宜普宣佈推出一个高效无线电源展示系统,内含具高频开关性能的氮化镓电晶体。使用宜普的氮化镓场效应电晶体是这种系统的一个理想解决方案,因为它所具备的性能可以在高频、高
2012-08-16 10:22:161111 220V转5V小体积方案采用TT119非隔离电源芯片来实现,些方案输入端采用了DC全电压模式,内部峰值电压可达DC500V,方案输出默认5V150mA和200mA。220V转5V小体积方案外围元件
2019-12-13 10:55:22
65W氮化镓电源原理图
2022-10-04 22:09:30
高效能、高电压的射频基础设施。几年后,即2008年,氮化镓金属氧化物半导场效晶体(MOSFET)(在硅衬底上形成)得到推广,但由于电路复杂和缺乏高频生态系统组件,使用率较低。
2023-06-15 15:50:54
氮化镓电源设计从入门到精通,这个系列直播共分为八讲,本篇第六讲将为您介绍EMC优化和整改技巧,助您完成电源工程师从入门到精通的蜕变。前期回顾(点击下方内容查看上期直播):- 第一讲:元器件选型
2021-12-29 06:31:58
的PowiGaN方案具有高集成度、易于工厂开发的特点;纳微半导体的GaNFast方案则可以通过高频实现充电器的小型化和高效率(小米65W也是采用此方案)。对于氮化镓快充普及浪潮的来临,各大主流电商及电源厂
2020-03-18 22:34:23
的挑战丝毫没有减弱。氮化镓(GaN)等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年,电力电子领域将管理大约80%的能源,而2005年这一比例仅为30%1。这相当于30亿千瓦时以上
2020-11-03 08:59:19
镓等技术,从而提高电源管理系统的效率和规模。(白皮书下载:GaN将能效提高到一个新的水平。) 寻找理想开关 任何电源管理系统的核心是开关,可以打开和关闭电源。它就像墙上的照明开关一样,但是速度会
2018-11-20 10:56:25
在所有电力电子应用中,功率密度是关键指标之一,这主要由更高能效和更高开关频率驱动。随着基于硅的技术接近其发展极限,设计工程师现在正寻求宽禁带技术如氮化镓(GaN)来提供方案。
2020-10-28 06:01:23
技术迭代。2018 年,氮化镓技术走出实验室,正式运用到充电器领域,让大功率充电器迅速小型化,体积仅有传统硅(Si)功率器件充电器一半大小,氮化镓快充带来了充电器行业变革。但作为新技术,当时氮化镓
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化镓(GaN)是氮和镓化合物,具体半导体特性,早期应用于发光二极管中,它与常用的硅属于同一元素周期族,硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料,具有宽带隙、高热导率等特点,应用在充电器方面,主要是集成氮化镓MOS管,可适配小型变压器和高功率器件,充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
氮化镓为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷(低电容)、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件,以及分立氮化镓的典型开关频率(65kHz)相比,集成式氮化镓器件提升到的 200kHz。
氮化镓电源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小:GaNFast™ 功率芯片,可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量节约方面,它最高能节约 40% 的能量。
更快:氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
满足军方对小型高功率射频器件的需求,WBST 计划在一定程度上依托早期氮化镓在蓝光 LED 照明应用中的成功经验。为了快速跟踪氮化镓在军事系统中的应用,WBST 计划特准计划参与方深耕 MMIC 制造
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化镓场效应晶体管并配合LM5113半桥驱动器可容易地实现的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
从将PC适配器的尺寸减半,到为并网应用创建高效、紧凑的10 kW转换,德州仪器为您的设计提供了氮化镓解决方案。LMG3410和LMG3411系列产品的额定电压为600 V,提供从低功率适配器到超过2 kW设计的各类解决方案。
2019-08-01 07:38:40
数据中心),或任何可以处理高达数百伏高电压的设备,均可受益于氮化镓等技术,从而提高电源管理系统的效率和规模。(白皮书下载:GaN将能效提高到一个新的水平。)
寻找理想开关
任何电源管理系统的核心
2019-03-14 06:45:11
激光器是20世纪四大发明之一,半导体激光器是采用半导体芯片加工工艺制备的激光器,具有体积小、成本低、寿命长等优势,是应用最多的激光器类别。氮化镓激光器(LD)是重要的光电子器件,基于GaN材料
2020-11-27 16:32:53
)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。 与LDMOS相比,硅基氮化镓的性能优势已牢固确立——它可提供超过70%的功率效率,将每单位面积的功率提高4到6倍,并且可扩展至高频率。同时,综合测试
2018-08-17 09:49:42
GaN如何实现快速开关?氮化镓能否实现高能效、高频电源的设计?
2021-06-17 10:56:45
降低了产品成本。搭载GaN的充电器具有元件数量少、调试方便、高频工作实现高转换效率等优点,可以简化设计,降低GaN快充的开发难度,有助于实现小体积、高效氮化镓快充设计。 Keep Tops氮化镓内置多种
2023-08-21 17:06:18
目前空间技术、计算机、通信及家用电器中的电源多采用高频开关电源。开关电源的效率、体积、重量等指标均优于线性稳压电源。开关电源的调整管工作在开关状态,损耗小,效率可达75-95;稳压电源体积
2013-08-07 15:58:09
公司最近给我安排了一个新的项目,180W的高频LLC+有源PFC拓扑的开关电源,工作频率达到了500k,要求工作的效率在93%以上(低压),采用目前市面上较火的氮化镓开关管,菜鸟求助设计此款电源需要注意哪些方面,特别是磁性元器件方面的选取。
2018-01-10 20:34:36
充电器变得高效起来,发热更低,体积也缩小便于携带,推进了百瓦大功率充电器的普及,也改变了人们对大功率充电器的印象。但是氮化镓器件对栅极驱动电压要求非常敏感,并且对布线要求也很高,这也导致了应用门槛较高
2021-11-28 11:16:55
功率氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势,并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容,在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机
2018-11-05 09:51:35
MACOM科技解决方案控股有限公司(纳斯达克证交所代码: MTSI) (简称“MACOM”)今天宣布一份硅上氮化镓GaN 合作开发协议。据此协议,意法半导体为MACOM制造硅上氮化镓射频晶片。除扩大
2018-02-12 15:11:38
不同,MACOM氮化镓工艺的衬底采用硅基。硅基氮化镓器件既具备了氮化镓工艺能量密度高、可靠性高等优点,又比碳化硅基氮化镓器件在成本上更具有优势,采用硅来做氮化镓衬底,与碳化硅基氮化镓相比,硅基氮化镓晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41
的各个电端子之间的距离缩短十倍。这样可以实现更低的电阻损耗,以及电子具备更短的转换时间。总的来说,氮化镓器件具备更快速的开关、更低的功率损耗及更低的成本优势。由于氮化镓技术在低功耗、小尺寸等方面具有独特
2017-07-18 16:38:20
系列光隔离探头现场条件因该氮化镓快充PCBA设计密度很高,阻容采用0402器件,只能采用不是最优方案的同轴延长线连接(通常推荐采用MCX母座连接,可最大限度减少引线误差)。现场连接图如下:▲图1:接线
2023-01-12 09:54:23
高频、软开关拓扑进行了优化,通过FET、驱动器和逻辑的单片集成,创建了非常小并且非常快的易于使用的 “数字输入,电源输出” 高性能电源转化模块。内置驱动器以及复杂的逻辑控制电路,170mΩ导阻,耐压
2021-01-08 17:02:10
`小体积 PD 18W方案非标, 可以做认证方案另有A+C 18W27W36W等 单路 双路 非标/认证方案更多优势方案欢迎联系***,QQ 1850196407`
2020-01-08 17:23:36
)1.1脉冲条件脉冲宽度:120µsec,占空比10%笔记Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:14:59
)1.1脉冲条件脉冲宽度:120µsec,占空比10%笔记Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:24:16
书籍:《炬丰科技-半导体工艺》文章:氮化镓发展技术编号:JFSJ-21-041作者:炬丰科技网址:http://www.wetsemi.com/index.html 摘要:在单个芯片上集成多个
2021-07-06 09:38:20
)行业标准。 SMPS ODM需要置身于满足这些标准的先进半导体器件和主动组件的供应商网络中。对于氮化镓来说,在更关键的电子子系统之一,符合AEC标准的器件已经存在,即电源开关器件和栅极驱动器
2018-07-19 16:30:38
氮化镓(GaN)的重要性日益凸显,增加。因为它与传统的硅技术相比,不仅性能优异,应用范围广泛,而且还能有效减少能量损耗和空间的占用。在一些研发和应用中,传统硅器件在能量转换方面,已经达到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
,在半桥拓扑结构中结合了频率、密度和效率优势。如有源钳位反激式、图腾柱PFC和LLC。随着从硬开关拓扑结构到软开关拓扑结构的改变,初级FET的一般损耗方程可以最小化,从而提升至10倍的高频率。
氮化镓功率芯片前所未有的性能表现,将成为第二次电力电子学革命的催化剂。
2023-06-15 15:53:16
,4H-SiC是500,而氮化镓是900,效率非常高。另外,碳化硅具有2.8 MV/cm的绝缘失效电场强度,以及3.3 MV/cm的氮化镓。通常,在低频工作时,其功率损耗是绝缘失效电场的3倍,而在高频时则是2
2023-02-23 15:46:22
和信号,一直是业界无法实现的。因为硅器件的开关速度太慢,而且存在驱动器和 FET 之间的寄生阻抗、高电容硅 FET 以及性能不佳的电频转换器/隔离器,导致了硅器件无法做到更高的频率。氮化镓半桥电源芯片
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装,GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
两年多前,德州仪器宣布推出首款600V氮化镓(GaN)功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率,且易于设计,带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起,我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2020-10-27 09:28:22
镓具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势,氮化镓充电器的充电器件运行速度,比传统硅器件要快 100倍。
更重要的是,氮化镓相比传统的硅,可以在更小的器件空间内处理更大的电场,同时提供更快的开关速度。此外,氮化镓比硅基半导体器件,可以在更高的温度下工作。
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位。『三点半说』经多方专家指点查证,特推出“氮化镓系列”,告诉大家什么是氮化镓(GaN)?
2019-07-31 06:53:03
=rgb(51, 51, 51) !important]与砷化镓和磷化铟等高频工艺相比,氮化镓器件输出的功率更大;与LDCMOS和碳化硅(SiC)等功率工艺相比,氮化镓的频率特性更好。氮化镓器件的瞬时
2019-07-08 04:20:32
7. Fly-Buck隔离电源和Fly-Back的电路比较高功率密度GaN伺服驱动器的设计 采用TI氮化镓和电容隔离方案设计的伺服驱动器如图8所示。LMG3410是集成了驱动的GaN FET功率级芯片
2019-03-14 06:45:08
组件连手改变电力电子产业原本由硅组件主导的格局。氮化镓材料具有低Qg、Qoss与零Qrr的特性,能为高频电源设计带来效率提升、体积缩小与提升功率密度的优势,因此在服务器、通讯电源及便携设备充电器等领域
2021-09-23 15:02:11
(GaN)原厂来说尤为常见,其根本原因是氮化镓芯片的优异开关性能所引起的测试难题,下游的氮化镓应用工程师往往束手无策。某知名氮化镓品牌的下游客户,用氮化镓半桥方案作为3C消费类产品的电源,因电源稳定性
2023-02-01 14:52:03
功率器件在工业应用中的解决方案,议程分为:功率分立器件概览 、 IGBT产品3、高压MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二极管和整流器、氮化镓PowerGaN、工业电源中的应用和总结八个部分。
2023-09-05 06:13:28
高频150W PFC-LLC与GaN功率ic(氮化镓)
2023-06-19 08:36:25
材料特性对比展开,通过泰克仪器测试英飞凌GaN器件来进行氮化镓特性的测量与分析。方案配置:示波器MSO5+光隔离探头TIVH08+电压及电流探头+电源和IGBT town 软件第二步:电路设计和PCB
2020-11-18 06:30:50
如何带工程师完整地设计一个高效氮化镓电源,包括元器件选型、电路设计和PCB布线、电路测试和优化技巧、磁性元器件的设计和优化、环路分析和优化、能效分析和优化、EMC优化和整改技巧、可靠性评估和分析。
2021-06-17 06:06:23
如何实现小米氮化镓充电器是一个c to c 的一个充电器拯救者Y7000提供了Type-c的端口,但这个口不可以充电,它是用来转VGA,HDMI,DP之类了,可以外接显示器,拓展坞之类的。要用氮化镓
2021-09-14 06:06:21
导读:将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能,并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多,从而有可能实现更低的开关损耗。然而,当
2022-11-16 06:23:29
如何设计GaN氮化镓 PD充电器产品?
2021-06-15 06:30:55
的性能已接近理论极限[1-2],而且市场对更高功率密度的需求日益增加。氮化镓(GaN)晶体管和IC具有优越特性,可以满足这些需求。
氮化镓器件具备卓越的开关性能,有助消除死区时间且增加PWM频率,从而
2023-06-25 13:58:54
氮化镓开关管来取代,一颗顶四颗,并且具有更低的导通电阻。通过使用氮化镓开关管来减少硅MOS管的数量,还可以减小保护板的面积,使保护板可以集成到主板上,节省一块PCB,降低整体成本。储能电源储能电源通常
2023-02-21 16:13:41
氮化镓完整方案有深圳市展嵘电子有限公司提供,包括45W、69W单口、多口全协议输出适配器,更有87W适配器+移动电源超级快充二合一方案。总有一款适合您。目前包括小米、OPPO、realme、三星
2021-04-16 09:33:21
本文介绍了一种基于AD、CPLD、串行闪存来实现的小体积的数据采集系统。与其他数据采集系统相比,该系统体积小,存储器便于控制,易于升级存储器的容量,能够满足一般的信号采集。不足是系统的采样频率不够高,只能达到250kHz/S,不适于高频信号的采集。
2021-04-07 06:48:52
以适当的注意,测试设备和测量技术引入的寄生元件,特别是在较高频率下工作,可能会使GaN器件参数黯然失色,并导致错误的测量结果。 应用说明“高速氮化镓E-HEMT的测量技术”(GN003)解释了测量技术
2023-02-21 16:30:09
INN3365C使用。
贴片Y电容来自四川特锐祥科技股份有限公司,具有体积小、重量轻等特色,非常适合应用于氮化镓快充这类高密度电源产品中。料号为TMY1102M。
特锐祥专注于被动元器件的研发、生产及销售
2023-06-16 14:05:50
。LMG3410和LMG3411系列产品的额定电压为600 V,提供从低功率适配器到超过2 kW设计的各类解决方案。通过导通电阻选择器件内部氮化镓场效应晶体管(FET)的额定值为RDS(on) - 漏极-源极或导通电阻…
2022-11-10 06:36:09
实质上是一种开关管,相比传统硅MOS管具有更低的导通电阻,更小的输入输出电容,开关速度非常快,可以支持更高的开关频率。通过使用氮化镓开关管,可以突破传统硅器件的性能限制,生产出更高效率和更小体积的电源
2021-11-02 09:03:39
,氮化镓器件可以在同一衬底上集成多个器件,使得单片式电源系统可以更直接、更高效和更具成本效益地在单芯片上进行设计。集成功率级诸如EPC23102为设计人员提供了一个比基于分立器件方案的体积小35
2023-06-25 14:17:47
LM1K24CA的特性是什么?求一个小体积可以防护DC24直流2KV的新方案
2022-01-14 06:48:36
纳微集成氮化镓电源解决方案及应用
2023-06-19 11:10:07
氮化镓GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程吗?然后提取参数想基于candence model editor进行氮化镓器件的建模,有可能实现吗?求教ICCAP软件呢?
2019-11-29 16:04:02
、设计和评估高性能氮化镓功率芯片方面,起到了极大的贡献。
应用与技术营销副总裁张炬(Jason Zhang)在氮化镓领域工作了 20 多年,专门从事高频、高密度的电源设计。他创造了世界上最小的参考设计,被多家头部厂商采用并投入批量生产。
2023-06-15 15:28:08
,整合优势资源,让客户更加方便地用上氮化镓技术,获得氮化镓低开关损耗、高效率的优势,降低充电器的能耗,节能减排助力“3060双碳”战略。茂睿芯年初发布了业界最小体积SOT23-6的高频QR ACDC
2021-11-12 11:53:21
结构将击穿电压提高到了750伏。在这些器件中,氧化镓实现高工作电压相对容易,这一成绩相当显著;仅仅几年,这种材料的研究就取得了长足进步,而氮化镓的研究则花了几十年的时间。 不过,在更快的开关电源应用中
2023-02-27 15:46:36
灵活应对不同的应用场景。2. 应用领域 适配器 充电器 AC-DC 开关电源. 特性 集成氮化镓直接驱动(6V DRV) 集成高压启动(700V) 集成高压 BROWN-IN &
2023-03-28 10:24:46
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案,相对于传统的、基于硅材料的技术,创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
会产生热量。这些发热限制了系统的性能。比如说,当你笔记本电脑的电源变热时,其原因在于流经电路开关内的电子会产生热量,并且降低了它的效率。由于氮化镓是一款更好、效率更高的半导体材料,它的发热量更低,所以
2018-08-30 15:05:50
随着电源技术的发展,高频开关电源控制从最初的模拟电路逐渐发展到微处理器、DSP等高集成度的控制器件,这些器件体积
2011-02-22 14:23:4247 集成1A开关的DN232-SOT-23开关稳压器在小体积内提供高电流输出
2021-05-16 09:42:405 本文基于光模块标准和需求出发,介绍了TI多款小体积电源产品在光模块里的应用及其在光模块应用场景下的注意事项。
2022-02-15 13:36:352354 随着PD快充技术的普及以及氮化镓快充市场的爆发,消费类电源市场对高频率、高效率、小体积的产品需求量日益提升。而在开发高频率快充电源时,除了利用氮化镓器件的高频特性缩小变压器的体积之外,氮化镓快充的高频特性也会带来EMI的问题。
2022-07-19 09:07:074209 小体积电源在光模块里的应用指导
2022-10-28 11:59:573 方案介绍
输入电源:220V
输入频率:50HZ或60HZ
输出电压:12V
输出电流:1A
单层板,可以双层板打样。
可以用做电源适配器。也可以当辅助电源使用。此电源可以改为小体积电源。元器件相对较少,成本也比较低。
2022-12-02 16:18:117 金升阳推出K12MT系列小体积非隔离POL电源
2022-12-08 19:55:47259 小体积温控开关具有体积优势、轻量化优势、安装方式优势和空间利用优势,能够更好地满足特定应用场景的需求。
2023-05-22 10:48:48210 ,安全可靠的各种元器件成为首选目标。深圳银联宝科技12W开关电源芯片U62153,六级能效认证,小体积低功耗,有利优化电路拓扑结构设计!12W开关电源芯片U62153为了
2022-11-21 09:21:01882 氮化镓 30W A+C过认证方案:
可提供整套方案,价格有优势,小体积,高性能。
2022-04-11 11:34:55357 基于 NCL2801+NCP13992 的一整套你所需要的方案: 适配于氮化镓 (GaN) 开关器件,工作于高频开关频率场合下的小体积PFC LLC方案 。 NC L2801是安森美开关电源方案中PFC控制芯片家族的一员。内置谷底计数频率返走(VCFF)、谷底开通等技术,提供优秀的总谐波失
2023-09-19 19:10:01381 在高集成度的控制系统上,电源模块体积越做越小,但是小体积难以做到大功率。为满足需求,致远电子推出一款小体积、大功率宽压输入电源模块,拥有比1W/3W产品更高的功率,比普通6W/10W产品更小的体积
2023-10-31 08:25:39239 SUNLORDINC顺络新研发新的小体积热敏电阻以及方案应用
2023-10-31 16:18:30225 电子发烧友网站提供《电源适配器对器件的小体积要求.doc》资料免费下载
2023-11-15 11:48:171 然后再经过变压器转换为所需电压或电流输出的电源转换装置。它使用高频开关器件如MOSFET、IGBT等来实现电源的开关控制,具有高效率、小体积、轻负载负波等优点。高频开关电源的主要原理是通过开关器件的快速开关和断开来控制电能
2023-11-16 11:22:46523
评论
查看更多