半导体生产商ROHM株式会社（总部：京都市）开发出了车载电动动力转向等用途的长边电极类型电流检测用超低阻值贴片电阻器“PML100系列”，6432（2512）的尺寸可以实现3W的额定功率。该产品已经以月产300万个的规模开始量产（样品价格：20日元）。生产地是ROHM
2011-01-28 09:11:12
909 瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150mΩ（栅源间电压为10V时的标称值）的600V耐压超结（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压
2012-06-26 11:01:021252 IR近日推出配备IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可为各种高效工业应用提供基准导通电阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有极低的导通电阻，有助于提升系统效率，还可让设计人员在多个MOSFET并联使用时减少产品的组件数量。
2013-01-22 13:27:211206 瑞萨电子开发第三代车载SJ-MOSFET，计划1～2年内开始量产。该器件降低了导通电阻和EMI（电磁噪声）...
2013-05-31 09:22:201467 1、超级结构 高压功率MOSFET管早期主要为平面型结构，采用厚低掺杂的N-外延层epi，保证器件具有足够击穿电压，低掺杂N-外延层epi尺寸越厚，耐压额定值越大，但是，导通电阻随电压
2023-10-07 09:57:362774 
ROHM拥有丰硕市场业绩的Pch MOSFET产品，采用了第五代新微米工艺，实现了业界超低的单位面积导通电阻*3。－40V耐压产品的导通电阻较以往产品降低62%、－60V耐压产的导
2020-12-26 10:31:421900 罗姆于2020年完成开发的第4代SiC MOSFET，是在不牺牲短路耐受时间的情况下实现业内超低导通电阻的产品。
2022-03-09 09:33:582652 
、关断延迟时间：：Td(off）、下降时间：tf。下面是从以低导通电阻和高速开关为特征的Nch 600V 4A的MOSFET R6004KNX的技术规格中摘录的内容。这些参数的名称和符号，各厂家间可能
2018-11-28 14:29:57
系列为例，介绍trr的高速化带来的优势。高速trr SJ-MOSFET： PrestoMOS FN系列PrestoMOS是具备SJ-MOSFET的高耐压、低导通电阻及低栅极总电荷量特征、且进一步实现了
2018-11-28 14:27:08
VDS由流过的电流ID与导通电阻的乘积来确定。为什么这个区被定义为可变电阻区呢？功率MOSFET数据表中定义的导通电阻都有一定的条件，特别是VGS，当VGS不同时，沟道的饱和程度不同，因此不同的VGS
2016-12-21 11:39:07
(脉冲)：±2.5A(最大值)输出MOSFET直流导通电阻：2.7Ω(Typ)工作箱温度：-20°C~+100°C结温：+150°C功耗：3.0W应用：空调；空气滤清器；水泵;洗碗机；洗衣机；通用OA设备典型应用框图：`
2019-12-28 09:47:29
有助于在应用程序中节省空间。 这些MOSFET具有出色的高速开关和低导通电阻。查看详情<<<特性：低RDS(on)降低功耗；低压驱动；提供大电流Vds-漏源极
2021-02-02 09:55:16
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向车载和工业设备中的大功率应用，开发出12W级额定功率的业界超薄金属板分流电阻器“PSR350”。另外，ROHM针对已在15W级额定功率产品中达到
2023-03-14 16:13:38
泛的需求，ROHM还开发出+40V和+60V耐压的“QH8Kxx / SH8Kxx系列（Nch+Nch）”，产品阵容已达12款。本系列产品采用ROHM新工艺，实现了业界超低的导通电阻，±40V耐压产品的导
2021-07-14 15:17:34
NCP45521的典型（热插拔）电路是一种负载开关，可通过软启动为浪涌电流限制提供高效电源域切换的元件和面积减少解决方案。除了具有超低导通电阻的集成控制功能外，这些器件还通过故障保护和电源良好信号提供系统保护和监控
2020-04-17 10:09:17
降低损耗”为目标开发而成的。一般而言，导通电阻和Qg存在权衡关系，但利用ROHM独有的工艺技术和优化技术优势，实现了两者的高度平衡。※PrestoMOS是ROHM的商标。开关损耗和传导损耗更低
2018-12-04 10:23:36
MOSFET选型和评估作业显著减少，这一点对设计人员来说是相当大的优点。BD9G341AEFJ:实现业界顶级的80V高耐压与高效率的DC/DC转换器 重点必看内置高耐压低导通电阻MOSFET的降压型1ch DC/DC转换器 重点必看80V耐压DC/DC转换器IC的定位与市场＜ 相关产品信息 ＞DC/DC转换器
2018-12-04 10:12:34
超级结MOSFET是与平面MOSFET相比，导通电阻和栅极电荷（Qg）显著降低的MOSFET。ROHM的600V超级结MOSFET具有高速、低噪声、高效率的特性，并已扩展为系列化产品，现已发展到
2018-12-05 10:00:15
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能够提供业界最低导通电阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【关键词】：功率损耗,导通电阻
2010-05-06 08:55:20
我在网上一些帖子上面看到，MOS管导通后如果工作在现行放大区的话就有可能烧坏管子，这是因为线性区的ID电流较大，同时RDS也较大，功耗较高所致。但我看了 一下MOS的应用手册，上面提到的导通后RDS都是mΩ级别的，这个也算是电阻大嘛？这不是与上面的介绍想矛盾吗？另外，MOS的功耗究竟应该怎么计算呢？
2018-10-25 11:14:39
忽略输入开关的导通电阻。AD7980的Rin典型值是400Ω，远大于外部电阻Rext，输入开关导通电阻为何能忽略？如果考虑Rin，又该如何计算？另外Vstep为什么这样计算？
2018-08-06 07:49:37
公司也有生产，但是ROHM在推进独自开发。此次内置的SJ MOSFET不仅实现了650V的高耐压，还实现了低导通电阻与低栅极电荷，开关速度也非常快。这将大大改善开关即MOSFET的导通损耗与开关损耗。这
2019-04-29 01:41:22
。另外，这里提供的数据是在ROHM试验环境下的结果。驱动电路等条件不同，结果也可能不同。关键要点:・SiC-MOSFET在Vd-Id特性方面，导通电阻特性的变化呈直线型，因此在低电流范围优于IGBT。・SiC-MOSFET的开关损耗大大低于IGBT。
2018-12-03 14:29:26
与IGBT相比，SiC MOSFET具备更快的开关速度、更高的电流密度以及更低的导通电阻，非常适用于电网转换、电动汽车、家用电器等高功率应用。但是，在实际应用中，工程师需要考虑SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
电阻低，通道电阻高，因此具有驱动电压即栅极－源极间电压Vgs越高导通电阻越低的特性。下图表示SiC-MOSFET的导通电阻与Vgs的关系。导通电阻从Vgs为20V左右开始变化（下降）逐渐减少，接近
2018-11-30 11:34:24
说明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常见的结构。Si的功率MOSFET，因其高耐压且可降低导通电阻，近年来超级结（Super Junction）结构的MOSFET（以下简称“SJ-MOSFET
2018-11-30 11:35:30
通过电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此导通电阻比MOSFET还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在Turn-off时会产生尾电流，从而造成极大的开关损耗。 SiC器件漂移层的阻抗
2023-02-07 16:40:49
设计，且高温下的导通电阻也很低。※该数据是ROHM在相同条件下测试的结果，仅供参考。此处表示的特性本公司不做任何保证。4. 驱动门极电压和导通电阻SiC-MOSFET的漂移层阻抗比Si-MOSFET低，但是
2019-04-09 04:58:00
对体二极管进行1000小时的直流8A通电测试，结果如下。试验证明，所有特性如导通电阻，漏电流等都没有变化。短路耐受能力由于SiC-MOSFET与Si-MOSFET相比具有更小的芯片面积和更高的电流密度
2018-11-30 11:30:41
设计，且高温下的导通电阻也很低。※该数据是ROHM在相同条件下测试的结果，仅供参考。此处表示的特性本公司不做任何保证。4. 驱动门极电压和导通电阻SiC-MOSFET的漂移层阻抗比Si-MOSFET低，但是
2019-05-07 06:21:55
Booster技术，面向车载的DC/DC转换器04 24V输入，内置MOSFET的降压型开关稳压器BD9E100FJ-LB是内置低导通电阻的功率MOSFET的同步整流降压型开关稳压器。输入电压范围广
2018-10-17 16:16:17
一种传统平面式高压MOSFET的简单结构。平面式MOSFET通常具有高单位芯片面积漏源导通电阻，并伴随相对更高的漏源电阻。使用高单元密度和大管芯尺寸可实现较低的RDS(on)值。但大单元密度和管芯尺寸
2017-08-09 17:45:55
器件相比，具有更低的导通电阻和更高的电压耐受能力。（图片来源：ROHM Semiconductor）标准硅 MOSFET 在高至 150°C 的温度条件下工作时，RDS(on) 导通电阻要高出 25
2017-12-18 13:58:36
电气技师和电子制造工程师用接地导通电阻测试仪验证电器和消费产品（由交流电压供电）上的裸露金属是否适当地连接到了其机壳底座。当电器内部发生故障电流时，如果电器没有适当地连接到已接地的机壳底座，就存在
2017-09-30 09:38:49
、BD82054QVZ以及BD82055QVZ）。这几款单通道高侧开关IC采用N沟道功率MOSFET，具备低导通电阻（典型值63mΩ，VIN=5V），输入电压范围2.7V~5.5V，非常适用于通用串行总线（USB
2019-04-10 06:20:03
电源型产品，皆有提供。 BD9E100FJ-LB、BD9E101FJ-LB是ROHM推出的内置低导通电阻功率MOSFET的同步整流降压型开关稳压器，具有非常宽的输入电压范围。采用电流控制模式，具有高速
2019-04-01 22:19:17
需要具备非常先进的技术能力才能实现。此外，内置MOSFET的导通电阻很低，仅为150mΩ，有利于提高效率。 BD9G341AEFJ的转换方式是被称为“二极管整流”或“异步整流”的降压方式。高边
2018-10-19 16:47:06
非常先进的技术能力才能实现。此外，内置MOSFET的导通电阻很低，仅为150mΩ，有利于提高效率。BD9G341AEFJ的转换方式是被称为“二极管整流”或“异步整流”的降压方式。高边MOSFET为内置
2018-12-04 10:10:43
型区。在功率MOSFET的内部，由许多这样的单元，也称“晶胞”，并联而成。硅片的面积越大，所能加工的单元越多，器件的导通电阻越小，能够通过的电流就越大；同样，在单位的面积的硅片上，能够加工的晶胞越多
2016-10-10 10:58:30
系列Hybrid MOS是同时具备超级结MOSFET（以下简称“SJ MOSFET”）的高速开关和低电流时的低导通电阻、IGBT的高耐压和大电流时的低导通电阻这些优异特性的新结构MOSFET。下面为
2018-11-28 14:25:36
1700V高耐压，还是充分发挥SiC的特性使导通电阻大幅降低的MOSFET。此外，与SiC-MOSFET用的反激式转换器控制IC组合，还可大幅改善效率。ROHM不仅开发最尖端的功率元器件，还促进充分发挥
2018-12-05 10:01:25
用的电路板可以更加小型化，而且线路安装设计也有了更大的灵活性。另外，由于采用了新开发的低导通电阻芯片，在使封装小型化的同时实现了与现有SOP8 Dual产品同样低的导通电阻。ROHM将要逐步大量生产封装
2018-08-24 16:56:26
”这个参数的影响。下面以“升降压转换器的传递函数导出示例 其2”的ton≠ton’ 的升降压转换器为基础，按照同样步骤来推导。右侧电路图在上次给出的升降压转换器简图上标出了作为开关的MOSFET的导通电阻
2018-11-30 11:48:22
自举电路是在输出开关上侧晶体管使用Nch MOSFET时所必要的电路。最近许多电源IC都搭载该电路，因此在评估电源电路时最好事先理解其工作。Nch MOSFET的导通电阻低，作为开关使用的话可提升
2018-11-29 14:16:45
求推荐一款导通电阻毫欧级别的常闭型固态继电器，或者其他的导通电阻很小的也行,不想用电磁继电器，要求就是常态下是闭合，给电才导通
2021-01-09 09:50:06
结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。沟槽结构在Si-MOSFET中已被广为采用，在SiC-MOSFET中由于沟槽结构有利于降低导通电阻也备受关注。然而，普通的单
2018-12-05 10:04:41
的电子通过导电沟道进入被耗尽的垂直的N区中和正电荷，从而恢复被耗尽的N型特性，因此导电沟道形成。由于垂直N区具有较低的电阻率，因而导通电阻较常规MOS管将明显降低。 通过以上分析可以看到：阻断电压与导
2018-11-01 15:01:12
测量MOS管的导通电阻除了在选定开关时有用，还在哪些方面有重要的意义？
2012-05-17 10:44:16
和突然，因为通常的观点都认为，MOSFET的导通电阻具有正的温度系数，因此可以并联工作。当多个并联工作的功率MOSFET其中的一个温度上升时，由于其具有正的温度系数，导通电阻也增加，因此流过的电流减小
2016-09-26 15:28:01
沟道MOSFET工作。这款N沟道MOSFET在VIN接近0V时支持超过2A的连续电流，并具有超低导通电阻，可最大限度地降低功耗
2020-04-21 10:02:39
Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET)，其将嵌入式肖特基势垒二极管（SBD）排列成格子花纹（check-pattern embedded SBD），以降低导通电阻
2023-04-11 15:29:18
低功耗的、以极快的反向恢复时间（trr）为特点的ROHM独创的功率MOSFET。＜提高设计灵活度的关键＞开关速度的高速化与误开启现象、噪声干扰是相悖的，用户在电路设计时需要通过调整栅极电阻来进行优化
2020-03-12 10:08:31
低功耗的、以极快的反向恢复时间（trr）为特点的ROHM独创的功率MOSFET。＜提高设计灵活度的关键＞开关速度的高速化与误开启现象、噪声干扰是相悖的，用户在电路设计时需要通过调整栅极电阻来进行优化
2020-03-12 10:08:47
我有2个很快的问题。1。AMUX和AMUX定序器的导通电阻和电容是多少？2。SAR和Delta DigMA ADC的采样电阻和电容是多少？
2019-09-10 15:18:05
请问有人知道MOS管作为开关如何仿真在开启与中断状态下，不同频率点的导通电阻吗？我想仿真上图的SW在Vsw不同状态下MOS管的导通电阻，用了下面的testbench 使用sp仿真，结果查看ZM的实部，但是出来的结果如下所示：结果都很小并且打开和关断阻抗大小是相反的，请问有人知道这个是出了什么问题吗
2021-06-25 07:59:24
MOSFET和超级结MOSFET。简而言之，就是在功率晶体管的范围，为超越平面结构的极限而开发的就是超级结结构。如下图所示，平面结构是平面性地构成晶体管。这种结构当耐压提高时，漂移层会增厚，存在导通电阻增加
2018-11-28 14:28:53
平面式高压MOSFET的结构图1显示了一种传统平面式高压MOSFET的简单结构。平面式MOSFET通常具有高单位芯片面积漏源导通电阻，并伴随相对更高的漏源电阻。使用高单元密度和大管芯尺寸可实现较低
2018-10-17 16:43:26
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-08 09:35:56
。与此同时，SiC模块也已开发出采用第3代SiC-MOSFET的版本。“BSM180D12P3C007”就是通过采用第3代SiC-MOSFET而促进实现更低导通电阻和更大电流的、1200V/180A、Ron
2018-12-04 10:11:50
MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通。电力 MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。 2、动态特性；其测试电路和开关过程波形如图3所示。 开通
2023-02-27 11:52:38
%。特性方面的定位是标准特性。低噪声SJ-MOSFET：EN系列SJ-MOSFET具有“导通电阻低，开关速度快”的特征，但存在其高速性导致噪声比平面型大的课题。为改善这个问题开发了EN系列。该系列产品融合了
2018-12-03 14:27:05
PS22920YZPR，具有受控接通功能的超低导通电阻，4A 集成负载开关 特性 说明 • 输入电压范围：0.75V 至 3.6V TPS22920L 是一款小型
2023-02-08 23:30:53
IR智能电源开关为24V汽车应用提供超低导通电阻
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR)推出 AUIPS7111S 高侧智能电源开关。该产品具有超低的导
2010-03-19 09:14:551003 导通电阻,导通电阻的结构和作用是什么?
传统模拟开关的结构如图1所示，它由N沟道MOSFET与P沟道MOSFET并联构成，可使正负信号传输，如果将不同VI
2010-03-23 09:27:474912 IR推出汽车专用MOSFET系列低导通电阻
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出首款汽车专用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:32746 全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (InternaTIonal Rectifier) 推出全新HEXFET功率MOSFET系列。该器件采用业界标准SOT-23封装，具有超低导通电阻 (RDS(on)) ，适用于电池充电
2010-07-22 09:29:411162 半导体生产商ROHM株式会社开发出了车载电动动力转向等用途的长边电极类型电流检测用超低阻值贴片电阻器“PML100系列”，6432(2512)的尺寸可以实现3W的额定功率。该产品已经
2010-09-14 09:22:26887 飞兆半导体推出了导通电阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，这款全新飞兆半导体器件FDMS7650是最大RDS(ON)值为0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N沟道器件，它是业界采用5×6mm POWER56封装且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:391534 半导体制造商罗姆(ROHM)株式会社全新研发出超低阻值Jumper型电阻“PMR Jumper系列”，可将最大导通电阻值降低至0.5毫欧姆，同时并大幅提高额定电流
2011-11-28 09:23:131542 瑞萨电子宣布推出新款低导通电阻MOSFET产品，包括经过最佳化的μPA2766T1A，做为网路伺服器与储存系统之电源供应器内的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:10938 世界首家！ROHM开始量产采用沟槽结构的SiC-MOSFET，导通电阻大大降低，有助于工业设备等大功率设备的小型化与低功耗化
2015-06-25 14:26:461974 SiC市场领导者Cree（科锐公司）近期推出了首款能够突破业界SiC功率器件技术的900V MOSFET平台。
2015-09-07 09:29:311923 一种超低比导通电阻的L型栅漏极LDMOS_石琴
2017-01-07 22:14:03
4 MOSFET的导通电阻
2018-08-14 00:12:0012629 关键词：MOSFET , FemtoFET 小信号 MOSFET 晶体管为移动设备节省电源，延长电池使用寿命 德州仪器 (TI) 宣布面向智能手机与平板电脑等空间有限手持应用推出业界最小型低导通电阻
2018-10-13 11:03:01308 安森美半导体NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技术碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的开关性能和更高的可靠性。此外，该SiC MOSFET具有低导通电阻
2020-06-15 14:19:403728 Charger：OBC）等领域拥有很高的市场份额。此次，导通电阻和短路耐受时间之间取得更好权衡的第4代SiC MOSFET的推出，除现有市场之外，还将加速在以主机逆变器为主的市场中的应用。
2020-06-19 14:21:074198 
对于功率半导体来说，当导通电阻降低时短路耐受时间※2就会缩短，两者之间存在着矛盾权衡关系，因此在降低SiC MOSFET的导通电阻时，如何兼顾短路耐受时间一直是一个挑战。
2020-06-22 15:54:12771 ROHM于2015年世界上第一家成功地实现了沟槽结构SiC MOSFET的量产，并一直致力于提高SiC功率元器件的性能。
2021-01-07 11:48:121754 对于MOSFET，欧姆电阻不仅仅只考虑沟道电阻，对于阻断电压在50V以上的器件中低掺杂中间区域的电阻起到决定作用。
2021-05-01 17:26:0014829 
ROHM继2020年年底发布的新一代Pch MOSFET*2之后，此次又开发出在Nch中融入新微细工艺的第6代40V和60V耐压的MOSFET。
2021-11-30 14:48:02748 
在功率半导体器件中，MOSFET以高速、低开关损耗、低驱动损耗在各种功率变换，特别是高频功率变换中起着重要作用。在低压领域，MOSFET没有竞 争对手，但随着MOS的耐压提高，导通电阻随之
2022-03-17 09:35:332872 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向需要对电子电路进行电压监控以确保安全的各种车载和工业设备应用（包括车辆引擎控制单元和FA设备），开发出具有高精度和超低静态电流的复位IC*1（电压检测器）“BD48HW0G-C”。
2022-07-06 12:38:142057 非常有助于提高无线耳机和可穿戴设备等小而薄设备的效率和运行安全性！ 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出一款小型且高效的20V耐压Nch MOSFET*1“RA1C030LD
2022-12-01 14:28:49563 
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出一款小型且高效的20V耐压Nch MOSFET *1 “ RA1C030LD ”，该产品非常适用于可穿戴设备、无线耳机等可听戴设备、智能手机
2022-12-14 15:10:06435 ROHM开发出具有绝缘构造、小尺寸且超低功耗的MOSFET
2022-12-18 17:08:49626 
超级结MOSFET是与平面MOSFET相比，导通电阻和栅极电荷（Qg）显著降低的MOSFET。ROHM的600V超级结MOSFET具有高速、低噪声、高效率的特性，并已扩展为系列化产品，现已发展到第二代。
2023-02-10 09:41:07578 
ROHM | 开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 
列产品的参考资料，助力您快速了解产品各项信息。 点击下载产品参考资料 与Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的导通电阻，并且在各种电路中具有更出色的易用性，因而目前在市场上更受欢迎
2023-05-17 13:35:02471 
两者因为其栅极都是在外延表面生长出来的平面结构所以都统称为平面栅MOSFET。还有另外一种结构是把栅极构建在结构内部，挖出来的沟槽里面，叫做沟槽型MOSFET。针对两种不同的结构，对其导通电阻的构成进行简单的分析介绍。
2023-06-25 17:19:021451 
同时实现业界超快反向恢复时间和业界超低导通电阻，可进一步降低工业设备和白色家电的损耗 ROHM的600V耐压Super Junction MOSFET PrestoMOS 产品阵容中又新增
2023-07-12 12:10:08437 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向通信基站和工业设备等的风扇电机驱动应 用，开发出将两枚100V耐压MOSFET* 1一体化封装的双MOSFET新产品。新产品分“HP8KEx
2023-08-11 11:16:16539 
～非常适用于通信基站和工业设备等的风扇电机，有助于设备进一步降低功耗和节省空间～ 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向通信基站和工业设备等的风扇电机驱动应用，开发出将两枚100V
2023-08-23 12:05:05280 
波动，起到开关作用的MOSFET需要具备100V的耐压能力。而另一方面，提高耐压意味着与其存在权衡关系的导通电阻也会提高，效率会变差，因此，如何同时兼顾更高耐压和更低导通电阻，是一个很大的挑战。风扇电机通常会使用多个MOSFET进行驱动，为了节
2023-09-14 19:12:41305 
)和HP8MEx(Nch+Pch)系列中。 近年来，通信基站和工业设备已从传统的12V/24V系统转向48V系统，以通过降低电流值来提高效率。在这些情况下，开关MOSFET需要具有100V的耐压以应对电压波动
2023-10-23 15:44:02482 ROHM 推出“RS6xxxxBx/ RH6xxxxBx系列”共13款 Nch MOSFET*1产品(40V/60V/80V/100V/150V)， 这些产品非常适合驱动以24V 、36V 、48V
2023-11-20 01:30:56189 近日，昕感科技在新能源领域取得重大突破，推出了一款具有业界领先超低导通电阻的SiC MOSFET器件新产品（N2M120007PP0）。该产品的导通电阻达到了惊人的7mΩ，电压规格为1200V，将为新能源领域提供更为高效、可靠的功率半导体开关解决方案。
2024-01-04 14:37:57316
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