是一个18V的TVS二极管，SMBJ18A-HT。U12是稳压器。在TVS的规格书中指出，SMBJ18A的浪涌电流为20.5A，钳位电压为29.2V。对我们的电路来说是完全满足的，因为我们的稳压器在
2019-11-12 11:10:07
你好，我打算使用FQD7P20TMCT-ND和FDD7N20TMCT-ND。为了驱动这些MOSFET，我正在使用MD1822K6-GCT-ND。我的问题是我需要在门到源之间安装二极管和电阻，如下
2018-10-26 14:46:14
栅极与源极之间加一个电阻，这个电阻起到什么作用？一是为场效应管提供偏置电压；二是起到泻放电阻的作用：保护栅极G-源极S；
2019-05-23 07:29:18
能力，保护HPA免受栅极电压增加影响的栅极箝位，以及用于优化脉冲上升时间的过冲补偿。典型漏极脉冲配置通过漏极控制开关HPA的典型配置如图1所示。一个串联FET开启输入HPA的高电压。控制电路需要将逻辑
2019-02-27 08:04:56
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为集电极
2021-01-27 07:59:24
摘要IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为
2021-07-09 07:00:00
浪涌电压/电流产生的原因主要由电压突变引起的，浪涌电流是指电网中出现的短时间象“浪”一样的高电压引起的大电流。当某些大容量的电气设备接通或断开时间，由于电网中存在电感，将在电网产生“浪涌电压”，从而引发浪涌电流。 简单形容就像“毛刺”拿示波器看也像“毛刺
2010-05-14 17:12:42
什么是浪涌电流？浪涌电压是怎样产生的？
2021-09-29 07:30:33
能力；4、保护绝大多数的敏感负载；对于不同的技术方式来实现由以下两种：1、电压限制型；2、电压开关型浪拓电子浪涌过电压保护器件分为钳位型和开关型器件。钳位型过压保护器件：瞬态抑制二极管TVS、压敏电阻
2019-11-08 16:07:56
本帖最后由 Chloe__ 于 2020-8-12 08:58 编辑
关于电压源与电流源串联之后电压源无法正常工作。我用了安捷伦电源的电压源模块给npn三极管供电，正极接集电极，负极接基极
2020-08-11 10:04:29
MOSFET的VGS(th)：栅极阈值电压MOSFET的VGS(th)：栅极阈值电压是为使MOSFET导通，栅极与源极间必需的电压。也就是说，VGS如果是阈值以上的电压，则MOSFET导通。可能有
2019-05-02 09:41:04
传说中的米勒电容。 这三个等效电容是构成串并联组合关系，它们并不是独立的，而是相互影响，其中一个关键电容就是米勒电容Cgd。这个电容不是恒定的，它随着栅极和漏极间电压变化而迅速变化，同时会影响栅极和源
2023-03-15 16:55:58
MOS管是N沟道si2302，用人体感应模块3.3V电压控制栅极，负载电流260ma，导通后负载电压11.3V。MOS管在没有导通的情况下，测得负载端电压5.3V，电流0，漏极跟栅极和源极分别有6.6V电压。为何没导通负载端还有电压，这正常吗
2021-08-26 08:33:43
普通N MOS管给栅极一个高电压 ，漏极一个低电压，漏源极就能导通。这个GS之间加了背靠背的稳压管，给栅极一个4-10V的电压，漏源极不能导通。是不是要大于栅源击穿电压VGSO（30v）才可以？
2019-06-21 13:30:46
形成电子导电沟道，将源极和漏极连起来。2. 漏极加正电压(VDS>0)，形成横向电场，电子逆着电场方向漂移到漏极，形成漏极到源极的电流。深入了解：1. 如果栅极家的电压不够大，即
2012-07-04 17:27:52
形成电子导电沟道，将源极和漏极连起来。2. 漏极加正电压(VDS>0)，形成横向电场，电子逆着电场方向漂移到漏极，形成漏极到源极的电流。深入了解：1. 如果栅极家的电压不够大，即
2012-07-06 16:06:52
MOS管的开关电路中栅极电阻R5和栅源极级间电阻R6是怎么计算的？在这个电路中有什么用。已知道VDD=3.7V，在可变电阻状态中，作为开关电路是怎么计算R5和R6？
2021-04-19 00:07:09
Multisim里单独一个PMOS管什么也不接只给源极加个电压，用示波器测它漏极为什么会有和源极一样的电压
2016-12-03 15:12:13
）、栅极－源极（发射极）间的Cgs（Cge）、漏极（集电极）－源极（发射极）间的Cds（Cce）这些寄生电容。其中与低边栅极电压升高相关的是Cgd和Cgs。下面的左图表示Cgd（Cgc）、Cgs（Cge
2018-11-30 11:31:17
老规矩先放结论：与反向并联的二极管一同构成硬件死区电路形如：驱动电路电压源为mos结电容充电时经过栅极电阻，栅极电阻降低了充电功率，延长了栅极电容两端电压达到mos管开启电压的速度；结电容放电时经
2021-11-16 08:27:47
“ ON”，因此需要相对于源极的负栅极电压来调制或控制漏极电流。只要不存在输入信号且Vg保持栅极-源极pn的反向偏置，只要稳定电流流过JFET，就可以通过从单独的电源电压偏置或通过自偏置装置来提供该负电压
2020-09-16 09:40:54
“ ON”，因此需要相对于源极的负栅极电压来调制或控制漏极电流。只要不存在输入信号并且Vg保持栅极-源极pn的反向偏置，只要稳定电流流过JFET，就可以通过从单独的电源电压偏置或通过自偏置装置来提供该
2020-11-03 09:34:54
手触摸容易坏，为什么MOS管书名叫场效应管呢？场是电场的场，效应就不用了吧！很多ESD都是呈峰值短暂的尖峰浪涌电压，但能量维持时间短。MOSFET的栅极源极之间是绝缘的，其GS之间有一个电容。根据U
2023-09-25 10:56:07
的电压； VRG：栅极驱动电阻的电压； VLG：栅极寄生电感的电压。 VG1S=VG1S1+VLS 因此，最内部VG1S1的电压低于VG1S：VG1S1《VG1S，相当于源极封装电感LS的感应电压
2020-12-08 15:35:56
有一个图表代表一个电路，其目的是根据微控制器中编程的逻辑启用/禁用两个LED。在下面的电路中，据我所知，有两个n型晶体管，它们分别有一个电阻连接它们的栅极和它们的源极。我的问题是：为什么需要标记电阻？（红圈）
2018-08-21 10:35:11
源极电压的最大值V（BR）DSS、栅极阈值电压V（BR）GS以及SOA。V（BR）DSS漏源极电压的最大值：V（BR）DSS漏源极电压的最大值必须高于最高电源电压。如果在出现输出短路接地或在过压
2022-04-02 10:33:47
电容充电，充电峰值电流会超过了单片机的 I/O 输出能力，串上 R17 后可放慢充电时间而减小栅极充电电流。 第三，当栅极关断时，MOS管的D-S极从导通状态变为截止状态时，漏源极电压VDS会迅速增加
2023-03-10 15:06:47
电压。将这些式子结合起来，可得到MOSFET栅极驱动电压是漏源电压的函数：VGS=-(R2/R1)VDS二极管规格书下载：
2021-04-08 11:37:38
浪涌保护与之相近的是ESD静电防护。浪涌电压是导致计算机误动作、数据丢失的主要原因。浪涌电压也会导致计算机软损伤，软损伤就是...
2021-09-13 06:37:58
TG传输门电路中。当C端接+5，C非端接0时。源极和衬底没有连在一起，为什么当输入信号改变时，其导通程度怎么还会改变？导电程度不是由栅极和衬底间的电场决定的吗？而栅极和衬底间的电压不变。所以其导通程度应该与输入信号变化无关啊！而书上说起导通程度岁输入信号的改变而改变？为什么?求详细解释！谢谢！
2012-03-29 22:51:18
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V为驱动器的电源。电路中增加了CGS和米勒钳位MOSFET，使包括栅极电阻在内均可调整。将该栅极驱动器与全SiC功率模块的栅极和源极连接，来确认栅极电压的升高情况
2018-11-27 16:41:26
和漏极电荷Qgs：栅极和源极电荷栅极电荷测试的原理图和相关波形见图1所示。在测量电路中，栅极使用恒流源驱动，也就是使用恒流源IG给测试器件的栅极充电，漏极电流ID由外部电路提供，VDS设定为最大
2017-01-13 15:14:07
功率MOSFET的结构特点为什么要在栅极和源极之间并联一个电阻呢？
2021-03-10 06:19:21
请教各位大虾，场效应管导通后，源极和漏极的电压是相等的吗?
2013-07-22 11:40:31
开关损耗降低多达 26%。 电流源驱动器 （CSD） 和电压源驱动器 （VSD）： 图1显示了栅极驱动器BM61M41RFV-C（传统电压源驱动器）与BM60059FV-C（电流源驱动器）的框图。还
2023-02-21 16:36:47
！它在高侧栅极驱动器源连接（R57、R58 和 R59）中也有 4R7 电阻，我不明白为什么需要这些。是否有任何设计指南可以告诉我如何定义栅极电阻器、自举电容器以及为什么高侧栅极驱动器可能需要对 MOSFET 源极施加一些电阻？
2023-04-19 06:36:06
过程引起的微浪涌电压，给电机的绝缘带来影响，造成电机损伤。这里把浪涌称为微浪涌是为了区别于雷电等突发的强大浪涌，微浪涌从示波器上看是密集的、连续存在的、很窄的尖峰电压。 本文对微浪涌电压的发生
2021-03-10 07:35:56
求大神帮忙推荐一个输入12v电压的场效应管：具体就是漏极与源极之间的电压为12v，栅极无输入电压时，源极与漏极截止，当栅极输入电压时，源极与漏极导通，求大神推荐一下产品，顺便告知一下电阻选用哪个范围的？谢谢
2015-08-17 16:07:41
耦合后会在MOS管的栅极输入端产生振荡电压,振荡电压会破坏MOS管的氧化层。 三、MOS管导通和截止的瞬间,漏极的高电压会通过MOS管内部的漏源电容偶合到功率MOS管的栅极处,使MOS管受损。 四
2018-10-19 16:21:14
。 五、栅极电涌、静电破坏 主要有因在栅极和源极之间如果存在电压浪涌和静电而弓起的破坏，即栅极过电压破坏和由上电状态中静电在GS两端(包括安装和和测定设备的带电)而导致的栅极破坏
2018-11-21 13:52:55
*VGS。给栅极施加所需要的电压波形，在漏极就会输出相应的电流波形。因此，选用大功率VDMOS管适合用于实现所需的浪涌电流波形，<span] 运放组成基本的反向运算电路，驱动VDMOS管
2018-09-25 11:30:29
绍的需要准确测量栅极和源极之间产生的浪涌。找元器件现货上唯样商城在这里，将为大家介绍在测量栅极和源极之间的电压时需要注意的事项。我们将以SiC MOSFET为例进行讲解，其实所讲解的内容也适用于一般
2022-09-20 08:00:00
有关的电路。实测切换时间小于200 ns，相对于1 µs的目标还有一些裕量。其他特性包括：解决器件间差异的偏置编程能力，保护HPA免受栅极电压增加影响的栅极箝位，以及用于优化脉冲上升时间的过冲补偿。典型漏极
2018-10-31 11:30:51
本帖最后由 sirtan养乐多 于 2019-7-4 10:45 编辑
这个电路只用于电机通断控制，开关频率间隔在五秒以上，不用来调速。用开关进行栅极电压控制就没有问题，把开关换成如图所示
2019-07-04 09:26:17
抑制二极管的选择：a) 最大箝位电压VCMAX应不大于电流的最大允许安全电压。 b) 最大反向工作电压VRWM应不低于电路的最大工作电压。一般略高于电路的工作电压。 c) TVS额定的最大脉冲功率必须大于电路中出现的最大瞬态浪涌功率。 了解更多的电路保护元件，请直接进入浪拓电子咨询FAE。
2019-08-14 11:44:38
母线有浪涌电压影响变频器，用浪涌保护器可以吗？三相电30kw用多大？
2017-04-23 01:56:51
插入电池，打开开关后U3A导通，那不是漏极拉低，把U3A的栅极拉低？互相矛盾吗
2020-04-02 10:22:38
`设计了一个D类功放，在不加大电压的情况下，用示波器测量功放管的栅极处的驱动信号是正常的，但是在管子漏极加70V电压工作时，驱动信号有毛刺，导致电源保护，请问大神们有遇到过这种情况的吗，怎么解决？下图分别为加入70V漏源电压和不加漏源电压时栅源极驱动信号波形。`
2019-02-21 11:23:53
在电流镜像电路中，有时会把场效应管的源级接Vcc，漏极接地，那么当栅极与漏极相连构成电流镜时，场效应管是怎么导通的？？？？
2018-08-09 17:09:04
两层电源板，板子设计中有4个MOSFET管串联，由于只有两层，四个MOSFET管的3个源级要过大电流，所以用铜连接在一起；四个MOSFET管栅极串联的线走在器件源级和漏极之间（请看图片），不知道这样的栅极走线会不会受影响？
2018-07-24 16:19:28
Q1的栅极、源极间电阻R1并联追加电容器C2， 并缓慢降低Q1的栅极电压，可以缓慢地使RDS(on)变小，从而可以抑制浪涌电流。■负载开关等效电路图关于Nch MOSFET负载开关ON时的浪涌电流应对
2019-07-23 01:13:34
压敏电阻在电路防雷、防浪涌方面起到至关重要的作用，那么如何使用压敏电阻呢？在压敏电阻使用过程中有哪些需要注意的呢？下面就由源林电子的小编带大家了解下压敏电阻的使用：压敏电阻一般并联在电路中运用，当
2018-05-28 16:35:45
（即施加到栅极的电压相对于施加到源极的电压）达到某个特定值（称为阈值电压）以上，MOSFET才会传导大量电流。您需要确保FET的阈值电压低于驱动电路的输出电压。像通常的物理现象一样，MOSFET的导
2019-10-25 09:40:30
开关操作) 前端保护向浪涌电压过渡 像二极管整流桥一样，混合式整流桥也与市电插座直接相连，如果有浪涌电压，很可能会烧毁整流桥和PFC芯片(例如，图1中的旁通二极管D4)。 按照IEC61000-4-5
2018-10-11 16:04:02
IGBT/功率 MOSFET 是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为
2018-10-25 10:22:56
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对
2018-11-01 11:35:35
极之间连接几nF的电容。如果希望进一步了解详细信息，请参考应用指南中的“SiC-MOSFET 栅极-源极电压的浪涌抑制方法”。接下来是关断时的波形。可以看出，TO-247N封装产品（浅蓝色实线
2022-06-17 16:06:12
高速栅极驱动器可以实现相同的效果。高速栅极驱动器可以通过降低FET的体二极管的功耗来提高效率。体二极管是寄生二极管，对于大多数类型的FET是固有的。它由p-n结点形成并且位于漏极和源极之间。图1所示
2022-11-14 07:53:24
雷击和电压浪涌产生及危害
电压浪涌是指电子系统额定工作电压瞬时升高，其幅度达到额定工作电压的几倍～几百倍。电压浪涌可能引起通信系统的数据
2010-05-15 15:01:29
35 本文对微浪涌电压的发生机理及其对电机的影响作了分析，介绍了抑制微浪涌电压的技术，以及最近出现的衰减微浪涌电压的产品和采用细线径传输为特征的微浪涌抑制组件的工作原理
2011-08-04 15:20:05
3790 观看视频系列，“了解您的栅极驱动器”。 栅极驱动器虽然经常被忽视，但是它在电源和电机控制系统等系统中发挥着很重要的作用。我喜欢把栅极驱动器比作肌肉！该视频系列说明了栅极驱动器的工作原理，并重点介绍
2017-04-26 15:18:383417 
浪涌（Electrical surge），顾名思义就是瞬间出现超出稳定值的峰值，它包括浪涌电压和浪涌电流。浪涌也叫突波，顾名思义就是超出正常工作电压的瞬间过电压。本质上讲，浪涌是发生在仅仅几百万
2017-08-18 08:59:4613591 但当变频器和电机之间的接线距离很长时，电机接线端因变频器的高速开关过程引起的微浪涌电压，给电机的绝缘带来影响，造成电机损伤。这里把浪涌称为微浪涌是为了区别于雷电等突发的强大浪涌，微浪涌从示波器上看是
2017-11-13 16:36:155 浪涌也叫突波，就是超出正常电压的瞬间过电压，一般指电网中出现的短时间象“浪”一样的高电压引起的大电流。从本质上讲，浪涌就是发生在仅仅百万上之一秒内的一种剧烈脉冲。浪涌电压的产生原因有两个，一个是雷电，另一个是电网上的大型负荷接通或断开（包括补偿电容的投切）时产生的。
2018-01-11 11:09:3234148 
凌力尔特的浪涌抑制器产品通过采用 MOSFET 以隔离高电压输入浪涌和尖峰。
2018-06-28 10:15:005038 
平时在做浪涌测试时，总是提到的参数是设备所能承受的浪涌电压，如差模2KV，共模4KV等。在选用防浪涌所用的TVS时，也就经常考虑这个问题，TVS哪个参数能对应出不同的浪涌电压值。
2020-12-26 09:08:259847 
平时在做浪涌测试时，总是提到的参数是设备所能承受的浪涌电压，如差模2KV，共模4KV等。在选用防浪涌所用的TVS时，也就经常考虑这个问题，TVS哪个参数能对应出不同的浪涌电压值。
2021-03-17 23:57:5734 忽略SiC MOSFET本身的封装电感和外围电路的布线电感的影响。特别是栅极-源极间电压，当SiC MOSFET本身的电压和电流发生变化时，可能会发生意想不到的正浪涌或负浪涌，需要对此采取对策。在本文
2021-06-12 17:12:002563 
忽略SiC MOSFET本身的封装电感和外围电路的布线电感的影响。特别是栅极-源极间电压，当SiC MOSFET本身的电压和电流发生变化时，可能会发生意想不到的正浪涌或负浪涌，需要对此采取对策。 在本文中，我们将对相应的对策进行探讨。 什么是栅极－源极电压产生的
2021-06-10 16:11:442121 SiC MOSFET具有出色的开关特性，但由于其开关过程中电压和电流变化非常大，因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作-前言”中介绍的需要准确测量栅极和源极之间产生的浪涌。
2022-09-14 14:28:53752 电压浪涌保护器 适用于TN和TT,IT供电系统 具有遥信触点和失效指示功能 可插拔模块方便更换 内置过温保护，更安全的失效保护 电压浪涌保护器应用： 交直流系统 新能源 民用建筑 通信 数据中心
2022-10-18 14:28:12465 
在上一篇文章中，简单介绍了SiC功率元器件中栅极-源极电压中产生的浪涌。从本文开始，将介绍针对所产生的SiC功率元器件中浪涌的对策。本文先介绍浪涌抑制电路。
2023-02-09 10:19:15696 
本文的关键要点：通过采取措施防止栅极－源极间电压的正电压浪涌，来防止LS导通时的HS误导通。如果栅极驱动IC没有驱动米勒钳位用MOSFET的控制功能，则很难通过米勒钳位进行抑制。作为米勒钳位的替代方案，可以通过增加误导通抑制电容器来处理。
2023-02-09 10:19:15515 
本文的关键要点・通过采取措施防止SiC MOSFET中栅极－源极间电压的负电压浪涌，来防止SiC MOSFET的LS导通时，SiC MOSFET的HS误导通。・具体方法取决于各电路中所示的对策电路的负载。
2023-02-09 10:19:16589 
关于SiC功率元器件中栅极－源极间电压产生的浪涌，在之前发布的Tech Web基础知识 SiC功率元器件 应用篇的“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作”中已进行了详细说明，如果需要了解,请参阅这篇文章。
2023-02-09 10:19:17707 
忽略SiC MOSFET本身的封装电感和外围电路的布线电感的影响。特别是栅极-源极间电压，当SiC MOSFET本身的电压和电流发生变化时，可能会发生意想不到的正浪涌或负浪涌，需要对此采取对策。在本文中，我们将对相应的对策进行探讨。
2023-02-28 11:36:50551 
下图显示了同步升压电路中LS导通时栅极－源极电压的行为，该图在之前的文章中也使用过。要想抑制事件（II），即HS（非开关侧）的VGS的正浪涌，正如在上一篇文章的表格中所总结的，采用浪涌抑制电路的米勒钳位用MOSFET Q2、或误导通抑制电容器C1是很有效的方法（参见下面的验证电路）。
2023-02-28 11:40:19149 
下图显示了同步升压电路中LS关断时栅极－源极电压的行为，该图在之前的文章中也使用过。要想抑制事件（IV），即HS（非开关侧）的VGS的负浪涌，采用浪涌抑制电路的米勒钳位用MOSFET Q2、或钳位用SBD（肖特基势垒二极管）D3是很有效的方法（参见下面的验证电路）。
2023-02-28 11:41:23389 
本文是“SiC MOSFET：栅极－源极电压的浪涌抑制方法”系列文章的总结篇。介绍SiC MOSFET的栅极－源极电压产生的浪涌、浪涌抑制电路、正电压浪涌对策、负电压浪涌对策和浪涌抑制电路的电路板
2023-04-13 12:20:02814 MOSFET栅极电路电压对电流的影响？MOSFET栅极电路电阻的作用？ MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件。在MOSFET中，栅极电路的电压和电阻
2023-10-22 15:18:121369 桥式结构中的栅极-源极间电压的行为：关断时
2023-12-05 14:46:22153 
桥式结构中的栅极-源极间电压的行为：导通时
2023-12-05 16:35:57128 
MOSFET栅极电路常见的作用有哪些？MOSFET栅极电路电压对电流的影响？ MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种非常重要的电子器件，广泛应用于各种电子电路中。MOSFET的栅极电路
2023-11-29 17:46:40571 引起：闸刀的合、分闸操作；雷电、闪电等自然灾害；大功率设备的开关操作；电力系统中的故障产生等。 首先，人们需要了解浪涌过电压的危害。浪涌过电压对电力设备和电子设备都会造成一定程度的破坏，严重情况下甚至会引发火灾和安
2024-01-03 11:20:57462 不良影响，甚至导致设备的损坏。因此，抑制电源转换器中的浪涌电压是十分重要的。 首先，为了详尽、详实、细致地解决这个问题，我们需要了解浪涌电压的产生原因。浪涌电压通常是由开关元件的关断造成的，在电源转换器中主要
2024-02-04 09:17:00322
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