igbt并联均流

　　IGBT 是三端器件，芯片内部结构包含有栅极、集电极和发射极，等效电路如图2-1所示，在IGBT的栅极G和发射极E之间加+15V标准电压，则IGBT导通，如果集电极有上拉电阻，集电极和发射极电压将会变为0.2V，即集电极与发射极之间由于门极加入正电压而成低阻状态使得IGBT 饱和导通; 若在IGBT 的栅极G 和发射极E 之间加入-15V 则IGBT 反向截止，加入负压而不是OV 的目的是使IGBT 可快速而可靠的关断，对IGBT 实际应用有重要意义。

　　随着IGBT在电气领域的广泛应用，并联的形式使产品具有更高的功率密度、均匀的基板热分布、灵活的布局及较高的性价比等优势。但是，静态和动态均流问题的存在，限制了IGBT通流能力的利用率，现在多采用降额使用。然而采用有源门板电压主动控制，就不需要对IGBT驱动装置进行降额处理和增加设备。

　　影响静态均流的因素

　　1、并联IGBT的直流母线侧连接点的电阻分量，因此需要尽量对称；

　　2、IGBT芯片的Vce（sat）和二极管芯片的VF的差异，因此尽量采取同一批次的产品。

　　3、IGBT模块所处的温度差异，设计机械结构及风道时需要考虑；

　　4、IGBT模块所处的磁场差异；

　　5、栅极电压Vge的差异。

　　影响动态均流的因素

　　1、IGBT模块的开通门槛电压VGEth的差异，VGEth越高，IGBT开通时刻越晚，不同模块会有差异；

　　2、每个并联的IGBT模块的直流母线杂散电感L的差异；

　　3、门极电压Vge的差异；

　　4、门极回路中的杂散电感量的差异；

　　5、IGBT模块所处温度的差异；

　　6、IGBT模块所处的磁场的差异。

　　IGBT芯片温度对均流的影响

　　IGBT芯片的温度对于动态均流性能和静态均流性能影响很大：

　　1、由于IGBT的Vcesat的正温度系数特性，使温度高的芯片的Vcesat更高，会分得较少的电流，因此形成了一个负反馈，使静态均流趋于收敛；

　　2、根据我们的经验，我们发现，芯片温度变高后，动态均流的性能也会变好；例如在测试动态均流时，我们会使用双脉冲测试方法，但这时芯片是处于冷态的，当把机器跑起来后，动态均流会改善。

　　IGBT芯片所处的磁场对均流的影响

　　IGBT模块附近如果有强磁场，则模块的均流会受到影响。

　　1、如果两个IGBT模块并联且并列安装，如果交流排的输出电缆在摆放时靠近其中某一个IGBT模块而远离另外一个，则均流性能就会出问题；

　　2、以上现象的原因是某个大电流在导线上流动时会产生磁场，对磁场内的其他导通的电流产生“挤出”或“吸引”的效应；

　　因此，在结构设计时，需要注意交流排出线的走线形式，以免发生磁场的干涉现象。