Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款8V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:44
1092 Vishay具有业内最低导通电阻的新款12V和20V 的N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET。采用业内最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT®封装的CSP规格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:381449 年 1 月 30 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款新型30 V对称双通道n沟道功率MOSFET
2023-01-30 10:09:49529 
BTS5016-2EKA的典型应用电路是一个16mΩ双通道智能高侧电源开关，嵌入PG-DSO14-40 EP，裸露焊盘封装，提供保护功能和诊断。功率晶体管由带有电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构建。该设备集成了Smart6技术。它专门设计用于驱动高达H4的灯以及恶劣汽车环境中的LED
2020-04-17 10:09:17
`<p><font face="Verdana">N沟道MOSFET概述<br/&
2010-08-17 09:21:57
将空穴从p+源极和漏极区域吸引到沟道区域。耗尽模式 P 通道P 通道增强模式加工就结构而言，p 沟道耗尽型 MOSFET 只是 n 沟道耗尽型 MOSFET的倒数。在这种情况下，预构建通道由夹在严重
2023-02-02 16:26:45
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征，然后再论述选择的原则。
2021-03-02 08:40:51
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保护典型值达
2019-07-09 17:30:39
部分的快速电压瞬变干扰。Vishay推出的 VO3120是光隔离IGBT/MOSFET驱动器，驱动能力达1200V /50A，传播延迟小于400ns，1500V电压下抗共摸干扰 (CMTI)为25kV
2010-09-08 15:49:48
本帖最后由 暗星归来 于 2016-9-6 12:53 编辑
如题，因为要对电池进行管理，对充电过程和放电过程控制其何时开始充电、停止充电、何时放电、何时停止放电，所以用两个N沟道增强型
2016-09-06 12:51:58
，合适于功率MOSFET的应用。这种结构称为垂直导电双扩散MOS结构VDMOSFET（Vertical Double Diffused MOSFET）。N沟道MOSFET衬底为高掺杂的N+衬底，高掺杂沟道
2016-10-10 10:58:30
电源，这样就可以将N沟道同步整流功率MOSFET管放在高端。图6：次级同步整流管放高端（左）、低端（4）通讯系统48V输入系统的热插拨如果是-48V的系统，热插拨的功率MOSFET使用N沟道类型，放在
2016-12-07 11:36:11
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-13 09:16:34
低损耗性能。这两款降压型转换器还提供针对负载点功率管理的电流模式控制，备有卓越的线性和负载调节，以及快速瞬态负载响应功能。并且，高度集成了低导通电阻 （RDS（on）） 高和低侧MOSFET等部件，加上
2018-09-28 15:55:10
Diodes公司推出两款新型低压差线性稳压器(LDO)，其额定工业温度为摄氏-40度至+85度，适合机顶盒、路由器和LCD显示器等应用。分别为300mA、150mV压降的AP7335和600mA
2011-07-11 21:29:19
X2-DFN1410-6封装供应，而今年稍後时间推出的双通道AZV3002则采用八引脚U-FLGA1616-8。 两款比较器提供低至0.8μs的传递延迟时间及1pA的低输入偏置电流，即使在输入过载的情况下也不会出现倒相现象。新产品为嵌入式系统设计人员提供通用解决方案，有效满足绝大多数低压便携式设备的要求。
2018-10-08 15:44:43
，状态监测和报告等功能。 据悉，Exar公司推出的两款可编程电源模块XRP9710和XRP9711,是Exar PowerXR可编程电源管理产品家族最新产品。它们电压输入范围为5V-22V,能够提供
2018-09-28 16:16:42
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能够提供业界最低导通电阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【关键词】：功率损耗,导通电
2010-05-06 08:55:20
国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）近日推出一款新型60V DirectFET 功率 MOSFET－IRF6648。该器件的最大导通电阻为7.0 mΩ(VGS
2018-11-26 16:09:23
Keysight N1912A 回收 双通道功率计 欧阳R:***QQ:734645067回收工厂或个人、库存闲置、二手仪器及附件。长期 专业销售、维修、回收 高频 二手仪器。温馨提示：如果您
2020-05-14 13:29:19
LT1158上单个输入引脚的典型应用同步控制图腾柱配置中的两个N沟道功率MOSFET
2019-05-28 09:02:21
LT1160的典型应用 - 半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器。 LT 1160 / LT1162是经济高效的半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器
2019-05-14 09:23:01
LTC3728LCUH双通道，550kHz，两相同步稳压器的典型应用电路。 LTC3728L是双路高性能降压型开关稳压控制器，可驱动所有N沟道同步功率MOSFET级
2020-06-15 09:33:02
NCP5181BAL36WEVB，NCP5181,36 W镇流器评估板。 NCP5181是一款高压功率MOSFET驱动器，提供两路输出，用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET，这些功率MOSFET
2019-10-12 10:29:07
空穴组成的一种MOSFET称为P沟道MOSFET。一旦这个MOSFET被激活，那么大多数电荷载流子(如空穴)将在整个通道中移动。P沟道MOSFET与N沟道MOSFET不同，因为在N MOSFET中
2022-09-27 08:00:00
子的欧姆区域（ohmic region），MOSFET“完全导通”。在对比图中，N沟道欧姆区的VGS是7V，而P沟道的是-4.5V。随着栅极电压增加，欧姆曲线的斜率变得更陡，表明器件导电能力更强。施加
2018-03-03 13:58:23
，货源充足，品质保证。供应中低压MOS管，供应替代AO系列MOS管。SL2060场效应管 20V85A N沟道功率MOS管【30V MOS管 N/P沟道】SL40P03 -30V
2020-06-19 11:00:56
SL3020双管30V16A 19毫欧DFN3.3x3.3-8-EPSL3020 N沟道场效应管 30V16A 功率MOS管深圳聚能芯半导体专业中低压mos管，经验丰富，实力雄厚，技术支持。是您值得
2020-06-20 10:04:16
SL3042 30V88A 8.5毫欧DFN5x6A-8_EPSL3042 N沟道场效应管 30V88A 功率MOS管深圳聚能芯半导体专业中低压mos管，经验丰富，实力雄厚，技术支持。是您值得信赖
2020-06-20 10:05:27
SL3400 30V5.7A 18毫欧SOT23-3LSL3400 N沟道场效应管 30V5.7A 功率MOS管深圳聚能芯半导体专业中低压mos管，经验丰富，实力雄厚，技术支持。是您值得信赖合作
2020-06-20 10:11:31
`SL3402 30V4A 40毫欧SOT23-3LSL3402 N沟道场效应管 30V4A的功率MOS管深圳聚能芯半导体专业中低压mos管，经验丰富，实力雄厚，技术支持。是您值得信赖合作的实力中低
2020-06-22 10:53:25
SL3404 30V5.7A 19毫欧SOT23-3LSL3404 N沟道场效应管 30V5.7A的功率MOS管【100V MOS管 N沟道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封装N沟道
2020-06-22 11:03:37
SL3404 30V5.7A 19毫欧SOT23-3LSL3404 N沟道场效应管 30V5.7A的功率MOS管深圳聚能芯半导体专业中低压mos管，经验丰富，实力雄厚，技术支持。是您值得信赖合作
2020-06-24 10:37:08
SL3406 30V4A 50毫欧 SOT23-3LSL3406 N沟道场效应管30V4A的功率MOS管深圳聚能芯半导体专业中低压mos管，经验丰富，实力雄厚，技术支持。是您值得信赖合作的实力中低
2020-06-24 10:39:23
`SL4430 30V18A 4.5毫欧SOP-8SL4430 N沟道耐压30V18A系列中低压MOS管 【100V MOS管 N沟道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封装N沟道
2020-08-03 14:48:45
沟道 TO-252 替代AOD484 功率MOS管SL403-30V-70A5毫欧TO-252封装 P沟道替代AOD403SL48430V41A14毫欧TO-252封装 N沟道替代
2020-06-04 13:58:07
深圳市三佛科技有限公司 供应 SLN30N03T30V 30A N沟道 MOS，原装现货热销 SLN30N03T参数： 30V30ADFN3*3-8 N沟道MOS管品牌：美浦森
2021-04-07 14:57:10
【中低压MOS供应】VS3622DE，30V/35A，双N沟道高级功率MOSFET 【中低压MOS供应】VS4610AE，40V55A，N沟道高级功率MOSFET VS3622DE
2020-11-04 14:40:31
N沟道和P沟道MOSFET哪个常用?增强型和耗尽型的哪个常用?
2019-05-13 09:00:00
LT1336的典型应用是具有成本效益的半桥N沟道功率MOSFET驱动器。浮动驱动器可以驱动顶部N沟道功率MOSFET工作在高达60V（绝对最大值）的高压（HV）轨道上工作
2019-05-10 06:46:05
。功率 MOSFET 的分类及优缺点和小功率 MOSFET 类似，功率 MOSFET 也有分为 N 沟道和 P 沟道两大类；每个大类又分为增强型和耗尽型两种。虽然耗尽型较之增强型有不少的优势，但实际上
2019-11-17 08:00:00
，N沟道欧姆区的VGS是7V，而P沟道的是-4.5V。随着栅极电压增加，欧姆曲线的斜率变得更陡，表明器件导电能力更强。施加的栅极电压越高，MOSFET的RDS(on)就越小。在某些应用中
2021-04-09 09:20:10
电路，即可实现 6.5~30V 输入电压、多种输出电压、输出功率高达 15W 的隔离电源。VPS8703 内部集成两个 N 沟道功率 MOSFET 和两个 P 沟道功率 MOSFET，并组成桥式连接方式。芯片
2022-11-11 14:44:13
阵营。高效率 NexFET 包括 40V、60V、80V 以及 100V N 通道器件，可为广泛大电流电机控制及电源应用提供优异的散热性能。 最低导通电阻： 两款最新 80V 及 100V
2018-11-29 17:13:53
典型关闭延迟时间: 86 ns典型接通延迟时间: 22 ns功率MOSFET有两种类型：N沟道和P沟道，在系统设计的过程中选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择，N沟道MOSFET选择的型号多
2020-03-09 15:34:20
内置N沟道MOSFET和专门设计的高速运算放大器可以提供出色的瞬态响应。这两款芯片具有高的电流输出能力，可以提供最高1A的输出电流。它们能够满足3.3V（对于DDR2和DDR3）和5.0 V（对于
2019-03-29 06:20:13
半导体的交叉点开关电路系列不断有新型号面世，上述两款芯片是最新推出的两个型号，而DS25CP104及DS10CP154则是另外两款最近推出的LVDS 4x4 交叉点开关电路。:
2018-08-27 16:07:41
、隔离变压器和整流电路，即可实现 6~30V 输入电压、多种输出电压、输出功率1~2W 的隔离电源。VPS8701B 内部集成两个 N 沟道功率 MOSFET 和两个 P 沟道功率 MOSFET，并组成
2023-03-21 15:24:12
概述：LTC3838是一款双通道、多相 (PolyPhase®) 同步降压型 DC/DC 开关稳压控制器。两个独立的通道用于驱动全 N 沟道功率 MOSFET。受控接通时间、谷值电流模式控制控制架构可在稳态操作中实现。
2021-04-09 07:07:17
自行设置与控制关键输出参数，从而能够节省时间和降低复杂性。更高的通道输出功率和读数分辨率这两款产品都是三通道输出，单通道最高输出可达30V/3A/90W。（相比国内同类竞争产品的三通道电源的模拟输出
2012-10-29 14:20:24
30V N沟道增强型MOSFET管
30V N沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:41:00
20 30V P 沟道增强型MOSFET管
30V P 沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:42:0929 Vishay Intertechnology, Inc.推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0.555Ω，栅极电荷减小为48nC，采
2010-07-16 15:05:2417 Vishay Intertechnology 控股的Siliconix 公司日前宣布推出采用反向导引TO-252 DPAK 封装的新型TrenchFET 功率MOSFET 系列产品。凭借反向成型的接脚，采取「SUR」封装的TrenchFET 能使该产品反向
2010-09-05 10:26:5964 Vishay新型功率MOSFET采用反向导引TO-252DPAK封装
2010-11-12 22:27:3332 Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技术
日前，Vishay Intertechnology推出两款 20V 和两款 30V n 通道器件，从而扩展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。这些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09635 
日前，Vishay Intertechnology宣布推出业界首款采用 MICRO FOOT 芯片级封装的 TrenchFET 功率 MOSFET --- Si8422DB，该器件具有背面绝缘的特点。
Si8422DB 针对手机、PDA、数码相机、MP3 播放器
2009-01-26 23:24:221152 Vishay发布两款新型肖特基整流器，其采用小型MicroSMP功率封装、具有0.35V的超低前向压降
日前， Vishay Intertechnology, Inc.
2009-05-08 10:52:55673 Vishay推出具有最高32V电源电压的新款IGBT和MOSFET驱动器
日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出两款新型IGBT和MOSFET驱动器，丰富了其已
2009-07-01 09:30:55556 Vishay Siliconix推出业界性能最先进的P沟道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强Pow
2009-11-23 17:10:23650 Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011089 Vishay推出的P沟道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP沟道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm×2mm占位面积的热增强PowerPAKSC-70封装，具
2009-11-25 17:56:52711 小信号应用60V功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封装的60V N沟道功率MOSFET --- SiM400。该器件为业界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封装能节约更多
2009-12-31 09:59:441420 Vishay推出4款MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V FET">MOSFET --- SiHP22N60S
2010-01-27 09:31:291277 Vishay推出500V N沟道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N沟道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的
2010-04-07 10:52:52777 带集成肖特基二极管的30V N沟道功率MOSFET(ON)
应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)扩充N沟道功率MOSFET器件
2010-04-10 10:32:52519 安森美推出带集成肖特基二极管的30V 扩充N沟道功率MOSFET
安森美半导体(ON Semiconductor)扩充N沟道功率MOSFET器件阵容，新推出带集成肖特基二极管的30V产品。
NTMFS4897
2010-04-12 10:23:161107 P沟道TrenchFET功率MOSFET管Si8499DB
Vishay推出首款采用芯片级MICRO FOOT®封装的P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占
2010-04-29 11:27:351550 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiHG47N60S，该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAIR 6mmx3.7mm封装和TrenchFET Gen III技术的非对称双通道TrenchFET功率MOSFET ---
2010-11-25 08:43:23923 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装，
2011-03-02 10:19:301341 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率
2011-10-21 08:53:05873 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n沟道功率MOSFET通过JAN认证的，分别是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351491 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，引入两款在尺寸和导通电阻上设立了新的行业基准的p沟道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，扩充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:13630 Vishay 推出新款8V和20V N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541383 ® 1212-8S封装的-30V---SiSS27DN器件，扩充其TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET。
2013-07-15 11:32:40783 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211075 x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT®封装尺寸的-20V器件---Si8851EDB，扩展其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay
2013-12-05 10:30:05898 的采用非对称PowerPAK® SO-8L封装的新款40V双芯片N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的这两款器件可用于车载
2013-12-13 15:07:13843 日前，Vishay宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 Vishay发布采用PowerPAIR® 3mm x 3mm封装，使用TrenchFET® Gen IV技术的新款30V非对称双片TrenchFET 功率MOSFET
2014-02-10 15:16:51890 东京—东芝公司（TOKYO：6502）旗下半导体&存储产品公司今天宣布，推出单通道高边N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）栅极驱动器“TPD7104F”。
2014-11-05 18:54:361787 Vishay宣布，推出业内首批通过AEC-Q101认证的采用双片不对称功率封装的12V MOSFET---SQJ202EP和20V MOSFET---SQJ200EP，可在汽车应用的高效同步降压
2016-07-11 14:33:171004 MOSFET的首颗器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N沟道SiHP065N60E的导通电阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，为通信、工业和企业级电源提供
2017-02-10 15:10:111667 关键词：MOSFET , Si8802DB , Si8805EDB , Vishay 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业内采用
2019-01-01 16:29:01380 电源系统中的恒定电流源，固态继电器，电信开关和高压直流线路等应用需要N沟道耗尽型功率MOSFET，当栅极至源极电压为零时，该MOSFET用作常开的开关。本文将介绍IXYS最新的N沟道耗尽型功率
2021-05-27 12:18:587444 
Vishay/Siliconix SiR186LDP N沟道60V （D-S） MOSFET采用TrenchFET® Gen IV功率MOSFET技术。
2021-04-21 17:50:211274 
新型 30 V n 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效。 Vishay Siliconix SiSS52DN 采用热增强型 3.3 mm
2021-05-28 17:25:572153 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款n沟道TrenchFET® MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工业应用功率密度、能效和板级可靠性。
2022-02-07 15:37:08916 
Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 沟道 SiHK045N60E 导通电阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:351341 两款新型 30 V 对称双通道 n 沟道功率 MOSFET，将高边和低边 TrenchFET Gen V MOSFET 组合在 3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR 3x3FS 单体封装
2023-02-04 06:10:04502 
PowerPAIR® 3x3FS封装，30V对称双通道MOSFET
2023-02-06 15:34:15576 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGL（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品已于8月17日开始支持批量出货。
2023-08-24 11:19:10600 
Vishay 推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。
2024-02-22 17:11:08355 
近日，全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET，型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:0294 全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率
2024-03-12 10:38:14104
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