- 智能化与物联网的大潮中 FRAM助力三表设计新突破

　　据悉，FLASH的读写时序是先擦除、然后发送写入指令、再写入，这个过程耗时0.5秒之久！EEPROM相比Flash明显快很多，但是需要一直等到写入完成。而FRAM直接发布写入指令即完成数据写入的动作，只需极短的时间。“更关键的是，这么长的读写时间有可能导致EEPROM或Flash数据写入期间发生电源中断，数据有丢失的风险！”王钰指出。

　　“其次，FRAM的可靠性还体现在远比EEPOM或Flash具备更多的读写次数。FRAM的读写次数最大可达10万亿次，可实现高频繁的数据纪录，比如实时记录，这是EEPROM或Flash很难支持的。”王钰在演讲中强调道。

　　据王钰介绍，使用EEPROM时，很多厂商为了避免达到EEPROM的写入极限，频繁用到EEPROM/Flash的耗损均衡技术(wear leveling)。例如，MCU将数据流D1到Dn发送到EEPROM，将EEPROM分成四个存储区域，第一个数据写入到区域一的地址一中，第二个数据写入地址二中，第二次将第一个数据写入到存储区域二的地址一，第三次、第四次……从而将写入耐久性提高四倍。FRAM的读写次数多(高耐久性)，根本不需要使用耗损均衡技术，从而可实现存储器的小容量化，降低软件的复杂度和漏洞混入的可能性。

　　图4：水表、电表和气表，它们都拥有共同的性能卓越的数据存储器——FRAM

　　存储“独门秘籍”是怎样炼成的

　　FRAM作为一种独特的存储器件，近年来在三表应用、医疗、工业控制、物联网、传感器网络等领域的应用风生水起，而在这些应用中，几乎总能看到富士通的身影。“我们的FRAM产品线相当宽泛，容量从4Kb到4Mb，涵盖SPI和IIC串行接口、并行接口。”王钰表示。据悉，由于掌握着从研发、设计到量产及封装的整个流程，加上多年丰富的经验，富士通半导体能始终保证FRAM产品的高品质和稳定供应。未来富士通半导体还将不断推出更多新品，逐步实现大容量化。据悉，富士通已经开始着手研发8Mb的产品。

　　图5：完全兼容EEPROM，设计无需更改

　　FRAM在性能上的优势是显而易见的，但作为计量产品，无论是水/气表还是电表方案，客户首要关注的是质量。 “富士通半导体使用成熟技术生产FRAM的时间已经超过16年，累计销售达到25.8亿片，高可靠性、完备一体的供货系统、宏大的经营业务远景是我们的FRAM在客户的电表产品中获得广泛应用的关键因素之一。” 王钰指出。

　　此外，产品兼容性也是王钰比较强调的方面，客户无需对其当前的方案做出任何修改：采用串行接口的FRAM可以替代EEPROM或串行闪存，而采用并行接口的FRAM产品可以代替低功耗SRAM或PSRAM (Pseudo SRAM)。在封装方面，目前FRAM基本可以直接替换EEPROM， FRAM的封装和EEPROM的封装是完全兼容的。

　　“中国市场已经成为富士通FRAM在全球最大的潜力市场。我们在产品的价格、交货、工厂产能分配及技术支持等方面都给予了中国客户很大支持。”王钰表示。在本次论坛中，富士通再次与来自政府、水/气表设计生产厂家以及自来水和燃气公司多层面互动交流，FRAM的卓越特性受到业界的深度关注，继智能电表之后，FRAM在水表和气表行业正在迎来又一个春天。