今天碳化硅器件已经在多种应用中取得商业的成功。碳化硅MOSFET已被证明是硅IGBT在太阳能、储能系统、电动汽车充电器和电动汽车等领域的商业可行替代品。
2025-08-29 14:38:01
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碳化硅 (SiC) 是一项创新技术，将在许多应用中取代硅 (Si)。将 SiC 用于电动汽车 (EV) 的想法诞生于努力提高此类车辆的效率和续航里程，同时降低整车的重量和成本，从而提高控制电子设备的功率密度。
2022-07-27 14:37:233167 
。Wolfspeed 将为梅赛德斯-奔驰供应碳化硅器件，赋能其未来电动汽车平台，为其动力总成带来更高效率。梅赛德斯-奔驰部分汽车线的新一代动力总成系统将采用 Wolfspeed 半导体。 梅赛德斯-奔驰采购
2023-01-06 15:03:40843 
本白皮书重点介绍 Wolfspeed 专为高功率电子应用而设计的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技术。基于在碳化硅创新领域的传承，Wolfspeed 定期推出尖端技术解决方案，重新
2025-02-19 11:35:411716 
德尔福科技推出业界领先800伏碳化硅逆变器，将电动汽车充电时间减半
2019-09-20 14:55:532585 。尤其在高压工作环境下，依然体现优异的电气特性，其高温工作特性，大大提高了高温稳定性，也大幅度提高电气设备的整体效率。 产品可广泛应用于太阳能逆变器、车载电源、新能源汽车电机控制器、UPS、充电桩、功率电源等领域。 1200V碳化硅MOSFET系列选型
2020-09-24 16:23:17
BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
随着电动汽车的火热发展，充电桩和车载充电器的方案已经成为市场的热点。 此类应用中，其输入电压大都是三相交流输入，经过三相PFC后，直流母线电压会高到7，800V， 如此高的直流母线电压给后级
2018-10-17 16:55:50
，增加电流会导致线束问题，反过来又增加了车辆重量。增加电压到400V或更高才是可行的解决方案。采用电力电子器件的宽带隙解决方案 - 碳化硅（SiC），即可在高压下有效地传输电力。SiC是一种宽带隙半导体
2019-03-11 06:45:02
面向电动汽车的全新碳化硅功率模块 碳化硅在电动汽车应用中代表着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能，特别是在800 V 电池系统和大电池容量中，它可提高逆变器的效率，从而延长续航里程或降低电池成本
2021-03-27 19:40:16
碳化硅MOSFET开关频率到100Hz为什么波形还变差了
2015-06-01 15:38:39
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言，该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量，并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值，对短路行为的动态变化进行深度评估。
2019-08-02 08:44:07
。 BOM成本比较表明，碳化硅基MOSFET充电器方案可节省15%成本 加快上市等于减少了时间成本 半导体厂商通常都通过参考设计为其器件提供广泛的支持。对于上面提到的OBC应用，Wolfspeed的全球
2023-02-27 14:28:47
开关电源输出整流部分如果用碳化硅肖特基二极管可以用实现更高的直流电输出。 2、SiCMOSFET 对于传统的MOSFET，它的导通状态电阻很大，开关损耗很大，额定工作结温低，但是SiCMOSFET
2020-06-28 17:30:27
进一步了解碳化硅器件是如何组成逆变器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我们来聊聊碳化硅器件的特点
2021-03-16 08:00:04
大量采用持续稳定的线路板；在引擎室中，由于高温环境和LED 灯源的散热要求，现有的以树脂、金属为基材的电路板不符合使用要求，需要散热性能更好碳化硅电路板，例如斯利通碳化硅基板；在高频传输与无线雷达侦测
2020-12-16 11:31:13
92%的开关损耗，还能让设备的冷却机构进一步简化，设备体积小型化，大大减少散热用金属材料的消耗。半导体LED照明领域碳化硅（SiC）在大功率LED方面具有非常大的优势，采用碳化硅（SiC）陶瓷基板
2021-01-12 11:48:45
碳化硅的颜色，纯净者无色透明，含杂质(碳、硅等)时呈蓝、天蓝、深蓝，浅绿等色，少数呈黄、黑等色。加温至700℃时不褪色。金刚光泽。比重,具极高的折射率, 和高的双折射，在紫外光下发黄、橙黄色光，无
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 变流器等。集成式快速开关 50A IGBT 的关断性能优于纯硅解决方案，可与 MOSFET 媲美。较之常规的碳化硅 MOSFET，这款即插即用型解决方案可缩短产品上市时间，能以更低成本实现 95
2021-03-29 11:00:47
的化学惰性• 高导热率• 低热膨胀这些高强度、较持久耐用的陶瓷广泛用于各类应用，如汽车制动器和离合器，以及嵌入防弹背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高温和/或高压环境中工作的半导体电子设备，如火焰点火器、电阻加热元件以及恶劣环境下的电子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作为现在比较好的材料，为什么应用的领域会受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
EAB450M12XM3全碳化硅半桥功率模块CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed（原CREE科锐）生产的1200V、450A全碳化硅半桥功率模块，致力于高功率、高效化技术应用打造
2025-06-25 09:13:14
小轻薄，小尺寸，大能量B1D04065E PD快充用碳化硅肖特基二极管。特性：⚫极低反向电流⚫ 无反向恢复电流⚫ 温度无关开关⚫ VF上的正温度系数⚫ 卓越的浪涌电流能力⚫ 低电容电荷优势：⚫基本上
2021-11-06 09:26:20
对比 我们采用双脉冲的方法来比较一下基本半导体1200V 80mΩ 的碳化硅MOSFET的两种封装B1M080120HC（TO-247-3）和B1M080120HK（TO-247-4）在相同条件下
2023-02-27 16:14:19
随着电力电子技术的不断进步，碳化硅MOSFET因其高效的开关特性和低导通损耗而备受青睐，成为高功率、高频应用中的首选。作为碳化硅MOSFET器件的重要组成部分，栅极氧化层对器件的整体性能和使用寿命
2025-01-04 12:37:34
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的结构是如何构成的？
2021-06-18 08:32:43
。虽然碳化硅组件可望成为推动电力设备由机械转向电子结构的重要推手，但现阶段碳化硅组件最主要的应用市场，其实是电动汽车。电动汽车应用之所以对碳化硅组件的需求如此殷切，主要原因在于可实现更轻巧的电源系统
2021-09-23 15:02:11
，航空业最近经历了快速增长，新的航空航天世界在用于电源和电机控制的SiC器件中找到了新的电源管理解决方案。碳化硅有望在航空工业中降低重量和减少燃料消耗和排放，例如，碳化硅 MOSFET在更高工作温度下
2022-06-13 11:27:24
电机驱动。碳化硅器件和碳化硅模组可用于太阳能发电、风力发电、电焊机、电力机车、远距离输电、服务器、家电、电动汽车、充电桩等用途。创能动力于2015年在国内开发出6英寸SiC制造技术，2017年推出基于6
2023-02-22 15:27:51
硅 IGBT 和二极管与多电平配置等新拓扑相结合，可提供最佳的性价比。混合碳化硅结合了高速硅IGBT和碳化硅肖特基续流二极管，也是一个不错的选择，与纯硅解决方案相比，可将功率损耗降低多达50
2023-02-20 16:29:54
的功率半导体器件选型，并给出性能和成本平衡的混合碳化硅分立器件解决方案。 02 图腾柱无桥PFC拓扑分析 在正半周期（VAC大于0）的时候，T2为主开关管。 当T2开通时，电感L储能，电流
2023-02-28 16:48:24
场效应管（Si MOSFET）以前从未考虑过的应用而变得更具有吸引力。 碳化硅MOSFET越来越多用于千瓦级功率水平应用，涵盖如通电源，和服务器电源，和快速增长的电动汽车电池充电器市场等领域。碳化硅
2023-03-14 14:05:02
器件包括主开关MOSFET：C3M0065100K； 输出碳化硅二极管：C5D50065D;单端反激Flyback辅助电源的MOSFET：C2M1000170D方案能广泛应用于新能源电动汽车充电、通信
2016-08-05 14:32:43
对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET设计一个双向降压-升压转换器
2021-02-22 07:32:40
/混合动力汽车半导体领袖，紧跟市场趋势，提供全面的高性能方案，包括超级结SuperFET® III MOSFET、碳化硅(SiC)二极管、IGBT、隔离型门极驱动器、电流检测放大器、快恢复二极管，满足电动汽车充电桩市场需求并推动创新。
2019-08-06 06:39:15
采用沟槽型、低导通电阻碳化硅MOSFET芯片的半桥功率模块系列 产品型号 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽车级全碳化硅半桥MOSFET模块Pcore2
2023-02-27 11:55:35
碳化硅（SiC） MOSFET、超级结MOSFET、IGBT和汽车功率模块（APM）等广泛的产品阵容乃至完整的系统方案，以专知和经验支持设计人员优化性能，加快开发周期。本文将主要介绍针对主流功率等级的高能效OBC方案。
2020-11-23 11:10:00
）功率器件产业化的倡导者之一，国内首家第三代半导体材料碳化硅器件制造与应用解决方案提供商，在国内碳化硅功率器件制造商中率先完成了质量管理体系---汽车行业生产件与相关服务件的组织实施ISO9007的要求
2023-02-27 14:35:13
直流快充，三相交流输入需要经过三相PFC整流输出电压为800V，因此后级隔离采用如图6左所示复杂三电平硅方案，碳化硅MOSFET可以使电路从复杂三电平变为两电平全桥电路[2]，减小开关器件数量；(2
2016-08-25 14:39:53
碳化硅 MOSFET 量身打造的解决方案，搭配基本半导体TO-247-3 封装碳化硅 MOSFET。 2、通用型驱动核 1CD0214T17-XXYY 是青铜剑科技自主研发的一系列针对于单管碳化硅
2023-02-27 16:03:36
之一和全球第二大功率分立器件和模块半导体供应商，提供广泛的高能效和高可靠性的系统方案，并采用新型的宽禁带材料如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等进行新产品开发，用于汽车功能电子化和HEV/EV应用。
2019-07-23 07:30:07
。由于直流充电桩采用三相四线制供电，可以提供足够的功率，输出的电压和电流调整范围大，可以实现快充的要求。 二、解决方案： 直流充电桩要实现快充功能，输出电流大，因此采用三相交流电（380V）供电，本方案采用高性价比的MOS管，输出搭配碳化硅肖特基二极管。 充电器的特点如下：
2020-07-02 15:50:49
公司等为代表。四、碳化硅半导体应用碳化硅半导体器件，其高频、高效、高温的特性特别适合对效率或温度要求严苛的应用。可广泛应用于太阳能逆变器、车载电源、新能源汽车电机控制器、UPS、充电桩、功率电源等领域。原作者：大年君爱好电子
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅，采用的是ICP系列设备，刻蚀气体使用的是SF6+O2，碳化硅上面没有做任何掩膜，就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 栅极驱动器参考设计为驱动 UPS、交流逆变器和电动汽车充电桩（电动汽车充电站）应用的功率级提供了蓝图。此设计基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
IGBT 的三相电机半桥的高侧和低侧功率级，并能够监控和保护各种故障情况。图1：电动汽车牵引逆变器框图碳化硅 MOSFET 米勒平台和高强度栅极驱动器的优势特别是对于SiC MOSFET，栅极驱动器IC
2022-11-02 12:02:05
E3M0120090J通过推出 E 系列碳化硅 (SiC) MOSFET 扩展了其在碳化硅领域的领先地位；业内首个汽车认证；业界提供具有 PPAP 功能且防潮的 MOSFET。它采用
2022-05-22 10:54:29
C3M0065100J提供一系列 1000 V 碳化硅 (SiC) MOSFET，针对电动汽车充电系统等快速开关设备进行了优化；工业电源；和可再生能源系统。1000 V 碳化硅 MOSFET 通过
2022-05-22 22:19:10
C3M0065100K提供一系列 1000 V 碳化硅 (SiC) MOSFET，针对电动汽车充电系统等快速开关设备进行了优化；工业电源；和可再生能源系统。1000 V 碳化硅 MOSFET 通过
2022-05-23 18:20:10
C3M0120100J提供一系列 1000 V 碳化硅 (SiC) MOSFET，针对电动汽车充电系统等快速开关设备进行了优化；工业电源；和可再生能源系统。1000 V 碳化硅 MOSFET 通过
2022-05-23 20:57:39
C3M0120100K提供一系列 1000 V 碳化硅 (SiC) MOSFET，针对电动汽车充电系统等快速开关设备进行了优化；工业电源；和可再生能源系统。1000 V 碳化硅 MOSFET 通过
2022-05-23 21:05:47
C3M0021120D是1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 系列经过优化的器件，可用于 UPS 等大功率应用；电机控制和驱动；开关电源；太阳能和储能系统；电动汽车充电；高压 DC/DC
2022-05-23 21:30:45
C3M0021120K是1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 系列经过优化的器件，可用于 UPS 等大功率应用；电机控制和驱动；开关电源；太阳能和储能系统；电动汽车充电；高压 DC/DC
2022-05-23 21:43:24
E3M0075120K为E 系列分立碳化硅 MOSFET。业界首款汽车级碳化硅 MOSFET。通过推出 E 系列碳化硅 (SiC) MOSFET 扩展了其在碳化硅领域的领先地位；业内首个汽车认证
2022-05-24 21:52:50
E3M0075120D为E 系列分立碳化硅 MOSFET。业界首款汽车级碳化硅 MOSFET。通过推出 E 系列碳化硅 (SiC) MOSFET 扩展了其在碳化硅领域的领先地位；业内首个汽车认证
2022-05-24 21:59:02
对于大功率应用，如电网转换、电动汽车或家用电器，碳化硅（MOSFET）MOSFET比硅IGBT具有许多优点，包括更快的开关速度、更高的电流密度和更低的通态电阻。
2017-11-01 11:47:51
42 科锐（Nasdaq: CREE）旗下Wolfspeed于近日宣布推出E-系列碳化硅（SiC）半导体器件。这一新型产品家族针对电动汽车EV和可再生能源市场，能够为车载汽车功率转换系统、非车载充电、太阳能逆变器和其它户外应用提供目前最高的功率密度和长期可靠性。
2018-08-30 15:32:045412 保护功能的充电桩对于实现以尽可能短的充电时间续航更远的里程至关重要。常用的半导体器件有IGBT、超结MOSFET和碳化硅（SiC）。安森美半导体为电动汽车OBC和直流充电桩提供完整的系统方案，包括通过
2020-01-01 17:02:009515 
作为碳化硅技术全球领先企业的科锐（Cree Inc．， 美国纳斯达克上市代码：CREE）公司，于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET产品组合，适用于更广阔的工业应用，助力新一代电动汽车车载充电、数据中心和其它可再生能源系统应用，提供业界领先的功率效率。
2020-04-02 15:37:564450 碳化硅器件在电动汽车中的应用介绍说明。
2021-06-10 10:51:0875 通用汽车于近日宣布达成一项战略供应商协议，约定 Wolfspeed 为通用汽车的未来电动汽车计划开发并提供碳化硅（SiC）功率器件解决方案。
2021-10-11 15:27:361086 
碳化硅还减小了电动汽车车载充电器和电池管理解决方案的尺寸，最近导致它们集成到 DC-DC 转换器和配电单元中。
2022-05-16 15:21:502993 电动汽车 (EV) 以及更普遍的电动汽车的成功在很大程度上取决于为电池充电所需的时间。长期以来，电动汽车一直被认为是弱点之一，充电时间逐渐缩短，采用快速充电等先进解决方案，只需几分钟。直接
2022-08-03 09:20:213260 
对基于碳化硅 (SiC) 的系统的需求持续快速增长，以最大限度地提高效率并减小尺寸和重量，从而使工程师能够创建创新的电源解决方案。利用 SiC 技术的应用范围从电动汽车和充电站到智能电网以及工业和航空电力系统。
2022-08-08 09:34:321759 
关于硅基 IGBT，碳化硅 MOSFET 在此应用中也提供更好的性能：效率提高 2% 以上，功率密度增加 33%，系统成本更低，组件更少。
2022-08-09 10:06:001205 
Wolfspeed 650V 碳化硅 MOSFET 针对高性能电力电子应用优化设计，适合企业 / 服务器 / 通信电源、储能系统、电动汽车充电系统、电池管理系统、光伏逆变器和电机驱动等
2022-11-11 11:31:571164 随着对电动汽车（EV）需求的持续增长，制造商正在比较两种半导体技术，即碳化硅和硅，用于电力电子应用。碳化硅（SiC）具有耐高温、低功耗、刚性，并支持EV电力电子设备所需的更小、更薄的设计。SiC当前应用的示例包括车载DC/DC转换器、非车载直流快速充电器、车载电池充电器、电动汽车动力总成和LED汽车照明。
2022-11-15 10:22:551206 ST碳化硅解决方案让主要的汽车OEM厂商能够领跑电动汽车开发竞赛，我们的第三代 SiC 技术确保功率晶体管达到理想的功率密度和能效，让汽车实现出色的性能、续航里程和充电时间。
2022-12-15 11:51:172190 采用其他材料来代替。 而以碳化硅为代表的第三代半导体，与单晶硅和砷化镓等传统半导体材料相比，具有明显的优势： （1）碳化硅具有高热导率（达到4.9W/cm？ K），是硅的3.3倍。 因此，碳化硅材料散热效果好，理论上，碳化硅功率
2023-02-12 16:10:251692 使用PLECS仿真软件建立两者的热模型,进行系统性仿真,得到效率和结温间的对比结果｡最后通过电机对拖实验得出控制器应用碳化硅MOSFET时的效率,验证出在电动汽车热管理系统中,空调压缩机控制器应用碳化硅MOSFET能有更高的效率,有利于电动汽车的热管理｡
2023-04-17 11:08:411527 MOSFET相比传统的硅MOSFET具有更高的电子迁移率、更高的耐压、更低的导通电阻、更高的开关频率和更高的工作温度等优点。因此，碳化硅MOSFET可以被广泛应用于能源转换、交流/直流电源转换、汽车和航空航天等领域。
2023-06-02 15:33:152612 系列有源滤波器 APF 和静止无功发生器 SVG 中采用业界领先的 Wolfspeed WolfPACK 碳化硅功率模块。
2023-06-26 11:38:081470 SHINRY是全球最早实现碳化硅并批量交付的企业之一，开发的碳化硅双向OBC产品出货量已过百万件，使用SiC MOSFET的氢燃料电池汽车DCF（DC/DC Converter for Fuel Cell）市场份额超过50%，在碳化硅器件的应用和推广方面具备丰富的经验和市场基础
2023-06-27 17:41:501931 
。Wolfspeed 1200V碳化硅MOSFET系列针对高功率应用优化设计，适用于光伏与储能系统、电动汽车充电、高电压DC/DC转换器、测试设备、不间断电
2023-07-06 10:35:141265 电动汽车（EV）电池系统从400V到800V的转变使碳化硅（SiC）半导体在牵引逆变器、车载充电器（OBC）和DC/DC转换器中脱颖而出。
2023-07-25 09:50:15976 随着对电动汽车（EV）需求的持续增长，制造商正在比较两种半导体技术，即碳化硅和硅，用于电力电子应用。碳化硅（SiC）具有耐高温、低功耗、刚性，并支持EV电力电子设备所需的更小、更薄的设计。SiC当前
2023-09-27 09:48:181254 Wolfspeed 采用 TOLL 封装的碳化硅 MOSFET 产品组合丰富，提供优异的散热，极大简化了热管理。
2023-11-20 10:24:002169 
碳化硅在功率半导体市场（尤其是电动汽车）中越来越受欢迎，但对于许多应用来说仍然过于昂贵。
2024-01-29 14:46:114552 
2024年以来，包括广汽集团等4家企业均推出了基于碳化硅技术的汽车充电方案，意味着碳化硅有望在充电基础设施领域实现大规模应用
2024-01-29 16:53:254054 
SemiQ的各种碳化硅(SiC)二极管、模块和MOSFET能够满足高效率电动汽车快速充电设计的需求，具有一流的可靠性、质量和性能。SiC模块和分立封装中的1200V二极管具有一系列电压和电流，可为
2024-05-15 11:20:06804 
全球领先的芯片制造商 Wolfspeed 近日宣布了一项重大技术创新，成功推出了一款专为可再生能源、储能系统以及高容量快速充电领域设计的碳化硅模块。这款模块以 Wolfspeed 最尖端的 200 毫米碳化硅晶片为核心，实现了前所未有的性能飞跃。
2024-09-12 17:13:321309 Wolfspeed碳化硅助力实现高性能功率系统
2024-10-24 10:51:362 随着可再生能源的崛起和电动汽车的普及，全球对高效能、低能耗电力电子器件的需求日益增加。在这一背景下，碳化硅（SiC）MOSFET作为一种新型宽禁带半导体器件，以其优越的性能在功率电子领域中崭露头角
2025-02-26 11:03:291400 基于BASIC Semiconductor基本半导体股份有限公司 碳化硅SiC MOSFET的高效热泵与商用空调系统解决方案 BASiC基本股份SiC碳化硅MOSFET单管及模块一级代理商倾佳电子杨
2025-05-03 10:45:12561 
倾佳电子(Changer Tech)-专业汽车连接器及功率半导体(SiC碳化硅MOSFET单管，SiC碳化硅MOSFET模块，碳化硅SiC-MOSFET驱动芯片，SiC功率模块驱动板，驱动IC
2025-06-19 16:57:201228 
Wolfspeed 推出新型顶部散热（TSC） 碳化硅 MOSFET 和肖特基二极管 优化热管理并节约能耗 Wolfspeed 正在扩展其行业领先的碳化硅（SiC）MOSFET 和肖特基二极管分立
2025-07-09 10:50:321361 
Wolfspeed 推出第四代 (Gen 4) 1200 V 车规级碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列，专为严苛的汽车环境设计。Wolfspeed 第四代高性能碳化硅 MOSFET，可在 185°C 下持续工作，助力动力总成系统实现最大性能。
2025-08-11 16:54:232327 碳化硅 (SiC) 技术并非凭空而来，它是建立在数十年的创新基础之上。近四十年来，Wolfspeed 始终致力于碳化硅 (SiC) 技术和产品的创新并不断强化基础专利。仅在过去的五年中，我们
2025-09-22 09:31:47654 Wolfspeed 宣布推出最新的工业级 1200 V C4MS 系列分立式碳化硅 MOSFET，基于业界领先的第四代 (Gen 4) 技术平台开发，为硬开关应用提供了优异的性能。
2025-11-30 16:13:27564 Wolfspeed 宣布推出最新的车规级 1200 V E4MS 系列分立式碳化硅 MOSFET，基于业界领先的第四代 (Gen 4) 技术平台开发， 为汽车车载充电器、DC/DC 转换器、电子压缩机和加热与冷却系统等应用提供了优异的性能。
2025-11-30 16:14:51658 展现 Wolfspeed 在碳化硅功率解决方案领域的领先地位，凭借提升的效率和性能，助力丰田全球电气化战略，推动纯电动汽车发展。
2025-12-13 11:09:381841
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