于SiC相关设计的系列文章。希望以此给到大家一定的设计参考，并期待与您进一步的交流。 前两篇文章我们分别探讨了 SiC MOSFET的驱动电压 ，以及 SiC器件驱动设计中的寄生导通问题 。本文作为系列文章的第三篇，会从SiC MOS寄生电容损耗与传统Si MOS作比较，给
2022-07-07 09:55:00
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二、灌流电路 1、MOS管作为开关管应用的特殊驱动电路； 灌流电路MOS管和普通晶体三极管相比，有诸多的优点，但是在作为大功率开关管应用时，由于MOS管具有的容性输入特性，MOS管的输入端，等于是
2021-03-25 15:51:199521 
本文作为系列文章的第三篇，会从SiC MOS寄生电容损耗与传统Si MOS作比较，给出分析和计算过程，供设计工程师在选择功率开关器件时参考！
2022-07-06 18:10:022043 初创公司 mqSemi 推出了适用于基于功率 MOS 的器件的单点源 MOS (S-MOS) 单元设计。使用 Silvaco Victory 工艺和设备软件，在 1200V SiC MOSFET
2022-07-26 09:10:48850 
本文介绍了MOS晶体管的基础知识，以期更好地了解此类晶体管中可能发生的漏电流。 MOS晶体管正在缩小，以最大限度地提高其在集成电路内的封装密度。这导致了氧化物厚度的减少，从而降低了MOS器件
2023-05-03 11:33:001463 要比喻的话，三极管像绿皮车，MOS管像高铁。
2023-07-05 10:15:403548 
在设计MOS管开关电路时，就要充分了解MOS管的工作原理。下面咱们来详细说明。
2023-07-20 09:40:171551 
通过了解MOS管的的开关过程，以及MOS米勒电容的影响，来改进MOS管设计。
2023-07-21 09:19:366062 
有使用过SIC MOSFET 的大佬吗 想请教一下驱动电路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
SIC438BEVB-B
2023-04-06 23:31:02
的稳健性、可靠性、高频应用中的瞬时振荡以及故障处理等问题。这就需要工程师深入了解SiC MOSFET的工作特征及其对系统设计的影响。如图1所示，与同类型的Si MOSFET相比，900V的SiC
2019-07-09 04:20:19
效率，并实现了全球节能。事实上，有人估计的IGBT帮助阻止750000亿磅的CO 2排放量在过去25年。 就像二十世纪八十年代的IGBT革命一样，今天宽带隙半导体碳化硅（SiC）再次显示出为电力
2023-02-27 13:48:12
设计得低，开启电压也可以做得低一些，但是这也将导致反向偏压时的漏电流增大。ROHM的第二代SBD通过改进制造工艺，成功地使漏电流和恢复性能保持与旧产品相等，而开启电压降低了约0.15V。SiC
2019-03-14 06:20:14
从本文开始，将逐一进行SiC-MOSFET与其他功率晶体管的比较。本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人，与其详细研究每个参数，不如先弄清楚驱动方法等
2018-11-30 11:34:24
另一方面，按照现在的技术水平，SiC-MOSFET的MOS沟道部分的迁移率比较低，所以沟道部的阻抗比Si器件要高。 因此，越高的门极电压，可以得到越低的导通电阻（VCS=20V以上则逐渐饱和）。 如果
2023-02-07 16:40:49
另一方面，按照现在的技术水平，SiC-MOSFET的MOS沟道部分的迁移率比较低，所以沟道部的阻抗比Si器件要高。因此，越高的门极电压，可以得到越低的导通电阻（VCS=20V以上则逐渐饱和）。如果
2019-04-09 04:58:00
本章将介绍部分SiC-MOSFET的应用实例。其中也包括一些以前的信息和原型级别的内容，总之希望通过这些介绍能帮助大家认识采用SiC-MOSFET的好处以及可实现的新功能。另外，除了
2018-11-27 16:38:39
、对温度稳定是比较理想的，但事实是不是零、并会受温度影响而变动。为了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面与Si-PND的FRD（快速恢复二极管）进行比较。下图是相对于SiC-SBD和Si-FRD的正向
2018-11-30 11:52:08
为了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二极管为比较对象，对特性进行了说明。其中，也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代产品的，所以在此汇总一下SiC
2018-11-30 11:51:17
基于SiC/GaN的新一代高密度功率转换器SiC/GaN具有的优势
2021-03-10 08:26:03
SiC46x是什么？SiC46x有哪些优异的设计？SiC46x的主要应用领域有哪些？
2021-07-09 07:11:50
%。如该例所示，毫无疑问，SiC功率元器件将成为能源问题的一大解决方案。SiC的优点如前文所述，利用SiC可以大幅度降低能量损耗。当然，这是SiC很大的优点，接下来希望再了解一下低阻值、高速工作、高温
2018-11-29 14:35:23
另一方面，按照现在的技术水平，SiC-MOSFET的MOS沟道部分的迁移率比较低，所以沟道部的阻抗比Si器件要高。因此，越高的门极电压，可以得到越低的导通电阻（VCS=20V以上则逐渐饱和）。如果
2019-05-07 06:21:55
1. SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。不仅绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，而且在器件制作时可以在较宽范围内控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21
）工作频率的高频化，使周边器件小型化（例：电抗器或电容等的小型化）主要应用于工业机器的电源或光伏发电的功率调节器等。2. 电路构成现在量产中的SiC功率模块是一种以一个模块构成半桥电路的2in1类型
2019-05-06 09:15:52
从本文开始将探讨如何充分发挥全SiC功率模块的优异性能。此次作为栅极驱动的“其1”介绍栅极驱动的评估事项，在下次“其2”中介绍处理方法。栅极驱动的评估事项：栅极误导通首先需要了解的是：接下来要介绍
2018-11-30 11:31:17
）工作频率的高频化，使周边器件小型化（例：电抗器或电容等的小型化）主要应用于工业机器的电源或光伏发电的功率调节器等。2. 电路构成现在量产中的SiC功率模块是一种以一个模块构成半桥电路的2in1类型
2019-03-25 06:20:09
与硅相比，SiC有哪些优势？SiC器件与硅器件相比有哪些优越的性能？碳化硅器件的缺点有哪些？
2021-07-12 08:07:35
SiC碳化硅MOS驱动的PCB布局方法解析:在为任一高功率或高电压系统设计印刷电路板 (PCB) 布局时，栅极驱动电路特别容易受到寄生阻抗和信号的影响。对于碳化硅 (SiC) 栅极驱动，更需认真关注
2022-03-24 18:03:24
参考文件：一文了解BLDC与PMSM的区别 BLDC和PMSM电机区别 STM32 FOC BLDC与PMSM的区别PS：总结语句用红色标出，看红色字体即可。现代电机与控制
2021-08-30 08:38:10
“本文大部分内容来自LVGL官方文档，手翻版，如有错误欢迎指正。”系列文章目录一、LVGL系列（一）一文了解LVGL的学习路线轻松了解LVGL的全部二、LVGL系列（二）之一 LVGL必读介绍
2021-12-07 12:55:03
一文了解透传云基础知识讲透传云，我们先了解它的定义，首先了解下****透传透传： 透明传输。即在传输过程中，不管所传输的内容、数据协议形式，不对数据做任何处理，只是把需要传输的内容数据传输到目的。透
2023-02-25 10:32:23
一文带你了解步进电机的相关知识：相、线、极性和步进方式2017-09-07 16:45这里不说步进电机的 “细分” 实验，只说一下有关步进电机的基础概念以及步进电机的三种工作方式——单拍、双拍、单双
2021-07-08 06:48:29
，关于MOS管的封装改进一直是令电子行业头疼的一件事。MOS管封装是在完成MOS管芯片在制作之后，需要给MOS管芯片加上一个外壳，这就是MOS管封装。该封装外壳主要起着支撑、保护和冷却的作用，同时还可
2019-04-12 11:39:34
昨天我们了解的MOS管（场效应管）的结构组成，以及各结构名字的功能运用，今天再带大家深入的了解一下MOS管的种类以及相关基础知识。首先，MOS管分为结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有
2023-02-21 15:48:47
引言：前段时间，Tesla Model3的拆解分析在行业内确实很火，现在我们结合最新的市场进展，针对其中使用的碳化硅SiC器件，来了解一下SiC器件的未来需求。我们从前一段时间的报道了解到：目前
2021-09-15 07:42:00
`电子元器件碳化硅（Sic） MOSFETSCT50N1201200V65AHiP247-3深圳市英特洲电子科技有限公司，专业供应碳化硅功率管（SIC/MOS/DIODES全系列）ST、ROMH.需要和了解更多的产品信息，请关注英特洲电子，QQ584140894原厂优势货源！！`
2017-08-05 10:58:20
简介：本文将通过介绍如何实现屏和App实时显示温湿度和光照度采集数据，以及通过控制屏和App去控制GPIO口电平翻转来带大家了解STM32和迪文串口屏以及Wi-Fi模组进行数据交互。程序下载路径：demo程序。一.迪文屏简介显示控制部分采用的是迪文的4.3寸串口屏。正面图：
2022-02-14 07:38:06
和GaN的特性比较 氧化镓（GaO）是另一种带隙较宽的半导体材料，GaO的导热性较差，但其带隙（约4.8 eV）超过SiC，GaN和Si，但是，GaO在成为主要动力之前将需要更多的研发工作。系统参与者
2022-08-12 09:42:07
` 首先万分感谢罗姆及电子发烧友论坛给予此次罗姆SiC Mosfet试用机会。 第一次试用体验，先利用晚上时间做单管SiC Mos的测试，由于没有大功率电源，暂且只考察了Mos管的延时时间、上升时间
2020-05-21 15:24:22
项目名称：2500W级LED电源试用计划：1.我司是业内超大功率LED灯具和投影设备的领导者，作为关键技术点之一的2500W级LED电源是我司一直边研发边生产边应用的项目。2. 作为下一代有希望代替硅基MOS的SiC-MOS一直是我司关注的重点，欣闻贵司有此有利行业发展的善举，特别高兴
2020-04-24 18:02:56
，MOSFET的稍微高一些65KHZ-100KHZ，我们希望通过使用新型开关管以提高开关频率，缩小设备体积，提高效率，所以急需该评估版以测试和深入了解SiC MOS的性能和驱动，望批准！项目计划1
2020-04-24 18:08:05
`收到了罗姆的sic-mosfet评估板，感谢罗姆，感谢电子发烧友。先上几张开箱图，sic-mos有两种封装形式的，SCT3040KR，主要参数如下：SCT3040KL，主要参数如下：后续准备搭建一个DC-DC BUCK电路，然后给散热器增加散热片。`
2020-05-20 09:04:05
有罗姆，英飞凌，Cree，意法半导体等，因为罗姆在官网提供比较易得的SiC参数性能和仿真模型，之前也有了解一些SiC管性能参数，下载模型在软件做一些简单的仿真。这次提供的试用开发板和对应插件正好可以
2020-05-19 16:03:51
提高功率密度，计划今年上半年完成此项工作，可以采购罗姆器件，所以急需该评估版以测试和深入了解SiC MOS的性能和驱动，望批准！
2020-04-29 18:26:12
项目名称：风电伺服驱动控制器SiC器件试用试用计划：申请理由本人在工业控制领域有十余年的产品开发经验，目前正在从事风电机组变桨控制系统伺服驱动器的开发，是一个国产化项目，也是SiC器件应用的领域
2020-04-24 18:03:59
项目名称：SiC mosfet 测试试用计划：申请理由：公司开发双脉冲测试仪对接触到Sic相关的资料。想通过此次试用进一步了解相关性能。试用计划：1、测试电源输入输出性能。2、使用公司设备测试Sic器件相关参数。3、编写测试报告。
2020-04-21 15:54:54
机制还需要仔细了解。CH1:FB CH2:CS图八 1A和空载另外测试了MOS的Vgs和VdsCH1:VDS CH2:VGS图九：空载和1A，从图上可以看出DS波形比较漂亮，没有严重的尖峰和谐振。
2020-05-20 19:33:12
不断缩小，MOS器件面临一系列的挑战。例如短沟道效应（Short Channel Effect - SCE），热载流子注入效应（Hot Carrier Inject - HCI）和栅氧化层漏电等
2018-09-06 20:50:07
要充分认识 SiC MOSFET 的功能，一种有用的方法就是将它们与同等的硅器件进行比较。SiC 器件可以阻断的电压是硅器件的 10 倍，具有更高的电流密度，能够以 10 倍的更快速度在导通和关断
2017-12-18 13:58:36
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的结构是如何构成的？
2021-06-18 08:32:43
应用，实际上已经在HV/EV/PHV的板上充电电路中采用并发挥着SiC-SBD的优势。关键要点:・ROHMSiC-SBD已经发展到第3代。・第3代产品的抗浪涌电流特性与漏电流特性得到改善，并进一步降低了第2代达成的低VF。＜ 相关产品信息 ＞SiC-SBDSi-SBDSi-PND
2018-11-29 14:33:47
从本文开始进入新的一章。继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇，想让大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
ROHM为参战2017年12月2日开幕的电动汽车全球顶级赛事“FIAFormula E锦标赛2017-2018（第4赛季）”的文图瑞Formula E车队提供全SiC功率模块。ROHM在上个赛季（第
2018-12-04 10:24:29
所增加，但其增加比例远低于IGBT模块。可以看出结论是：在30kHz条件下，总体损耗可降低约60%。这是前面提到的第二个优势。可见这正如想象的一样，开关损耗小是由组成全SiC模块的SiC元件特性所带来的。关于
2018-11-27 16:37:30
如图，想请教一下下如何确定mos的选型，目的是驱动中间位置M（实际应用为5V电磁阀门）想了解一下如何根据mos的参数来选型
2021-04-12 18:28:58
）工作频率的高频化，使周边器件小型化（例：电抗器或电容等的小型化）主要应用于工业机器的电源或光伏发电的功率调节器等。2. 电路构成现在量产中的SiC功率模块是一种以一个模块构成半桥电路的2in1类型
2019-03-12 03:43:18
SiC MOSFET器件芯片部分出现电学失效现象：共16个器件，其中5个正常，11个失效。其中失效情况：芯片漏电，及部分芯片烧毁，送测样品图如下：金鉴工程师随机抽取其中一个漏电失效MOS管器件芯片样品进行
2018-11-02 16:25:31
，避免故障。表1总结了三种晶体管类型参数以及GaN、Si和SiC的物理材料。对于Si SJ MOS，选择了最新的具有本征快速体二极管的Si基MOSFET。GaN和SiC是最新一代的宽带隙晶体管，更适合
2023-02-27 09:37:29
应的SiC-MOSFET一览表。有SCT系列和SCH系列，SCH系列内置SiC肖特基势垒二极管，包括体二极管的反向恢复特性在内，特性得到大幅提升。一览表中的SCT3xxx型号即第三代沟槽结构SiC
2018-12-05 10:04:41
应用看，未来非常广泛且前景被看好。与圈内某知名公司了解到，一旦国内品牌谁先成功掌握这种技术，那它就会呈暴发式的增加。在Si材料已经接近理论性能极限的今天，SiC功率器件因其高耐压、低损耗、高效率等特性
2019-09-17 09:05:05
设计得低，开启电压也可以做得低一些，但是这也将导致反向偏压时的漏电流增大。ROHM的第二代SBD通过改进制造工艺，成功地使漏电流和恢复性能保持与旧产品相等，而开启电压降低了约0.15V。SiC
2019-05-07 06:21:51
深爱全系列支持SIC9531DSIC9532DSIC9533DSIC9534DSIC9535DSIC9536DSIC9537DSIC9538DSIC9539DSIC9942B/DSIC9943B
2021-11-13 14:58:25
低功率因素方案SIC953XD系列：TYPESPFMOSFETPackage **范围SIC9531D 0.514Ω500VSOP7
2021-09-07 17:39:06
用推挽电路做大功率sic-mos管的驱动，有什么办法可以输出+21/-6的pwm信号嘛?
2022-04-19 10:47:30
低，可靠性高，在各种应用中非常有助于设备实现更低功耗和小型化。本产品于世界首次※成功实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装。内部二极管的正向电压（VF）降低70％以上，实现更低损耗的同时
2019-03-18 23:16:12
如题，最近一个项目需要用到，但还没确定用哪种MOS
2018-12-17 10:52:58
SiC,SiC是什么意思
SiC是一种Ⅳ－Ⅳ族化合物半导体材料，具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类：一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型，称为3C
2010-03-04 13:25:266625 各种多种晶型，它们的物性值也各不相同。其中，4H-SiC最合适用于功率器件制作。另外，SiC是唯一能够热氧化形成SiO2的化合物半导体，所以适合制备MOS型功率器件。
2018-07-15 11:05:419486 
SiC SBD和 MOS是目前最为常见的 SiC 基的器件，并且 SiC MOS 正在一些领域和 IGBT争抢份额。我们都知道，IGBT 结合了 MOS 和 BJT 的优点，第三代宽禁带半导体SiC
2020-03-20 15:56:284281 具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装SiC MOSFET产品相比，SiC MOSFET栅-源电压的行为不同。
2022-06-08 14:49:533116 使用SIC MOS的开发人员是越来越多，但驱动电压到底选15V还是18V，每个人都有自己的理解，今晚听许老师讲SIC MOS驱动技术，有些感悟分享给大家。
2022-11-07 10:57:582443 继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇，想让大家了解全SiC功率模块具体是什么样的产品，都有哪些机型。
2023-02-08 13:43:21768 
引言：前段时间，Tesla Model3的拆解分析在行业内确实很火，现在我们结合最新的市场进展，针对其中使用的碳化硅SiC器件，来了解一下SiC器件的未来需求。 我们从前一段时间的报道了解
2023-02-20 15:56:44
2 继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文想让大家了解全SiC功率模块具体是什么样的产品，都有哪些机型。之后计划依次介绍其特点、性能、应用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08495 
MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二 极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。
2023-06-05 14:48:11287 
2023年10月，凌锐半导体正式推出新一代1200V 18毫欧和35毫欧的SiC MOS。产品性能优异，开关损耗更低、栅氧质量更好、而且兼容15V和18V驱动，能够满足高可靠性、高性能的应用需求。
2023-10-20 09:43:26618 
了解SiC器件的命名规则
2023-11-27 17:14:49529 
在正确的比较中了解SiC FET导通电阻随温度产生的变化
2023-12-15 16:51:34268 
在经过多年的技术积累后，硅碳化物 (SiC) MOSFET因其强大的击穿场和较低的损耗特性，逐渐受到工程师们的热烈追捧。目前，它们主要用于以绝缘栅双极晶体管（IGBT）为主导的键合部件领域。然而，在当今功率设备的大格局中，SiC MOSFET到底扮演了何种角色？
2023-11-30 16:12:41742 
MOS管在三相逆变器上的应用,推荐使用瑞森半导体SiC MOS系列,简化逆变电路拓扑结构并提高功率密度
2023-12-08 10:57:48322 
MOS管在三相逆变器上的应用，推荐使用瑞森半导体SiC MOS系列，简化逆变电路拓扑结构并提高功率密度
2023-12-08 12:00:21741 
瑞森半导体在工业电源上的应用上：主推碳化硅(SiC)二极管/超结MOS，助力厂家及品牌，打造高质、高性能产品。
2023-12-11 11:33:13293 
瑞森半导体在工业电源上的应用上：主推碳化硅(SiC)二极管/超结MOS，助力厂家及品牌，打造高质、高性能产品。
2023-12-11 11:56:42297 
SiC三极管与SiC二极管的区别 SiC三极管与SiC二极管是两种使用碳化硅（SiC）材料制造的电子元件，它们在结构、特性和应用领域等方面存在一些明显的区别。 首先，让我们来了解一下SiC材料
2023-12-21 11:31:24360 电子发烧友网站提供《了解AN90048高效SiC参数和稳定的设计.pdf》资料免费下载
2024-01-03 16:36:510 作为第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅MOSFET具有更高的开关频率和使用温度，能够减小电感、电容、滤波器和变压器等组件的尺寸，提高系统电力转换效率，并且降低对热循环的散热要求。在电力电子系统中，应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件，可以实现更低的开关和导通损耗，同时具有更高的阻断电压和雪崩能力，显著提升系统效率及功率密度，从而降低系统综
2024-06-21 08:24:3689 
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