规范的产品通常由硅制成，并作为推挽式应用系统的一部分运行。这些晶体管和其他晶体管如何在电化学水平上工作的机制可能有些复杂，但总的来说，它们用一系列极化离子引导和引导电荷。它们通常与放大器电路配合使用;在
2023-02-16 18:22:30
光敏晶体管日光开关电路
2019-03-12 11:44:10
的B和C对称、和E极同样是N型。也就是说，逆接C、E也同样有晶体管的功效。即电流由E→C流动。3. 逆向晶体管有如下特点。hFE低（正向约10%以下）耐压低 (7 to 8Ｖ 与VEBO一样低)↑通用
2019-04-09 21:27:24
晶体管并联时，当需要非常大的电流时，可以将几个晶体管并联使用。因为存在VBE扩散现象，有必要在每一个晶体管的发射极上串联一个小电阻。电阻R用以保证流过每个晶体管的电流近似相同。电阻值R的选择依据
2024-01-26 23:07:21
晶体管之间的差异性：就三极管，mos管和可控硅之间的差别和相同点的相关概念有点模糊，请各位大侠指点！！！
2016-06-07 23:27:44
晶体管分类 按半导体材料和极性分类 按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。 按结构
2010-08-12 13:59:33
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 编辑
晶体管作为电流单方向通过的电子开关使用晶体管也可以作为电子开关使用。但这个开关的电流方向只能是单向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
。需要说明的是，晶体管有很多种类型，每种类型又分为N型和P型，下面图中的电路符号就是一个N型晶体管。 晶体管电路有导通和截止两种状态，这两种状态就可以作为“二进制”的基础。从模电角度来说晶体管还有
2021-01-13 16:23:43
1．反向击穿电流的检测 普通晶体管的反向击穿电流（也称反向漏电流或穿透电流），可通过测量晶体管发射极E与集电极C之间的电阻值来估测。测量时，将万用表置于R×1k档， NPN型管的集电极C接黑表笔
2012-04-26 17:06:32
双极性晶体管是利用两种离子导电，空穴和自由电子，但是对于一个实际存在的系统，其整体上是呈现电中性的，当其中的电子或者空穴移动形成电流时，与之对应的空穴或者电子为什么不会一起随着移动？
这个问题困扰
2024-02-21 21:39:24
在PROTUES中如何改变晶体管的放大倍数？有的器件有放大倍数改变的参数。另外，不同的仿真模型参数不同如何改变？
2014-02-28 08:42:03
供应晶圆芯片，型号有： 可控硅， 中、大功率晶体管，13000系列晶体管，达林顿晶体管，高频小信号晶体管，开关二极管，肖特基二极管，稳压二极管等。有意都请联系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
我有台晶体管测试仪：WQ4832，但是刚买的二手机，不会用，不知道有没有高手能指导指导？
2011-10-21 08:57:17
晶体管测量模块的基本特性有哪些？晶体管测量模块的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
`非常不错的晶体管电路设计书籍！`
2016-11-08 14:12:33
晶体管应用电路，包括矩形波振荡器，射极跟随器，宽带放大器，电子电位器，OP放大器，带自举电路的射极跟随器，Sallen-Key型低通滤波器，带隙型稳压电路，三角波→正弦波变换器，低失真系数振荡器，移相器，串联调节器，斩波放大器等。
2018-01-15 12:46:03
的设计，运算放大电路的设计与制作。下册则共分15章，主要介绍FET、功率MOS、开关电源电路等。本书面向实际需要，理论联系实际，通过大量具体的实验，通俗易懂地介绍晶体管电路设计的基础知识。1．1 学习晶体管电路
2009-11-20 09:41:18
无量纲的比例系数。hfe称为输出端交流短路时的电流放大系数，简称电流放大系数。它反映基极电流IB对集电极电流IC的控制能力，即晶体管的电流放大能力，是一个无量纲的数，习惯上用β表示。 hoe称为输入端
2021-05-13 07:56:25
IC一般不能超出ICM。(3) 集电极最大允许功耗PCMPCM是指晶体管参数变化不超出规定允许值时的最大集电极耗散功率。使用晶体管时，实际功耗不允许超过PCM，通常还应留有较大余量，因为功耗过大往往是
2018-06-13 09:12:21
晶体管的主要参数有哪些？晶体管的开关电路是怎样的？
2021-06-07 06:25:09
晶体管的半导体的电流由空穴（正极性）和电子（负极性）产生。一般而言的晶体管是指这种由硅构成的晶体管。FETField Effect Transistor的简称，是指场效应晶体管。有接合型FET和MOS型
2019-04-10 06:20:24
。 Si晶体管的分类 Si晶体管的分类根据不同分类角度，有几种不同的分类方法。在这里，从结构和工艺方面粗略地分类如下。其中，本篇的主题“功率类”加粗/涂色表示。 双极晶体管和MOSFET中，分功率型
2020-06-09 07:34:33
不同分类角度，有几种不同的分类方法。在这里，从结构和工艺方面粗略地分类如下。其中，本篇的主题“功率类”加粗/涂色表示。双极晶体管和MOSFET中，分功率型和小信号型，IGBT原本是为处理大功率而开发
2018-11-28 14:29:28
是自来水的阀门，发射极是配管，集电极是水龙头。用自来水的构造来举例说明晶体管的作用。把晶体管的3个引脚-基极、集电极和发射极分别视作自来水的阀门、水龙头和配管。通过微小之力（即基极的输入信号）来控制
2019-07-23 00:07:18
控制大功率现在的功率晶体管能控制数百千瓦的功率，使用功率晶体管作为开关有很多优点，主要是；(1)容易关断，所需要的辅助元器件少，(2)开关迅速，能在很高的频率下工作，(3)可得到的器件耐压范围从
2018-10-25 16:01:51
是自来水的阀门，发射极是配管，集电极是水龙头。用自来水的构造来举例说明晶体管的作用。把晶体管的3个引脚-基极、集电极和发射极分别视作自来水的阀门、水龙头和配管。通过微小之力（即基极的输入信号）来控制
2019-05-05 00:52:40
）用业收集电子。晶体管的发射极电流IE与基极电流IB、集电极电流IC之间的关系如下：IE=IB+IC3．晶体管的工作条件晶体管属于电流控制型半导体器件，其放大特性主要是指电流放大能力。所谓放大，是指当
2013-08-17 14:24:32
图像中放、伴音中放、缓冲放大等）电路中使用的高频晶体管，可以选用特征频率范围在30~300MHZ的高频晶体管，例如3DG6、3DG8、3CG21、2SA1015、2SA673、2SA733、S9011
2012-01-28 11:27:38
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 22:11 编辑
众所周知，一个普通的双极型晶体管有二个PN结、三种工作状态（截止、饱和、放大）和四种运用接法（共基、共发、共集和倒置
2012-02-13 01:14:04
1. 晶体管的结构及类型 晶体管有双极型和单极型两种，通常把双极型晶体管简称为晶体管，而单极型晶体管简称为场效应管。 晶体管是半导体器件，它由掺杂类型和浓度不同的三个区（发射区、基区和集电区
2021-05-13 06:43:22
的B和C对称、和E极同样是N型。也就是说，逆接C、E也同样有晶体管的功效。即电流由E→C流动。3. 逆向晶体管有如下特点。hFE低（正向约10%以下）耐压低 (7 to 8Ｖ 与VEBO一样低)↑通用
2019-05-09 23:12:18
晶体管 &
2010-08-12 13:57:39
仪器仅对NPN 型晶体管进行测试，若要测试PNP 型管，需将电路内的晶体管改型，3DG 改为3CG ， 3CG 改为3DG ， VD1 应反接，电源正、负极互换(振荡电路极性不变)。电路中， NE555
2008-07-25 13:34:04
晶体管ILD0912M150HV功率晶体管ILD0912M15HV功率晶体管ILD0912M400HV功率晶体管ILD0912M60功率晶体管深圳市立年电子科技有限公司 --射频微波一站式采购产台联系人：王先生 ***QQ330538935`
2021-04-01 10:07:29
）的三层结构的Field-Effect Transistor（场效应晶体管）。BIPOLAR是指使用了双极性元件，将称为p型和n型的两种半导体构成n-p-n及p-n-p结构的电流工作型晶体管。
2019-05-06 05:00:17
场效应晶体管（包括N型管和P型管）和耗尽型场效应晶体管（包括N型管和P型管）电路符号就很接近了，二者的差别是符号中有一个是用虚线表示的，一个是用实线表示的。虚线表示的是增强型场效应晶体管，实线表示的是耗尽型场效应晶体管。`
2019-04-15 12:04:44
求大神相助，Multisim里面雪崩晶体管的过压击穿怎么放着那，当我设的电压已经大于了Vcbo滞后还是不见晶体管导通。
2014-08-08 10:42:58
。晶体管NPN型和PNP型结晶体管工作状态晶体管的工作原理类似于电子开关。它可以打开和关闭电流。晶体管背后的基本思想是，它允许您通过改变流经第二个通道的较小电流的强度来控制通过一个通道的电流。1）截止
2023-02-15 18:13:01
两个N型半导体和一个P型半导体组成。通常，NPN晶体管将一块P型硅（基极）夹在两块N型（集电极和发射极）之间。排列如图1所示。NPN晶体管如何工作？以下是说明NPN晶体管的基本原理和功能的主要描述。1
2023-02-08 15:19:23
一、引言PNP 晶体管是双极结型晶体管（BJT）。PNP晶体管具有与NPN晶体管完全不同的结构。在PNP晶体管结构中，两个PN结二极管相对于NPN晶体管反转，使得两个P型掺杂半导体材料被一层薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
PNP双极型晶体管的设计
2012-08-20 08:29:56
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化镓晶体管SGN19H240M1H砷化镓晶体管SGN21H180M1H砷化镓晶体管SGN21H121M1H砷化镓晶体管SGN21H181M1H砷化镓晶体管
2021-03-30 11:32:19
工作电压的极性而可分为NPN型或PNP型。双极结型晶体管 双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又称为半导体三极管，它是通过一定的工艺将两个PN结结
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高频晶体管BFG35能用哪个晶体管来代替，MFR151管子能用哪个来代替？或是谁有这两个高频管子的原件库？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
路，包括矩形波振荡器，射极跟随器，宽带放大器，电子电位器，OP放大器，带自举电路的射极跟随器，Sallen-Key型低通滤波器，带隙型稳压电路，三角波→正弦波变换器，低失真系数振荡器，移相器，串联调节器，斩波放大器等。 点击链接进入旧版 ：晶体管电路设计与制作
2020-08-19 18:24:17
管和双管电路，主要目的是理解晶体管的基本工作机制。第二部分介绍各种晶体管应用电路，包括矩形波振荡器，射极跟随器，宽带放大器，电子电位器，OP放大器，带自举电路的射极跟随器，Sallen-Key型
2021-01-05 22:38:36
放大电路的设计与制作，下册则共分15章，主要介绍FET、功率MOS、开关电源电路等。《晶体管电路设计》(上)面向实际需要，理论联系实际，通过大量具体的实验，通俗易懂地介绍晶体管电路设计的基础知识
2017-07-25 15:29:55
互补晶体管的匹配
2019-10-30 09:02:03
调制和振荡器。晶体管可以独立封装，也可以封装在非常小的区域内，容纳1亿个或更多晶体管集成电路的一部分。（英特尔 3D 晶体管技术）严格来说，晶体管是指基于半导体材料的所有单一元件，包括由各种半导体材料
2023-02-03 09:36:05
PNP 和 NPN 是两种类型的双极结型晶体管 （BJT）。BJT由可以放大电流的掺杂材料制成。它具有PNP和NPN配置选项。PNP 和 NPN晶体管可用于放大或开关。本文将解释NPN和PNP之间
2023-02-03 09:50:59
两种比光敏二极管产生更高输出电流的光敏器件的一些基本信息: 光敏晶体管和光敏集成电路。后一个术语指的是基本上是一个光电二极管和放大器集成到同一封装。什么是光电晶体管？光电二极管可以产生光电流，因为它的结
2022-04-21 18:05:28
的微小变化非常敏感。由于这个原因，达林顿通常用于触摸和光传感器。光电达林顿专为光敏电路而设计。 输出侧通常是高功率、低增益的。使用非常高功率的晶体管，它可以控制电机，电源逆变器和其他大电流设备。中等
2023-02-16 18:19:11
有PN结型、PIN结型、雪崩型以及肖特基结型4种，其中应用较多的是用硅材料制成的PN结型光敏二极管。光敏二极管主要用于自动控制。如光耦合、光电读出装置、红外线遥控装置、红外防盗、路灯的自动控制、过程
2023-02-09 15:52:45
本文将重点讨论使用双极性结型晶体管(BJT)和NMOS晶体管的稳定电流源。稳定电流源(BJT)目标本实验旨在研究如何利用零增益概念来产生稳定（对输入电流电平的变化较不敏感）的输出电流。材料
2021-11-01 09:53:18
可以将PNP晶体管定义为通常为“OFF”，但是适度的输出电流和相对于其发射极（E）的基极（B）的负电压将使其“打开”，从而允许大的发射极-集电极电流流动。我可以用NPN代替PNP吗？如果您还记得一个简单
2023-02-03 09:45:56
单极型晶体管也称场效应管，简称FET（FieldEffectTransistor）。它是一种电压控制型器件，由输入电压产生的电场效应来控制输出电流的大小。它工作时只有一种载流子（多数载流子）参与
2020-06-24 16:00:16
请教：单结晶体管在什么位置，有人说是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在学习单结晶体管，按照网上的电路图做的关于单结晶体管的仿真，大多数都不成功，请问谁有成功的单结晶体管的仿真仿真啊，可以分享下吗。
2016-03-04 09:15:06
单结晶体管有一个PN结和三个电极，一个发射极和两个基极，所以又称双基极二极管。其结构、等效电路及电路符号如下图所示。a、单结晶体管的结构；b、等效电路；c、电路符号它是在一块高电阻率(低掺杂)的N型
2018-01-09 11:39:27
NPN型双极性晶体管可以视为共用阳极的两个二极管接合在一起。在双极性晶体管的正常工作状态下，基极-发射极结（称这个PN结为“发射结”）处于正向偏置状态，而基极-集电极（称这个PN结为“集电结”）则处于反向偏置状态。
2019-09-26 09:00:23
放大，似于多路比较器的输出，NPN型晶体管多发射极分别接到比较器的输出端，集电极共用一路上拉电阻连接至电源，如果多路比较器有一路导通，则该多发射极晶体管集电极输出导通拉低，电平为低电平。
不知是否是我理解的这样？
2024-01-21 13:47:56
。场效应晶体管有时被称为单极性晶体管，以它的单载流子型作用对比双极性晶体管（bipolar juncTIon transistors，缩写：BJT）。尽管由于半导体材料的限制，以及曾经双极性晶体管比
2019-05-08 09:26:37
音频放大器的差分输入电路及调制、较大、阻抗变换、稳流、限流、自动保护等电路，可选用结型场效应晶体管。音频功率放大、开关电源、逆变器、电源转换器、镇流器、充电器、电动机驱动、继电器驱动等电路，可选
2021-05-13 07:10:20
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET
2021-05-24 06:27:18
载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。（4）场效应管能在很小
2021-05-13 07:09:34
。（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管
2017-05-06 15:56:51
）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管
2018-11-05 17:16:04
）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管
2009-04-25 15:43:51
制作材料分，晶体管可分为锗管和硅管两种。 按极性分，三极管有PNP和NPN两种，而二极管有P型和N型之分。多数国产管用xxx表示，其中每一位都有特定含义：如 3 A X 31，第一位3代表三极管，2
2012-07-11 11:36:52
，导致流过晶体管的电流为零的大耗尽层。在这种情况下，晶体管被关闭。 截断区域特征如下所示： 图3.截断区域特征。图片由Simon Munyua Mugo提供 晶体管操作类似于单刀单掷固态开关
2023-02-20 16:35:09
IGBT是由哪些部分组成的？绝缘栅双极型晶体管IGBT有哪些特点？如何去使用绝缘栅双极型晶体管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
黑色，则晶体管为NPN型;如果固定测试引线是红色引线，则管子是PNP型晶体管。 注意：锗管用R×100测量，硅管用R×1k测量。 ○ 确定发射器和集电极 使用万用表测量除基极电极外两极的电阻。更换
2023-02-14 18:04:16
什么是微波功率晶体管？如何提高微波功率晶体管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
为了改善晶体管的开关特性，减小晶体管的损耗，在晶体管基极驱动电路的设计上会采取一些加速措施。如下： 加速电路一 在加速电路一中，并联在RB两端的电容CB称为加速电容，数值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2023-11-24 08:16:54
晶体管依照用途大致分为高频与低频，它们在型号上的大致区别是什么？例如《晶体管电路设计》中列举的：高频（2SA****，2SC*****）、低频（2SB****，2SD****）。现在产品设计中最常用的型号是哪些？
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶体管的热噪声比较大，通过什么手段能解决？
2021-06-24 07:29:25
0.2～0.3V，后者为0.6～0.7V。所以锗三极管在发射极和基极之间只有0.2～0.3V的电压，晶体管就开始工作。常用型号有：3AX系列的锗低频管、3AG系列的锗高频管、3AK系列的锗开关管、3
2018-01-18 10:07:56
晶体管使用的电流的最大值解说DTA/C系列为例，构成数字晶体管的个别晶体管能流过100mA电流。用IC=100mA定义。个别晶体管连接电阻R1、R2，则成为数字晶体管。此数字晶体管流过IC=100mA
2019-04-09 21:49:36
DTA/C系列为例，构成数字晶体管的个别晶体管能流过100mA电流。用IC=100mA定义。个别晶体管连接电阻R1、R2，则成为数字晶体管。此数字晶体管流过IC=100mA时，基极电流IB需要相对
2019-04-22 05:39:52
晶体管的半导体的电流由空穴（正极性）和电子（负极性）产生。一般而言的晶体管是指这种由硅构成的晶体管。FETField Effect Transistor的简称，是指场效应晶体管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
的选择和比较进行了分析。考虑了晶体管参数，如与时间相关的输出有效电容（Co（tr））和关断能量（Eoff）等，这会影响LLC转换器的高性能成就。还分析了基于GaN、Si和SiC MOS的3KW 48V
2023-02-27 09:37:29
求51单片机 STC89c526个晶体管问题按下键1 晶体管1闪烁 键2+，键3-，键4修改闹钟时间，再按键1 晶体管2闪烁 键2+，键3-，键4修改闹钟时间，以此类推。求大神帮助
2017-03-12 19:59:39
J1 12V输入，J2 CAMERA 的IR-CUT切换信号反馈输出 ；CSD1光敏电阻，我的问题是Q3这个晶体管的作用是什么？
2019-03-13 10:41:39
2000一5000（α＝0.995-0.9998）。 是以P型衬底作为集电极，因此只有集成元器件之间采用PN结隔离槽的集成电路才能制作这种结构的管子。由于这种结构管子的载流子是沿着晶体管断面的垂直
2019-04-30 06:00:00
绝缘栅双极型晶体管检测方法
2009-12-10 17:18:39
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2018-12-12 09:07:55
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:25 编辑
請問各大大有無 Multisim 14 基本晶体管模型數據庫以外,更多更多晶体管模型數據庫 ,(例如日本型號 2SAxxx 2SCxxx 晶体管模型數據庫) 下載.如能幫忙非常感謝
2018-05-31 18:21:56
控制电路。有了前面的这些基础，下面再加入一个新的电路需求，用晶体管实现过流保护电路。感兴趣的同学可以先不要往下看，自己在脑海中想一想，看看有没有火花迸出来。图2一个PNP、NPN控制负载图3《电子学
2016-06-03 18:29:59
这个达林顿晶体管厂家是哪家
2022-05-30 16:36:56
时，RC阻尼电路能够一直晶体管集电极和发射极间出现的浪涌电压。 3、充放电型RCD阻尼电路 图三 图三适用于带有较窄反向偏置安全工作区的器件浪涌电压一致。当晶体管关断时，电容C通过二极管被充电
2020-11-26 17:26:39
3DD15三极管参数,3DD15A,3DD15B,3DD15C,3DD15D,3DD15E,3DD15F 关键字： 3DD15,三极管参数 3DD15三极管参数表
2018-09-20 19:58:15
5185
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