美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 推出新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT) IGBT系列中的首款产品。
2012-05-18 09:25:34
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全球领先的整合单片机、混合信号、模拟器件和闪存专利解决方案的供应商——Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）日前宣布扩展旗下可编程USB端口电源控制器产品组合，推出新款
2015-11-20 16:28:411569 全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日扩充坚固耐用、可靠的超高速 600 V 沟道绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列，为不间断电源 (UPS) 、太阳能
2011-11-16 08:54:111023 就在先后被苹果和联发科抛弃之后，Imagination 推出了新款 A 系列 GPU 架构，表示它是该公司 15 年来最重要的一款产品，也是目前效率最高的 GPU 架构。
2019-12-03 17:13:371246 。SL1583需要最少数量的现成标准外部器件，并提供6引脚SOT23-6兼容封装。 特点： 高效率:高达98%的600KHz频率工作2输出电流NoSchottky二极管所需的4.0V至18V输入电压
2022-03-04 16:10:58
进一步实现小型化。开关损耗大幅降低，可进一步提升大功率应用的效率ROHM利用独有的内部结构并优化散热设计开发出新型封装，从而开发并推出了600A额定电流的全SiC功率模块产品。由此，全SiC功率模块在工业
2018-12-04 10:20:43
DN146-1.25Msps，12位ADC可在单5V电源上节省功耗和信号完整性
2019-07-23 09:50:12
0前言家用逆变焊机因其体较小，操作方便，市场接受度逐步提高。因市电220V输入的特点，一般采用600V/650V规格的IGBT作为逆变主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
各位大师 请教个问题本人有台开关电源600V/3A。整流后经四个大容，四个场效应管组成的对管，后经变压器，再经整流。开电没问题。只要工作就烧开关管，大功率场效应管，两个对管。问问是怎么回事，会是哪里造成的。
2013-10-11 00:34:27
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 编辑
1，IGBT单管：IGBT，封装较模块小，电流通常在100A以下，常见有TO247 等封装,sg 本人常用。2，IGBT模块
2012-07-09 12:00:13
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 编辑
1，IGBT单管：IGBT，封装较模块小，电流通常在100A以下，常见有TO247 等封装,sg 本人常用。2，IGBT模块
2012-07-09 10:12:52
很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等
2012-07-09 10:01:42
很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等
2012-07-09 11:53:47
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:59 编辑
请哪位高手指点一下，如何测量IGBT单管的好坏，谢谢
2012-07-25 21:49:17
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------一、简述大家都知道，IGBT单管相当的脆弱，同样电流容量的IGBT单管，比同样电流容量的MOSFET脆弱多了，也就是说，在逆变H桥里头，MOSFET上去没有问题，但是IGBT.
2021-11-15 08:51:39
影响检测的准确度；数字万用表测试CE两脚正反压降，正常情况下，IGBT管的C、E极间正向压降约为0．35~0.7V间都是好的,反相电压为无穷大。 （内不含阻尼二极管），IGBT管的C、E极间正向,反相压
2012-04-18 16:15:53
制造成大功率芯片，不能采用平板式结构，只好采用模块式，虽然安装方便，但散热性能差不利于可靠性，这是不争的事实。五. IGBT的并联均流问题目前，国外单管IGBT的最大容量为2000A/2500V，实际的商品器件
2018-10-17 10:05:39
降低，故在开关电源（SMPS）中开始应用，对功率MOSFET构成一定威胁。 最近几年，IGBT又进入消费类电子产品和家用电器，例如变频空调（驱动模块用6只15A～50A/600V的IGBT、荧光灯
2012-06-01 11:08:11
（Trench FS）技术并真正实现量产的企业。公司推出的IGBT芯片、单管和模块产品从600V至6500V，覆盖了目前主要电压段及电流段，已批量应用于感应加热、逆变焊机、工业变频、新能源等领域，并得到客户的广泛
2023-10-16 11:00:14
高达6500V/600A的IGBT器件。辅助变流器采用开关频率为1950Hz的PWM技术，由3台双IGBT和相关反并联二极管组成，每台双IGBT组成三相中的一支。 今后，IGBT将向高耐压和开关频率
2012-06-01 11:04:33
`Nexperia 200V超快恢复整流器拥有高功率密度，同时最大限度地减少了反向恢复时间和损耗。这些器件是大功率密度、超快恢复整流器，采用高效平面技术，采用小型扁平引线SOD123W或SOD128
2020-02-13 14:30:30
`NPN中功率晶体管系列，采用表面贴装器件（SMD）塑料封装，具有大电流，高功耗，出色的导热性和导电性等优势。n具有中等功率能力的无铅超小型SMD塑料封装（SOT1061）。符合AEC-Q101
2020-03-11 17:20:01
（th）额定值大于0.5VVDS=60V，ID=75A，Ptot=137W应用：12 V汽车系统；电机，灯具和电磁阀控制；起停微混合动力应用；变速箱控制；超高性能电源开关引脚信息：`
2021-01-23 11:20:27
36V 锂离子电池是当今工具和户外动力设备的常用电源。由 36V 电池供电的产品得益于高功率输出和较长的电池寿命，同时也相对较轻且易于使用。然而，36V 电池的高能量密度也需要实现高效和安全的电池
2022-10-28 16:18:03
提供正负偏置电压。主要特色双路隔离式输出，+15V/-9V @ 200mA，4.8W 功率，单 IGBT 栅极驱动器的理想偏置电源小型电源模块设计，标准 DIP 封装+/-5% 交叉调节，87% 峰值
2018-12-21 15:06:17
/DC电路一般供电电压较低(12V、24V或 48V)，输入电流较大，功率管导通压降高、损耗大，所以电源效率很难提高。其电路形式有：单端反激、单端正激、双管正激、半桥和全桥等，对于中小功率(约0.5
2019-05-24 08:30:00
更高的效率。高效的电源以热量的形式获得更少的能量浪费，从而缩短了电子元件的平均寿命。效率对最终设备的可靠性和耐用性以及能耗有很大影响。如果效率越高，功耗和热损耗就越低。在超高功率转换器中，即使效率提高
2023-02-02 09:23:22
高效率。 AP9166需要最少数量的现成标准外部元件，并采用6引脚SOT23-6兼容封装。特征：高效率：高达98％600KHz频率操作2A输出电流无需肖特基二极管4.0V至18V输入电压范围0.6V
2018-09-10 17:33:22
。 AP9166需要最少数量的现成标准外部元件，并采用6引脚SOT23-6兼容封装。特征：高效率：高达98％600KHz频率操作2A输出电流无需肖特基二极管4.0V至18V输入电压范围0.6V参考斜率补偿
2019-12-04 08:50:10
导读：日前，凌力尔特公司（以下简称“Linear”）专为对光接收器中的雪崩光电二极管（APD） 施加偏置而设计出新款固定频率、电流模式升压型DC/DC转换器--LT3905.此款新器件可提供适合
2018-09-29 17:00:51
ARK推出新一代250V MOS器件 近日，成都方舟微电子有限公司(ARK Microelectronics, Co., Ltd.，简称ARK)推出新一代250V MOSFET系列产品，包括N型
2011-04-19 15:01:29
近日，成都方舟微电子有限公司(ARK Microelectronics, Co., Ltd.，简称ARK)推出新一代250V MOSFET系列产品，包括N型MOS管、P型MOS管以及N-P对管
2011-04-15 11:51:00
保护宽输入电压范围: 4.5V-52V600mQ 高侧金属氧化物半导体场效应晶体管至少600mA 持续电流输出能力高达 90% 的效率SKIP模式提供极高的轻负载效率1.2MHz 固定工作频率内部补偿
2023-03-14 11:29:31
FAN7391MX是一款单片高侧和低侧栅极驱动 IC，可驱动工作在高达 +600 V 电压的高速 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级，所有 NMOS 晶体管设计用于实现高脉冲电流驱动
2022-01-18 10:43:31
IGBT是电源应用中相当常见的器件，可用于交流电的电机控制输出。由安森美半导体（ON Semiconductor）所推出的TO247-4L IGBT将可为相关应用提供更高的效能与更佳的成本效益
2020-07-07 08:40:25
导读：据报道，德州仪器（简称“TI”）日前推出业界最小的12V、750mA DC/DC电源稳压器LMR22007.此器件支持高性能并采用极小型毫微级封装，非常适合消费类、工业以及汽车等领域的需求
2018-09-27 15:16:02
近日，惯性传感器模块制造商XSENS宣布，随着该公司推出新款兼容RTK的惯导产品，新一代高性价比的惯性传感器产品将具备厘米级定位能力。 基于常规卫星定位信号使用RTK（实时动态定位）扩展功能
2020-07-07 09:01:12
TI针对能量采集和低功耗应用推出高效率电源转换器_TPS6212075 mA DC/DC 降压转换器可支援 2 V 至 15 V 输入电压 静态电流仅为 11 uA TI宣布针对能量采集和低功耗相关
2010-10-12 21:03:17
电源需要降低功耗，因此对高效率开关器件的需求也在增长。这催生了对于PFC电路中低损耗开关器件和更高开关频率的需求。东芝在其新款IGBT中引入了最新的工艺。优化的沟槽结构确保了行业领先的0.35mJ
2023-03-09 16:39:58
`描述TIDA-00174 参考设计是一款四路输出隔离式 Fly-Buck 电源，适合于 IGBT 栅极驱动器偏置。它产生两组（+16V、-9V）电压输出，输出电流容量为 100mA。正/负偏置电压
2015-03-23 12:07:05
`描述TIDA-00174 参考设计是一款四路输出隔离式 Fly-Buck 电源，适合于 IGBT 栅极驱动器偏置。它产生两组（+16V、-9V）电压输出，输出电流容量为 100mA。正/负偏置电压
2015-04-27 16:13:02
* • 可在更宽的工作频率范围内实现97%以上的高效率* • 符合AEC-Q101标准RGWxx65C系列是使用低损耗 SiC肖特基势垒二极管（SiC SBD） 作为IGBT续流二极管的 Hybrid型IGBT
2022-07-27 10:27:04
。电磁感应加热IGBT单管散热问题电磁感应加热IGBT有单管和模块两种，在用单管时，单管IGBT的外壳与铝接一起作为散热用，而外壳刚好与接到线圈的输出端为同一极，这样散热铝片也就带电转载自http://cxtke.com/
2012-07-09 10:03:42
。电磁感应加热IGBT单管散热问题电磁感应加热IGBT有单管和模块两种，在用单管时，单管IGBT的外壳与铝接一起作为散热用，而外壳刚好与接到线圈的输出端为同一极，这样散热铝片也就带电转载自http://cxtke.com/
2012-07-09 11:57:40
描述TIDA-00174 参考设计是一款四路输出隔离式 Fly-Buck 电源，适合于 IGBT 栅极驱动器偏置。它产生两组（+16V、-9V）电压输出，输出电流容量为 100mA。正/负偏置电压
2018-09-05 08:54:59
IGBT和MOS管的区别是什么？IGBT和可控硅的区别有哪些？如何实现IGBT驱动电路的设计？
2021-11-02 08:30:41
安国半导体主要是在u***主控 sd卡这方面处于领先地位，现在为扩大经营范围 特推出新款触摸按键 价格比义隆合泰都更有优势 性能方面EFT可到4.4kvcs10v也可以过要是感兴趣的话可以 联系***
2013-10-08 15:48:39
高效率的开关电源。峰值电流模式控制器可提高高端台式电脑、服务器、48-V电信、数据通信以及42-V车载系统中所使用的脱机电源与 DC/DC 转换器的效率。 TI新型UCC2891、UCC2892
2008-08-18 22:02:08
德州仪器（TI）推出新一代KeyStone II架构
2021-05-19 06:23:29
、不间断电源（UPS）和功率因数校正（PFC）控制器的物料成本。这些产品集成全面的保护功能，其中，欠压锁定（UVLO）可在电源电压过低时保护电源开关。此外，过热保护和硬件互锁可以防止半桥电路中的高边/低边
2018-08-06 14:37:25
导读：日前，TDK公司宣布推出新一代PCB基板式开关电源--CUT75系列产品。CUT75系列新品是伴随着市场对更轻薄、更高效率，更高性价比的三路输出开关电源的需求而问世，为客户系统的小型化
2018-09-27 15:24:27
连接器可在-55℃ to 105℃温度下工作，工作电流可达到7安培，其中2位的电介质耐电压可达2200V AC，独特设计带有自锁和白点对齐提示功能，旋转1/4圈达到完全连接，并伴有清脆锁固声音提醒
2010-04-29 14:12:12
在电磁炉上的应用 电磁炉是一种家用电器，它原理是利用交变磁场产生涡电流来给食物加热，而控制电磁炉交变磁场的产生与消失就是通过开关器件IGBT来实现，对于家用电磁炉来说，一般是使用单管，也就是一个
2023-02-28 13:51:19
受益于集成器件保护，直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压（600V）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
简单分析不间断电源系统在IGBT中的应用理念 简单分析不间断电源的应用方法及其理念 摘要：在UPS中使用的功率器件有双极型功率晶体管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT既有
2012-03-29 14:07:27
芯讯通推出新款超小尺寸5G模组SIM8202G－M2
2020-12-18 06:51:55
600V IGBT3，全新芯片具备更出色的关断软度和更高的阻断电压功能。此外，该器件的短路能力大幅增强。而600V IGBT3主要适用于低功率应用或杂散电感很低的高功率应用。650V IGBT4的设计与技术
2018-12-07 10:16:11
深圳市振邦微科技有限公司新供应输入12V-60V直接输出5V，电流可达到600MA-AH599L降压芯片 POE电源 水表产品欢迎来电咨询-WV9801这是一款超级红火的芯片 为客户解决了板子空间
2021-11-05 14:16:09
能够有出色的散热能力。并且 ETA9870 内部采用超低内阻功率管设计，在 2.4A 充电下平均效率高于 93.5%，在 5V-2.4A 升压输出时，即使锂电池电压低于 3.3V 时，效率仍能高于 92
2021-08-09 16:03:46
欧元（600 V、20 A）到5.10欧元（1,200 V、40 A）。针对应用而优化的IGBT提高能源效率和改进系统成本，仍然是光伏逆变器、不间断电源（UPS）和焊接系统等传统IGBT应用，以及
2018-12-03 13:47:00
转自《电力电子网》大家都知道，IGBT单管相当的脆弱，同样电流容量的IGBT单管，比同样电流容量的MOSFET脆弱多了，也就是说，在逆变H桥里头，MOSFET上去没有问题，但是IGBT上去，可能
2017-03-24 11:53:14
供应SGT20T60SD1F 20A、600V igbt单管开关逆变器，提供SGT20T60SD1F关键参数 ，是士兰微IGBT代理商，更多产品手册、应用料资请向骊微 电子申请。>>
2023-04-03 15:40:25
供应ups逆变器中的igbt管600v 60a SGT60N60FD1P7，是士兰微IGBT代理，提供SGT60N60FD1P7关键参数 ，可应用于光伏，变频器，UPS,SMPS以及PFC等领域，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-04-04 10:37:48
Vishay推出具有最高32V电源电压的新款IGBT和MOSFET驱动器
日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出两款新型IGBT和MOSFET驱动器，丰富了其已
2009-07-01 09:30:55556 California Micro Devices推出新款PicoGuard(R)极低电容静电放电保护设备
数字消费电子产品和计算机的 USB3.0、eSATA 和 DisplayPort 等高速端口应用的理想设备
2009-12-09 10:02:35619 California Micro Devices 推出新款极低电容静电放电保护设备
California Micro Devices日前宣布针对最先进的数字消费品和计算机应用推出一款超低电容静电放电 (ESD) 装置 PicoGuard
2009-12-10 08:32:26541 安捷伦推出新款LTE测试解决方案
安捷伦科技公司宣布推出新款 LTE 测试解决方案。该解决方案结合了市场上领先的 Agilent 89600 VSA LTE FDD 和 LTE TDD 分析软件，以及 Agilent X
2009-12-28 17:07:29742 研华推出新款3.5"、Atom架构单板电脑
研华宣布推出新款3.5"单板电脑PCM-9361。PCM-9361采用了外形小巧、功能强大的45 nm Intel Atom N270（带945GSE和ICH7M芯片组）处理器，使产品
2010-01-04 08:35:19764 NEC推出新款车载音响应用系统芯片及软件日前，NEC电子完成了新款车载音响用系统芯片μPD35502的开发，并将于即日起开始发售样片。新产品的主要特征包括：可以轻
2010-04-07 10:20:15904 Vishay推出新款薄膜贴片电阻
日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出为钻井和航空等极端高温环境优化的新系列打线式、裸芯片贴片式
2010-04-17 16:12:54676 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiHG47N60S，该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 Aptina日前推出新款支持电子稳像(EIS)的1/3英寸原生全高清(HD) 1080p60视频传感器。该传感器可支持所有高清视频
2011-01-11 09:36:401133 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩展其封装系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封装。新的封装采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技术
2011-06-16 09:35:042537 近日SCHURTER推出新款ASO太阳能保险丝(gPV)。ASO同时满足IEC 60269-6和UL2579标准，可为光伏系统提供保护，符合最新的gPV规定
2011-07-06 09:39:17949 全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日新推出600V车用IGBT系列，专门针对电动汽车和混合动力汽车中的变速电机控制和电源应用进行了优化
2011-10-13 09:03:46847 瑞萨电子宣布推出新款低导通电阻MOSFET产品，包括经过最佳化的μPA2766T1A，做为网路伺服器与储存系统之电源供应器内的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:10938 2015年3月9日 –Imagination Technologies 宣布推出新款PowerVR高效率视频编码（HEVC） IP系列产品，她是专为提供最高质量H.265编码所设计，并能优化硅晶面积与带宽占用。
2015-03-10 14:56:091081 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半桥栅极驱动器及六款高/低侧600V栅极驱动器，可在半桥或全桥配置下轻易开关功率MOSFET与IGBT。
2016-03-14 18:13:231402 据美国motor1 7月3日消息，日前2018款保时捷卡宴的最新路试谍照曝光。时隔六年，保时捷终于将推出新款卡宴。新车将于9月份的法兰克福车展亮相
2017-07-06 15:03:593526 科锐（Nasdaq: CREE）宣布推出新款高光效版XLamp XP-G2 HE (High Efficacy) LED，在标准版XLamp XP-G2 LED基础之上进一步提升性能，提供更高光输出和更高效率，从而帮助实现体积更小、重量更轻、成本更低的方案设计。
2018-07-24 11:52:346363 东芝宣布推出新一代超结功率MOSFET，新器件进一步提高电源效率。在这个连小学生做作业都讲求高效率的年代，还有什么是高效率不能解决的呢？
2018-09-13 15:54:155102 今晚（7月25日），索尼在全球同步推出新款便携长焦旗舰黑卡RX100 VII（型号名：Cyber-shot DSC-RX100M7）。
2019-07-26 11:41:044522 在台湾嵌入式论坛上，AMD(纳斯达克：AMD))宣布进一步壮大其锐龙嵌入式产品家族，推出新款AMD锐龙嵌入式R1000 片上系统(SoC)。
2019-08-30 11:42:26472 优特电源推出新产品600W紧凑型恒流LED驱动电源，效率高达95％。该产品采用了最新的解决方案，尺寸仅为237x125x43mm，和市面上竞品480W一样大小，广泛应用于球场灯，工矿灯，植物灯和高杆灯照明。
2020-03-13 13:59:541187 据国内媒体报道，有相关博主近日透露华为将会在近期召开一场笔记本新品发布会，推出新款的MateBook X Pro笔记本。
2021-01-04 15:47:433030 2017年上市的Switch在全球范围内获得了巨大的成功，依靠任天堂第一方游戏IP，比如马里奥、塞尔达等为其提供非常旺盛的生命力。但是现在随着次世代主机的发售，任天堂也将推出新款Switch。
2021-01-07 14:42:512252 据数码博主@鹏鹏君驾到 爆料称，华为可能会推出新款智慧屏，初步定于本月25日左右发布，带来强悍的功能和视听体验，这也是有助于完善新款智慧屏产品在高中低全价位的布局。
2021-03-04 10:37:531646 曝苹果最早4月推出新款iPad Pro的消息引发了业界关注，之所以这款iPad Pro备受关注，很大一部分原因在于这将是苹果旗下首款待在mini led屏幕的产品。知名分析师郭明錤给出最新判断，曝苹果最早4月推出新款iPad Pro，看好mini LED在苹果产品线中的重要度。
2021-03-19 08:59:226654 据悉，此次小米推出新款澎湃自研芯片，很可能不是一款传统意义上类似麒麟9000、骁龙888一样大规模、集成式的SoC，这一代从官方“小芯片”的描述也能判断。
2021-03-26 12:49:338461 Nexperia | USB4 ESD 二极管件实现了保护和性能的出色平衡
2023-05-24 12:17:54224 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia (安世半导体)今日宣布，将凭借600 V器件系列进军绝缘栅双极晶体管(IGBT)市场，而30A NGW30T60M3DF将打响进军市场的第一炮
2023-07-05 16:34:291053 除了这些新材料外，绝缘栅双极晶体管(IGBT)这一较老的技术在电力电子领域仍占有重要地位。本周，Nexperia首次进入IGBT市场，推出了一系列新的600 V设备。本文将介绍IGBT、trench-gate设备和Nexperia的新产品系列。
2023-07-18 15:35:53367 
倍加福推出新款 VOC工业事件相机 ，再次扩展工业视觉产品系列。该相机可以实现 在触发信号前后长达 60 秒、以事件为驱动的视频记录 ，从而实现针对性的简单远程诊断以及 自动文档记录 。
2023-07-28 14:10:23513 IGBT是一项相对成熟的技术。尽管如此，这些器件的市场预计将随着太阳能面板和电动汽车(EV)充电器的日益普及而有所增长。Nexperia 的600 V IGBT采用稳健、经济高效的载流子储存沟槽
2023-08-14 09:34:51326 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia (安世半导体)今日宣布，将凭借600 V器件系列进军绝缘栅双极晶体管(IGBT)市场，而30A NGW30T60M3DF将打响进军市场的第一炮
2023-08-14 16:00:49283 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia (安世半导体)今日宣布，将凭借600 V器件系列进军绝缘栅双极晶体管(IGBT)市场，而30A NGW30T60M3DF将打响进军市场的第一炮
2023-09-19 02:43:54232 如何用无桥图腾柱功率因数校正控制器实现出色的AC-DC功率转换效率
2023-12-06 15:52:18192 
基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，该器件采用新一代高压 GaN HEMT 技术和专有铜夹片 CCPAK 表面贴装封装，为工业和可再生能源应用的设计人员提供更多选择。
2023-12-13 10:38:17312 集特推出新款龙芯主板GM9-3003
2023-12-14 16:03:07210 
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