电子发烧友App

硬声App

0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

电子发烧友网>测量仪表>设计测试>V-MOS管测试

V-MOS管测试

收藏

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

评论

查看更多

相关推荐

***微硕 DNFMOS 电子烟MOS 无线充MOS

WSP4953WSD30L120WSD30150 WST3400WST3401WST3407WST3408 汽车应急启动电源专用MOS{WSF308530V 85A N}{WSF70P03-30V70AP
2018-08-08 09:31:46

100V 3A MOS 替代SI2328DS介绍

惠海半导体 供应 100V 3A MOS 替代SI2328DS,mos原厂,库存现货热销100V MOS 参数:100V 3ASOT-23MOS/场效应品牌:惠海半导体
2020-11-20 13:54:17

100V MOS 100V 3A/5A/8A 调光LED灯MOS香薰机MOS

惠海半导体【中低压MOS厂家】,供应中低压压N沟道场效应NMOS 厂家直销,质优价廉 大量现货 量大价优 欢迎选购,超低内阻,结电容超小,采用沟槽工艺,性能优越,惠海半导体专业20-150V
2020-09-25 15:55:42

100V MOS推荐 100V SOT-89香薰机MOS

深圳市三佛科技有限公司 供应 100V MOS推荐 100V SOT-89香薰机MOS,HN0801,HN03N10D,原装,库存现货热销HN0801 参数:100V MOS100V 8A
2021-05-08 15:10:13

100V MOS电弧打火机专用mos100v30a 30n10 to-252大晶圆 低开启

,电弧打火机专用,火苗粗,打火时间长原厂直销,价格有优势,欢迎来电申请样品测试型号:HC018N10L参数:100V39A ,类型:N沟道结MOS场效应,内阻22毫欧, 低结电容1000pF, 封装
2020-10-16 17:25:13

100V低压MOS低开启电压1.4V电弧打火机MOS方案设计

的优点。【免费提供方案及技术支持,免费提供样品测试~】MOS型号:HG021N10L-A参数:100V25A(25N10)内阻:25mR(VGS=10V)结电容:839pF类型:SGT工艺NMOS开启电压:1.4V封装:TO-252
2021-02-23 16:22:55

100V耐压MOS低开启电压1.5V电弧打火机100V39A 低结电容MOS

,电弧打火机专用,火苗粗,打火时间长原厂直销,价格有优势,欢迎来电申请样品测试型号:HC018N10L参数:100V39A ,类型:N沟道结MOS场效应,内阻22毫欧, 低结电容1000pF, 封装
2020-10-15 11:51:46

100V耐压mos100vmos_TO252封装_原厂直销_可定制丝印

`100V MOS100V 贴片MOS 100V常用MOS推荐:HC160N10L,HC080N10L,HC240N10LS,原装现货,价格优惠!100V 3A/5A/8A雾化器MOS,3A
2020-11-12 16:25:57

10N10 100V 10A 香薰机MOS

`深圳市三佛科技有限公司 供应 10N10 100V 10A 香薰机MOS ,原装,库存现货热销10N10参数: TO-252/SOT-89100V10AN沟道 MOS场效应
2020-07-31 14:50:51

250V~300VMOS 海飞乐技术有哪些参考型号封装?

150V-2A,3A,15A,20A,150V-79A MOS。其次是105A,150A,150V-310A 。250V-3A,7A,10A,18A,33A,44A,250V-58A MOS
2021-01-07 10:56:57

30V 30A TO-252 MOSHC020N03L N沟道 MOS /场效应

惠海半导体 供应30V 30ATO-252MOSHC020N03L,原装,库存现货热销HC020N03L参数:30V 30A TO-252 N沟道 MOS/场效应品牌:惠海
2020-11-11 17:32:09

30V 60V 100V 150V贴片mos【惠海半导体】100v mos

惠海直销30V 60V 100V mos 3A5A10A15A 25A 30A 50A 贴片 mos【惠海半导体直销】惠海直销30V 60V 100V mosSOT23封装 TO-252
2020-11-12 09:52:03

30V 60V 100V mos 3A 5A 10A 15A 25A 30A 50A贴片mos SOT23封装 TO-252 SOP-8 DFN3*3封装mos 【惠海半导体直销】

`30V 60V 100V mos3A 5A 10A 15A 25A 30A 50A贴片mos【惠海半导体直销】30V 60V 100V mosSOT23封装 TO-252 SOP-8
2020-12-01 15:57:36

30V 60V 100V mos低开启电压低内阻【MOS原厂】

30V 60V 100V mos3A 5A 10A 15A 25A 30A 50A贴片mos【惠海半导体直销】30V 60V 100V mosSOT23封装 TO-252 SOP-8 DFN3
2020-11-11 14:45:15

30V 60V 100V mos低开启电压低内阻【MOS原厂】

`30V 60V 100V mos3A 5A 10A 15A 25A 30A 50A贴片mos【惠海半导体直销】30V 60V 100V mosSOT23封装 TO-252 SOP-8
2020-11-03 15:38:19

30V 60V 100V耐压MOS低内阻

,LED车灯强弱光切换专用MOS100V5A(内阻140mR) 30V8A SOT23-3封装,MOS专为LED汽车灯电源研发设计,具体抗高温、低内阻、结电容小、温升低特点,LED车灯电源专用
2020-10-29 14:33:52

90N02 20V 90A 果汁机MOS

`深圳市三佛科技有限公司 供应 90N02 20V 90A 果汁机MOS,SLD90N02T,,原装,库存现货热销90N02参数: 20V 90ATO-252 N沟道 MOS场效应
2021-03-30 14:22:40

MOS 驱动问题

10V黑孔地蓝色孔是出自信号发生器的0~10V的方波 Q1为MOSR1短路时A点 (G极)有0/10V的方波信号R1接通后 电路不能正常工作
2016-04-10 08:02:14

MOSGD短路问题的请教

如图,请问一下,如果C1被短路,也就是MOS的GD短路,最终会击穿MOS,使MOS三个极都导通吗?其中VCC是13V
2018-02-02 09:59:30

MOSIRF740,不管电源电压多少V,电阻R两端电压一直为16V,请问是什么情况啊!

电路如下:MOSIRF740,Vgs为20V,当电源电压为0V时,测量到MOS的导通电阻为0.6Ω;当有电源电压输入时(从20V慢慢调整至70V),电阻R两端电压一直为16VMOS压降
2015-06-25 17:19:50

MOS功率损耗的测量

  MOS的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节,但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上,PFCMOS的开关损耗更是只能依据口口相传的经验反复摸索,那么该如何量化评估呢
2018-11-09 11:43:12

MOS参数的相关测试

求助:请问一下大家对于MOS参数的测试工装有没有了解的啊?
2019-04-10 17:35:38

MOS容易坏掉

单片机控制MOS,有时一开机MOS就击穿,如图。尖峰太高达78VMOS为STP60NF06.
2015-02-05 15:19:58

MOS常见的使用方法分享

满足Vgs》Vth时即可导通。Vth是mos栅极阈值电压,一般为3v。    当我们使用Pmos时,PMOS的特性是,VGS小于一定的值(3V以上)就会导通,适用于源极接VCC时的情况(高端驱动
2021-01-15 15:39:46

MOS并联均流技术分析

的字符与常见的IR公司器件有较大差异,遂使用DF-80A型二极正向压降测试仪对此mos进行实际的ID-VDS曲线测试。先从官网下载IRF4905的ID-VDS曲线,可见当Vgs为-6.5V时,Id约在
2015-07-24 14:24:26

MOS开关电路的定义

高端驱动的MOS,导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同,所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V.如果在同一个系统里,要得...
2021-10-29 06:54:59

MOS是怎么工作的?

MOS的半导体结构MOS的工作机制MOS的驱动应用
2021-03-08 06:06:47

MOS热阻测试失效分析

MOS瞬态热阻测试(DVDS)失效品分析如何判断是封装原因还是芯片原因,有什么好的建议和思路
2024-03-12 11:46:57

MOS电路逻辑及MOS参数

  1.开启电压VT  开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;·标准的N沟道MOS,VT约为3~6V;·通过工艺上的改进,可以使MOS的VT值降到2
2018-11-20 14:10:23

MOS电路逻辑及MOS参数

揭秘mos电路逻辑及mos参数  1.开启电压VT  开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;·标准的N沟道MOS,VT约为3~6V;·通过工艺上的改进
2018-11-20 14:06:31

MOS测试

最近在测试NMOSFET的时候,发现一个问题,求大神解答,具体问题如下问题一: 就是在测试MOS的耐冲击电流的是候,给个脉冲,然后用负载机带电流去冲击,脉冲分几个挡位,比如10ms冲击一次,就发现
2018-01-19 09:54:42

MOS的外围电路

现在用全桥输出拓扑较多经常看见在每个桥臂的MOSG极前加一个阻值不大但是功率较大的电阻同时和MOS并联的还有一个RCD(电阻+二极+电容)电路现在知道这个RCD电路是用于吸收MOS的突波或者
2017-08-11 09:20:17

MOS的应用场景

探讨一下,低压MOS的具体应用场合!1、低压应用中当使用5V电源,这时候如果使用传统的图腾柱结构,由于三极的be有0.7V左右的压降,导致实际最终加在gate上的电压只有4.3V。这时候,我们选用
2018-11-14 09:24:34

MOS的开关时间如何做测试?

MOS的开关时间是怎么来测试的.怎么测试出来多少个ns?看资料上的上升时间和下降时间是不是对应的mos的开关的时间?
2014-12-15 19:48:12

MOS的构造/工作原理/特性

什么是MOSMOS的构造MOS的工作原理MOS的特性MOS的电压极性和符号规则MOS和晶体三极相比的重要特性什么是灌流电路
2021-01-06 07:20:29

MOS的漏电流是什么意思

MOS的漏电流是什么意思?MOS的漏电流主要有什么组成?
2021-09-28 07:41:51

MOS的特性是什么

MOS特性: 电压控制导通, 几乎无电流损耗。需要经常插拔电池的产品中, 防止电池反接是必需考虑的. 最简单最低成本的, 在电源输入中串一个二极, 但二极管有压降(0.7V), 3.3V过去后
2021-11-12 07:24:13

MOS种类和结构

源极电压。而高端驱动的MOS导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同,所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里,要得到比VCC大的电压,就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成
2019-02-14 11:35:54

MOS种类和结构你知道多少

集成电路芯片内部通常是没有的。2,MOS导通特性导通的意思是作为开关,相当于开关闭合。NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到4V或10V就可以了
2021-01-11 20:12:24

MOS问题,请问MOS是如何导通的呢?

本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:28 编辑 四个MOS这么排列,Q3Q4是打开,Q1Q2是关闭, 电源是12V为啥AB两点的电压也有11多VMOS是如何导通的呢,体二极也是对立的。
2018-05-31 19:41:07

MOS防止电源反接的使用技巧

二极降了 0.6V,使得电池使用时间大减。  MOS 防反接,好处就是压降小,小到几乎可以忽略不计。现在的 MOS 可以做到几个毫欧的内阻,假设是 6.5 毫欧,通过的电流为 1A(这个电流已经
2020-11-16 09:22:50

MOS驱动波形和导通波形不对 ,还有尖峰

`到驱动波形Vgs关闭的时候Vds仍然导通导致,没有死区时间 下面是波形 我母线通电30V电压来测试的CH1是Vgs导通波形 CH2是 Vds波形中间有一段VGS下降了 MOS还导通这是测两个低端MOSVds的波形 没有死区时间 另外我的尖峰脉冲是不是太高了 我上电300V的话会炸吗`
2017-08-02 15:41:19

MOS驱动电路总结

的是,普遍用于高端驱动的NMOS,导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同,所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里,要得到比
2011-11-07 15:56:56

mos测试遇到一个不懂的问题!

mos测试的时候有个是测试GMP的这个是测试的什么?他和跨导GM是什么关系?
2015-08-13 16:45:08

mos驱动电路

`MOS电路在通断过程中,Vgs的波形是一个完整的方波,但是Vds的波形是一条5v的直线,这是什么原因`
2021-03-15 16:48:53

Buck电路Mos电流不正常

用TPS40200的EVM板测试时,测量经过限流电阻R2的电流波形如下。按我的理解,通过R2的电流等于MOS的电流,在MOS关断时应该为0。但为什么测出来的电流在MOS关断时线性下降?我
2019-04-18 11:17:05

DCDC应用电路方案中MOS如何选型?30V60V100V150V

24V 36V 48V 60V 72V 80V转3V 9V 12V 24V 36V等不同的电压输出。 mos选型建议 01需要抗电流冲击的,普通逻辑开关或者工作频率很低比如50kHZ以内的,电流非常大
2024-01-20 15:30:35

N-MOS的原理是什么?N-MOS为什么会出问题?

N-MOS的原理是什么?N-MOS为什么会出问题?如何去控制步进电机驱动器?
2021-07-05 07:39:44

N型MOS使用疑惑

目的:IO口控制第一个MOS通断来实现第二个MOS栅极是否有15v加上继而控制第二个MOS的快速通断。措施一:如图一所示,第一个MOSG加IO口,此MOSvgs(th)为0.45到1v
2018-10-17 15:16:30

SLD60N02T 60A 20V MOS

,深圳市三佛科技有限公司,咨询客服购买。【***赖,0755-85279055】更多中低压MOS产品如下:【20V MOS N/P沟道】HN3415: -20V -4A SOT-23 P沟道 MOS
2020-10-22 15:48:45

STM32通过三极控制MOS通断

功能:STM32io输出高电平,三极导通,A点为0VMOS导通,在MOS的D极测得12V。STM32io输出低电平,三极截止,A点为5VMOS关闭,在MOS的D极测得0V。这个电路对吗?
2018-11-02 14:07:03

ti的tps51621buck控制器,12V输出1V输出,高侧的mos出现损坏造成12V对地短路

使用ti的tps51621buck控制器,12V输出1V输出,高侧的mos会出现损坏造成12V对地短路的情况,MOS高侧选用的CSD16322Q5,参数满足要求,板子放在机箱中,测试MOS的表面温度也不是很高。
2022-06-01 11:18:44

一接上24V电压,运放和mos被烧毁

为什么一接上24V电压,mos就被烧毁
2019-05-21 01:53:44

什么是MOSMOS的工作原理是什么

什么是MOSMOS的工作原理是什么?MOS和晶体三极相比有何特性呢?
2022-02-22 07:53:36

什么是MOS?如何判断MOS是N型还是P型

二极压降0.5v左右,同样也应该可以测得到电阻一般为几千欧以内。1.2 如何判断MOS是N型还是P型?2. MOS驱动电路分析下面是常见的MOS驱动电路(1)二极D1的作用是什么?二极D1在驱动信号是低电平时起到快速关断的作用。一般在H桥驱动电路中需要加此二极起到“慢开快关
2021-12-31 06:20:08

低开启40V 10A N沟道 MOS原厂

`【MOS原厂】HC36012参数:30V 10A TO-252 N沟道 MOS /场效应品牌:惠海型号:HC36012VDS:30V IDS:10A 封装:TO-252沟道:N沟道 【20V
2020-11-02 16:02:10

关于mos的问题

设计一个mos作为负载的电池放电器,如何控制mos的开关特性,Vgs又如何控制
2016-03-10 12:02:57

单片机输入26V经过MOS后量出来输出只有21.5V,怎么回事

J5的1脚常供26V电压,当MOS不导通的时候去量J5的Pin1和Pin2是没有电压的,因为Pin2没有和低连到一起。但是当MOS导通后去量,为什么量出来J5Pin1和Pin2为21.5V,正常导通不应该是26V嘛,是不是MOS坏了,因为之前都没问题量出来都是26V,就这一个量出来是21.5
2023-01-31 13:23:01

原厂供应60V100V150VMOS加湿器香薰机MOS

富的人力资源,在产品和市场上不断开拓创新欢迎新老朋友、厂家来电商谈合作事宜LED灯控制器MOS、LED灯驱动板用MOS 、100V加湿器MOS,100V香薰机MOS,100V雾化器MOS
2020-10-16 17:22:55

反激电路mos烧坏问题

的电阻串联二极构成的RCD吸收电路,测试波形如上图所示,电容两端的电压充电至50V左右时,电源输出的电流会突增,mos已被击穿,想不明白mos击穿的原因,不知道这个电流是因为mos坏了才变大
2021-07-17 21:55:40

图腾柱MOS驱动电路的问题,Vgs最低电压达不到0V

`如图所示,MOS的Vgs最低的时候也有3.6V左右,这样可能关不断mos,这是为什么呢,有什么办法可以解决吗。`
2017-08-31 13:42:53

如何正确挑选MOS

。不同使用的额外电压也有所不同;一般,便携式设备为20V、FPGA电源为20~30V、85~220VAC使用为450~600V.  第二步:确认额外电流  第二步是挑选MOS的额外电流。视电路结构而定,该额外
2021-03-15 16:28:22

如何运用MOS抑制汽车电路抛负载或通过ISO16750-2测试

原先我们采用的是SM8S33A的TVS做ISO16750-25b的测试内阻1Ω要承受瞬时200v时间 400ms的测试不通过,现在想问问哪位大神可以帮忙一下运用MOS助我通过测试。跪求,感激零涕
2019-05-31 20:26:26

寻找一款合适的MOS

想找一款开启电压大于5V的N沟道MOS
2017-05-27 09:36:04

左边波形是测左边mosds波形,右边是右边的mosds波形是为什么?

`用双E逆变器进行测试,中间没接负载珊级波形正常,为啥ds波形会出现后面两种情况?左边波形是测左边mosds波形,右边是右边的mosds波形第三个图是双E逆变器,中间没接虚线框负载`
2020-07-01 23:03:13

帮看下这个电路,mosDS间经常击穿

测试两个MOS的漏极电流,可在测试中发现Q1这了MOSDS经常击穿,请问这个什么原因造成的?
2021-08-27 16:00:00

怎样去计算MOS栅极的驱动电流呢

怎样去计算MOS栅极的驱动电流呢?如何对MOS的驱动波形进行测试呢?
2021-09-28 07:36:15

惠海30V 10A MOSTO-252封装

`【MOS原厂】HC36012参数:30V 10A TO-252 N沟道 MOS /场效应品牌:惠海型号:HC36012VDS:30V IDS:10A 封装:TO-252沟道:N沟道 【20V
2020-11-02 15:37:14

惠海直销30V 60V 100V mosSOT23封装 TO-252 SOP-8 DFN3*3封装mos【低开启低结电容】

`惠海半导体【中低压MOS厂家】,供应中低压压N沟道场效应NMOS 厂家直销,质优价廉 大量现货 量大价优 欢迎选购,超低内阻,结电容超小,采用沟槽工艺,性能优越,惠海半导体专业20-150V
2020-11-02 15:36:23

挖掘MOS电路应用的特性

`  MOS最显著的特性是开关特性好,所以被广泛应用在需要电子开关的电路中,常见的如开关电源和马达驱动,也有照明调光。现在的MOS驱动,有几个特别的需求:  1,低压应用  当使用5V电源
2018-10-19 15:28:31

揭秘MOSMOS驱动电路之间的联系

的。  MOS导通特性  导通的意思是作为开关,相当于开关闭合。  NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适用于源极接地的情况(低端驱动),只要栅极电压达到4V或10V就可以了。  PMOS的特性
2018-12-03 14:43:36

教你一眼识别MOS电路

的单向导通方向一致。  在一些电池保护电路中,常有两个MOS共漏极使用的情况,因为在这些保护电路中,既要进行过充检测也要进行过放检测。  打开该类MOS的规格书我们会看到许多如下参数:  那么如何测试
2023-03-10 16:26:47

求推荐MOS

需求:耐压50V左右,输入12V,可承受电流5A,N沟道型MOS,做开关管用,推荐时告知导通阻抗Rds
2019-10-12 15:39:52

浅析MOS封装选取的准则

使用5V的驱动电压,因此要根据系统的驱动电压选取不同阈值电压VTH的功率MOS。  数据表中功率MOS的阈值电压VTH也有确定的测试条件,在不同的条件下具有不同的值,VTH具有负温度系数。不同的驱动电压
2018-11-19 15:21:57

浅析MOS的电压特性

`` 本帖最后由 王栋春 于 2018-10-19 21:32 编辑  在当今的开关电源设备中,当电源电压在200v以下时,主开关功率器件一般都使用MOS。所以深入了解MOS的内部结构和工作
2018-10-19 16:21:14

浅析设备MOS损坏?MOS代理商告诉你这6点可以简易判断!

的小了很多说明MOS并未损坏。  (2)在加速过程中,如24V电源时,MOS栅极电压应为14V;36V电源时,MOS栅极电压应为26V。此时测试漏极(D)、源极(S)之间电压应随加速而下降。若电压
2018-12-27 13:49:40

电机驱动MOS发热问题

`做了一个无刷直流电机驱动板,但是现在MOS发热太严(MOS型号CSD18540)。测试波形如下图。想问一下有没有大佬知道怎么解决散热问题?(增加散热片没什么效果)`
2020-03-26 16:46:00

详解MOS驱动电路

是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS导通时源极电压和漏极电压(Vcc)相同,所以这是栅极电压要比Vcc大4V或10V。如果在同一个系统里,要得到比Vcc大的电压,就要专门的升压电路了。很多马达
2017-08-15 21:05:01

详解MOS驱动电路

极电压。而高端驱动的MOS导通时源极电压和漏极电压(Vcc)相同,所以这是栅极电压要比Vcc大4V或10V。如果在同一个系统里,要得到比Vcc大的电压,就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成
2017-12-05 09:32:00

请教MOS的保护.

请教各位老师,我的MOS经常击穿,是怎么回事.如何保护.MOSVDS为60V,ID=60A.负载为24V150W灯.驱动脉冲100HZ.请看图片.谢谢!!!
2013-10-24 08:47:33

请教个MOS与继电器选型的问题

1、开关电源输出DC 30V,开关电源的输出接MOS对电源进行开关控制,请问MOS的VDS电压根据什么来选择?比如VDS=100V?200V?2、继电器切换11A左右的DC直流负载,选择
2018-05-25 17:49:22

请问对于电源中大功率MOS的内阻如何测试

如题,内阻1mR的mos,如aon6500。这样的超低内阻mos,内阻随电流变化的曲线,怎么测试的?什么设备可以测试
2019-05-22 09:18:59

高端驱动MOS的问题

我做了个高端驱动的MOS,然后连的atmega328p。但是现在的问题是低Vgs的时候MOS不会完全打开。比如这个电路的Vgs大概是在5V左右,但是门极和源极之间测得的电压只有2.1V
2018-12-05 11:43:29

高端驱动的MOS

  一般情况下普遍用于高端驱动的MOS,导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同,所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里
2021-10-29 08:34:24

已全部加载完成