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1.0 1.8V VCC电源静电保护方案
- 电源(245379)
- 静电保护(19088)
- Vcc(35063)
- 浪涌保护(13165)
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两节干电池由于耗电量电压会降低，无法长期稳定的输出3V或者3.3V供电，直接两节干电池会供电电压不稳，影响后面电路稳定。两节干电池的供电电压在1.8V-3.2V左右1.8V升3V升压芯片方案，如
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DC 3.3V 接口ESD静电保护
DC接口ESD静电浪涌保护方案图：从DC接口ESD静电保护方案图中可以看出，电路保护器件选用了TVS二极管阵列。根据DC输入电压值的不同，其选用的TVS二极管阵列型号也不一样，具体有：DW12D-B
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DIY 便携式 1.8V 电源(参考设计方案)
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`ESD静电二极管和ESD静电保护器其实是同一种保护器件，只是我们的叫法不一样而已，产品是同一种东西，所以是可以完全替代的。下面介绍一下优恩ESD静电二极管。 ESD静电二极管简称ESD，也叫ESD
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ESD静电保护二极管选型攻略
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ESD静电保护器的选型及应用
ESD静电保护器的选型： ①首先根据工作电压，确定要选择的VRWM值 ②根据电路布线情况确定保护的管脚数量及封装，如布线方便可选用多路保护的ESD，布线复杂时选用多个ESD器件。 ③根据信号
2016-05-26 16:22:40
ESD防静电保护管XESD2FD3V3B的相关资料推荐
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HDMI接口静电保护解决方案
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RS232/RS485接口的静电保护设计方案分享
）和DW15M2T-B（SOT-23封装）。方案符合IEC61000-4-2 4级，接触放电8KV，空气放电15KV。针对RS232/RS485接口静电浪涌防护，有很多设计保护方案，比如，还可以选用ESD静电保护器件SM712构成的方案图。具体选用哪种，客户可以根据自己的需求自由选择。
2020-11-30 15:01:40
S端子接口静电保护方案设计及ESD二极管选择
S端子接口静电浪涌防护方案，如下图：从S端子接口静电浪涌防护方案图中可以看出，电路保护元器件采用了ESD静电保护二极管DW05R（SOT-143封装）、DW05-2RT3（SOT-363封装），静电
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一种常见的ESD静电保护器件
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万兆以太网口静电保护设计方案图
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2020-11-25 14:15:12
业内首家1.8V/2.5V超低电压ESD静电保护器问世
的ESD静电保护器，为业内首家。目前业界主流最低压仅做到3.3V，然而目前电子设备的主芯片（DSP、CUP、MCU、ARM、DDR等等），有多路低电压如：1.8V、1.5V、1.15V等等，若使用较高的击穿
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为什么SP601上的FMC为1.8V电源？
这不是问题。但是，DRVDD需要1.8V电源输入，我希望使用VADJ引脚，但我发现它固定在2.5V。那么我需要使用常规电压来降压3.3V至1.8V吗？此外，来自SP601的3.3V电源是否已经过滤，或者我需要在组件上使用过滤器盖？干杯，安德烈
2019-08-26 10:40:00
以太网RJ45接口ESD静电保护设计方案
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低电容ESD静电保护器SRV05-4二极管参数
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基于DW05-4RT3和DW05-4RP的SD卡接口静电保护方案
针对电脑系统应用中的SD接口静电保护，SD卡接口静电保护方案图如下：从SD卡接口静电浪涌防护方案图中可以看出，电路保护器件选用了超低结电容TVS二极管阵列DW05-4RT3（SOT-363封装
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如何正确的选择ESD静电保护器件？
看不出器件保护系统的能力有多强，关键取决于其二极管参数。主要的参考系数应该是：•快速响应时间•低箝位电压•高电流浪涌承受能力选择ESD器件应该遵循下面的要求：（1）选择静电保护器件注意：• 箝制电压不要
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射频天线静电防护解决方案
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2020-10-29 15:02:20
快速触发的静电保护电路及方法
快速触发的静电保护电路及方法本发明涉及一种快速触发的静电保护电路，在一正静电电压产生时，可在分流晶体管的栅极上产生一瞬时的负电压。本发明的静电保护电路较传统使用栅极耦合N型晶体管的静电保护电路具有更佳的静电保护功效，特别适用于使用栅极氧化层厚度在40A度或以下的晶体管。[/hide]
2009-11-24 09:23:53
是否建议对MCU模块使用外部1.8V电源？
我们正在设计定制的 RT1166 板。
我们所有的 GPIO 电源都是 3.3V。我们计划将内置 DC-DC 转换器用于 1.8V 和 1.0V，而这些转换器只能为 MCU 模块供电。没有外部元件
2023-05-17 13:28:44
显示端口防静电防过流保护方案
10S-LC、ESD05V88D-LC、SR05-04A优点:此项解决方案能在不影响 DisplayPort高速通讯号信下，提供 IEC 61000Level 4 防静电保护。显示端口防静电防过流保护方案线路图：本文来自优恩半导体，如需转载请注明出处，更多详情请点击优恩半导体官网:www.unsemi.com.tw`
2017-04-19 10:31:13
普通信号口静电浪涌保护方案
IEC 61000 Level 4 防静电保护。普通信号口静电浪涌保护方案线路图：本文来自优恩半导体，如需转载请注明出处，更多详情请点击优恩半导体官网:www.unsemi.com.tw
2017-05-19 10:55:12
电路图如下，VCC_DDR电源为1.25V ，VCCIO_PMU为1.8V ，DDRIO_PWROFF的电平为3.3V，请问能控制Q1导通给VCC_DDRC供电吗？
电路图如上，VCC_DDR电源为1.25V ，VCCIO_PMU为1.8V ，DDRIO_PWROFF的电平为3.3V。这样能控制Q1导通给VCC_DDRC供电吗？为什么Q1不用PMOS？
2018-07-05 16:08:24
自动化与工业仪表静电保护说
等多种通讯方式，以及内存SIM卡。针对这些数据传输接口，雷卯电子Leiditech推出对应静电保护方案，提高自动化仪表质量。方案如下：1. 10/100以太网RJ45: 用静电保护LC03CI
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静电保护装置, TVS, 27.8 V, SOD-323, 2 引脚
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智能音箱静电保护方案
2000万台的量级。 智能音箱的一些接口，如MIC,USB,IO，MIPI,LVDS很容易受到静电的冲击而造成损坏，上海雷卯电子为此提供了完善的静电保护方案。具体保护方案如下图所示： 1.普通IO静电保护方案： 普通IO静电保护方案： 2. 双USB2.0静电保护方案： 双USB
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CAN接口静电保护方案 方案优点：采用集成器件保护，电容50PF，可以保证信号完整性的同时，通过静电测试。满足：满足IEC61000-4-2，等级4，接触放电30kV，空气放电30kV。 SMC24
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雷卯DVI接口静电保护方案
雷卯DVI接口静电保护方案 方案优点：采用集成器件保护，电容2PF，可以保证信号完整性的同时，通过静电测试。 满足：满足IEC61000-4-2，等级4，接触放电8kV，空气放电15kV。 分立
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雷卯SIM卡 静电保护方案
雷卯SIM卡 静电保护方案 方案优点：SIM卡提供7.2Mbps的传输速度，本方案采用集成器件防护,节约空间， 保证信号完整性，满足IEC61000-4-2，等级4，接触放电8kV，空气放电15kV。 雷卯方案图： 雷卯推荐料号：USRV05-4 (封装SOT-26)
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ESD静电保护二极管的常用型号
了理想的静电保护方案。ESD二极管过静电电压能量从6KV-30KV不等，工作电压低至2.8V，高达70V。同时，ESD二极管厂家东沃电子可根据客户的需求定制不同参数规格的ESD静电保护器件。
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ESD静电保护二极管介绍
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ESD防静电保护二极管
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血氧仪丨按键静电保护方案
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K课堂丨ESD静电保护管的工作原理
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1137100M以太网口雷击静电保护用GDT放电管和TVS管选型
为此，以太网口浪涌静电防护成为了业内必然的选择。关于以太网口浪涌静电保护方案，不同电路保护器件公司设计的方案略有差异。电路保护器件厂家东沃电子设计的以太网口保护方案有：100M（百兆）以太网口浪涌
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快充移动电源静电防护方案
快充移动电源静电防护解决方案，在其电源输入、电源输出的电源线、数据传输线设置相应的ESD静电保护管，从而保障了快充移动电源免受过压、过流、静电放电事件的伤害。
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