小型化一直是电子行业的一个热点，对电源尤其重要。电源的质量通常以单位体积的功率来衡量，本文讨论了一些有助于实现小型化电源设计的注意事项。
2022-07-27 09:33:20
320 小型化一直是电子行业的一个热点，对电源尤其重要。电源的质量通常以单位体积的功率来衡量，本文讨论了一些有助于实现小型化电源设计的注意事项。
2022-08-01 11:31:14444 中国上海， 2023 年 6 月 13 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品
2023-06-13 16:38:50712 
`深圳市三佛科技有限公司 供应03N10 100V 3A SOT-89 MOS管 HN03N10D，原装，库存现货热销HN03N10D参数：100V 3ASOT-89 N沟道 MOS管/场效应管品牌
2021-03-24 10:44:05
型号： 05N10VDS：100VIDS：5A封装：SOT-23/SOT-89沟道：N沟道05N10原装正品,05N10现货热销供应100V MOS管05N10产品质量稳定，广泛运用于LED电源
2020-08-13 11:37:37
`深圳市三佛科技有限公司 供应 10N10 100V 10A 香薰机MOS管 ,原装，库存现货热销10N10参数： TO-252/SOT-89100V10AN沟道 MOS场效应管
2020-07-31 14:50:51
进一步实现小型化。开关损耗大幅降低，可进一步提升大功率应用的效率ROHM利用独有的内部结构并优化散热设计开发出新型封装，从而开发并推出了600A额定电流的全SiC功率模块产品。由此，全SiC功率模块在工业
2018-12-04 10:20:43
深圳市三佛科技有限公司 供应 40N10 雾化器用MOS管 HN40N10KA 100V 40A MOS，原装，库存现货热销HN40N10KA 参数 100V40A TO-252低开启电压N沟道
2020-08-13 11:20:37
惠海半导体 供应 4N10 100V MOS，替代型号HN0501，mos原厂，库存现货热销 4N10 ：100V 4A SOT-23 N沟道MOS管/场效应管 HC0551010参数：100V
2020-11-20 14:48:03
`深圳市三佛科技有限公司 供应 100V 15A 汽车LED灯MOS管 HN15N10DA，原装，库存现货热销HN15N10DA参数：100V 15A TO-252 N沟道 MOS管/场效应管品牌
2021-05-08 15:39:38
型号：HC160N1038VDS：100VIDS：3A封装：SOT-23沟道：N沟道100V MOS管HC160N1038 原厂mos，库存现货热销可以替代SI2328DS售后服务：公司免费提供样品，并提供产品运用的技术上
2020-11-20 13:54:17
沟道100V MOS管HC160N10LS原装, HC160N10LS现货热销供应100V MOS管HC160N10LS产品质量稳定，广泛运用于LED电源，充电器，小家电，电源，混色LED灯等电子产品我
2020-10-09 15:36:45
低内阻小节电容发热小中低压MOS大全TO-252 SOT23-3封装100V MOS管100V 30A 35A 50A 23 23L SOP8 TO-252 N沟道MOS管【低电压开启低内阻】主营
2021-03-13 09:34:36
：型号：HC160N10L N沟道场效应管100V10A(10N10)TO-252封装，可用于雾化器、车灯电源等型号：HC080N10L N沟道场效应管 100V17A(17N10)TO-252封装
2020-09-25 15:55:42
100V MOS管100V 贴片MOS 100V常用MOS推荐：HC160N10L，HC080N10L，HC240N10LS，原装现货，价格优惠！100V 3A/5A/8A雾化器MOS管,3A/5A
2020-11-02 15:15:36
SOT-89 N沟道MOS管/场效应管HN03N10D参数：100V MOS管100V 3A SOT-89 N沟道 MOS管/场效应管HN0801产品应用于：小家电，雾化器，加湿器，电源，LED。品牌
2021-05-08 15:10:13
这种方案吗？我这边将100V音频输入经过一个整流电路，用7805电源芯片降压输出个5V去控制继电器切换输出，但是当100V音频输入音量小的时候，就控制不了，我测了一下，当100V音频输入音量小的时候，电压只要1V多（PS:交流电压1V多），所以7805电源芯片无法输出5V电压去控制
2019-11-15 18:29:38
、大功率 MOSFET 开关管，外围元器件简单，系统应用灵活，转换效率最高可达 98%以上，输入电压可兼容到 100V以上，系统体积小，内置过温保护，开路保护，过流保护，短路保护，输入过压保护等全套可靠性
2015-12-18 11:48:51
`<p><font face="Verdana">N沟道MOSFET概述<br/&
2010-08-17 09:21:57
到地面 （-） 来激活它。如果将N沟道MOSFET连接到负载的VCC侧，源极值也将非常接近VCC。要激活 MOSFET，必须向栅极施加大于 VCC的电压。由于这种更高的电压并不总是容易获得，因此将电源连接
2023-02-02 16:26:45
`N沟道增强型MOSFET TDM31066[/td][/td][td=499]一般描述一般特征该TDM31066采用先进的沟槽技术RDS（ON）<18.2mΩ@ VGS = 4.5V
2019-01-24 11:00:12
:100V，N沟道，大电流，小封装MOS，实际电压可以达到100V，可以满足LED电源，充电器，小家电等需要低压，大电流，小封装的要求。HC510参数：100V 5A SOT-23 N沟道MOS管
2020-07-24 17:25:11
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征，然后再论述选择的原则。
2021-03-02 08:40:51
掺杂的N-的外延层即epi层来控制。图2：N沟道垂直导电的平面结构及Rdson组成 在低压器件中，由于N-外延层比较薄，N+层和漏极的金属衬底对通态的电阻影响大；大于100V的器件，N-外延层是通态电阻
2016-10-10 10:58:30
电源，这样就可以将N沟道同步整流功率MOSFET管放在高端。图6：次级同步整流管放高端（左）、低端（4）通讯系统48V输入系统的热插拨如果是-48V的系统，热插拨的功率MOSFET使用N沟道类型，放在
2016-12-07 11:36:11
的新型电容器，要求电容量大、等效串联电阻（ESR）小、体积小等。 二、高频化。为了实现LED开关电源高功率密度，必须提高PWM变换器的工作频率、从而减小电路中储能元件的体积重量。 三、应用压电变压器
2014-11-05 18:00:03
如题，最近准备做一个DC 15V，AC 100V，功率约在250W的小型UPS电源，以前玩过反激电路可以搞出来AC-DC的过程，但是DC-AC的过程我就黑了~~有哪位大神以前搞过类似的产品或者方案，或者整个AC/DC的方案，求教一下，或者企鹅271650901，求指教，谢谢谢谢！！！
2015-07-24 16:48:51
的基础上还降低了电路成本。 MPS目前有5~15W的一系列的原边反馈控制芯片方案，MP020是集成700V MOSFET的恒压恒流(CV/CC) 开关芯片，能轻松实现高精度的稳压和恒流输出。 三、小型化
2018-10-10 16:49:11
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-09 09:09:18
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-12 09:12:51
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-13 09:16:34
BSS123 - 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 VBSS123 N沟道MOSFET 100V 170mA/0.17A
2019-11-13 11:00:58
LT1160的典型应用 - 半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器。 LT 1160 / LT1162是经济高效的半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器
2019-05-14 09:23:01
DC2417A-A，用于LTC4367IMS8的演示板，具有32ms故障恢复的UV，OV和反向电源保护。演示电路旨在演示LTC4367 100V过压（OV），欠压（UV）和反向电源保护控制器的性能
2019-02-21 09:48:51
的100V，N沟道，大电流MOS，NCE0106R实际电流可以达到6A，可以满足充电器，移动电源，小家电等需要大电流的要求，NCE0106R产品质量稳定，广泛运用于充电器，小家电，游戏机，电源,LED
2020-10-28 16:28:24
广泛运用于LED电源，充电器，小家电，电源，混色LED灯等电子产品。NCE0140KA为新洁能推出的100V，N沟道，大电流MOS，NCE0140KA实际电流可以达到40A，可以满足充电器，移动电源
2019-11-20 11:02:40
是主开关晶体管且兼具提高效率的作用。为选择最适合电源应用的开关，本设计实例对P沟道和N沟道增强型MOSFET进行了比较。对市场营销人员，MOSFET可能代表能源传递最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
，有高达10MHz的高速开关IC，结构极其精小，被作为小型便携设备的电源使用。－ 那么，如果BM2Pxxx系列也能实现兆赫兹级别的开关是不是更好。确实该系列产品实现了小型化，但如果提高开关速度，效率
2019-04-29 01:41:22
及方案解决，提供原装正品芯片、提供技术支持、提供优先货源，保障客户利益，为客户提供全方面服务。我司还提供MOS管，支持样品测试供应【100V MOS管 N沟道】SL05N10100V
2020-07-27 17:15:08
沟道 MOS管HN50N06DA：60V50A TO-252N沟道 MOS管HN9940L 60V20ATO-251N沟道 MOS管【100V MOS 】 HN0501:100V 5A SOT-23
2021-04-07 15:06:41
，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在于芯片面积小（可实现小型封装），而且体
2019-05-07 06:21:55
沟道 MOS管HN50N06DA：60V50A TO-252N沟道 MOS管HN9940L 60V20ATO-251N沟道 MOS管【100V MOS 】 HN0501:100V 5A SOT-23
2021-03-24 10:35:56
图1为二个P沟道的功率MOSFET组成的充电电路，P沟道的功率MOSFET的型号为：AO4459。Q3和R1实现恒流或限流充电功能，Q4控制电路的工作。图1：P沟道MOSFET组成充电电路电路工作
2017-04-06 14:57:20
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保护典型值达
2019-07-09 17:30:39
WLP-BAW滤波器的热建模功率容量与小型化，不看肯定后悔
2021-06-08 06:07:13
MOSFET作为开关使用串联在电池负极和开关电源负极之间，但总是烧坏MOSFET，MOSFET选用的是IXFN420N10T，Ids可达420A，Vds最大100V，而开关电源是适配48V，电池是铅酸电池
2016-09-06 12:51:58
````低压100V贴片MOS管100V4A 4N10 SOT23-3封装MOS管型号：HC510中压MOS:100V，N沟道，大电流，小封装MOS，实际电压可以达到100V，可以满足LED电源
2020-07-25 14:36:55
、车灯电源等型号：HC080N10LN沟道场效应管100V17A(17N10)TO-252封装， 内阻68mR,可用于加湿器、车灯电源等型号：HC021N10LN沟道场效应管100V35A (35N
2020-09-23 11:38:52
、车灯电源等型号：HC080N10LN沟道场效应管100V17A(17N10)TO-252封装， 内阻68mR,可用于加湿器、车灯电源等型号：HC021N10LN沟道场效应管100V35A (35N
2020-10-14 15:18:58
沟道 MOS管60V 50A TO-252 N沟道 MOS管【100V MOS N沟道 】 100V 5A SOT-23 N沟道 MOS管100V 8A SOT-89 N沟道MOS管100V 3A
2020-11-02 16:02:10
电压，从而成为可通过以往的分立结构很难实现的高精度来控制DC风扇电机旋转速度的业界首款＊电源IC。集成为IC后使控制进一步优化，不仅效率大幅提升，还可减少部件数量、提高开关速度，实现外围元器件的小型化
2018-12-04 10:18:22
N沟道和P沟道MOSFET哪个常用?增强型和耗尽型的哪个常用?
2019-05-13 09:00:00
LT1336的典型应用是具有成本效益的半桥N沟道功率MOSFET驱动器。浮动驱动器可以驱动顶部N沟道功率MOSFET工作在高达60V（绝对最大值）的高压（HV）轨道上工作
2019-05-10 06:46:05
装MOS，实际电压可以达到100V，可以满足LED电源，充电器，小家电等需要低压，大电流，小封装的要求。HC510参数：100V 5A SOT-23 N沟道MOS管/场效应管：100V5A封装
2020-09-23 09:42:17
沟道MOSFET也可用作降压稳压器高侧开关。这些应用需要自举电路或其它形式的高侧驱动器。图1：具有电平移位器的高侧驱动IC。图2：用自举电路对高侧N沟道MOSFET进行栅控。极性决定了MOSFET的图形
2021-04-09 09:20:10
多芯片驱动器加FET技术是如何解决小型化DC/DC应用设计问题的？
2021-04-21 06:50:18
）工作频率的高频化，使周边器件小型化（例：电抗器或电容等的小型化）主要应用于工业机器的电源或光伏发电的功率调节器等。2. 电路构成现在量产中的SiC功率模块是一种以一个模块构成半桥电路的2in1类型
2019-03-12 03:43:18
机载计算机电源的小型化设计1概述随着微电子技术的发展，采用大规模和超大规模集成电路的机载计算机主机已越来越小型化，因而对其电源部件的体积和重量提出了进一步小型化的要求，然而现有的机载计算机电源，已经
2021-11-12 07:05:16
12V电源浪涌的要求是什么？求一个12V电源口的浪涌保护雷卯电子推出小型化的方案
2022-01-14 07:35:40
DC2417A-B，用于LTC4367IMS8-1的演示板，具有0.5ms故障恢复的UV，OV和反向电源保护。演示电路旨在演示LTC4367 100V过压（OV），欠压（UV）和反向电源保护控制器
2019-02-19 09:30:42
比较罗姆在功率元器件及电源IC小型化上的推进很多整机产品的设计人员感叹配套基板一般都是电源。另外，时常耳闻印制电路板的单位面积成本逐日攀升。的确，从有些智能手机和平板电脑等的拆解图片上看，基板被电池
2019-04-07 22:57:55
AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-08-05 11:48:56
[中国，深圳，2020年12月15日]高质量无源器件厂商起浪光纤宣布针对100Gbps和200Gbps CFP2-DCO（数字相干光学）光模块应用推出系列小型化EDFA（掺铒光纤放大器）产品及一站式
2020-12-15 09:47:26
变压器铜损较低，同时，正激式电路副边纹波电压电流衰减比反激式明显，因此，一般认为正激式变换器适用在低压，大电流，功率较大的场合。 2系统总体框图 一种高效小型化的开关电源设计的系统总体框图如图1所示
2018-11-21 11:18:15
摘要：介绍了一种以功率MOSFET管为主开关管的RCC电路，分析了电路工作原理。试验结果表明，该电路对于提高电源的电网适应性，实现电源的小型化具有实用价值。关键词：功率M
2010-05-13 09:10:46
85
一种小型化高压小功率电源
摘要：论述了一种小型化的高压电源，它一改传统的高、低压组合式为一体化式，从而使
2009-07-11 10:44:23491 
安森美半导体推出12款新N沟道功率MOSFET系列
经过100%雪崩测试的MOSFET提供业界领先的雪崩额定值，能承受电源和电机控制应用中的大电压尖峰
2010年2月2日 – 应用
2010-02-03 10:13:151095 安森美新增100V N沟道MOSFET系列：NTP641x/NTB641x/NTD641x
安森美半导体(ON Semiconductor)扩充N沟道功率MOSFET系列，新增12款100伏(V)器件。安森美半导体经过完备测试的N沟道功率MOSF
2010-02-05 08:37:091769 东京—东芝公司（TOKYO：6502）旗下半导体&存储产品公司今天宣布，推出单通道高边N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）栅极驱动器“TPD7104F”。
2014-11-05 18:54:361787 新产品是东芝首款采用紧凑型SOP Advance（WF）封装的车用100V N沟道功率MOSFET。封装采用可焊锡侧翼端子结构，安装在电路板上时能够进行自动目视检查，从而有助于提高可靠性。
2019-12-26 09:26:463093 电源系统中的恒定电流源，固态继电器，电信开关和高压直流线路等应用需要N沟道耗尽型功率MOSFET，当栅极至源极电压为零时，该MOSFET用作常开的开关。本文将介绍IXYS最新的N沟道耗尽型功率
2021-05-27 12:18:587444 
100V 高速同步 N 沟道 MOSFET 驱动器在 -40°C 至 150°C 的温度范围内工作
2021-03-19 06:51:081 的能力主要通过实践培养起来的。 近日，东芝针对汽车应用推出了XPW4R10ANB、XPW6R30ANB、XPN1300ANC三款100V N沟道功率MOSFET产品，进一步扩充了产品线。这些产品符合AEC-Q101标准，应用于汽车设计中，有助于缩小汽车设备体积，满足当前市
2021-10-25 14:16:291657 
的能力主要通过实践培养起来的。 新品 近日，东芝针对汽车应用推出了XPW4R10ANB、XPW6R30ANB、XPN1300ANC三款100V N沟道功率MOSFET产品，进一步扩充了产品线。这些产品符合AEC-Q101标准，应用于汽车设计中，有助于缩小汽车设备体积，满足当
2021-11-26 15:22:501827 
东芝拓展650V超结结构N沟道功率MOSFET新品 景嘉微发布JH920 东芝拓展新一代超级结结构N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的产品线 东芝电子元件及存储装置株式会社 （“东芝
2022-03-18 17:35:264581 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。
2022-04-01 16:42:3610906 NP16P10G(100V P沟道增强模式MOSFET)
2022-07-18 09:06:001412 
NP2P10MR(100V P沟道增强模式MOSFET)
2022-07-18 09:14:57946 
采用 LFPAK56 封装的 NextPower 100V、10.9mΩ N 沟道 MOSFET-PSMN011-100YSF
2023-02-20 19:50:190 100 V、N 沟道沟槽 MOSFET-BUK6D385-100E
2023-02-20 19:57:310 D2PAK 中的 N 沟道 100V 6.8 mOhm 标准电平 MOSFET。-PSMN7R0-100BS
2023-03-03 18:53:300 D2PAK 中的 N 沟道 100V 26.8 mOhm 标准电平 MOSFET。-PSMN027-100BS
2023-03-03 19:00:210 D2PAK 中的 N 沟道 100V 16 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN016-100BS
2023-03-03 19:01:500 N 沟道 100V 8.5 mΩ 标准电平 MOSFET，采用 TO220F (SOT186A)-PSMN8R5-100XS
2023-03-03 20:12:570 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工艺，可用于工业设备开关电源，涵盖数据中心和通信基站等电源应用。该产品于今日开始支持批量出货。
2023-03-31 10:05:32727 小型化一直是电子行业的一个热点，对电源尤其重要。电源的质量通常以单位体积的功率来衡量。本文讨论了一些有助于实现小型化电源设计的注意事项。
2023-06-14 15:19:32401 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。
2023-06-16 09:03:30228 
小型化一直是电子行业的一个热点，对电源尤其重要。电源的质量通常以单位体积的功率来衡量，本文讨论了一些有助于实现小型化电源设计的注意事项。尽量减少外部元件数量电源通常由至少一个半导体和若干无源外部元件
2022-07-28 09:41:451901 
点击“东芝半导体”，马上加入我们哦！ 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布， 推出采用东芝最新一代U-MOS X-H工艺制造而成的100V N沟道功率MOSFET“TPH3R10AQM
2023-06-29 17:40:01368 
小型化一直是电子行业的一个热点，对电源尤其重要。电源的质量通常以单位体积的功率来衡量。ADI在本文讨论了一些有助于实现小型化电源设计的注意事项。
2023-07-08 15:08:31339 
随着现代电子设备对小型化和高效率的要求不断提高,对电源管理芯片的技术也提出了更高要求。针对此趋势,安森德半导体公司推出了新一代异步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。这款100V N沟道功率MOSFET凭借其卓越的静态和动态性能参数,将助您的设计实现更高功率密度和转换效率。
2023-08-14 15:04:45367 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGLTM（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品于今日开始支持批量出货。
2023-08-22 11:03:21557 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGL（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品已于8月17日开始支持批量出货。
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