N沟道耗尽型MOSFET
1) N沟道耗尽型MOSFET的结构
N
2009-09-16 09:41:4323374 用P沟道MOSFET设计反向电压保护电路
2022-04-29 17:42:3614396 用N沟道MOSFET设计反向电压保护电路
2022-04-29 17:59:3415882 硬件面试中有遇到过这样的事吗?通常让你画一个增强型的MOSFET,或是N沟道MOSFET或是P沟道MOSFET
2023-11-21 15:05:31780 EVAL-AD4003FMCZ上造成的杂散 在研究该杂散的过程中,发现有三种方法可解决此问题:不用两米长的XLR麦克风电缆,而直接将AP平衡输出的XLR插针与转接板的XLR插口短接。将信号源SY2712
2019-02-14 14:18:45
`AON7544 N沟道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS(αMOSLV)技术,具有极低的RDS(on),低栅极电压和高电流能力,非常适合应用在DC/DC电路中
2020-05-29 08:39:05
LT1160的典型应用 - 半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器。 LT 1160 / LT1162是经济高效的半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器
2019-05-14 09:23:01
Multisim10.0元件库没P沟道耗尽型MOSFET管,为什么,我其他几种都找到了结型FET增强型FET,耗尽型没P的啊
2012-11-03 10:45:54
`<p><font face="Verdana">N沟道MOSFET概述<br/&
2010-08-17 09:21:57
为正时,它充当增强型MOSFET。N沟道场效应管与P沟道场效应管介绍N沟道MOSFET的源极接地,漏极连接到负载,当栅极施加正电压时,FET导通。N 沟道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它们
2023-02-02 16:26:45
[table=98%]N沟道增强型MOSFET TDM31066[/td][td][/td][td=363]一般描述一般特征[tr]该TDM31066采用先进的沟槽技术[td=331]RDS(ON)
2018-11-12 15:55:20
[table=98%]N沟道增强型MOSFET TDM3550[/td][td=363]一般描述一般特征该TDM3550采用先进的沟槽技术◆40V/ 100A[tr]提供优异的RDS(ON)和低门电荷。[td=331]◆RDS(ON)
2018-11-16 13:42:48
功率MOSFET有二种类型:N沟通和P沟道,在系统设计的过程中,选择N管还是P管,要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征,然后再论述选择的原则。
2021-03-02 08:40:51
。当MOSFET1开启时,MOSFET2关闭,然后电机正向运行。当MOSFET1关闭时,MOSFET2开启,然后电机反向运行。测试方法可以使用数字万用表按照以下步骤对P沟道MOSFET进行测试。首先
2022-09-27 08:00:00
是主开关晶体管且兼具提高效率的作用。为选择最适合电源应用的开关,本设计实例对P沟道和N沟道增强型MOSFET进行了比较。对市场营销人员,MOSFET可能代表能源传递最佳方案(Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
1 图中圆圈处,TFT 沟道中间那块金属的作用,既没有跟源级连,也没跟漏级连接。2 TFT 源级跟漏级短接的作用?图中圆圈处
2017-02-12 19:35:23
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保护典型值达
2019-07-09 17:30:39
项目名称:SiC MOSFET元器件性能研究试用计划:申请理由本人在半导体失效分析领域有多年工作经验,熟悉MOSET各种性能和应用,掌握各种MOSFET的应用和失效分析方法,熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
本帖最后由 暗星归来 于 2016-9-6 12:53 编辑
如题,因为要对电池进行管理,对充电过程和放电过程控制其何时开始充电、停止充电、何时放电、何时停止放电,所以用两个N沟道增强型
2016-09-06 12:51:58
传感器电路的低噪声信号调理随着模数转换器和数模转换器分辨率的提高以及电源电压的降低,最低有效位(LSB)变得更小,这使得信号调理任务变得更加困难。由于信号大小更接近于本底噪声,因此,必须对外部和内部噪声源(包括Johnson、散粒、宽带、闪烁和EMI)进行处理。
2009-12-16 11:00:05
,成因复杂,对传感器的干扰能力也有很大差异,于是抑制噪声的方法也不同。下面就传感器的噪声问题进行较全面的研究。 2 传感器的噪声分析及对策 传感器噪声的产生根源按噪声源分为内部噪声和外部噪声
2011-08-08 10:16:16
N沟道和P沟道MOSFET哪个常用?增强型和耗尽型的哪个常用?
2019-05-13 09:00:00
LT1336的典型应用是具有成本效益的半桥N沟道功率MOSFET驱动器。浮动驱动器可以驱动顶部N沟道功率MOSFET工作在高达60V(绝对最大值)的高压(HV)轨道上工作
2019-05-10 06:46:05
一种准确地预测由泄漏电流引起的 PLL 基准杂散噪声之简单方法
2019-05-27 15:55:17
的功率损耗。这些功率损耗会引起发热,需要设计人员执行散热管理,从而增加系统成本和解决方案尺寸。二极管的另外一个缺点就是较高的反向泄露电流—最高会达到大约1mA。用N沟道MOSFET替换高损耗二极管可以通过
2018-05-30 10:01:53
开关MOSFET中的噪声(STGF20NB60S)以上来自于谷歌翻译以下为原文 NOISE IN SWITCHING MOSFET(STGF20NB60S)
2019-05-06 14:28:23
沟道和N沟道增强型MOSFET进行了比较。对市场营销人员,MOSFET可能代表能源传递最佳方案(Most Optimal Solution for Energy Transfer)的缩写。对工程师来说
2021-04-09 09:20:10
针对手机等接收机整机噪声系数测试问题,该文章提出两种简单实用的方法,并分别讨论其优缺点,一种方法是用单独频谱仪进行测试,精度较低;另一种方法是借助噪声测试仪的噪声源来测试,利用冷热负载测试噪声系数的原理,能够得到比较精确的测量结果。
2019-06-06 06:02:51
经常容易搞错AM,FM或PM,他们很难区分呢?时钟相位噪声图中的杂散信号为什么会影响时钟的总抖动?
2021-03-05 08:06:14
需要采购MOSFET 测试设备, 满足手工测试MOSFET的电参数(IDSS/IGSS/VTH/RDSON/VDSS/VGSS等等),ID电流最大100A,VDS电压高至1500V, 求推荐生产厂家和设备型号。谢谢。
2021-05-06 09:57:38
有没有人用过SI2307 P沟道MOSFET?不知道为什么5V的电压无法关断、、、是不是设计问题?
2016-08-28 18:29:46
杂散测试线损问题? 有的时候测得是一个范围,怎么确定线损呢?
2016-09-11 23:41:06
对于短沟道MOSFET中散粒噪声的测试,主要影响因素有哪些?低温散粒噪声测试系统是由哪些部分组成的?低温散粒噪声测试系统的测试方案是什么?
2021-04-15 06:59:46
和JFET等,其1/f 噪声往往低于MOSFET等表面器件。 有势垒的地方的就有散粒噪声散粒噪声发生在有势垒的地方,例如PN结中。半导体器件中的电流具有量子特性,电流不是连续的。当电荷载子、空穴和电子
2018-08-22 06:59:43
电机的噪声主要由电磁振动噪音、机械振动噪音和通风(空气动力)噪音三部分组成,为了判断电机产生的噪音是否规范,则会专门对电机噪音进行测试。那么具体电机噪声测试方法主要分为以下两种:一、建立一个专门
2021-09-06 07:10:39
电源噪声测量的一种常用工具,但是如果使用方法不对可能会带来完全错误的测量结果,笔者在和用户交流过程中发现很多用户的测试方法不尽正确,所以把电源纹波噪声测试中需要注意的一些问题做一下总结,供大家
2018-03-20 09:08:19
进行电源噪声测量的一种常用工具,但是如果使用方法不对可能会带来完全错误的测量结果,笔者在和用户交流过程中发现很多用户的测试方法不尽正确,所以把电源纹波噪声测试中需要注意的一些问题做一下总结,供大家
2018-01-31 10:09:39
进行电源噪声测量的一种常用工具,但是如果使用方法不对可能会带来完全错误的测量结果,笔者在和用户交流过程中发现很多用户的测试方法不尽正确,所以把电源纹波噪声测试中需要注意的一些问题做一下总结,供大家
2018-04-19 09:32:54
本文主要介绍电源纹波和噪声及其测试方法。电源测试中最常见的一项就是测试纹波和噪声,电源波形包括很多成分,如下图所示,B是RIPPLE,C是NOISE,A是RIPPLE+NOISE。 电源的纹波主要
2020-03-16 12:53:48
如何去仿真MOSFET噪声?MOSFET噪声有哪几种?
2021-06-22 07:26:47
K9是单片机控制信号,OUT_12V_1是时钟(脉冲)信号,IN1B会有几种输出状态呢?光耦LTV-357T-D接P沟道MOSFET的作用是什么呢?
2021-11-11 16:59:06
此范围会有利于锁定时间和10kHz相位噪声,但是会降低杂散和1MHz偏移的相位噪声。因此,选择环路带宽的一种较好的方法是先选择最优抖动带宽(BWJIT),然后增加带宽提高锁定时间或低频偏相位噪声,或者降低带宽提高高频偏相位噪声或杂散。
2018-08-29 16:02:55
能会对MOSFET的频率稳定性、相位噪声和总体性能产生负面影响。在振荡器中,闪烁噪声本身表现为靠近载波的边带,其他形式的噪声从载波延伸出来,频谱更平坦。随着与载波的偏移量的增加,闪烁噪声会逐渐衰减,直到
2023-09-01 16:59:12
,复位噪声电压为 ,其中k为波尔兹曼常数、T为温度,C为二极管的等效电容。复位噪声本质上是一个热噪声,具有随机性,只能够减小而不能够彻底消除。在本电路中,C=1.3 P,Vn=56μV。 散粒噪声是指
2018-11-12 15:59:07
20V N-沟道增强型MOSFET
20V N-沟道增强型MOSFET简介
2010-04-08 17:33:3315 20V P 沟道增强型MOSFET管
20V P 沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:36:2023 20V N沟道增强型MOSFET管
20V N沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:39:0026 30V N沟道增强型MOSFET管
30V N沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:41:0020 30V P 沟道增强型MOSFET管
30V P 沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:42:0929 N加P沟道增强型MOSFET管
N加P沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:43:3925 论述了一种测试混合信号集成电路衬底噪声波形的方法采用电压比较器利用衬底电压对比
较器状态的影响对噪声作出统计测试根据测试结果重建噪声波形设计了一
2010-08-29 16:08:4614 本文提出了一种新的可靠的晶圆级1/f噪声测量方法和相应的测试架构,能够测量低于100 Hz的低频1/f噪声。
过去几年,人们研究
2009-09-11 17:43:281250 N沟道增强型MOSFET
N沟道增强型MOSFET的工作原理
1) N沟道增强型MOSFET的结构N 沟道增强型
2009-09-16 09:38:1810460 安森美半导体推出12款新N沟道功率MOSFET系列
经过100%雪崩测试的MOSFET提供业界领先的雪崩额定值,能承受电源和电机控制应用中的大电压尖峰
2010年2月2日 – 应用
2010-02-03 10:13:151095 罗姆展出了采用沟道构造的SiC制肖特基势垒二极管(SBD)和MOSFET。沟道型SBD的特点在于,与普通SiC制SBD相比二极管导通电压(以下称导通电压)较低。沟道型SBD的导通电压为0.5V,降到了以往
2011-10-12 09:35:301111 MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N沟道Si8802DB和P沟道Si8805EDB TrenchFET®功率
2011-10-21 08:53:05873 基于电压比较器衬底噪声的测试方法
2017-01-22 13:38:085 MOSFET多数是载流子器件, N沟道MOSFET在导电过程中有电子流动。 P沟道在导电期间使用被称为空穴的正电荷。电子的流动性是空穴的三倍。尽管没有直接的相关性,就RDS(on)而言,为得到相等的值,P沟道的管芯尺寸大约是N沟道的三倍。因此N沟道的管芯尺寸更小。
2018-03-09 14:28:1521279 针对工业平缝机产品存在着噪声振动等质量问题,对缝纫机中的电机、上轴、伞齿轮、挑线机构、刺布机构、抬牙送布机构和下轴及旋梭等进行了研究;通过对平缝机噪声及振动的分析,研究了具体的降噪、减振措施和方法
2018-03-26 15:10:380 本文档的主要内容详细介绍的是2SK1838硅N沟道MOSFET的数据手册免费下载。
2020-03-02 08:00:000 电源系统中的恒定电流源,固态继电器,电信开关和高压直流线路等应用需要N沟道耗尽型功率MOSFET,当栅极至源极电压为零时,该MOSFET用作常开的开关。本文将介绍IXYS最新的N沟道耗尽型功率
2021-05-27 12:18:587444 功率MOSFET有二种类型:N沟道和P沟道,在系统设计的过程中选择N管还是P管,要针对实际的应用具体来选择,N沟道MOSFET选择的型号多,成本低;P沟道MOSFET选择的型号较少,成本高。
2022-02-10 10:18:173 由于具有较低的导通电阻(RDS(on))和较小尺寸,N沟道MOSFET在产品选择上超过了P沟道。在降压稳压器应用中,基于栅控电压极性、器件尺寸和串联电阻等多种因素,使用P沟道MOSFET或N沟道MOSFET作为主开关。
2022-11-18 11:28:212478 PPM723T201E0 P沟道MOSFET手册免费下载。
2022-12-30 16:30:420 60 V、双 N 沟道沟槽 MOSFET-2N7002HS
2023-02-14 19:22:520 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-2N7002HW
2023-02-15 18:43:580 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-2N7002H
2023-02-15 18:44:250 60 V N 沟道沟槽 MOSFET-2N7002KQB
2023-02-15 19:23:530 20 V、P 沟道沟槽 MOSFET-BSH205G2A
2023-02-17 19:19:450 20 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMPB8XN
2023-02-20 19:36:100 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-2N7002NXBK
2023-02-20 19:44:550 30 V,N 沟道 MOSFET-PMPB10ZH
2023-02-21 18:21:260 30 V,N 沟道 MOSFET-PMPB100ENE
2023-02-21 19:32:000 20 V、4 A P 沟道沟槽 MOSFET-PMV32UP
2023-02-23 19:24:460 20 V、2 A P 沟道沟槽 MOSFET-NX2301P
2023-02-27 18:36:240 20 V、P 沟道沟槽 MOSFET-BSH205G2
2023-02-27 19:07:560 20 V 双 P 沟道沟槽 MOSFET-PMDPB85UPE
2023-03-02 22:57:370 30V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMV50ENEA
2023-03-03 19:33:590 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMV450ENEA
2023-03-03 19:34:170 20 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMV28UNEA
2023-03-03 19:34:280 60 V N 沟道沟槽 MOSFET-PMPB40SNA
2023-03-03 20:08:232 MOSFET是以金属层(M)栅极隔着氧化层(O)利用电场效应来控制半导体(S)的场效应晶体管,其特点是用栅极电压来控制漏极电流。根据其沟道的极性不同,MOSFET可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型,通常又称为N型MOSFET(NMOSFET)和P型MOSFET(PMOSFET)。
2023-04-13 09:40:30691 在本文中,我们将学习如何使用 P沟道和 N 沟道 MOSFET 构建通用全桥或 H 桥 MOSFET 驱动电路,该电路可用于制造电机、逆变器和许多不同的功率转换器的高效驱动电路。
2023-04-29 09:35:005291 在这个设计中,我们看到了使用N沟道MOSFET实现BPS电路的理想方法。
2023-06-27 17:29:31599 在H桥电路中实现P沟道MOSFET可能看起来既简单又诱人,但可能需要一些严格的计算和参数才能实现最佳响应。
2023-06-29 15:28:02957 这款简单的MOSFET测试仪可以快速测试增强型N型和P沟道MOSFET。它检查栅极、漏极和源极之间的短路。
2023-07-27 10:12:52600 谱,前面是1/f噪声,大小和频率相反,后面是白噪声,均匀分布。 由于1/f噪声反映了器件的质量、可靠性等参数 , 其研究越来越为人们所重视。 1/f噪声测试直播回顾 1/f噪声测试 测试方法 为确定器件的1/f噪声,我们通常要测量电流相对于时间的关系,然后通过
2023-08-10 12:05:021570 的性能,限制了其在一些特定应用领域的应用。因此,研究如何降低MOSFET的1/f噪声是非常重要的。 1. 优化器件结构 MOSFET的1/f噪声来源于复杂的表面效应。为了减小这种噪声,可以从优化器件结构的角度入手。一种方法是增加器件面积。随着面积的增加,器件中的1/f噪声相对于总噪声
2023-09-17 17:17:361208 MOS管噪声计算方法 噪声是电路设计和性能评估中的一个关键问题,特别是在高频率和低功耗应用中。MOSFET是一种广泛应用于各种电路的半导体器件。因此,正确计算MOS管噪声是非常重要的。本文将介绍
2023-09-19 16:49:581116 相位噪声的频谱定义与测试方法 相位噪声是指信号中相位的不稳定性,它能够影响信号的频率稳定性和精度,因此在很多应用中相位噪声是非常关键的。相位噪声的频谱表示了噪声在频率域中的分布情况,依据其频谱特性
2023-10-22 12:43:51408 RU2060LN沟道功率MOSFET
2021-11-17 15:33:060 开关电源纹波噪声测试方法是什么?纹波噪声的测试标准是什么? 开关电源纹波噪声测试方法是通过测量电源的输出波形,评估其波动和噪声程度。纹波噪声测试标准通常基于国际电工委员会(IEC)和其他相关标准
2023-11-09 09:30:201463 在电子设备测试中,电源噪声测试是一项非常重要的工作。而同轴线测电源噪声测试方法是一种常用且有效的测试手段。本文将对同轴线测电源噪声测试方法进行全面详解,介绍其原理、步骤及注意事项,帮助读者更好地了解
2024-01-11 10:53:41143
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