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电子发烧友网>测量仪表>650V耐压IGBT RGTV/RGW系列介绍

650V耐压IGBT RGTV/RGW系列介绍

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2023-05-24 12:16:57300

ROHM具有业界超高性能的650V耐压GaN HEMT

全球知名半导体制造商ROHM(以下简称“ROHM”)将650V耐压的GaN(Gallium Nitride:氮化镓)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产,这两款产品非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统。
2023-05-24 15:19:34447

ROHM开始量产具有业界超高性能的650V耐压GaN HEMT!

非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统的效率提升和小型化 全球知名半导体制造商ROHM(以下简称“ROHM”)将650V耐压的GaN(Gallium Nitride:氮化镓)HEMT
2023-05-25 00:25:01322

未来智能城市的动力引擎:润新微电子的650V GaN功率晶体管(FET)

润新微电子(Runxin Microelectronics)荣幸推出了最新一代的650V GaN功率晶体管(FET),该产品具备卓越的性能和广泛的应用领域。 产品特点: 易于使用:650V GaN
2023-06-12 16:38:34693

陆芯:单管IGBT-YGQ100N65FP 650V 100A TO247-PLUS

上海陆芯电子科技有限公司拥有最新一代TrenchField-Stop技术的400V200A~400A系列IGBT650V5A~200A系列IGBT、1200V&1350V10A~100A
2022-05-19 09:54:26705

新品 | 采用650V逆导型R6系列IGBT3千瓦半桥感应加热评估板

新品EVAL-IHW65R62EDS06J这块感应加热半桥评估板采用新一代650V逆导型R6系列IGBT和SOI技术的EiceDRIVERIGBT驱动器,产品针对100kHz的谐振开关应用感应
2022-03-01 09:32:40558

RJP65T43DPQ-A0 数据表(650V-30A-IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)

RJP65T43DPQ-A0 数据表 (650V - 30A - IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)
2023-07-07 20:26:120

RJP65T54DPM-A0 数据表(650V-30A-IGBT Application: Partial switching circuit)

RJP65T54DPM-A0 数据表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-07-10 19:00:430

RJH65D27BDPQ-A0 数据表(650V-50A-IGBT Application: Inverter)

RJH65D27BDPQ-A0 数据表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-07-10 20:42:510

为快充而生的650V/4A & 650V/6A SiC二极管

圳市森国科科技股份有限公司日前发布了第五代Thinned MPS SiC二极管KS04065(650V/4A)、KS06065(650V/6A)
2023-07-12 17:06:27522

森国科650V超结MOSFET系列产品的性能指标

继先后推出成熟化的全系列碳化硅二极管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模块产品后,2023年7月 森国科正式对外推出650V超结MOSFET系列新品 ,相较于传统的功率MOSFET,SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16639

SVSP14N65FJHE2超结mos耐压650V 14A

供应SVSP14N65FJHE2超结mos耐压650V14A,适用于硬/软开关拓扑,更多产品手册、应用料资请向士兰微MOS管一级代理骊微电子申请。>>
2022-05-18 15:27:311

SLP12N65C美浦森高压MOSFET 650V 12A

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2022-04-29 14:06:570

SLP10N65C美浦森高压MOSFET 650V 12A

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2022-04-29 14:12:250

SLP8N65C美浦森高压MOSFET 650V 7.5A

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2022-04-29 14:30:151

SLP5N65C美浦森高压MOSFET 650V 4.5A

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2022-04-29 14:33:490

SGTP40V65SDB1P7 650V新能源IGBT

供应40A、650V新能源绝缘栅双极型晶体管SGTP40V65SDB1P7,提供SGTP40V65SDB1P7关键参数,更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-08-01 16:18:473

SGTP75V65SDS1P7 650V光伏逆变器igbt

供应SGTP75V65SDS1P775A、650V光伏逆变器igbt-三相igbt逆变电源,提供SGTP75V65SDS1P7关键参数,更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-08-02 17:12:195

SVSP35NF65P7D3 士兰微高压超结mos管650V

SVSP35NF65P7D3士兰微高压超结mos管650V,35A,提供SVSP35NF65P7D3关键参数,更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-09-06 14:57:507

SVS11N65FJD2超结mos 耐压650V,11A规格书-士兰微代理

供应无锡士兰微mos管SVS11N65FJD211A,650V高压超结mos管,适用于硬/软开关拓扑,照明,适配器等领域,更多产品手册、应用料资请向士兰微MOS管一级代理骊微电子申请。>>
2022-11-02 15:07:350

SVSP11N65DD2 11A,650V士兰微超结MOS-士兰微mos管规格书

供应SVSP11N65DD211A,650V士兰微超结MOS,提供SVSP11N65DD211A,650V士兰微超结MOS关键参数,更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-11-02 15:17:061

650V高压低功耗非隔离电源芯片eNJ8665

650V高压低功耗非隔离电源芯片,默认输出12V,最大电流2A,具有输出可设置3-24V
2023-12-01 19:19:030

瑞能650V IGBT的结构解析

IGBT 作为一种功率半导体器件,广泛应用于工业节能、电动汽车和新能源装备等领域。IGBT 具有节能、安装方便、维护方便、散热稳定等特点,是能量转换和传输的核心装置。瑞能的650V IGBT产品在电性能和可靠性等方面具备诸多优势,在行业内也处于领先地位。
2023-12-26 13:31:35276

介绍一款用于光伏储能充电桩的50A 650V TO-247封装IGBT单管

本次推出的产品主要为50A 650V TO-247封装IGBT单管;
2024-03-15 14:26:07188

扬杰科技推出50A 650V TO-247封装IGBT单管

近日,国内半导体功率器件领军企业扬州扬杰电子科技股份有限公司(以下简称“扬杰科技”)再度刷新业界认知,推出了一款专为光伏储能充电桩等高频应用而设计的50A 650V TO-247封装IGBT单管产品
2024-03-16 10:48:19564

具有集成驱动器的 650V 120mΩ GaN FET LMG3612数据表

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2024-03-21 10:20:580

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