内径测量原理及理论基础

测量系统知识，检查技术方面的理论基础。

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每日学习时间到了，由于本人上周出差，未能及时更新，望海涵！一、SDRAM常识性知识普及关于SDRAM的基本概念，在这先引用《终极内存指南》这篇文章中的一段话，“SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory），同步动态随机存储器。同步是指 Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证存储的数据不丢失，因为SDRAM中存储数据是通过电容来工作的，大家知道电容在自然放置状态是会有放电的，如果电放完了，也就意味着SDRAM中的数据丢失了，所以SDRAM需要在电容的电量放完之前进行刷新；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据的读写。”这只是对SDRAM的概念介绍，下面再简单的看一下SDRAM的内部结构。对于SDRAM的内容结构，就如同Excel的表格： 其中的一个小表格就是SDRAM内部的一个存储单元，而要确定这个存储单元的为止，只需要知道行地址（rowaddress）和列地址（coladdress）就可以了。这样的一张表格就相当于是SDRAM的一个Bank，一般SDRAM有4个Bank，也就是相当于有4张这样的表格。所以SDRAM的容量计算方式为：SDRAM容量 = 数据位宽 x 存储单元数量（行地址 x 列地址 x Bank数）二、SDRAM引脚介绍讲SDRAM的引脚，就必须要看SDRAM的datasheet。 三、学习SDRAM初始化的配置过程对于的初始化，也是需要参考官方文档的。 对于初始化过程，首先需要有200us的一个延时，在延时满足之后，给一次Precharge命令，之后再给两次Auto-refresh命令，最后进行模式寄存器配置。当然对于这些命令与命令之间的延时参数，也是需要结合文档来确定的。在设置模式寄存器的时候，需要配置潜伏期、突发类型、突发长度这几个参数。这几个参数是在进行配置命令时给addr这些引脚赋值决定的。四、编写SDRAM初始化模块并进行仿真对于SDRAM初始化模块的编写，我们可以先学习下SDRAM的初始化时序图，然后再根据时序图设计初始化模块的时序。下边是简单设计的一个时序图： 对这个时序图，相信大家已经不用太多的解释就可以看懂了。关于初始化模块的代码，就由大家自己来完成了哦。编写完代码后，就进入到了SDRAM的仿真阶段，仿真的话，需要用到SDRAM的仿真模型，并且修改对应的参数。 在例化好模块之后，可以先让Modelsim运行201us，若初始化模块编写正确，就可以再Modelsim中看到如下的打印信息了： 这些信息中包含了模式寄存器的配置信息。

本帖最后由 EMChenry 于 2015-8-24 14:17 编辑 123页PPT：【理论】电磁兼容理论基础第二章有更高要求的小伙伴们下载吧[hide][/hide]

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