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为功率电子设计人员提供带有全额快速恢复二极管的稳健型175℃标准IGBT。
奈梅亨，2023年7月5日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布，将凭借600 V器件系列进军绝缘栅双极晶体管(IGBT)市场，而30A NGW30T60M3DF将打响进军市场的第一炮。Nexperia在其庞大的产品组合中增加了IGBT，满足了市场对于高效高压开关器件不断增长的需求以及在性能和成本方面的要求。这些器件有助于提高电源转换和电机驱动应用中的功率密度，包括工业电机驱动（例如5到20 kW (20 kHz)的伺服电机）、机器人、电梯、机器操作手、工业自动化、功率逆变器、不间断电源(UPS)、光伏(PV)串联组件、EV充电以及感应加热和焊接。
IGBT是一项相对成熟的技术。尽管如此，这些器件的市场预计将随着太阳能面板和电动汽车(EV)充电器的日益普及而有所增长。Nexperia的600 V IGBT采用稳健、经济高效的载流子储存沟槽栅场截止(FS)结构，在最高175℃的工作温度下可提供超低导通和开关损耗性能与高耐用性。这可提高功率逆变器、感应加热器、焊接设备和工业应用（如电机驱动和伺服、机器人、电梯、机器操作手和工业自动化等）的效率和可靠性。
设计人员可以在中速(M3)和高速(H3)系列IGBT之间自由选择。这些IGBT采用非常紧密的参数分布设计，允许多个器件安全地并联连接。此外，与竞品器件相比其热阻更低，因此能够提供更高的输出功率。这些IGBT还并联了全电流反向软快恢复二极管。这意味着它们适用于逆变器,整流器及双向变换电路应用，在过流条件下更加稳健。
Nexperia绝缘栅双极晶体管和模块业务部门总经理姜克博士表示：“Nexperia通过发布IGBT，为设计人员提供了更多的电源开关器件选择，以满足广泛的电源应用需求。IGBT是对Nexperia现有的CMOS和宽带隙开关器件系列产品的理想补充，Nexperia由此可为功率电子设计师提供一站式服务。”
这些IGBT采用无铅TO247-3L标准封装，并通过严苛的HV-H3TRB质量标准，适合室外应用。Nexperia计划在本次产品发布后将推出1200 V IGBT系列器件。欲了解有关Nexperia IGBT的更多信息，请访问：https://www.nexperia.com/igbts
Nexperia推出新款600 V单管IGBT，可在电源应用中实现出色效率
- 电源(244067)
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近日SCHURTER推出新款ASO太阳能保险丝(gPV)。ASO同时满足IEC 60269-6和UL2579标准，可为光伏系统提供保护，符合最新的gPV规定
2011-07-06 09:39:17949
949IR推出优化的600V车用IGBT系列
全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日新推出600V车用IGBT系列，专门针对电动汽车和混合动力汽车中的变速电机控制和电源应用进行了优化
2011-10-13 09:03:46847
847瑞萨电子推出新款低导通电阻MOSFET产品
瑞萨电子宣布推出新款低导通电阻MOSFET产品，包括经过最佳化的μPA2766T1A，做为网路伺服器与储存系统之电源供应器内的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:10938
938Imagination推出新款PowerVR高效率视频编码IP系列产品
2015年3月9日 –Imagination Technologies 宣布推出新款PowerVR高效率视频编码（HEVC） IP系列产品，她是专为提供最高质量H.265编码所设计，并能优化硅晶面积与带宽占用。
2015-03-10 14:56:091081
1081Diodes栅极驱动器可在半桥或全桥配置下 开关功率MOSFET与IGBT
Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半桥栅极驱动器及六款高/低侧600V栅极驱动器，可在半桥或全桥配置下轻易开关功率MOSFET与IGBT。
2016-03-14 18:13:231402
1402时隔六年，保时捷终将推出新款卡宴-“大嘴”觉醒吧
据美国motor1 7月3日消息，日前2018款保时捷卡宴的最新路试谍照曝光。时隔六年，保时捷终于将推出新款卡宴。新车将于9月份的法兰克福车展亮相
2017-07-06 15:03:593526
3526科锐推出新款高光效XP-G2 HE，性能更一步提升
科锐（Nasdaq: CREE）宣布推出新款高光效版XLamp XP-G2 HE (High Efficacy) LED，在标准版XLamp XP-G2 LED基础之上进一步提升性能，提供更高光输出和更高效率，从而帮助实现体积更小、重量更轻、成本更低的方案设计。
2018-07-24 11:52:346363
6363东芝推出新一代超结功率MOSFET，进一步提高电源效率
东芝宣布推出新一代超结功率MOSFET，新器件进一步提高电源效率。在这个连小学生做作业都讲求高效率的年代，还有什么是高效率不能解决的呢？
2018-09-13 15:54:155102
5102索尼推出新款黑卡RX100VII 售价约合8247元
今晚（7月25日），索尼在全球同步推出新款便携长焦旗舰黑卡RX100 VII（型号名：Cyber-shot DSC-RX100M7）。
2019-07-26 11:41:044522
4522AMD将推出新款锐龙嵌入式处理器
在台湾嵌入式论坛上，AMD(纳斯达克：AMD))宣布进一步壮大其锐龙嵌入式产品家族，推出新款AMD锐龙嵌入式R1000 片上系统(SoC)。
2019-08-30 11:42:26472
472优特电源推出新款600W紧凑型恒流LED驱动电源 效率高达95％
优特电源推出新产品600W紧凑型恒流LED驱动电源，效率高达95％。该产品采用了最新的解决方案，尺寸仅为237x125x43mm，和市面上竞品480W一样大小，广泛应用于球场灯，工矿灯，植物灯和高杆灯照明。
2020-03-13 13:59:541187
1187华为将推出新款MateBook X Pro
据国内媒体报道，有相关博主近日透露华为将会在近期召开一场笔记本新品发布会，推出新款的MateBook X Pro笔记本。
2021-01-04 15:47:433030
3030任天堂将推出新款Switch
2017年上市的Switch在全球范围内获得了巨大的成功，依靠任天堂第一方游戏IP，比如马里奥、塞尔达等为其提供非常旺盛的生命力。但是现在随着次世代主机的发售，任天堂也将推出新款Switch。
2021-01-07 14:42:512252
2252爆料称华为本月或将推出新款智慧屏
据数码博主@鹏鹏君驾到 爆料称，华为可能会推出新款智慧屏，初步定于本月25日左右发布，带来强悍的功能和视听体验，这也是有助于完善新款智慧屏产品在高中低全价位的布局。
2021-03-04 10:37:531646
1646传苹果最早4月推出新款iPad Pro
曝苹果最早4月推出新款iPad Pro的消息引发了业界关注，之所以这款iPad Pro备受关注，很大一部分原因在于这将是苹果旗下首款待在mini led屏幕的产品。知名分析师郭明錤给出最新判断，曝苹果最早4月推出新款iPad Pro，看好mini LED在苹果产品线中的重要度。
2021-03-19 08:59:226654
6654小米将推出新款自研芯片
据悉，此次小米推出新款澎湃自研芯片，很可能不是一款传统意义上类似麒麟9000、骁龙888一样大规模、集成式的SoC，这一代从官方“小芯片”的描述也能判断。
2021-03-26 12:49:338461
8461安世半导体推出新款600 V单管IGBT
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia (安世半导体)今日宣布，将凭借600 V器件系列进军绝缘栅双极晶体管(IGBT)市场，而30A NGW30T60M3DF将打响进军市场的第一炮
2023-07-05 16:34:291053
1053Nexperia凭借600 V器件进入IGBT市场
除了这些新材料外，绝缘栅双极晶体管(IGBT)这一较老的技术在电力电子领域仍占有重要地位。本周，Nexperia首次进入IGBT市场，推出了一系列新的600 V设备。本文将介绍IGBT、trench-gate设备和Nexperia的新产品系列。
2023-07-18 15:35:53367
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倍加福推出新款VOC工业事件相机
倍加福推出新款 VOC工业事件相机 ，再次扩展工业视觉产品系列。该相机可以实现 在触发信号前后长达 60 秒、以事件为驱动的视频记录 ，从而实现针对性的简单远程诊断以及 自动文档记录 。
2023-07-28 14:10:23513
513Nexperia （安世半导体）推出新款600 V单管IGBT，可在电源应用中实现出色效率
IGBT是一项相对成熟的技术。尽管如此，这些器件的市场预计将随着太阳能面板和电动汽车(EV)充电器的日益普及而有所增长。Nexperia 的600 V IGBT采用稳健、经济高效的载流子储存沟槽
2023-08-14 09:34:51326
326600 V单管IGBT，可在电源应用中实现出色效率
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia (安世半导体)今日宣布，将凭借600 V器件系列进军绝缘栅双极晶体管(IGBT)市场，而30A NGW30T60M3DF将打响进军市场的第一炮
2023-08-14 16:00:49283
283新款600 V单管IGBT，可在电源应用中实现出色效率
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia (安世半导体)今日宣布，将凭借600 V器件系列进军绝缘栅双极晶体管(IGBT)市场，而30A NGW30T60M3DF将打响进军市场的第一炮
2023-09-19 02:43:54232
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安世半导体宣布推出新款GaN FET器件
基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，该器件采用新一代高压 GaN HEMT 技术和专有铜夹片 CCPAK 表面贴装封装，为工业和可再生能源应用的设计人员提供更多选择。
2023-12-13 10:38:17312
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