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2022年11月29日 – 提供超丰富半导体和电子元器件的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子
(Mouser Electronics) 提供英飞凌的各种通用MOSFET。英飞凌丰富多样的高压和低压MOSFET产品组合为各种应用提供灵活性、适应性和高价值，可帮助设计师满足项目、价格或物流要求。
贸泽电子供应的英飞凌通用MOSFET包括用于最高250V设计的低压版本，以及用于500V至900V设计的高压版本。低压MOSFET包括各种单/双N沟道和P沟道器件，其漏-源击穿电压范围介于20V至600V。这些器件的漏-源电阻额定值为1.1mΩ至30Ω，连续漏电流范围介于100mA至260A。这些低压MOSFET的工作温度范围介于-55°C至+175°C，符合AEC-Q101标准。
高压MOSFET的漏-源击穿电压范围介于500V至900V，漏-源电阻范围介于77mΩ至4.68Ω，持续漏电流范围介于1A至54.9A。这些器件的最低工作温度为-40°C，功耗范围介于5W至500W。
贸泽分销的英飞凌通用MOSFET提供多种封装选项，包括SOT-23、PQFN、SuperSO8、TO-252（DPAK）、SOT-223和TO-220。所有这些器件都有配套的英飞凌在线设计工具、仿真模型和全面的产品支持文档。
这些通用MOSFET非常适合各种电源转换和管理应用，可以集成到需要电池反向保护功能、在备用电源之间切换电源或可关闭非必要负载的设计中。其目标应用包括开关电源、充电器和适配器、照明、电视电源、服务器/电信设备、电池供电应用、电机控制和驱动器，以及电池管理系统。
有关更多信息，请访问https://www.mouser.cn/new/infineon/infineon-250v-500v-general-purpose-mosfets/。
贸泽电子开售各种面向电源转换应用的英飞凌通用MOSFET
- 英飞凌(136806)
- 贸泽电子(95693)
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2021-03-25 17:26:082117
2117英飞凌新品：采用D2PAK-7L封装的1200V CoolSiC™ MOSFET
英飞凌推出采用全新D2PAK-7L封装的1200V CoolSiC MOSFET，导通电阻从30mΩ到350mΩ，可助力不同功率的工业电源、充电器及伺服驱动器（不同的电流额定值）实现最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:492695
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英飞凌推出全新的OptiMOS™源极底置功率MOSFET
英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出了新一代OptiMOS™ 源极底置（Source-Down，简称SD）功率MOSFET，为解决终端应用中的设计挑战提供切实可行的解决方案。
2022-02-15 13:51:382073
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半桥LLC谐振转换器中Si和SiC MOSFET的比较
LLC 谐振转换器可用于各种应用，如消费电子产品，以及可再生能源应用，如光伏、风能、水力和地热等。本文提供了在 3KW 中建模的 Si 和 SiC MOSFET 的详细比较具有宽输入电压范围的半桥 LLC 转换器。
2022-07-29 09:44:201207
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面向通用交流输入和5V/1.4A输出的MOSFET集成PSR反激参考设计
电子发烧友网站提供《面向通用交流输入和5V/1.4A输出的MOSFET集成PSR反激参考设计.zip》资料免费下载
2022-09-06 09:26:170
0电平转换以控制功率MOSFET
某些电源架构要求电源排序器（或系统管理器）控制下游功率MOSFET，以允许功率流入分支电路。如果输入电源电压至少比电源输出电压高5V，则可以在电源输出端放置一个功率MOSFET，并增加一些电平转换电路。
2023-02-09 12:07:58536
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贸泽电子开售面向无线音频应用的 英飞凌MA2304xN MERUS多级开关放大器
2023 年 4 月 4 日 – 专注于推动行业创新的知名新品引入 (NPI) 分销商™贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售英飞凌的MA2304xN MERUS™多级开关
2023-04-04 14:29:25438
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如何使用P/N沟道MOSFET构建通用全桥或H桥MOSFET驱动电路
在本文中，我们将学习如何使用 P沟道和 N 沟道 MOSFET 构建通用全桥或 H 桥 MOSFET 驱动电路，该电路可用于制造电机、逆变器和许多不同的功率转换器的高效驱动电路。
2023-04-29 09:35:005290
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贸泽开售面向安全应用的英飞凌OPTIGA Trust M物联网安全开发套件
2023 年 5 月 11 日 – 专注于引入新品的全球半导体和电子元器件授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起供货英飞凌的OPTIGA™ Trust M物联网安全
2023-05-12 17:05:36443
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英飞凌推出新一代面向汽车应用的OptiMOS 7 40V MOSFET系列
英飞凌科技汽车 MOSFET 产品线高级副总裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列将在功率密度、电流能力和芯片耐用性方面树立新标杆。
2023-06-26 13:10:00302
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英飞凌EiceDRIVER™技术以及应对SiC MOSFET驱动的挑战
碳化硅MOSFET导通损耗低，开关速度快，dv/dt高，短路时间小，对驱动电压的选择、驱动参数配置及短路响应时间都提出了更高的要求。英飞凌零碳工业功率事业部产品工程师郑姿清女士，在2023IPAC
2023-12-01 08:14:10212
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英飞凌推出首款采用OptiMOS 7技术的15 V沟槽功率MOSFET
英飞凌推出业内首款采用全新 OptiMOS 7 技术的 15 V 沟槽功率 MOSFET。这项技术经过系统和应用优化，主要应用于服务器和计算应用中的低输出电压 DC-DC 转换。英飞凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49363
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英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSi MOSFET G2
在电力电子领域持续创新的英飞凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术——CoolSiC™ MOSFET Generation 2。这一创新技术的推出，标志着功率系统和能量转换领域迎来了新的里程碑，为行业的低碳化进程注入了强大动力。
2024-03-12 09:43:29125
125英飞凌推出新一代碳化硅MOSFET沟槽栅技术
在全球电力电子领域，英飞凌科技以其卓越的技术创新能力和领先的产品质量赢得了广泛赞誉。近日，该公司宣布推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，标志着功率系统和能量转换领域迈入了新的发展阶段。
2024-03-12 09:53:5297
97英飞凌发布新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术
英飞凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，无疑为功率系统和能量转换领域带来了革命性的进步。与上一代产品相比，全新的CoolSiC™ MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36131
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