`肖特基二极管肖特基(Schottky)二极管,又称肖特基势垒二极管(简称 SBD),它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右
2020-07-23 14:45:20
。 SiC肖特基势垒二极管(SBD)在大功率应用方面的最大优势在于近乎理想的动态特性。在反向恢复瞬态,当二极管从正向导通模式转变为反向阻断模式时,有很低的反向恢复时间,而且在整个工作温度范围内保持
2020-09-24 16:22:14
同时放在脑里。可以理解为基本的功能加上各种各样的形状来补充。1. 按频率分类最基本的分类方法。二极管根据其特性分为整流二极管、开关二极管、肖特基势垒二极管、齐纳二极管、用于高频的高频二极管。另外,作为
2019-04-12 00:31:05
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成
2019-10-22 09:12:18
凌讯MBR系列肖特基势垒整流器(标准肖特基)是基于硅肖特基二极管技术的最新器件。肖特基势垒整流器是非常受设计人员欢迎的器件,因为其具有极快的开关速度、非常低的正向压降、低泄漏和高结温能力。MBR系列
2016-04-11 11:53:55
肖特基二极管、稳压二极管、瞬态二极管之间的区别和理解1、肖特基二极管肖特基二极管是以贵金属为正极,N型半导体为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性制成的金属-半导体器件。肖特基整流管的结构
2021-11-15 06:47:36
肖特基势垒二极管SBD(Schottky Barrier Diode,简称肖特基二极管)是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V
2020-10-28 09:13:12
以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在100纳秒以下。 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管,简称肖特基二极管
2019-01-08 13:56:57
肖特基二极管分贴片和插件这两种类别,一种是常见三个脚的肖特基二极管,印字是“例:MBR20100FCT”,符号是 “ ”;第二种是贴片肖特基二极管,贴片肖特基二极管的印字多数是用型号来做印字
2021-07-09 11:45:01
,这个接触面称为“金属半导体结”,其全名应为肖特基势垒二极管,简称为肖特基二极管。现有肖特基二极管大多数是用硅(Si)半导体材料制作的。20世纪90年代以来,出现了用砷化镓(GaAs)制作SBD
2019-01-03 13:36:59
肖特基二极管是什么? 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管,简称肖特基二极管。肖特基二极管属于低功耗、超高速半导体器件,其反向恢复时间可小到几个纳秒(2-10ns纳秒),正向压降
2016-04-19 14:29:35
肖特基二极管正向导通电压很低,只有0.4V,反向在击穿电压之前不会导通,起到快速反应开关的作用。而稳压二极管正向导通电压跟普通二级管一样约为0.7V,反向状态下在临界电压之前截止,在达到临界电压
2020-09-25 15:38:08
` 在电子产品生产中,都会用到一种材料,它也因此被誉为电子行业的“生命之源”这种材料就是肖特基二极管,又称肖特基势垒二极管(简称SBD),它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复
2019-02-20 12:01:29
肖特基二极管都是并联在线圈的两端,线圈在通过电流时,会在其两端产生感应电动势。当电流消失时,其感应电动势会对电路中的原件产生反向电压。当流过线圈中的电流消失时,线圈产生的感应电动势通过肖特基
2018-11-30 12:03:01
肖特基二极管和快恢复二极管区别:恢复时间比后者小一百倍左右,前者的反向恢复时间大约为几纳秒! 优点还有低功耗,大电流,超高速!电特性当然都是二极管! 复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺
2015-11-27 18:02:58
肖特基二极管和普通稳压二极管有什么区别
2020-04-13 17:11:31
应用。I. 肖特基二极管特性肖特基二极管在结构上与PN结二极管不同。它由阳极金属(由钼或铝等材料制成的阻挡层)、SiO2(消除电场材料)、N-外延层(砷材料)、N型硅衬底、N+阴极层和阴极金属,如下
2023-02-09 10:22:58
加直流电压时的值。用于直流电路,最大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的。7.最高工作频率fM:由于PN结的结电容存在,当工作频率超过某一值时,它的单向导电性将变差。肖特基二极管的fM值较高
2022-01-24 11:27:53
肖特基二极管工作原理肖特基二极管的特点肖特基二极管的结构肖特基二极管与普通二极管的区别肖特基二极管的工作状态肖特基二极管和稳压二极管的区别工作原理肖特基二极管是以贵金属(金、银、铝、铂等)为正极,以
2021-11-16 08:08:11
肖特基二极管一种应用电路,这是肖特基二极管在步进电动机驱动电路中的应用。利用肖特基二极管的管压降小、恢复时间短的特点,这样大部分电流就流过外部的肖特基二极管,从而集成电路内部的功耗就小了很多,提高了热稳定性能,也就提高了可靠性。肖特基二极管规格书下载:
2021-04-12 17:25:17
肖特基势垒两端加上反向偏压时,肖特基势垒层则变宽,其内阻变大。 肖特基二极管分为有引线和表面安装(贴片式)两种封装形式。 采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护
2021-06-30 16:48:53
SBD是一种多数载流子导电器件,不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间,完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少,故开关速度
2017-10-19 11:33:48
肖特基势垒。 三、肖特基二极管的应用 肖特基势垒整流器的典型应用包括不间断电源、高频开关式电源和直流-直流转换器,以及作为续流二极管和极性保护二极管使用。此外,肖特基二极管还广泛用于笔记本电脑的电源适配器、液晶电视和液晶显示器电源、电动车电瓶充电器以及数字卫星接收机和机顶盒的电源等等。`
2018-12-27 13:54:36
MDD肖特基二极管的最高结温。四、小于MDD肖特基二极管的正向额定电流IF。五、对于比较苛刻的环境,为了保证可靠性,MDD肖特基二极管应降额使用。六、肖特基二极管的代换尽量选用原型号、因为不同的型号的肖特基正向压降VF和反向击穿电压VR、反向漏电流IR都不同。肖特基二极管规格书下载:
2021-06-15 15:33:58
半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。 肖特基二极管
2021-04-17 14:10:23
肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别,通常将PN结整流管称作结整流管,而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管,近年来,采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世,这不仅可节省贵金属
2015-11-26 15:59:32
Diode:也有简写为:SBD来命名产品型号前缀的。但SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。肖特基二极管下载:
2021-06-30 17:04:44
较低,一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点,能提高低压、打电流整流(或续流)电路的效率。肖特基二极管的作用:肖特基(Schottky)二极管,又称肖特基势垒二极管
2020-10-27 06:31:18
。 肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子,贵金属中仅有
2019-02-18 11:27:52
平均电流的方波较于直流电流,会给二极管带来更大损耗。那么10A的肖特基二极管是否一定能通过10A的电流?不一定,这个和温度有关,当你的散热条件不足够好,那么肖特基二极管能通过的电流会被结温限制。肖特基二极管规格书下载:
2020-09-16 16:04:11
平均电流的方波较于直流电流,会给二极管带来更大损耗。那么10A的肖特基二极管是否一定能通过10A的电流?不一定,这个和温度有关,当你的散热条件不足够好,那么肖特基二极管能通过的电流会被结温限制。肖特基二极管规格书下载:
2021-07-21 15:26:58
物理学家Walter Schottky开发了金属-半导体接触的模型。与半导体-半导体接触相反,肖特基二极管由于材料组成的选择方式在半导体的界面上形成了一个耗尽区而因此具有势垒。这防止了低于特定功率阈值
2017-04-19 16:33:24
肖特基二极管结构:肖特基二极管在结构原理上与。PN结二极管有很大区别,它的内部是由阳极金属(金、银、铝、钼、铂等材料制造成阻挡层)、二氧化硅消除边缘区域的电场(提高管子耐压)、N一外延层、N型硅基片
2020-11-16 16:34:24
肖特基(Schottky)二极管,又称肖特基势垒二极管(简称 SBD),它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频
2021-05-28 06:57:34
` 肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。 因为N型半导体中存在着大量的电子,贵金属中仅有
2018-12-11 11:48:34
势垒高度,故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低(约低0.2V)。 2、由于SBD是一种多数载流子导电器件,不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充
2018-10-25 14:48:50
者的保存温度范围Tstg均为-55~+150℃,结温Tj最高达到150℃,具有较宽的工作温度范围,可以应用于不同的环境。RB068MM100和RB168MM100肖特基势垒二极管均采用SOD-123FL封装
2019-07-23 04:20:37
人叫做:肖特基势垒二极管( Schottky Barrier Diode 缩写成 SBD)的简称。但 SBD 不是利用 P 型半导体与 N 型半 导体接触形成 PN 结原理制作的,而是利用金属与半导体
2021-01-19 17:26:57
再次谈及Si二极管,将说明肖特基势垒二极管(以下简称为SBD)的相关特征和应用。Si-SBD的特征 如前文所述,Si-SBD并非PN结,而是利用硅称之为势垒金属的金属相接合(肖特基接合)所产生
2018-12-03 14:31:01
的肖特基势垒。与一般的PN结二极管相比,具有正向电压 (VF) 低,开关速度快的特点。但漏电流 (IR) 大,有如果热设计错误则引起热失控的缺点。广泛用于电源部二次侧整流。其特性根据使用的金属不同而
2019-04-30 03:25:24
MBR20100FCT是多数载流子导电器件,因此不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。MBR20100FCT的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充放电时间,与PN结二极管的反向恢复时间完全不同。由于
2021-10-08 16:35:18
形成的势垒层为基础制成的二极管,也称为肖特基势垒二极管,属于金属半导体结二极管。PS2045L主要特点是正向导通压降小、反向恢复时间短、开关损耗低。它是一种低功耗、超高速的半导体器件,缺点是耐压比较
2021-11-26 16:28:38
编辑-Z肖特基二极管是什么?肖特基二极管(肖特基势垒二极管):是一种低功耗、超高速的半导体器件。这种器件是由多数载流子传导的,所以它的反向饱和电流比由少数载流子传导的PN结大得多。由于肖特基二极管中
2021-10-18 16:45:00
材料。其半导体材料采用硅或砷化镓,多为型半导体。肖特基二极管的作用原理是什么? 肖特基二极管的作用是单相导电特性的,利用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。肖特基二极管有什么特点?肖特基二极管
2017-03-03 16:21:07
编辑-Z一、什么是MBR10100FCT肖特基二极管肖特基二极管MBR10100FCT(肖特基势垒二极管):是一种低功耗、超高速的半导体器件。这种器件是由多数载流子传导的,所以它的反向饱和电流比由
2021-09-11 16:42:45
制成的二极管。也称为肖特基势垒二极管,属于金属-半导体结二极管。MBR20200FCT主要特点是正向压降小、反向恢复时间短、开关损耗低。MBR20200FCT是一种低功耗、超高速的半导体器件,缺点
2021-09-13 17:01:40
` 本帖最后由 OneyacSimon 于 2019-6-17 15:31 编辑
ROHM肖特基势垒二极管具有各种高可靠性,低损耗器件。 它们有各种包装。 肖特基二极管提供低正向电压和反向电流
2019-06-17 15:30:23
介绍。如下图所示,为了形成肖特基势垒,将半导体SiC与金属相接合(肖特基结)。结构与Si肖特基势垒二极管基本相同,其重要特征也是具备高速特性。而SiC-SBD的特征是其不仅拥有优异的高速性还同时实现了高
2018-11-29 14:35:50
ROHM推出了SiC肖特基势垒二极管(以下SiC SBD)的第三代产品“SCS3系列”。SCS3系列是进一步改善了第二代SiC SBD实现的当时业界最小正向电压,并大幅提高了抗浪涌电流性能的产品
2018-12-03 15:12:02
` 肖特基二极管也叫热载流子二极管,通过金属和半导体接触(肖特基接触)形成肖特基势垒从而实现整流。相对于普通的PN结二极管,肖特基二极管的反向恢复“惯性”很低。因此肖特基二极管适合于高频整流或者
2019-01-02 13:57:40
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成
2010-08-17 09:31:20
(1)由于肖特基势垒的高度低于PN结势垒,肖特基二极管的正向传导阈值电压和正向压降均低于PN结势垒,约低0.2V。(2)由于肖特基二极管是一种大多数载流子导电器件,不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。肖特基二极管规格书下载:
2022-01-18 10:35:14
上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在100纳秒以下。 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管,简称肖特基二极管(Schottky
2019-03-11 11:24:39
二极管的结电容分两种:势垒电容和扩散电容。而一般数据手册给到的结电容参数,通常指的是势垒电容。上面这个是ES1J超快恢复二极管数据手册的结电容参数Cj=8pF。同时我们知道,对于常用的二极管来说
2021-10-08 10:37:02
在开关电源二次侧的输出整流电路中,一般选用反向恢复时闷较短的整流二极管,常用的主要有快恢复二极管、超快恢复二极管、肖特基势垒二极管。 快恢复二极管和超快恢复二极管广泛用于PWM脉宽调制器、开关电源
2020-10-29 08:50:49
去了解不一样的肖特基二极管,看完之后相信你就全明白了。 一、肖特基二极管定义:肖特基二极管是一种低功耗、超高速半导体器件,SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属
2019-04-10 14:50:37
什么是肖特基二极管?
2014-03-05 09:25:07
电压增加,n 型材料中的电子获得的动能高于肖特基势垒时,势垒减小。通过二极管的电流开始呈指数增长。由于 PN 结二极管的肖特基势垒比一般 PN 结二极管的势垒小,所以当正向电压增加150 ~ 300
2022-03-19 22:39:23
低压降肖特基二极管是在肖特基二极管的基础上研发的,最大的优点就是低压降二极管的VF值更低,满足客户对压降的需求。MDD辰达行电子生产的20100的低压降肖特基二极管(SBT20L100)与普通
2022-01-24 15:00:32
目前经常用到的大功率二极管有:肖特基二极管、快恢复二极管、整流二极管、稳压二级管,等等。着重介绍前两种。 一,肖特基二极管(英文简称SBD) 肖特基势垒二极管简称肖特基二极管。它不是PN结
2015-06-19 14:52:18
`肖特基(Schottky)二极管也称肖特基势垒二极管(简称SBD),它是一种低功耗、超高速半导体器件,广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路,作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护
2018-12-10 15:19:35
` 肖特基二极管是利用金-属半导体接面做为肖特基势垒,而发生整流的效果,和普通二极管中由半导体-接面产生的P-N接面不同。肖特基势垒的特性使得肖特基二极管的导通电压降较低,能够提高切换的速度
2018-11-05 14:29:49
-半导体(接触) 二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。肖特基二极管和快恢复二极管在物理结构上是不一样的。肖特基二极管的阳极是金属 ,阴极是N型半导体;快恢复二极管基本结构仍然是普通的PIN
2018-11-01 15:26:11
` 肖特基二极管是一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结,有阳极和阴极两个端子。 肖特基二极管可用半导体锗或硅等材料制造。肖特基二极管的击穿电压高,反向漏电流小,高温
2018-10-30 15:59:52
20V100或者表面势垒二极管20V100,具有正向耐大电流,反向恢复时间极快等优点。伴随着科学技术的不断进步发展,对肖特基二极管的性能要求也越来越高,要求自身功率损耗更小,所以VF值与漏电流控制到更低
2018-10-17 15:20:19
的需求,在中国构建了与罗姆日本同样的集开发、生产、销售于一体的一条龙体制。ROHM公司推出了两款表面贴装肖特基势垒二极管RB051LAM-40和RB081LAM-20,两者二极管的反向电压都为20V,正向
2019-04-17 23:45:03
耗散,因此降低了热和电传导损耗。它的高结温能力提高了高环境温度下或无法获得充分冷却的应用中的可靠性。肖特基二极管的应用:MBR系列肖特基势垒整流器的典型应用包括不间断电源、高频开关式电源和直流-直流
2020-08-28 17:12:29
金属和半导体触点形成肖特基势垒以实现整流。与普通PN结二极管相比,它的反向恢复惯量非常低。因此,肖特基二极管适用于高频整流或高速开关。碳化硅(SiC)是一种高性能半导体材料,因此SiC肖特基二极管具有
2023-02-07 15:59:32
本人欲投资肖特基势垒二极管生产,寻求高手指点,QQ411940115
2011-02-23 22:13:05
一般的半导体二极管,总希望减小结电容。对于变容二极管,需要利用结电容。变容二极管在锁相环上具有时重要应用。 肖特基二极管 肖特基二极管是利用金属与N型半导体接触,在交界面形成势垒的二极管。因此肖特基
2023-03-16 17:29:45
器件,不存在少数载流子寿命和反向恢复等问题。肖特基二极管的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间,完全不同于PN结二极管反向恢复时间。由于肖特基二极管的反向恢复电荷少,故肖特基二极管开关速度极快
2018-10-19 11:44:47
、肖特基二极管而肖特基二极管,简称SBD,它不是利用PN结原理制作的,它是以金属为正极,以N型半导体为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的一种半导体器件,是一种热载流子二极管,肖特基二极管
2023-02-16 14:56:38
、肖特基二极管而肖特基二极管,简称SBD,它不是利用PN结原理制作的,它是以金属为正极,以N型半导体为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的一种半导体器件,是一种热载流子二极管,肖特基二极管
2023-02-20 15:22:29
减少,反向恢复时间trr可低至几十纳秒。 肖特基二极管是肖特基势垒二极管的简称,它的构造原理与普通PN结二极管有着很大区别:其内部是由阳极金属(用金、银、钼、铝等)、二氧化硅电场消除材料、N外延层材料
2021-05-14 08:11:44
,电阻很大,处于截止状态,如同一只断开的开关。利用肖特基二极管的开关特性,可以组成各种逻辑电路。 由于肖特基二极管具有单向导电的特性,在正偏压下PN结导通,在导通状态下的电阻很小,约为几十至几百欧
2018-11-26 14:09:08
年,德国物理学家WalterSchottky开发了金属-半导体接触的模型。与半导体-半导体接触相反,肖特基二极管由于材料组成的选择方式在半导体的界面上形成了一个耗尽区而因此具有势垒。这防止了低于特定
2018-10-19 15:25:32
一、肖特基二极管的定义与特点1.什么是肖特基二极管肖特基二极管(肖特基势垒二极管):它是属于一种低功耗、超高速的半导体器件,其反向恢复时间极短(可以小到几纳秒)。正向导通压降仅0.4V左右。2.
2016-04-19 14:24:47
`一、肖特基二极管的定义与特点1.什么是肖特基二极管肖特基二极管又称肖特基势垒二极管,它是属于一种低功耗、超高速的半导体器件,其反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右。2.
2015-10-08 15:52:46
是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此
2019-04-01 11:59:16
普通二极管和肖特基二极管的伏安特性如何
2021-10-13 08:57:54
数百纳秒或更长,后者则在100纳秒以下。肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管,简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode),具有正向压降低(0.4--0.5V
2019-06-12 02:34:10
本人想了解下肖特基势垒二极管制造技术和工艺,望高手指点
2011-02-23 22:07:19
有什么区别呢?今天就让立深鑫带领大家一起去分析一下肖特基二极管与一般整流二极管相比特别之处在于哪里? 肖特基二极管是利用金属半导体接面作为肖特基势垒,以产生整流的效果,和一般二二极管中由半导体
2018-10-22 15:32:15
的肖特基势垒。与一般的PN结二极管相比,具有正向电压 (VF) 低,开关速度快的特点。但漏电流 (IR) 大,有如果热设计错误则引起热失控的缺点。广泛用于电源部二次侧整流。其特性根据使用的金属不同而
2019-04-11 02:37:28
肖特基二极管包括普通功率肖特基势垒二极管(PowerSchottkyBarrierDiode,SBD)、结势垒控制的肖特基(JunctionBarrierControlledShottky,JBS
2019-02-12 15:38:27
混频二极管是利用金属和N型半导体相接触所形成的金属半导体结的原理而制成的。当金属与半导体相接触时,它们的交界面处会形成阻碍电子通过的肖特基势垒,即表面势垒。
2019-11-05 09:11:18
肖特基势垒二极管。五者的VRM(峰值反向电压)均为35V,反向电压(VR)均为30V。RB078BM30S,RB085BM-30,RB088BM-30,RB095BM-30,RB098BM-30的平均正向整流
2019-03-21 06:20:10
罗姆(ROHM)是全球著名半导体厂商之一。它推出了6款中功率肖特基势垒二极管,型号分别为RBR1MM60A,RBR2MM60A,RBR2MM60B,RBR2MM60C,RBR3MM60A
2019-07-15 04:20:07
一般的二极管是利用PN结的单方向导电的特性,而肖特基二极管则是利用金属和半导体面接触产生的势垒(barrier)整流作用,这个接触面称为“金属半导体结”,其全名应为肖特基势垒二极管,简称为肖特基
2021-01-13 16:36:44
是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。与普通的二极管不一样,SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结
2019-04-12 11:37:43
和赞许,成为系统IC和最新半导体技术方面首屈一指的主导企业。 RB520CM-30,RB521CM-30,RB530CM-30,RB531CM-30是ROHM公司推出的4款肖特基势垒二极管
2019-04-18 00:16:53
采芯网转载:大功率肖特基二极管(SBD)是贵金属A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属半导体器件。大功率肖特基二极管的结构和特点使其适合于在低压、大电流
2016-12-06 18:25:12
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