(SiC)和氮化镓(GaN)占有约90%至98%的市场份额。供应商。WBG半导体虽然还不是成熟的技术,但由于其优于硅的性能优势(包括更高的效率,更高的功率密度,更小的尺寸和更少的冷却),正在跨行业进军。 使用基于SiC或GaN的功率半导体来获
2021-04-06 17:50:533168 双脉冲测试是表征功率半导体器件动态特性的重要手段,适用于各类功率器件,包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。
2022-10-12 15:32:581784 SiC(碳化硅)是一种由硅(Si)和碳(C)组成的化合物半导体材料。表1-1显示了每种半导体材料的电气特性。SiC具有优异的介电击穿场强(击穿场)和带隙(能隙),分别是Si的10倍和3倍。此外,可以
2022-11-22 09:59:261373 、载带成型机、检测设备、恒温恒湿试验箱、传感器、封装模具、测试治具、精密滑台、步进电机、阀门、探针台、洁净室设备、水处理等第三代半导体专区第三代半导体碳化硅SiC、氮化镓GaN、晶圆、衬底、封装、测试
2021-12-07 11:04:24
半导体器件具有导通电阻小、阻断电压高、耐高温耐高压等优点。随着SiC基半导体工艺的成熟,SiC成为工作于较高环境温度和较大功率场合下的--宽禁带半导体材料。近年来随着电力电子技术在电动汽车、风力发电
2019-10-24 14:25:15
电导率调制,向漂移层内注入作为少数载流子的空穴,因此导通电阻比MOSFET还要小,但是同时由于少数载流子的积聚,在Turn-off时会产生尾电流,从而造成极大的开关损耗。SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
1. SiC材料的物性和特征SiC(碳化硅)是一种由Si(硅)和C(碳)构成的化合物半导体材料。不仅绝缘击穿场强是Si的10倍,带隙是Si的3倍,而且在器件制作时可以在较宽范围内控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21
具有成本效益的大功率高温半导体器件是应用于微电子技术的基本元件。SiC是宽带隙半导体材料,与Si相比,它在应用中具有诸多优势。由于具有较宽的带隙,SiC器件的工作温度可高达600℃,而Si器件
2018-09-11 16:12:04
前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开发背景和具体优点
2018-11-29 14:35:23
随着现代技术的发展, 功率放大器已成为无线通信系统中一个不可或缺的部分, 特别是宽带大功率产生技术已成为现代通信对抗的关键技术。作为第三代半导体材料碳化硅( SiC) , 具有宽禁带、高热导率、高
2019-08-12 06:59:10
点击: 功率半导体器件 &
2008-08-03 17:05:29
功率半导体器件应用手册功率半导体器件应用手册——弯脚及焊接应注意的问题本文将向您介绍大家最关心的有关TSE功率半导体器件封装的两个问题:一、 怎样弯脚才能不影响器件的可靠性?二、 怎样确保焊接
2008-08-12 08:46:34
电力电子器件(Power Electronic Device),又称为功率半导体器件,用于电能变换和电能控制电路中的大功率(通常指电流为数十至数千安,电压为数百伏以上)电子器件。可以分为半控型器件
2021-09-09 06:29:58
功率半导体器件以功率金属氧化物半导体场效应晶体管(功率MOSFET,常简写为功率MOS)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及功率集成电路(power IC,常简写为PIC)为主。
2020-04-07 09:00:54
了厚实的研发设计能力,同时还建立全流程的封装测试产线(涵盖封装测试、成品测试等多项)。为客户提供MOSFET、SiC、功率二极管及整流桥等高品质的半导体分立器件产品。MDD致力满足客户高品质需求,目前产品
2022-11-11 11:15:56
在Tech Web的“基础知识”里新添加了关于“功率元器件”的记述。近年来,使用“功率元器件”或“功率半导体”等说法,以大功率低损耗为目的二极管和晶体管等分立(分立半导体)元器件备受瞩目。这是
2018-11-29 14:39:47
近年来,全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移。目前,我国已经成为全球最重要的半导体功率器件封测基地。如IDM类(吉林华微电子、华润微电子、杭州士兰微电子、比亚迪股份、株洲中车时代半导体
2021-07-12 07:49:57
原理,采取静电接地、穿戴防静电工作服、使用防静电台面、地面、工具及周转箱、防静电包装袋等措施,建立一个完整的静电防护体系。生产厂还应建立防静电系统的周期测试和监控制度,保证防静电设施起到有效的防护作用,避免和减少器件在生产过程中的静电损伤,交付用户高质量高可靠的产品。
2013-07-03 14:25:06
大陆转移的历史浪潮之下,半导体材料进口替代将成为必然趋势,国内半导体材料研究未来成长空间巨大。泰克产品提供全套的解决方案可供电子测试工程师选择。半导体产业加速向中国大陆转移,中国正成为主要承接
2020-05-09 15:22:12
半导体泵浦固体激光器的种类很多,可以是连续的、脉冲的、调Q的,以及加倍频混频等非线性转换的。工作物质的形状有圆柱和板条状的。
2020-03-10 09:03:12
、635nm、650nm、670nm)。这些器件的特征是:单频窄线宽、高速率、可调谐、短波长、光电单片集成化等。 大功率半导体激光器(功率型激光器),主要用于泵浦源、激光加工系统、印刷行业、生物医疗等领域
2016-01-14 15:34:44
激光器作为光纤激光器泵源的时候,通过提高单元功率能够从根本上简化泵浦系统的结构,和提高泵浦功率水平。随着光纤激光器和固体激光器对输出功率要求越来越高,对半导体泵浦源的功率也提出了更高的要求。由于光束质量的限制
2019-05-13 05:50:35
测试半导体材料的霍尔效应是表征和分析半导体材料的重要手段。我们可以根据霍尔系数的符号来判断半导体材料的导电类型,是N型还是P型;霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转
2020-05-12 13:54:52
的动态特性: 1、器件在不同温度的特性 2、短路特性和短路关断 3.栅极驱动特性 4.关断时过电压特性 5.二极管回复特性 6.开关损耗测试等二、测试平台搭建 泰克推出了IGBT Town功率器件支持
2021-05-20 11:17:57
请问泰克示波器如何使用?
2023-11-01 08:02:32
。深圳市太古半导体有限公司自公司成立以来,以稳定的步伐飞速发展,成为国内电子元器件知名的供应商之一。在研发-生产-销售的过程中,整合整个产品链上的品质标准及流程,建立一整套品质保证体系。为满足客户及时
2015-11-19 12:56:10
美信半导体:美信半导体是全球领先的半导体制造供应商,Maxim的电能计量方案提供全面的SoC器件选择, 是多芯片方案的高精度、高性价比替代产品。 无与伦比的动态范围和独特的32位可编程测量引擎,使
2011-08-25 10:03:05
DCT1401半导体分立器件静态参数测试系统西安天光测控DCT1401半导体分立器件静态参数测试系统能测试很多电子元器件的静态直流参数(如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs
2022-02-17 07:44:04
额定击穿电压器件中的半导体材料方面胜过Si.Si在600V和1200V额定功率的SiC肖特基二极管已经上市,被公认为是提高功率转换器效率的最佳解决方案。 SiC的设计障碍是低水平寄生效应,如果内部和外部
2022-08-12 09:42:07
材料在制作耐高温的微波大功率器件方面也极具优势。笔者从材料的角度分析了GaN 适用于微波器件制造的原因,介绍了几种GaN 基微波器件最新研究动态,对GaN 调制掺杂场效应晶体管(MODFETs)的工作原理以及特性进行了具体分析,并同其他微波器件进行了比较,展示了其在微波高功率应用方面的巨大潜力。
2019-06-25 07:41:00
的低电感封装具有出色的开关特性,使客户能够开发更高性能的高可靠性系统,帮助他们从竞争中脱颖而出。” 市场研究机构Technavio指出,面向全球半导体应用的SiC市场预计在2021年前达到大约
2018-10-23 16:22:24
为满足晶体管用户的需求,有源器件的功率密度持续增长。商用无线通讯、航空电子、广播、工业以及医疗系统应用推动固态功率封装随着更小输出级器件输出更高输出功率的要求而发展。对飞思卡尔半导体公司而言,为这些
2019-07-05 06:56:41
为满足晶体管用户的需求,有源器件的功率密度持续增长。商用无线通讯、航空电子、广播、工业以及医疗系统应用推动固态功率封装随着更小输出级器件输出更高输出功率的要求而发展。对飞思卡尔半导体公司而言,为这些
2019-07-09 08:17:05
实现了具有硅半导体无法得到的突破性特性的碳化硅半导体(SiC半导体)的量产。另外,在传统的硅半导体功率元器件领域,实现了从分立式半导体到IC全覆盖的融合了ROHM综合实力的复合型产品群。下面介绍这些产品中的一部分。
2019-07-08 08:06:01
,很高兴能与APEX Microtechnology开展合作。ROHM作为SiC功率元器件的先进企业,能够提供与栅极驱动器IC相结合的功率系统解决方案,并且已经在该领域取得了巨大的技术领先优势。我们将与
2023-03-29 15:06:13
,2022年由于存货、库存保持高位,项目重复建设,产能出现负增长。2023年下半年随着库存消耗,产能将出现提升,预计增长6%达到3,400亿块。本土功率半导体厂商迎来发展新契机以深圳市萨科微半导体
2023-03-17 11:08:33
在研究雷达探测整流器时,发现硅存在PN结效应,1958年美国通用电气(GE)公司研发出世界上第一个工业用普通晶闸管,标志着电力电子技术的诞生。从此功率半导体器件的研制及应用得到了飞速发展,并快速成长为
2019-02-26 17:04:37
5-wins+5-PWR+TIVM02+TIVH08+TCP0030A+IGBT town软件。方案特点1、可靠、可重复地测试IGBT及MOSFET(包括第三代半导体器件SiC、GaN)功率半导体动态特征。2、测量的特征
2020-02-14 11:16:06
年8月22日 上午10:00讲义作者:谢健佳(罗姆半导体设计中心工程师,功率器件专家)报名入口:http://webinar.elecfans.com/399.html参与研讨会还将就机会获得精美礼品!学习知识,与专家在线互动,还赢好礼!快来报名吧!我要报名
2018-07-27 17:20:31
元件来适应略微增加的开关频率,但由于无功能量循环而增加传导损耗[2]。因此,开关模式电源一直是向更高效率和高功率密度设计演进的关键驱动力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半导体器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
相较于硅,碳化硅(SiC)肖特基二极管采用全新的技术,提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流,且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能,因此被视为下一代功率半导体。安森美半导体
2018-10-29 08:51:19
什么是堆叠式共源共栅?低阻抗功率半导体开关有哪些关键特性?低阻抗功率半导体开关有哪些应用优势?
2021-06-26 06:14:32
主要代理国产品牌一些半导体器件:士兰微:MCUMOSIPM数明:门级驱动,隔离非隔离驱动杰华特宇力:MCU3PAK :运放,ldo微盟:电源管理美浦森:MOS纳芯微 :隔离接口,驱动还有TI的一些物料 等等需要的各位领导欢迎前来采购、v15375195257(同电话)。
2021-09-06 09:18:29
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2021-09-06 09:21:21
了厚实的研发设计能力,同时还建立全流程的封装测试产线(涵盖封装测试、成品测试等多项)。为客户提供MOSFET、SiC、功率二极管及整流桥等高品质的半导体分立器件产品。MDD致力满足客户高品质需求,目前产品
2022-11-11 11:50:23
了厚实的研发设计能力,同时还建立全流程的封装测试产线(涵盖封装测试、成品测试等多项)。为客户提供MOSFET、SiC、功率二极管及整流桥等高品质的半导体分立器件产品。MDD致力满足客户高品质需求,目前产品
2022-11-11 11:46:29
测试对测 试系统的要求越来越高。通常这些器件的接触电极尺 寸只有微米量级,这些对低噪声源表,探针台和显微 镜性能都提出了更高的要求。半导体分立器件I-V特性测试方案,泰克公司与合作 伙伴使用泰克吉时利
2019-10-08 15:41:37
、IGCT、发光二极管、敏感器件等。半导体分立器件制造,指单个的半导体晶体管构成的一个电子元件的制造。制造是设计及封装测试的中游环节,在半导体行业的产业链中占据重要位置。根据中国半导体行业协会对半导体分立器件
2023-03-10 17:34:31
技术的发展,同时也使得大功率半导体激光器驱动技术成为大功率半导体激光器在众多应用领域的核心技术。 本文针对大功率光纤激光器中作为泵浦源的半导体激光器对驱动电源的要求,综合运用模拟电子技术、数字控制
2018-08-13 15:39:59
的高性价比功率芯片和模块产品。 传统的平面型碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(Planar SiC MOSFET,例如垂直双扩散金属氧化物晶体管VDMOS)由于器件尺寸较大,影响了器件的特征导通电
2020-07-07 11:42:42
供应商正在减少对标准产品的关注,但安森美半导体继续投资于汽车级标准分立器件的基本构件模块,同时扩大针对汽车功能电子化的电源方案阵容。在现有的标准的和高性能的分立器件阵容中,最新的扩展包括低正向电压整流器
2018-10-25 08:53:48
,以支持在整个低、中和高功率范围的多样化应用。从用于车载媒体应用到空调的器件,到用于内燃机(ICE)、混合动力和纯电动动力系统的高功率方案,安森美半导体正在不断开发新产品,以帮助支持和加速汽车技术
2018-10-30 09:06:50
;第五部分表示规格。具体规定见表 3.1 所示。2.日本常用半导体器件的型号命名标准 3.美国常用半导体器件的型号命名标准 4.常用的整流二极管型号及性能 5.硅高频小功率三极管参数 6.部分国外硅高频
2017-11-06 14:03:02
发展起来的可处理电能集成的器件或模块。PEBB 并不是一种特定的半导体器件,它是依照最优的电路结构和系统结构设计的不同器件和技术的集成。典型的PEBB 上图所示。虽然它看起来很像功率半导体模块,但PEBB
2019-03-03 07:00:00
常用的功率半导体器件有哪些?
2021-11-02 07:13:30
`由电气观察主办的“宽禁带半导体(SiC、GaN)电力电子技术应用交流会”将于7月16日在浙江大学玉泉校区举办。宽禁带半导体电力电子技术的应用、宽禁带半导体电力电子器件的封装、宽禁带电力电子技术
2017-07-11 14:06:55
虽然电动和混合动力电动汽车(EV]从作为功率控制器件的标准金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)到基于碳化硅(SiC)衬底和工艺技术的FET的转变代表了提高EV的效率和整体系统级特性的重要步骤
2019-08-11 15:46:45
`①未来发展导向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半导体”已逐渐步入大众生活,以大功率低损耗为目的二极管和晶体管等分立(分立半导体)元器件备受瞩目。在科技发展道路上的,“小型化”和“节能化
2017-07-22 14:12:43
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
反馈模式,无需次级反馈电路,也无需补偿电路,加之精准稳定的自适应技术,使得系统外围结构十分简单,可在外围器件数量少,参数范围宽松的条件下实现高精度恒流控制,极大地节约了系统成本和体积,并且能够确保在
2022-02-17 15:42:55
电力半导体器件的分类
2019-09-19 09:01:01
超过40%,其中以碳化硅材料(SiC)为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。根据中国半导体行业协会统计,2019年中国半导体产业市场规模达7562亿元
2021-01-12 11:48:45
,因此使用碳化硅(SiC)陶瓷线路板的功率器件的阻断电压比Si器件高很多。3) 低损耗一般而言,半导体器件的导通损耗与其击穿场强成反比,故在相似的功率等级下,SiC器件的导通损耗比Si器件小很多。且使用斯
2021-03-25 14:09:37
、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。 在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。SiC功率器件在C波段以上受频率的限制,也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
`泰科天润招聘贴~研发工程师岗位职责:1.半导体器件设计;2.半导体工艺开发;3.研究SiC功率器件方面的最新进展,包括研究文献、新设计、新技术、新产品等;4.协助小组项目开发。任职要求:1.本科
2018-03-12 16:24:28
如果请您还在为芯片缺货而担心如果您还在为买到假货而担心如果您还在为原料的缺失而担心都可以来找我哦本人公司,从事半导体芯片的销售我们公司主要代理国产品牌一些半导体器件:士兰微:MCUMOSIPM数明
2021-09-06 09:33:04
SiC功率器件的封装技术要点
具有成本效益的大功率高温半导体器件是应用于微电子技术的基本元件。SiC是宽带隙半导体材料,与S
2009-11-19 08:48:432355 分析了SiC半导体材料的结构类型和基本特性, 介绍了SiC 单晶材料的生长技术及器件工艺技术, 简要讨论了SiC 器件的主要应用领域和优势
2011-11-01 17:23:2081 ,由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点,与刚石等半导体材料一起,被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。 在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。SiC功率
2017-11-09 11:54:529 本文首先介绍了SiC功率半导体器件技术发展现状及市场前景,其次阐述了SiC功率器件发展中存在的问题,最后介绍了SiC功率半导体器件的突破。
2018-05-28 15:33:5410898 SiC(碳化硅)是一种由Si(硅)和C(碳)构成的化合物半导体材料。SiC临界击穿场强是Si的10倍,带隙是Si的3倍,热导率是Si的3倍,所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:419257 安森美半导体是功率电子领域的市场领导者之一,在SiC功率器件领域的地位正在迅速攀升。
2019-07-25 08:50:504203 安森美半导体(ON Semiconductor)是功率电子领域的市场领导者之一,在SiC功率器件领域的地位正在迅速攀升。
2019-07-30 15:40:235352 吉时利8010型大功率器件测试夹具与2651A以及2657A型大功率系统数字源表一起完善了功率半导体器件测试解决方案。图1给出源测量单元(SMU)仪器与8010型夹具的连接图。在8010型互连参考指南(IRG)中给出详细的器件测试配置实例。
2020-08-21 13:49:312285 功率半导体的研发生产 电装至今为止为了将SiC功率半导体(二极管、晶体管)应用在车载用途中,一直在进行SiC技术“REVOSIC*2”的研发。SiC是一种半导体材料,与以往的Si(硅)相比,在高温、高电波、高电压环境下具备更优秀的性能,对减少系统的电力消耗、小
2020-12-21 16:20:263191 碳化硅(SiC)是第三代半导体材料的典型代表,也是目前晶体生长技术和器件制造水平最成熟,应用最广泛的宽禁带半导体材料之一,是高温,高频,抗辐照,大功率应用场合下极为理想的半导体材料。文章结合美国国防
2021-02-01 11:28:4629 功率器件如场效应晶体管(MOSFET)和绝缘双极晶体管[IGBT) ,这些功率器件提供了快速开关速度,能够耐受没有规律的电压峰值,被广泛应用于电源转换产品的设计。尤其最新第三代半导体SiC和GaN
2021-04-30 11:50:052490 功率器件动态参数测试 功率器件如场效应晶体管和绝缘门双极晶体管,这些器件提供了快速开关速度,能够耐受没有规律的电压峰值,被广泛应用于电源转换产品的设计。尤其第三代半导体Sic和GaN的快速发展
2021-12-07 11:37:24679 碳化硅(SiC)功率器件具有提高效率、动态性能和可靠性的显著优势电子和电气系统。回顾了SiC功率器件发展的挑战和前景
2022-11-11 11:06:141503 近年来,SiC功率器件结构设计和制造工艺日趋完善,已经接近其材料特性决定的理论极限,依靠Si器件继续完善来提高装置与系统性能的潜力十分有限。本文首先介绍了SiC功率半导体器件技术发展现状及市场前景,其次阐述了SiC功率器件发展中存在的问题,最后介绍了SiC功率半导体器件的突破。
2022-11-24 10:05:102020 SiC碳化硅功率半导体器件具有耐压高、热稳定好、开关损耗低、功率密度高等特点,被广泛应用在电动汽车、风能发电、光伏发电等新能源领域。 近年来,全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移。目前
2023-01-13 11:16:441230 动态特性是功率器件的重要特性,在器件研发、系统应用和学术研究等各个环节都扮演着非常重要的角色。故对功率器件动态参数进行测试是相关工作的必备一环,主要采用双脉冲测试进行。
2023-02-10 14:25:11271 功率器件静态参数测试系统集多种测量和分析功能一体,可精准测量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的静态参数,电压可高达3KV,电流可高达
4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态
2023-02-15 16:11:141 EN-6500A功率器件动态参数测试系统是由西安易恩电气科技有限公司自主研制、生产的半导体分立器件动态参数测试的专用设备,通过使用更换不同的测试工装可
以对不同封装的半导体器件进行非破坏性瞬态测试
2023-02-16 15:38:103 SiC碳化硅功率半导体器件具有耐压高、热稳定好、开关损耗低、功率密度高等特点,被广泛应用在电动汽车、风能发
电、光伏发电等新能源领域。
近年来,全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移
2023-02-16 15:28:254 ME300D-SE是Firstack总结12年IGBT/SiC MOSFET测试经验,并经历了ME100D,ME200D,ME300D三代产品迭代,最新研制推出的功率半导体动态参数测试系统,致力于
2023-06-13 16:39:281522 一、什么是SiC半导体?1.SiC材料的物性和特征SiC(碳化硅)是一种由Si(硅)和C(碳)构成的化合物半导体材料。不仅绝缘击穿场强是Si的10倍,带隙是Si的3倍,而且在器件制作时可以在较宽
2023-08-21 17:14:581144 调查结果显示,SiC、GaN(氮化镓)等宽带隙半导体单晶主要用于功率半导体器件,市场正在稳步扩大。
2023-09-04 15:13:24365 SiC器件是一种新型的硅基MOSFET,特别是SiC功率器件具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN结组成。
在众多的半导体器件中,碳化硅材料具有低热导率、高击穿
2023-09-26 16:42:29342 半导体动态测试参数是指在交流条件下对器件进行测试,是确保半导体性能、稳定性和可靠性的重要依据。动态测试参数主要有开关时间、开关损耗、反向恢复电流、开关电流、耗散功率等。
2023-10-10 15:23:38278 英飞凌如何控制和保证基于 SiC 的功率半导体器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49687 sic功率半导体上市公司 sic功率半导体上市公司有三安光电、露笑科技、楚江新材、天通股份、东尼电子、华润微、扬杰科技、捷捷微电、华微电子、斯达半导、闻泰科技等公司,注意以上信息仅供参考,如果想了
2023-10-18 16:14:30586 12月14日,第三代半导体行家极光奖在深圳重磅揭晓,派恩杰半导体荣膺“中国SiC器件Fabless十强企业”称号。
2023-12-15 10:57:45466
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