功率MOS管的损坏机理介绍
此文主要参考renasus功率二极管应用说明，考虑大部分人比较懒，有针对性的分成几个部分，第一个部分是介绍，就是本文，以后会把对策
2009-11-21 10:48:58
2894 做开关电源寻找MOS功率管时，对其电流参数不理解，Continuous Drain Current (Package limited)=100A，Continuous Drain Current
2018-01-09 12:08:26
? 1、功率损耗的原理图和实测图 一般来说，MOS管开关工作的功率损耗原理图如图1所示，主要的能量损耗体现在“导通过程”和“关闭过程”，小部分能量体现在“导通状态”，而关闭状态的损耗很小几乎为0，可以
2018-11-09 11:43:12
请较大家，MOS管DS击穿在什么情况易发生，最近一产品在家里面用从来没有坏过！但是拿出去用很容易损坏！条件没什么特殊的
2012-09-17 13:42:15
本帖最后由 菜鸟到大神 于 2020-5-17 21:24 编辑
MOS管类型MOS管有N沟道型和P沟道型两种，根据场效应原理的不同又可分为耗尽型和增强型。因此，MOS管可构成P沟道增强型、P
2020-05-17 21:00:02
损耗的限制形成一个工作区域，称为安全工作区，如下图所示。安全工作区可以避免管子因结温过高而损坏。2、器件手册SOA曲线图:示波器的测试应用非常简单，使用电压、电流探头正常测试开关管MOS管的VDS
2019-04-08 13:42:38
产生过热，使元件受伤，虽然仍能工作，但是寿命受损。所以ESD对MOS管的损坏可能是一，三两种情况，并不一定每次都是第二种情况。上述这三种情况中，如果元件完全破坏，必能在生产及品质测试中被察觉而排除
2017-08-22 10:31:15
元件受伤，虽然仍能工作，但是寿命受损。所以ESD对MOS管的损坏可能是一，三两种情况，并不一定每次都是第二种情况。上述这三种情况中，如果元件完全破坏，必能在生产及品质测试中被察觉而排除，影响较少。如果
2017-06-01 15:59:30
MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电（少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压（想想U=Q/C）将管子损坏），又因
2016-07-21 10:55:02
驱动的使用，当然就是用它的开关作用。接下来我们来了解MOS管发热五大关键技术。1、芯片发热本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片
2015-12-16 15:53:00
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:56 编辑
MOS管，三极管属于两种不同类型管子， 它们的区别在于，MOS管是单极性管子而三极管属于双极性管子，这个单极性和双极性
2012-07-09 17:03:56
1.物理特性 MOS管分为N沟道和P沟道的形式，N沟道和P沟道都有增强型和耗尽型两种。耗尽型与增强型的主要区别在于耗尽型MOS管在G端（Gate）不加电压时有导电沟道存在，而增强型MOS管只有
2021-01-15 15:39:46
mos管相比于三极管，开关速度快，导通电压低，电压驱动简单，所以越来越受工程师的喜欢，然而，若不当设计，哪怕是小功率mos管，也会导致芯片烧坏，原本想着更简单的，最后变得更加复杂。这几年来一直做高频
2018-11-21 14:43:01
大功率电源的PFC电路中，根据MOS管的Qg和导通时间计算栅极驱动电流约5A。按照一般的说法，如果驱动电流设计的太大，会引起电压过冲和振荡，除此之外，还会有什么不利后果？会损坏MOS管吗？根据经验一般最大在多少A比较好？谢谢指教！
2022-05-05 23:01:18
的正确的选择方法。 第一步：选用N沟道还是P沟道 为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成
2020-07-10 14:54:36
现在用全桥输出拓扑较多经常看见在每个桥臂的MOS管G极前加一个阻值不大但是功率较大的电阻同时和MOS并联的还有一个RCD（电阻+二极管+电容）电路现在知道这个RCD电路是用于吸收MOS管的突波或者
2017-08-11 09:20:17
，逻辑部分使用典型的5V或者3.3V数字电压，而功率部分使用12V甚至更高的电压。两个电压采用共地方式连接。这就提出一个要求，需要使用一个电路，让低压侧能够有效的控制高压侧的MOS管，同时高压侧的MOS管
2018-11-14 09:24:34
通期间损耗，小的Rth值可减小温度差（同样耗散功率条件下），故有利于散热。五、损耗功率初算 MOS管损耗计算主要包含如下8个部分： PD
2019-12-10 17:51:58
今天小编给大家带来的是步进驱动器MOS管损坏了我们应该怎么去解决，这个mos管在步进驱动器上也还是较重要的，一旦这个som管烧毁了步进驱动器外面的保险丝也会被烧毁，整个设备也会受到影响不能
2017-03-31 14:15:39
正式的产品设计也是不允许的。 1、MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被**成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型
2019-02-14 11:35:54
我们在规划制作电子捕鱼器时，有两种器材是必不可少的，一种是高频机的功率MOS管，首要用在高频电子捕鱼器中，另一种是低频电鱼机中的三极管，首要用于低频捕鱼器中，这两种元器材在运用中究竟有些什么区别呢
2019-05-30 00:34:14
大体积和小体积两种，主要区别在于电流值不同。DFN：体积上，较SOT-23大，但小于TO-252，一般在低压和30A以下中压MOS管中有采用，得益于产品体积小，主要应用于DC小功率电流环境中。MOS管
2019-01-11 16:25:46
什么是 MOS 管?MOS 管一般指 pmos。PMOS 是指 n 型衬底、p 沟道，靠空穴的流动运送电流的 MOS 管。电源反接，会给电路造成损坏，不过，电源反接是不可避免的。所以，我么就需要
2020-11-16 09:22:50
网上查询到的MOS管防过压原理图，求大神解析原理，跪谢！
2022-10-13 09:37:04
也是不允许的。下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。1，MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种
2011-11-07 15:56:56
，发热也会增大，极易损坏MOS,所以高频时栅极栅极串的电阻不但要小，一般要加前置驱动电路的。下面我们先来了解一下MOS管开关的基础知识。1.MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种(另一种
2019-07-03 07:00:00
，发热也会增大，极易损坏MOS,所以高频时栅极栅极串的电阻不但要小，一般要加前置驱动电路的。下面我们先来了解一下MOS管开关的基础知识。1.MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种(另一种
2019-07-05 08:00:00
，发热也会增大，极易损坏MOS,所以高频时栅极栅极串的电阻不但要小，一般要加前置驱动电路的。下面我们先来了解一下MOS管开关的基础知识。1.MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种(另一种
2019-07-05 07:30:00
mos管的驱动电流如何设计呢
如果已经知道MOS的Qg
恒压模式下如何设计驱动管的电流
恒流模式下设置多大电流呢
2023-06-27 22:12:29
三极管选型要看功率结合进行选型，那么MOS管需要结合功率选型吗？看了很多MOS管选型，就是考虑VDS ，VGS， 等效电阻，损耗，结温，就是没有考虑MOS管的功率，请问MOS选型是不是可以自动忽略功率这项参数，我用的是AO3400驱动150mA的电机。有老哥知道不，请解答下。
2020-11-27 22:58:39
号的MOS管，要考虑到其输入电容这一参数。例如有一款42寸液晶电视的背光高压板损坏，经过检查是内部的大功率MOS管损坏，因为无原型号的代换，就选用了一个，电压、电流、功率均不小于原来的MOS管替换
2019-04-11 12:04:23
式封装工艺焊接成本高、散热性能也不如贴片式产品，使得表面贴装市场需求量不断增大，也使得TO封装发展到表面贴装式封装。TO-252(又称之为D-PAK)和TO-263(D2PAK)就是表面贴装封装。TO252/D-PAK是一种塑封贴片封装，常用于功率晶体管、稳压芯片的封装，是目前主流封装之一。``
2019-04-12 11:39:34
来搭建H桥，一般常用的元器件是三极管，MOS管，三极管的电路比较简单，但有一个问题，CE极导通的时候会有一个0.7V左右的压降，从而使加到电机上电压减小，采用MOS管可以很好的解决这个问题，MOS管导
2018-05-23 18:37:13
一个简单的NPN+P_MOS开关控制，负载是850nm激光二极管，驱动MCU是STC15F2。现在出现mos管容易损坏的情况，本人菜鸟不知道是什么原因造成的，还望各位大神能指点一二
2018-08-29 18:06:20
，截止损耗（漏电流引起的，这个忽略不计），还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内，mos即会正常工作，超出承受范围，即发生损坏。而开关损耗往往大于导通状态损耗（不同mos这个差距可能很大。Mos损坏主要原因：过流----------持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁；过压
2021-07-05 07:19:31
过程。 比如一个mos最大电流100a，电池电压96v，在开通过程中，有那么一瞬间（刚进入米勒平台时）mos发热功率是P=V*I(此时电流已达最大，负载尚未跑起来，所有的功率都降落在MOS管上)，P=96
2020-06-26 13:11:45
时产生的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOS管的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。 典型电路： 二、器件发热损坏 由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因
2018-10-29 14:07:49
功率最大（更粗线表示）。所以一定充电电流下，红色标注区间总电荷小的管子会很快度过，这样发热区间时间就短，总发热量就低。所以理论上选择Qgs和Qgd小的mos管能快速度过开关区。导通内阻。Rds
2019-07-26 07:00:00
动作。2、另一种灌流电路灌流电路的另外一种形式，对于某些功率较小的开关电源上采用的MOS管往往采用了图2-4-A的电路方式。图2-4-A 图2-4-B图中 D为充电二极管，Q为放电三极管（PNP）。工作
2012-08-09 14:45:18
本帖最后由 XSJ7755 于 2017-4-18 19:54 编辑
我在工作中遇到的一个案例，客户端总是烧一个MOS 管的问题。参考附图！为什么总是损坏MOSFETQ8212？同一片主板上用料五颗，请高手分析下原因
2017-04-18 19:56:14
什么是MOS管？MOS管的工作原理是什么？MOS管和晶体三极管相比有何特性呢？
2022-02-22 07:53:36
`逆变器是一种DC-AC的变压器，将直流电转变成交流电，它其实与转化器一样，是一种电压逆变的过程。电子设计工程师都知道，逆变器广泛应用于各种家用电器中，包括电视、空调、冰箱、电脑等，而场效应管在其
2019-08-10 16:05:34
沟道为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管
2018-10-19 10:10:44
（1）为了安全使用MOS管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。 （2）各类型MOS管在使用时，都要严格按要求的偏置接入电路中，要遵守MOS
2020-06-28 16:41:02
正式的产品设计也是不允许的。 下面是我对MOS及MOS驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，并非原创。包括MOS管的介绍、特性、驱动以及应用电路。 MOSFET管FET的一种（另一种是JEFT），可以
2016-12-26 21:27:50
大，这样接触到静电就有一个充电的过程，产生的电压较小，引起击穿的可能较小，再者现在的大功率MOS管在内部的栅极和源极有一个保护的稳压管DZ（如下图所示），把静电嵌位于保护稳压二极管的稳压值以下，有效
2018-11-01 15:17:29
` 通常，由于磷酸铁锂电池的特性，在应用中需要对其充放电过程进行保护，以免过充过放或过热，以保证电池安全的工作。短路保护是放电过程中一种极端恶劣的工作条件，本文将介绍功率MOS管在这种工作状态
2018-12-11 11:42:29
。例如有一款42寸液晶电视的背光高压板损坏，经过检查是内部的大功率MOS管损坏，因为无原型号的代换，就选用了一个，电压、电流、功率均不小于原来的MOS管替换，结果是背光管出现连续的闪烁（启动困难），最后
2019-02-23 16:23:40
关于怎样确定MOS管是否会击穿的问题。在网上有看到大概两种说法：1.计算雪崩能量然后进行判断MOS管是否会损坏；2.计算MOS管结温然后查出对应的击穿电压。第一种不知道是要测所有的能量还是只是大于
2018-12-21 10:46:27
而影响后面的各项工作和事宜。立深鑫电子为大家总结出如何正确选取MOS管的四大法则。 法则之一：用N沟道orP沟道 选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中
2018-11-08 14:13:40
的四大法则。 法则之一：用N沟道orP沟道 选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧
2016-01-26 10:30:10
、MOS管电路工做原理：MOS管是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件),具有很高的输入阻抗,较大的功率增益,由于是电压控制器件所以噪声小, MOS管是一种单极型晶体管,它只有一个P-N结,在零偏压
2019-04-16 11:20:05
第一步：选用N沟道或是P沟道 为规划挑选正确器材的第一步是决议选用N沟道仍是P沟道MOS管。在典型的功率使用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在
2021-03-15 16:28:22
与晶体三极管的组合，MOS是作为输入管，而晶体三极管作为输出管。于是三极管的功率做的挺大，因此两者组合后即得到了MOS管的优点又获得了晶体三极管的优点。综上所述的两种晶体管，是目前电子设备使用频率很高
2019-05-02 22:43:32
MOS管相比于三极管，开关速度快，导通电压低，电压驱动简单，所以越来越受工程师的喜欢，然而，若不当设计，哪怕是小功率MOS管，也会导致芯片烧坏，原本想着更简单的，最后变得更加复杂。这几年来一直做高频
2018-11-27 14:11:15
哪位大神能帮忙分析下这个电路，安装电池的过程中MOS管会有20%的损坏。除开静电的损坏，还有有其他可能没有呢?
2018-09-11 13:36:23
` 1、MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道
2018-10-18 18:15:23
电流破坏元件绝缘层和导体，使元件不能工作（完全破坏）;（3）因瞬间的电场软击穿或电流产生过热，使元件受伤，虽然仍能工作，但是寿命受损。所以ESD对MOS管的损坏可能是一，三两种情况，并不一定每次都是
2018-10-22 15:35:34
的一种(另一种是JEFT)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到的NMOS，或者PMOS就是指这两种
2018-12-03 14:43:36
求各位大神推荐几款MOS管,要求：1.低电压导通2.中等功率，最大散耗功率5~50W均可3.价格适中，在市面上比较容易能买到NMOS PMOS均可
2017-10-25 14:32:14
Flyback时功率MOSFET的寄生双极晶体管运行，导致此二极管破坏的模式。第四种：由寄生振荡导致的破坏此破坏方式在并联时尤其容易发生在并联功率MOS FET时未插入栅极电阻而直接连接时发生的栅极
2019-03-13 06:00:00
上面因素。 五、选取耐压BVDSS 在大多数情况下，因为设计的电子系统输入电压是相对固定的，公司选取特定的供应商的一些料号，产品额定电压也是固定的。 数据表中功率MOS管的击穿电压BVDSS有
2018-11-19 15:21:57
下。 MOS管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS管，或者PMOS
2018-11-08 14:11:41
`` 本帖最后由 王栋春 于 2018-10-19 21:32 编辑
在当今的开关电源设备中,当电源电压在200v以下时,主开关功率器件一般都使用MOS管。所以深入了解MOS管的内部结构和工作
2018-10-19 16:21:14
` 1、MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管
2018-10-26 14:32:12
时产生的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOS管的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。 典型电路: 二、器件发热损坏 由超出安全区域弓|起发热而导致的。发热的原因
2018-11-21 13:52:55
，或者有可能造成功率管遭受过高的di／dt而引起误导通。为避免上述现象的发生，通常在MOS驱动器的输出与MOS管的栅极之间串联一个电阻，电阻的大小一般选取几十欧姆。 2)防止栅源极间过电压，由于栅极与源
2018-12-10 14:59:16
的MOS管，而不会使用以前的三极管。但是性能再优越，也会出现损坏的情况，那作为厂家来说应该怎么检测MOS管是否损坏呢？ 电路中，如何判断MOS管的完好或失效，与单独鉴别MOS好坏不完全相同，电路中完好
2018-12-27 13:49:40
一些过压，过流和过载工况下，功率MOS很容易损坏，从而造成整个驱动板的失效，甚至存在起火的风险。本文提出两个冗余驱动线路，可以有效避免MOS单点失效的负面影响。图1：典型的有刷电动工具驱动系统如图2所示
2022-01-18 07:00:00
`上图为电路图。1、2是两个控制端，连接在一个phoenix ups上面，输出类型为继电器输出，两种状态 24V和悬空；这个电路是通过UPs输出的两种状态控制两个LED灯点亮。1 输出高时，两个灯
2019-12-30 10:30:50
萌新求助，求一种简单的MOS管直流电机驱动电路
2021-10-19 06:49:59
的时候，为了测试实际情况，采用空气开关，也就是断路器上电。1、Mos管在启动的时候，因为栅极平台电压时间过长，导致此时电流很大，但是同时Vdc又有110VDC电压，因此导致MOS管过功率损坏短路。。2
2020-04-26 14:17:30
的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。典型电路：第二种：器件发热损坏由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因分为直流功率
2021-11-10 07:00:00
正式的产品设计也是不允许的。下面是我对MOS及MOS驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，并非原创。包括MOS管的介绍、特性、驱动以及应用电路。MOSFET管FET的一种(另一种是JEFT)，可以被制造成
2017-12-05 09:32:00
的，作为正式的产品设计也是不允许的。下面是我对MOS及MOS驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，并非原创。包括MOS管的介绍、特性、驱动以及应用电路。MOSFET管FET的一种(另一种是JEFT
2017-08-15 21:05:01
正式的产品设计也是不允许的。 1、MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型
2018-11-27 13:44:26
请问我用一个tlp250可以同时驱动几个功率MOS管吗
2017-03-03 16:39:07
，为了测试实际情况，采用空气开关，也就是断路器上电。1、Mos管在启动的时候，因为栅极平台电压时间过长，导致此时电流很大，但是同时Vdc又有110VDC电压，因此导致MOS管过功率损坏短路。。2、还有可能就是
2020-05-20 10:06:20
12V；；；请问各位大佬MOS管的这种损坏属于什么损坏，是什么导致的，感觉GS有2M应该是没事的，这个管子以前遇到的损坏都是GS直接短路了，这个现象不一样
2021-05-25 08:21:12
如何选择高性能的MOS管呢？ 1.选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧
2019-01-10 11:52:27
关于STM32 GPIO的配置等问题一、GPIO的基本结构图示二、模式直接上图：图表数据解析：三、配置等问题问题一、GPIO的基本结构图示提示：图片来自STM32中文参考手册P176STM32英文
2022-02-28 07:26:08
增加到几百安培，在这种情况下，功率MOS管容易损坏。 磷酸铁锂电池短路保护的难点 （1）短路电流大 在电动车中，磷酸铁锂电池的电压一般为36V或48V，短路电流随电池的容量、内阻、线路的寄生电感
2018-12-26 14:37:48
其实MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。 静电击穿有两种
2022-05-14 10:22:39
产品在某一个批次的生产中突然发现20%的DC-DC芯片不通电，并且都表现为下MOS损坏。外围硬件设计，有什么因素可能导致下MOS管损坏呢？如何去分析对比电源IC批次性差异呢？
2023-01-12 17:01:27
结合功率MOSFET管不同的失效形态，论述了功率MOSFET管分别在过电流和过电压条件下损坏的模式，并说明了产生这样的损坏形态的原因，也分析了功率MOSFET管在关断及开通过程中发生失效
2013-09-26 14:54:23
92 主要介绍电源中功率MOS损坏分析，为从事此方面的模拟故障诊断工程师提供参考。
2015-10-28 11:07:2315 mos管的损坏主要围绕雪崩损坏、器件发热损坏、内置二极管破坏、由寄生振荡导致的破坏、栅极电涌、静电破坏这五大方面。接下来就由小编针对mos管的损坏原因做以下简明介绍。
2022-03-11 11:20:172517 
时产生的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。
典型电路：
第二种：器件发热损坏
由超出安全区域引起发热而导致的。...
2022-02-11 10:53:295 Mos主要损耗也对应这几个状态，开关损耗（开通过程和关断过程），导通损耗，截止损耗（漏电流引起的，这个忽略不计），还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内，mos即会正常工作，超出承受范围，即发生损坏。
2023-01-30 10:48:26805 功率MOSFET的UIS雪崩损坏有三种模式：热损坏、寄生三极管导通损坏和VGS尖峰误触发导通损坏。
2023-06-29 15:40:541276 
管为什么会烧呢？本文将从电路设计、应用环境、管子自身三个方面进行详细解析和分析。 一、电路设计方面的问题 1、电流过大 功率MOS管的特点之一就是带有大电流，但过大的电流可能会导致管子过热而烧毁。因此，电路设计中需要严格控制电流值，选择合适的电
2023-10-29 16:23:501018 Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常见的半导体器件，广泛应用于各种电子设备中。然而，在实际应用中，MOS管可能会因为各种原因而损坏。本文将对MOS管损坏的原因进行分析
2023-12-28 16:09:38416 
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