压时，FET导通。N 沟道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它们
2023-02-02 16:26:45
小编在接到客户咨询关于MOS管的时候，总会被问到一个问题：怎么选择合适的MOS管？关于这一个问题，昨天针对这个问题，在电压、电流方面已经做出了部分解释，今天我们来看其他方面的影响。确定N、P沟道
2023-02-17 14:12:55
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征，然后再论述选择的原则。
2021-03-02 08:40:51
概述：Y-QFT4503M（4503AGM）采用8脚贴片封装，实为一只复合MOSFET，内含一只P沟道和N沟道场效应管，如下图所示，其最大漏源电流Idsm为7A，最大漏源电压Vds为30V，该元件在TCL液晶电
2021-04-06 06:53:57
一般说明PW2307采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON）、低栅极电荷和栅电压低至4.5V时工作。该装置适用于电池保护或在其他交换应用中 特征VDS=-20V ID=-7ARDS（开）
2020-12-23 13:05:52
一般说明PW2309采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON），低栅电荷栅极电压低至4.5V，适用于电池保护或在其他交换应用中。 特征VDS=-60V，ID=-3ARDS（开）
2020-12-10 15:57:49
一般说明PW2319采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON），低栅电荷栅极电压低至4.5V，适用于电池保护或在其他交换应用中。特征VDS=-40V，ID=-5ARDS（开）
2020-12-04 14:28:06
`一般说明PW2337采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON），低栅电荷栅极电压低至4.5V，适用于电池保护或在其他交换应用中。 特征VDS=-100V，ID=-0.9ARDS（开）&
2020-12-10 16:01:03
`SUN2310SGP沟道增强型功率场效应管（MOSFET） ，采用高单元密度的 DMOS 沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。 采用带散热片的 SOP8 封装`
2011-05-17 10:57:36
我想知道STL62P3LLH6 P沟道MOSFET的安全工作区图表是否正确http://www.st.com/web/en/resource/technical/document/datasheet
2019-07-29 12:23:12
概述： UCC3957是德州仪器公司生产的一款采用BiCMOS工艺的3/4节锂离子电池组充电器保护用控制集成电路。它与外部的P沟道MOSFET晶体管一起对电池组充电实现两级过电流保护，如果达到第一
2021-05-18 07:43:37
图1为二个P沟道的功率MOSFET组成的充电电路，P沟道的功率MOSFET的型号为：AO4459。Q3和R1实现恒流或限流充电功能，Q4控制电路的工作。图1：P沟道MOSFET组成充电电路电路工作
2017-04-06 14:57:20
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保护典型值达
2019-07-09 17:30:39
高精度电压MOSFET检测电路和延迟电路。XB6042系列DFN1X1x0.37-4包装，只有一个外部组件使其成为理想的电池组空间有限的解决方案。XB6042系列具有所有的保护功能电池应用所需的功能包括过
2021-04-07 16:46:59
维持温度稳定性。（它有A版本1%或B版本0.5%精度可选择），R1和R2选择精度1%以上的电阻。该电路的真值表如下所示2.该过压保护电路使用具有推挽输出级的高电压比较器来控制将电源连接到负载的P沟道
2019-07-10 09:12:53
特征充分增强N沟道功率mosfet8μA IQ待机电流电流为85μA IQ无外部电荷泵电容器4.5V至18V电源范围短路保护通过PTC热敏电阻进行热关机状态输出指示停机提供8针SOIC应用笔
2020-09-08 17:28:16
在通孔板上建立电路数小时后，我发现使用P-MOSFET时Vgs并不容易。经过搜索，我发现我需要使用N-MOSFET或BJT（NPN）将源极电压带到栅极，以便关断MOSFET。对我来说非常重要的是，当
2018-08-23 10:30:01
N沟道和P沟道MOSFET哪个常用?增强型和耗尽型的哪个常用?
2019-05-13 09:00:00
DC2418A-B，演示电路旨在演示具有双向断路器的LTC4368-2 100V欠压（UV），过压（OV）和反向保护控制器的性能。 LTC4368-2可保护电路免受双向过流和输入电压的影响，输入电压
2019-02-19 07:01:31
变小。详细的关系曲线可从制造商的手册中获得。二、功率MOSFET的反向导通等效电路（1）1）等效电路（门极不加控制）：2）说明：即内部二极管的等效电路，可用一电压降等效，此二极管为MOSFET 的体
2021-08-29 18:34:54
变小。详细的关系曲线可从制造商的手册中获得。功率MOSFET的反向导通等效电路（1）（1）：等效电路（门极不加控制）（2）：说明即内部二极管的等效电路，可用一电压降等效，此二极管为MOSFET 的体
2021-09-05 07:00:00
栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Source）。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小，而且开关速度快，具有高的工作频率。常用的MOSFET的结构有横向双扩散型
2016-10-10 10:58:30
MOSFET，也可以直接驱动。对于一个桥式电路的上下桥臂，上管使用P沟道的功率MOSFET，可以直接驱动，驱动电路设计简单。如果上管选用N沟道的功率MOSFET，那么必须采用浮驱或自举电路，驱动电路
2016-12-07 11:36:11
分享功率MOSFET驱动保护电路方案大全，希望能帮助大家
2023-05-24 10:22:02
≥5V时，N导电沟道畅通(它相当于一个极小的电阻)而大部分电流是从S流向D的(ID为负)。而当电 池装反时，场效应管(MOSFET)不通，电路得以保护。2．触摸调光电路一种简单的触摸调光电路如图10
2011-12-19 16:52:35
的型号多，成本低；P沟道MOSFET选择的型号较少，成本高。如果功率MOSFET的S极连接端的电压不是系统的参考地，N沟道就需要浮地供电电源驱动、变压器驱动或自举驱动，驱动电路复杂；P沟道可以直接驱动
2019-04-04 06:30:00
恶劣的工作条件，本文将介绍功率MOSFET在这种工作状态的特点，以及如何选取功率MOSFET型号和设计合适的驱动电路。 电路结构及应用特点 电动自行车的磷酸铁锂电池保护板的放电电路的简化模型如图1
2018-09-30 16:14:38
的，因为电池在充电时必须吸收电流，而在不充电时则须供应电流。另一种方法是使用图 1 所示的 MOSFET 电路之一。图 1：传统的负载侧反向保护对于负载侧电路而言，这种方法比使用二极管更好，因为电源
2021-12-28 09:37:46
，电路中的可用电压为电源电压减去二极管压降。在工业和汽车应用中，大多数前端接口要求反向极性保护，而这一保护功能通常由二极管或MOSFET提供。由于它不需要电荷泵，p通道MOSFET一直用于高电流应用…
2022-11-17 07:18:32
LTC4365 将迅速把负载与电源断接。图 1：完整的 12V 汽车欠压、过压及电源反向保护电路双路 N 沟道 MOSFET 负责在 VIN 上隔离正电压和负电压。在标准运作期间，LTC4365 为外部
2018-10-29 16:59:59
。功率 MOSFET 的分类及优缺点和小功率 MOSFET 类似，功率 MOSFET 也有分为 N 沟道和 P 沟道两大类；每个大类又分为增强型和耗尽型两种。虽然耗尽型较之增强型有不少的优势，但实际上
2019-11-17 08:00:00
MOSFET在产品选择上超过了P沟道。在降压稳压器应用中，基于栅控电压极性、器件尺寸和串联电阻等多种因素，使用P沟道MOSFET或N沟道MOSFET作为主开关。同步整流器应用几乎总是使用N沟道技术，这主要
2021-04-09 09:20:10
有没有人用过SI2307 P沟道MOSFET?不知道为什么5V的电压无法关断、、、是不是设计问题？
2016-08-28 18:29:46
窗口之外，则 LTC4365 将迅速把负载与电源断接。图 1：完整的 12V 汽车欠压、过压及电源反向保护电路 双路 N 沟道 MOSFET 负责在 VIN 上隔离正电压和负电压。在标准运作期间
2022-05-09 14:49:27
LTC4365 将迅速把负载与电源断接。图 1：完整的 12V 汽车欠压、过压及电源反向保护电路双路 N 沟道 MOSFET 负责在 VIN 上隔离正电压和负电压。在标准运作期间，LTC4365 为外部
2019-03-24 11:17:53
的性能。该控制器可保护电路免受可能过高，过低或过低的输入电压的影响。它通过控制两个背对背连接的N沟道MOSFET的栅极来工作，以将输出保持在安全范围内。 UV和OV设定点由UV和OV输入上的电阻分压器配置
2019-02-19 09:30:42
是不起作用的，因为电池在充电时必须吸收电流，而在不充电时则须供应电流。另一种方法是使用图 1 所示的 MOSFET 电路之一。图 1：传统的负载侧反向保护对于负载侧电路而言，这种方法比使用二极管更好，因为
2021-12-22 07:00:00
是不起作用的，因为电池在充电时必须吸收电流，而在不充电时则须供应电流。另一种方法是使用图 1 所示的 MOSFET 电路之一。图 1：传统的负载侧反向保护对于负载侧电路而言，这种方法比使用二极管更好，因为
2021-12-02 09:18:17
器件。一旦在MOSFET的栅极端施加电压，源极沟道的漏极电阻将变得更大。当栅源电压增加更多时，从漏极到源极的电流将减少，直到电流从漏极到源极的流动停止。耗尽型MOSFET有两种类型，分别是P沟道和N沟道
2022-09-13 08:00:00
K9是单片机控制信号，OUT_12V_1是时钟（脉冲）信号，IN1B会有几种输出状态呢？光耦LTV-357T-D接P沟道MOSFET的作用是什么呢？
2021-11-11 16:59:06
*附件：power1.pdf
遇到一个电源板无法供电故障，此电源电路采用P沟道MOS限流保护设计。正常启动时Q14栅极上电慢，低于源极，MOS管导通，经过后级U9基准和U27运放组成恒压源电路，限制
2023-06-05 22:50:12
锂离子/聚合物电池保护集成电路XB7608AJ系列产品是锂离子/聚合物电池保护的高集成度解决方案。XB7608AJ包含了先进的powe MOSFET、高精度的电压检测电路和延时电路，XB7608AJ被放入
2021-04-15 21:12:45
时，形成两个反向偏置的PN结：P和垂直导电N+、P+和外延epi层N-。栅极下面的的P区不能形成反型层产生导电沟道，P和垂直导电N+形成PN结反向偏置，PN结耗尽层增大，并建立横向水平电场；同时，P+和外延
2018-10-17 16:43:26
承受80V的瞬态或DC过压。LTC4361具有由/ON引脚控制的软停机功能，并为可选的外部P沟道MOSFET提供栅极驱动输出，以实现电压反向保护。
2021-04-19 07:32:06
。逆向电池保护电路也节省了电子电路的任何回流从电池。反向电池保护电路可以建立使用二极管，MOSFET 或 BJT。在本教程中，逆向电池保护电路从这些组成部分将设计和测试的功率效率与不同的负载。实验中不
2022-03-23 10:26:13
20V N-沟道增强型MOSFET
20V N-沟道增强型MOSFET简介
2010-04-08 17:33:33
15 20V P 沟道增强型MOSFET管
20V P 沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:36:2023 20V N沟道增强型MOSFET管
20V N沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:39:0026 30V N沟道增强型MOSFET管
30V N沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:41:0020 30V P 沟道增强型MOSFET管
30V P 沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:42:0929 N加P沟道增强型MOSFET管
N加P沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:43:3925 N沟道增强型MOSFET
N沟道增强型MOSFET的工作原理
1) N沟道增强型MOSFET的结构N 沟道增强型
2009-09-16 09:38:1810460 功率场效应晶体管由于具有诸多优点而得到广泛的应用；但它承受短时过载的能力较弱，使其应用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驱动与保护电路的设计要求；计算了MOSFET驱动器的功
2012-03-05 15:56:44134 功率场效应晶体管由于具有诸多优点而得到广泛的应用；但它承受短时过载的能力较弱，使其应用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驱动与保护电路的设计要求；计算了MOSFET驱动器的功
2012-10-10 16:32:583880 
MOSFET多数是载流子器件， N沟道MOSFET在导电过程中有电子流动。 P沟道在导电期间使用被称为空穴的正电荷。电子的流动性是空穴的三倍。尽管没有直接的相关性，就RDS(on)而言，为得到相等的值，P沟道的管芯尺寸大约是N沟道的三倍。因此N沟道的管芯尺寸更小。
2018-03-09 14:28:1521279 
MOSFET及其应用优势，以帮助设计人员在许多工业应用中选择这些器件。 图1 N沟道耗尽型功率MOSFET N沟道耗尽型功率MOSFET的电路符号在图1中给出。端子标记为G（栅极），S（源极）和D（漏极）。IXYS耗尽型功率MOSFET具有称为垂直双扩散MOSFET或DMOSFET的结构，与市场上的其
2021-05-27 12:18:587444 
150V 快速高压侧受保护的 N 沟道 MOSFET 驱动器提供 100% 占空比能力
2021-03-19 04:35:129 为反向极性保护设计一个电路
2022-11-03 08:04:401 由于具有较低的导通电阻（RDS(on)）和较小尺寸，N沟道MOSFET在产品选择上超过了P沟道。在降压稳压器应用中，基于栅控电压极性、器件尺寸和串联电阻等多种因素，使用P沟道MOSFET或N沟道MOSFET作为主开关。
2022-11-18 11:28:212478 在工业和汽车应用中，大多数前端接口要求反向极性保护，而这一保护功能通常由二极管或MOSFET提供。由于它不需要电荷泵，p通道MOSFET一直用于高电流应用。然而，p通道MOSFET的Rds
2023-04-15 10:50:461357 
在本文中，我们将学习如何使用 P沟道和 N 沟道 MOSFET 构建通用全桥或 H 桥 MOSFET 驱动电路，该电路可用于制造电机、逆变器和许多不同的功率转换器的高效驱动电路。
2023-04-29 09:35:005290 
在这个设计中，我们看到了使用N沟道MOSFET实现BPS电路的理想方法。
2023-06-27 17:29:31599 
在H桥电路中实现P沟道MOSFET可能看起来既简单又诱人，但可能需要一些严格的计算和参数才能实现最佳响应。
2023-06-29 15:28:02957 
有四个主要元件可满足电池反向保护，分别是恢复整流二极管、肖特基整流二极管、P 沟道 MOSFET 和 N 沟道 MOSFET。
2023-08-10 14:00:10263 
电力MOSFET的反向电阻工作区 电力MOSFET在很多电子设备中都有广泛的应用，例如电源、驱动电路、LED控制等。MOSFET是一种基于场效应管的晶体管，其主要功能是根据输入电压控制输出电流。然而
2023-10-26 11:38:19435
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