【2023年8月4日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出搭载1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7芯片的62 mm半桥和共发射极模块产品组合。模块的最大电流规格高达 800 A ,扩展了英飞凌采用成熟的62 mm 封装设计的产品组合。电流输出能力的提高为系统设计人员在设计额定电流更高方案的时候,不仅提供最大的灵活性,还提供更高的功率密度和更优秀的电气性能。新型模块专为满足集中式太阳能逆变器以及工业电机驱动和不间断电源(UPS)的需求而开发。此外,它还广泛适用于电动汽车充电桩、储能系统(ESS)和其他新型工业应用。
基于新型微沟槽技术,搭载 1200 V TRENCHSTOP IGBT7 芯片的62mm 模块系列的静态损耗远远低于搭载 IGBT4 芯片组的模块。这些特性大大降低了应用中的损耗,在以中等开关频率工作的工业电机驱动中尤为显著。IGBT 的振荡行为和可控性也得到了提升。此外,全新功率模块的最大过载结温为 175°C。
坚固的镀镍铜底板和螺母主端子确保了 62 mm模块封装具有足够的机械强度。主端子位于封装中央,由于其直流链路连接电感较低,因此非常适合并联电路和三电平拓扑配置。标准的封装设计和尺寸使得该系列能够兼容此前的模块版本。此外,所有模块均可使用半导体科技公司英飞凌经过验证的预涂热界面材料(TIM)。
供货情况
现在即可订购 1200 V TRENCHSTOP IGBT7 62mm产品组合。预涂热界面材料的型号也将在不久后推出。了解更多信息,请访问 www.infineon.com/62mm和www.infineon.com/IGBT7。
如需进一步了解英飞凌在提高能源效率方面做出的贡献,请访问:www.infineon.com/green-energy
以高度灵活性满足高功率密度和性能需求:英飞凌扩展1200 V 62 mm IGBT7 产品组合,推出全新电流额定值模块
- 英飞凌(136806)
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2023-01-29 19:00:04931
英飞凌IGBT
英飞凌IGBT 英飞凌IGBT模块电气性能绝佳且可靠性最高,在设计灵活性上也丝毫不妥协 我们的产品组合包括不同的先进IGBT功率模块产品系列,它们拥有不同的电路结构、芯片配置和电流电压等级,适用于
2023-02-16 16:30:581135
Nexperia(安世半导体)推出先进的I²C GPIO扩展器产品组合
基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)近日宣布推出全新 16 通道 I2C 通用输入输出(GPIO)扩展器产品组合,旨在提高电子系统的灵活性和重复利用能力。其中
2023-05-04 17:34:04898
英飞凌推出全新 EiceDRIVER™ 1200 V 半桥驱动器 IC系列,有源米勒钳位保护可提升高功率系统的耐用性
,为客户提供了更多的选择以及设计灵活性。增强的电流输出能力将这一产品组合的适用性提升到更高的系统功率水平。这些器件能够提供业内领先的负极 VS 负瞬态电压抗
2023-06-06 11:03:03420
1200V-600A/450A IGBT模块产品性能
对应用系统的性能具有决定性的影响。为响应上述应用市场日益增长的发展需求,JSAB推出了兼容国外一流进口品牌的Econodual3和62mm封装的1200V-600A/450A大功率模块。相关模块的IGBT
2023-06-20 11:26:021328
英飞凌(Infineon)IGBT管前10热门型号
型号:1、IKW40N120H3:Infineon的IKW40N120H3是一款高压IGBT,适用于高效能和高可靠性的应用。它具有1200V的电压额定值和40A的电流额定值,能够提供低导通
2023-08-25 16:58:531479
搭载1200V P7芯片的PrimePACK™刷新同封装功率密度
了该封装的功率密度上限。目标应用领域:1200VP7模块首发型号有以下两个:相比于以前的IGBT4或IGBT5产品,新的IGBT7产品进一步拓展了PrimePACK封
2023-09-14 08:16:10430
英飞凌推出面向高能效电源应用的分立式650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7新品
英飞凌科技推出分立式650VIGBT7H7新品,进一步扩展其TRENCHSTOPIGBT7产品阵容。全新器件配新一代发射极控制的EC7续流二极管,以满足对环保和高效电源解决方案日益增长的需求
2023-11-21 08:14:06255
绝对最大额定值的含义 IGBT IPM的绝对最大额定值
绝对最大额定值的含义 IGBT IPM的绝对最大额定值 绝对最大额定值是指在任何工作条件下,设备允许的最大电压、电流、功率以及温度等参数的界限值。IGBT IPM(Insulated Gate
2023-11-24 14:15:33368
英飞凌推出全新62mm封装CoolSiC产品组合,助力实现更高效率和功率密度
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用新推出的增强型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:01310
扩展 IGBT7 产品组合,实现bast-in-Class功率密度
技术的产品系列,其新封装形式一定程度上丰富了其市场价值主张。图1显示了目前可用的分立产品组合,重点如下:1.采用TO-247PLUS封装可实现高功率密度,可用于商用车和农用车(CAV)
2023-12-11 17:31:13196
英飞凌|1200V IGBT7和Emcon7可控性更佳,助力提升变频器系统性能(上)
的可能性大幅降低。在功率模块中,IGBT和二极管的出色性能可带来更高的电流密度和更大的输出电流。不仅如此,通过将功率模块的最高结温提升到175 °C,输出电流可增加50%以上。
2024-01-09 14:24:50233
意法半导体推出新型功率MOSFET和IGBT栅极驱动器
意法半导体(ST)近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT栅极驱动器,这些产品不仅在设计上追求稳健性和可靠性,还致力于提供高度的系统集成性和灵活性,以满足不同应用场景的需求。
2024-03-12 10:54:43224
英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V,在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiCMOSFET2000V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度
2024-03-20 08:13:0574
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