德尔福科技推出业界领先800伏碳化硅逆变器，将电动汽车充电时间减半
2019-09-20 14:55:53
2585 CISSOID 和 Silicon Mobility 宣布推出新能源汽车紧凑及高效碳化硅逆变器，并以此体现其所建立的合作伙伴关系。
2021-12-09 10:01:432607 
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二极管特性 封装外形⚫最大结温为 175°C⚫高浪涌电流容量⚫零反向恢复电流⚫零正向恢复电压⚫高频工作⚫开关特性不受温度
2020-03-13 13:42:49
电压或高温条件的器件非常有利。在高频、高温、高功率及恶劣环境下，仍具有更优越的开关性能以及更小的结温和结温波动。 碳化硅二极管广泛应用于开关电源、功率因素校正（PFC）电路、不间断电源（UPS）、光伏
2020-09-24 16:22:14
250V左右。对于能够耐受500～600V以上反向电压要求，人们开始使用碳化硅(SiC)制造器件，因为它能够耐受较高的电压。 除此以外的器件参数均相当于或优于硅肖特基二极管。详见表2。 由于SiC器件的成本较高(是同类硅器件的3～5倍)，除非性能上要求非用不可，还没有用它来替代硅功率器件。`
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET开关频率到100Hz为什么波形还变差了
2015-06-01 15:38:39
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言，该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量，并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值，对短路行为的动态变化进行深度评估。
2019-08-02 08:44:07
本帖最后由 ewaysqian 于 2025-2-12 10:48 编辑
碳化硅MOS具有宽带隙、高击穿电场强度、高电流密度、快速开关速度、低导通电阻和抗辐射性能等独特特点，在电子器件领域有着
2022-02-17 14:36:16
和电容器）的尺寸、重量和成本也可随之降低。在极端情况下，整个冷却系统本身效率也可以降低，甚至可以节省更多的成本。特别是在电动汽车牵引逆变器应用中，效率的提高是一个良性循环，因为基于碳化硅的逆变器中的元件
2023-02-27 14:28:47
应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员！附件是海飞乐技术碳化硅二极管选型表，欢迎大家选购！碳化硅（SiC）半导体材料是自第一代元素半导体材料（Si、Ge）和第二代化合物半导体材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比拟的优良性能，碳化硅是宽禁带半导体材料的一种，主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圆盘压敏电阻 |碳化硅棒和管压敏电阻 | MOV / 氧化锌 （ZnO） 压敏电阻 |带引线的碳化硅压敏电阻 | 硅金属陶瓷复合电阻器 |ZnO 块压敏电阻 关于EAK碳化硅压敏电阻我们
2024-03-08 08:37:49
进一步了解碳化硅器件是如何组成逆变器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我们来聊聊碳化硅器件的特点
2021-03-16 08:00:04
上，对介电常数要求严格，虽然有低温共烧陶瓷，仍然无法满足他们的要求，需要一种性能更好的升级产品，建议可以使用富力天晟的碳化硅基板；因应汽车需求而特别开发的产品（如IC 载板、软板、银胶贯孔等），也在向
2020-12-16 11:31:13
泛的宽禁带半导体材料之一，凭借碳化硅（SiC）陶瓷材料自身优异的半导体性能，在各个现代工业领域发挥重要革新作用。是高温、高频、抗辐射、大功率应用场合下极为理想的半导体材料。由于碳化硅功率器件可显著降低
2021-01-12 11:48:45
电磁性。因碳化硅是一种共价键化合物，原子间结合的键很强，它具有以下一些独特的性能，因而得以广泛应用。1)高熔点。关于碳化硅熔点的数据.不同资料取法不一，有2100℃。2)高硬度。碳化硅是超硬度的材料之一
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 变流器等。集成式快速开关 50A IGBT 的关断性能优于纯硅解决方案，可与 MOSFET 媲美。较之常规的碳化硅 MOSFET，这款即插即用型解决方案可缩短产品上市时间，能以更低成本实现 95
2021-03-29 11:00:47
的化学惰性• 高导热率• 低热膨胀这些高强度、较持久耐用的陶瓷广泛用于各类应用，如汽车制动器和离合器，以及嵌入防弹背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高温和/或高压环境中工作的半导体电子设备，如火焰点火器、电阻加热元件以及恶劣环境下的电子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作为现在比较好的材料，为什么应用的领域会受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
，热导率是硅材料的3倍，电子饱和漂移速率是硅的2倍，临界击穿场强更是硅的10倍。材料特性对比如图（1）所示。 图（1） 4H型碳化硅与硅基材料特性对比 在硅基半导体器件性能已经进入瓶颈期时，碳化硅材料
2023-02-28 16:55:45
。 基本半导体自主研发推出了650V、1200V、1700V系列标准封装碳化硅肖特基二极管及1200V碳化硅MOSFET产品，具有极高的工作效率，性能优越达到国际先进水平，可广泛应用于新能源充电桩、光伏逆变器
2023-02-28 16:34:16
半导体行业协会统计，2019年中国半导体产业市场规模达7562亿元，同比增长15.77%。2020年H1，中国集成电路产业销售额为3539亿元，同比增长16.1%。每一次材料的更新换代，都是产业的一次革命。碳化硅陶瓷基板在高铁、太阳能光伏、风能、电力输送、UPS不间断电源等电力电子领域均有不小单的作用。
2021-03-25 14:09:37
B1M080120HC是一款碳化硅 MOSFET 具有导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低器件损耗，提升系统效率，更适合应用于高频电路。降低器件损耗，提升系统 EMI 表现。在新能源汽车电机控制器
2021-11-10 09:10:42
哪位大神知道CISSOID碳化硅驱动芯片有几款,型号是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50:11
通损耗一直是功率半导体行业的不懈追求。 相较于传统的硅MOSFET和硅IGBT 产品，基于宽禁带碳化硅材料设计的碳化硅 MOSFET 具有耐压高、导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低器件损耗、减小
2023-02-27 16:14:19
项目名称：基于碳化硅功率器件的永磁同步电机先进驱动技术研究试用计划：申请理由：碳化硅作为最典型的宽禁带半导体材料，近年来被越来越广泛地用于高频高温的工作场合。为了提高永磁同步电机伺服控制系统的性能
2020-04-21 16:04:04
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的结构是如何构成的？
2021-06-18 08:32:43
随着电力电子技术的不断进步，碳化硅MOSFET因其高效的开关特性和低导通损耗而备受青睐，成为高功率、高频应用中的首选。作为碳化硅MOSFET器件的重要组成部分，栅极氧化层对器件的整体性能和使用寿命
2025-01-04 12:37:34
组件高出一大截，但其开关速度、切换损失等性能指针，也是硅组件难以望其项背的。碳化硅具有极佳的材料特性，可以显著降低开关损耗，因此电源开关的操作频率可以大为提高，从而使电源系统的尺寸明显缩小。至于在转换
2021-09-23 15:02:11
的整体系统尺寸，更小的整体成本，高温下更高的可靠性，同时降低功率损耗。创能动力可提供碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模组和集成功率模组，用于太阳能逆变器、功率因数校正、电动车充电桩和高效率
2023-02-22 15:27:51
本文重点介绍赛米控碳化硅在功率模块中的性能，特别是SEMITRANS 3模块和SEMITOP E2无基板模块。 分立器件（如 TO-247）是将碳化硅集成到各种应用中的第一步，但对于更强大和更
2023-02-20 16:29:54
的硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管合封，在部分应用中可以替代传统的IGBT （硅基IGBT与硅基快恢复二极管合封），使得IGBT的开关损耗大幅降低。这款混合碳化硅分立器件的性能介于超结MOSFET
2023-02-28 16:48:24
技术需求的双重作用，导致了对于可用于构建更高效和更紧凑电源解决方案的半导体产品拥有巨大的需求。这个需求宽带隙（WBG）技术器件应运而生，如碳化硅场效应管（SiC MOSFET） 。它们能够提供设计人
2023-03-14 14:05:02
对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET设计一个双向降压-升压转换器
2021-02-22 07:32:40
采用沟槽型、低导通电阻碳化硅MOSFET芯片的半桥功率模块系列 产品型号 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽车级全碳化硅半桥MOSFET模块Pcore2
2023-02-27 11:55:35
摘要： 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了新的挑战
2023-02-22 16:06:08
新型材料铝碳化硅解决了封装中的散热问题，解决各行业遇到的各种芯片散热问题，如果你有类似的困惑，欢迎前来探讨，铝碳化硅做封装材料的优势它有高导热，高刚度，高耐磨，低膨胀，低密度，低成本，适合各种产品的IGBT。我西安明科微电子材料有限公司的赵昕。欢迎大家有问题及时交流，谢谢各位！
2016-10-19 10:45:41
，保证各大功率负载的正常运行。同时在汽车驱动模块中还需要抗震耐磨的PCB，而碳化硅材料的耐磨与抗震等机械性能优良，能保证其长久的使用寿命。根据时报，新能源汽车电源模块至2020年市场空间有望提升
2020-12-09 14:15:07
概要：本文将讨论谐振LLC和移相（Phase Shift）两种隔离DC/DC拓扑的性能特点以及在新能源汽车电源中的应用，然后针对宽禁带碳化硅MOSFET对两种隔离DC/DC拓扑的应用进行了比较，并
2016-08-25 14:39:53
硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大，碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件，主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰几个方面，具体如下
2023-02-27 16:03:36
面向电动汽车的全新碳化硅功率模块 碳化硅在电动汽车应用中代表着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能，特别是在800 V 电池系统和大电池容量中，它可提高逆变器的效率，从而延长续航里程或降低电池成本
2021-03-27 19:40:16
公司等为代表。四、碳化硅半导体应用碳化硅半导体器件，其高频、高效、高温的特性特别适合对效率或温度要求严苛的应用。可广泛应用于太阳能逆变器、车载电源、新能源汽车电机控制器、UPS、充电桩、功率电源等领域。原作者：大年君爱好电子
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅，采用的是ICP系列设备，刻蚀气体使用的是SF6+O2，碳化硅上面没有做任何掩膜，就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 栅极驱动器参考设计为驱动 UPS、交流逆变器和电动汽车充电桩（电动汽车充电站）应用的功率级提供了蓝图。此设计基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
IGBT 的三相电机半桥的高侧和低侧功率级，并能够监控和保护各种故障情况。图1：电动汽车牵引逆变器框图碳化硅 MOSFET 米勒平台和高强度栅极驱动器的优势特别是对于SiC MOSFET，栅极驱动器IC
2022-11-02 12:02:05
金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。 碳化硅又称碳硅石。在当代C、N、B等
2018-01-03 09:48:4821689 MOSFET 逆变器的功率密度，探讨了采用软开关技术的碳化硅 MOSFET 逆变器。 比较了不同开关频率下的零电压开关三相逆变器及硬开关三相逆变器的损耗分布和关键无源元件的体积， 讨论了逆变器效率和关键无源元件体积与开关频率之间的关系。 随着开关频率从数十 kHz 逐渐提升至
2025-10-11 15:32:03
37 采用新型碳化硅结型场效应功率晶体管的光伏逆变器与采用硅IGBT模块的传统光伏逆变器相比，具有开关频率高、体积小、效率高的特点。本文对桥式碳化硅模块的驱动，以及以碳化硅器件组成的单相光伏逆变器的开关
2020-04-14 08:00:003 ，基本半导体总经理和巍巍博士发布了汽车级全碳化硅模块、第三代碳化硅肖特基二极管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品。至此基本半导体产品布局进一步完善，产品竞争力再度提升，将助力国内第三代半导体产业进一步发展。基本半导体的碳化硅
2021-11-29 14:54:089429 
碳化硅原理是什么 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。在C、N
2023-02-02 14:50:023904 汽车碳化硅技术原理图 相比硅基功率半导体，碳化硅功率半导体在开关频率、损耗、散热、小型化等方面存在优势，随着特斯拉大规模量产碳化硅逆变器之后，更多的企业也开始落地碳化硅产品。 功率半导体碳化硅
2023-02-02 15:10:001067 碳化硅的电阻率。碳化硅的电阻率随温度的变化而改变，但在一定的温度范围内与金属的电阻温度特性相反。碳化硅的电阻率与温度的关系更为复杂。碳化硅的导电率随温度升高到一定值时出现峰值，继续升高温度，导电率又会下降。
2023-02-03 09:31:236555 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:355708 迁移率和体积小等特点，因此碳化硅能够应用于许多领域。 在储能领域，碳化硅的应用已经非常非常多了。 在经典的储能系统中包含了电源、DC/DC转换器、电池充电机以及把能量输送到家庭端或输送回电网的逆变器，碳化硅技术在这种配置
2023-02-12 15:12:321748 汽车碳化硅技术是一种利用碳化硅材料制造出的汽车零部件，它具有较高的强度、轻量、耐磨性和耐腐蚀性。碳化硅材料是由碳原子和硅原子组成的复合材料，具有良好的机械性能和耐热性。碳化硅技术的原理是，将碳原子和硅原子结合在一起，形成一种新的复合材料，具有良好的机械性能和耐热性。
2023-02-15 14:21:062589 电机碳化硅技术是一种利用碳化硅材料制作电机的技术，它是利用碳化硅材料的特性，如高热导率、高电阻率、低摩擦系数等，来提高电机的效率、耐久性和可靠性，从而降低电机的成本。
2023-02-16 17:54:007613 汽车碳化硅技术是一种利用碳化硅材料制作汽车零部件的技术，它可以提高汽车零部件的性能，提高汽车的效率、耐久性和可靠性，并且可以降低汽车的成本。
2023-02-16 18:21:031047 我们拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二极管和碳化硅MOSFET展开说明。碳和硅进过化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成为粉末，碳化硅粉末经过碳化硅单晶生长成为碳化硅晶锭；碳化硅晶锭
2023-02-21 10:04:113177 
汽车碳化硅模块是一种用于汽车电力传动系统的电子器件，由多个碳化硅芯片、散热器、绝缘材料和连接件等组成。碳化硅芯片作为模块的核心部件，采用现代半导体技术制造而成，可以实现高功率、高效率、高频率的控制和开关，适用于电动车的逆变器、充电器、DC-DC转换器等多种应用。
2023-02-25 15:03:224048 本文介绍了激光在碳化硅（SiC）半导体晶圆制程中的应用，概括讲述了激光与碳化硅相互作用的机理，并重点对碳化硅晶圆激光标记、背金激光表切去除、晶粒隐切分片的应用进行了介绍。
2023-05-17 14:39:043276 
MOSFET相比传统的硅MOSFET具有更高的电子迁移率、更高的耐压、更低的导通电阻、更高的开关频率和更高的工作温度等优点。因此，碳化硅MOSFET可以被广泛应用于能源转换、交流/直流电源转换、汽车和航空航天等领域。
2023-06-02 15:33:152612 碳化硅原理用途及作用是什么 碳化硅是一种非金属陶瓷材料，具有高温、耐腐蚀、抗氧化、热稳定性好等优良性能。它由碳素和硅素两种元素组成，碳化硅由结构单元SiC构成，每个SiC结构单元都由一个硅原子和一个
2023-06-05 12:48:354069 6.3.2氧化硅的介电性能6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.3.1氧化速率∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件
2022-01-04 14:11:561714 
碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等领域的发展，碳化硅需求增速可观。
2023-08-19 11:45:224787 栅双极晶体管）和碳化硅器件所使用的半导体材料不同。IGBT主要使用的是硅材料，而碳化硅使用的则是碳化硅材料。硅材料是非常成熟的半导体材料，具有一定的电性能和可靠性，但是它的热稳定性不如碳化硅材料。碳化硅材料的热稳定性非常好，具有更高的耐温性能，能够承受更高的工作温度和电压。
2023-08-25 14:50:0421116 碳化硅（SiC）功率器件是由硅和碳制成的半导体，用于制造电动汽车、电源、电机控制电路和逆变器等高压应用的功率器件。
2023-10-17 09:43:16577 
碳化硅二极管和碳化硅晶体管。由于其出色的性能，碳化硅功率器件在电动汽车、可再生能源系统、智能电网、轨道交通等领域具有广泛的应用前景。
2024-01-09 09:26:494326 碳化硅逆变器是一种基于碳化硅（SiC）半导体材料的功率电子设备，主要用于将直流电转换为交流电。与传统的硅基功率器件相比，碳化硅逆变器具有许多优越性能，如更高的开关频率、更低的导通损耗、更高的工作温度
2024-01-10 13:55:542585 碳化硅（SiC）是一种宽禁带半导体材料，具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点。由于这些优异的性能，碳化硅在电力电子、微波射频、光电子等领域具有广泛的应用前景。然而，由于碳化硅
2024-01-11 17:33:141646 
碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。
2024-01-20 17:18:292114 
共读好书 碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。 碳化硅MOSFET具有高频高效，高
2024-02-21 18:24:152726 
碳化硅作为第三代半导体具有耐高温、耐高压、高频率、抗辐射等优异性能采用碳化硅功率器件可使电动汽车或混合动力汽车功率转化能耗损失降低20%，在OBC产品上使用碳化硅功率器件对于提升OBC产品效率、功率密度和质量密度上发挥着重要作用。
2024-04-10 11:41:041360 
碳化硅技术的应用逐渐成为行业新宠，尤其是在提升电动汽车性能方面。越来越多的汽车制造商开始关注并投入到自主研发碳化硅模块的队伍中。
2024-04-11 14:50:39953 
Wolfspeed碳化硅助力实现高性能功率系统
2024-10-24 10:51:362 碳化硅SiC材料应用 1. 半导体领域 碳化硅是制造高性能半导体器件的理想材料，尤其是在高频、高温、高压和高功率的应用中。SiC基半导体器件包括肖特基二极管、MOSFETs、JFETs和功率模块等
2024-11-25 16:28:542898 的功率器件具有高耐压、低导通电阻和高频率的特性，适用于电动汽车、太阳能逆变器、高速铁路牵引驱动等领域。 射频器件 ：在5G通信、雷达、卫星通信等领域，碳化硅材料因其高频特性被用于制造高性能的射频器件。 照明领域 ： LED照明 ：碳化
2024-11-29 09:27:076931 碳化硅在新能源领域的应用 1. 太阳能光伏 碳化硅材料在太阳能光伏领域主要应用于制造高性能的太阳能电池。由于其高热导率和良好的化学稳定性，碳化硅可以作为太阳能电池的基底材料，提高电池的效率和寿命
2024-11-29 09:31:191783 高温、高压和高频环境下稳定工作，同时具有较低的导通损耗和较高的开关速度。这些特性使得SiC在电力电子领域，特别是在电动汽车（EV）和可再生能源系统中的逆变器、转换器和电源管理中发挥着重要作用。 2. 照明技术 在照明领域，碳化硅被用
2025-01-23 17:06:132593 碳化硅（SiC）在半导体中扮演着至关重要的角色，其独特的物理和化学特性使其成为制作高性能半导体器件的理想材料。以下是碳化硅在半导体中的主要作用及优势： 一、碳化硅的物理特性 碳化硅具有高禁带宽度、高
2025-01-23 17:09:352665 在现代工业中，高性能材料的需求日益增长，特别是在高温环境下。碳化硅作为一种先进的陶瓷材料，因其卓越的耐高温性能而受到广泛关注。 1. 碳化硅的基本特性 碳化硅是一种共价键合的陶瓷材料，具有高硬度
2025-01-24 09:15:483086 多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉积方面各具特色。多晶碳化硅以其广泛的衬底适应性、制造优势和多样的沉积技术而著称;而非晶碳化硅则以其极低的沉积温度、良好的化学与机械性能以及广泛的应用前景而受到关注。
2025-02-05 13:49:121951 
碳化硅（SiC）器件在新能源汽车中起到了非常核心的作用，尤其是在提升电能转换效率、减小体积和重量、延长续航里程等方面，具有不可替代的优势。具体来说，碳化硅器件在以下几个关键环节中发挥着重要作用。
2025-12-29 11:39:51407
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