美国SemiSouth Laboratories公司发布了耐压为650V和耐压为1700V的SiC制JFET产品,均为常开型功率元件。耐压为650V的产品名称为“SJDA065R055”,导通电阻为55mΩ,漏电流在室温时(25℃)为30A,在
2012-05-21 10:31:012494 瑞萨电新发表13款具备高效能之第7代绝缘闸双极性电晶体(IGBT)系列新产品。新款IGBT包括650V的RJH/RJP65S系列与1250V的RJP1CS系列。新款IGBT是将系统中的直流电转换为交流电的功率半导体装
2012-07-31 11:34:281650 绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)是具有高输入阻抗和大双极性电流能力的少数载流子功率器件。由于这些特性,IGBT非常适合电力电子中的许多应用,尤其是电机驱动器、不间断电源(UPS)、可再生能源
2013-07-16 14:42:102094 全球知名半导体制造商ROHM新开发出兼备业界顶级低传导损耗※1和高速开关特性的650V耐压IGBT※2“RGTV系列(短路耐受能力※3保持版)”和“RGW系列(高速开关版)”,共21种机型。这些产品
2018-04-17 12:38:467742 与600V IGBT3一样,新的650V IGBT4也是采用了沟槽的MOS-top-cell薄片技术和场截止的概念(如图1 所示),但与600V IGBT3相比,芯片厚度增加了大约15%,并且MOS
2018-10-26 09:17:007600 为满足电动汽车市场的需求,英飞凌推出了全新的650V CoolMOS™ SJ功率 MOSFET CFD7A系列。这一产品经过专门优化,可以满足电动汽车应用 (如车载充电器、HV-LV DC-DC 转换器和辅助电源)的要求。
2020-05-31 09:15:361509 IGBT是要耐受高电压的,在《IGBT的若干PN结》一章中,我们从高斯定理、泊松方程推演了PN结的耐压,主要取决于PN结的掺杂浓度。
2023-12-01 15:23:09693 Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其进入氮化镓场效应管(GaN)市场。
2019-11-22 15:16:321787 随着新产品的发布,英飞凌完善了其600V/650V细分领域的硅基、碳化硅以及氮化镓功率半导体产品组合
2020-02-26 08:26:001315 新款 CoolSiC Hybrid产品系列结合了650 V TRENCHSTOP™ 5 IGBT技术和碳化硅肖特基二极管的主要优点,具备出色的开关速度和更低的开关损耗,特别适用于 DC-DC 功率变换器和PFC电路。
2021-08-06 15:40:471728 英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管,取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:421942 3AC400V变频异步电机,连续工作的允许耐压值是多少呢?
比如说,变频器的直流母线电压是650V的状态下,3AC400V的电机能受得了吗?
2024-01-09 07:20:21
40 A 650V IGBT,它与IGBT相同额定电流的二极管组合封装到表面贴装TO-263-3(亦称D2PAK)封装中。全新D2PAK封装TRENCHSTOP 5 IGBT可满足电源设备对功率密度
2018-10-23 16:21:49
Parameter Symbol Value Unit TO-220F TO-220 TO-247 Drain-Source Voltage (VGS = 0V) VDSS 650 V
2021-04-06 11:35:02
逆变器等中高功率领域,可显著的减少电路的损耗,提高电路的工作频率。 关断波形图(650V/10A产品) 650V/1200V碳化硅肖特基二极管选型
2020-09-24 16:22:14
0前言家用逆变焊机因其体较小,操作方便,市场接受度逐步提高。因市电220V输入的特点,一般采用600V/650V规格的IGBT作为逆变主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
电压(600V、1200V、1700V)均对应于常用电网的电压等级。考虑到过载,电网波动,开关过程引起的电压尖峰等因素,通常电力电子设备选择IGBT器件耐压都是直流母线电压的一倍。如果结构、布线、吸收
2022-05-10 10:06:52
650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
2023-03-27 13:17:29
在内的各种应用中的采用。当前的SiC-SBD产品结构分为耐压为650V与1200V、额定电流为5A~40A的产品,具体因封装而异。其概要如下表所示。另外,ROHM正在开发650V产品可支持达100A
2018-12-04 10:09:17
罗姆(ROHM)是半导体和电子零部件领域的著名生产商,其近期推出了TO-247N封装的RGSXXTS65DHR系列绝缘栅双极型晶体管(IGBT)——RGS60TS65DHR、RGS80TS65DHR
2019-04-09 06:20:10
;TSD5N60MTruesemi 其它相关产品请 点击此处 了解特性:3.0A,650V,最大RDS(on)= 3.0Ω@ VGS = 10V低栅极电荷(典型值为16nC)快速切换经过100%雪崩测试改进的dv/dt功能主要参数:应用:高效开关模式电源,基于半桥拓扑的有源功率因数校正`
2020-04-30 15:13:55
SBD)* • Hybrid型的IGBT* • 显著降低损耗* • RGWxx65C系列* • 650V耐压* • 与使用Si快速恢复二极管(Si FRD)的IGBT相比,开通损耗显著降低
2022-07-27 10:27:04
作者:Fabio Necco和Roy Davis安森美半导体的650V汽车认证裸片IGBT针对正在开发汽车牵引逆变器先进方案的电源模块制造商。IGBT产品系列PCGAXX0T65DF8包括160
2019-07-17 07:51:53
。 BM1Pxxx支持隔离和非隔离器件,可以更简单地设计各种类型的低功耗电气转换器。 BM1Pxxx内置高压启动电路,可承受650V电压,有助于降低功耗
2020-08-14 06:52:48
BM2P033 PWM AC / DC变换器的典型应用电路。用于AC / DC的PWM型(BM2PXX3)为包含电源插座的所有产品提供了最佳系统。 BM2PXX3支持隔离和非隔离器件,可以更简单地设计各种类型的低功耗电气转换器。 BM2PXX3内置高压启动电路,可承受650V电压,有助于实现低功耗
2020-06-05 09:15:07
本帖最后由 3T华钻电子 于 2020-9-22 17:05 编辑
新洁能原厂 NCE65T360F 650V 11A TO-220F 超结场效应管 ,原装正品,优势价格。深圳市华钻电子
2019-12-31 15:08:03
我用的是IKW75N65E25型号的IGBT,耐压650V,在实现软开关时,开关电压上升时有十分明显的震荡,分析过电路没有发现什么问题,用仿真软件仿真过能得到结果,但是实物实验时就会出现图中的问题。求助!!!
2017-01-12 11:00:12
650V耐压的buck电路够不够用
2023-08-01 14:38:42
用于AC/DC变换器应用的新型650V GaNFast半桥IC(氮化镓)
2023-06-19 07:57:31
设计用于驱动N通道功率MOSFET或IGBT,其工作电压最高可达650V。
特性
•650V无芯变压器隔离驱动器IC
•轨到轨输出
•保护功能
•浮动高侧驱动
•双通道欠压锁定
•3.3V和5V TTL
2023-08-24 18:21:45
各位大佬,请教一下 IGBT 模块的绝缘耐压如何测试?
2023-10-23 10:19:00
650V IGBT4,旨在提供更大的设计自由度。这款全新的IGBT4器件具备更好的关断软度,并且由于关断电流变化率di/dt的降低,带来了更低的关断电压尖峰。该器件专门设计用于中高电流应用。相对于
2018-12-07 10:16:11
高压的二极管相串联,但是,串联的二极管引起通态压降的增大,增加了损耗。而RB-IGBT是一种新型的IGBT,具有反向耐压能力,相对于传统串联二极管的模式,减少器件的同时,还降低了通态压降和损耗。两种
2020-12-11 16:54:35
摘要新一代CoolMOS™ 650V CFD2技术为具备高性能体二极管的高压功率MOSFET树立了行业新杆标。该晶体管将650V的击穿电压、超低通态电阻、低容性损耗特性与改进反向恢复过程中的体二极管
2018-12-03 13:43:55
系列(650V)*开发中下一篇将介绍剩下的两种:Presto MOSTM 高速trr SJ-MOSFET和Hybrid MOS。关键要点:・SJ-MOSFET的种类因特性而异。・SJ-MOSFET
2018-12-03 14:27:05
供应SGTP40V65FDR1P7 绝缘栅双极型晶体管耐压650V、40A,提供SGTP40V65FDR1P7关键参数 ,更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-08-01 16:29:51
供应igbt双极性晶体管650V、75A 大功率igbt开关电源SGTP75V65SDS1P7 ,具有较低的导通损耗和开关损耗,SGTP75V65SDS1P7可应用于光伏,UPS,SMPS以及PFC等领域,更多产品手册、应用料资请向士兰微代理骊微电子申请。>>
2022-08-02 17:11:03
英飞凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结(SJ)器件的优势(如低导通电阻和低容性开关损耗)与轻松控制的开关行为、及
2010-07-05 08:48:261672 Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec 650V 结型肖特基势垒 (JBS) 二极管系列,以满足最新数据中心电源系统要求。新型 JBS
2010-12-23 08:49:371290 英飞凌目前正推出另一项重要的创新型高压CoolMOS MOSFET。这种全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具备650V漏源电压并集成快速体二极管的高压晶体管。
2011-02-16 09:11:171845 美高森美公司宣布提供下一代650V非穿通型(NPT)绝缘栅双极晶体管(IGBT)产品,备有45A、70A和95A额定电流型款。美高森美全新NPTIGBT产品系列专为严苛环境工作而设计,尤其适用于太阳能逆变器、焊接机和开关电源等工业产品。
2013-08-19 16:08:18862 2014年10月21日,北京——全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出多款坚固可靠的650V IRGP47xx器件,藉以扩充绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列。
2014-10-21 15:27:421975 2015年3月2日,德国慕尼黑——英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)发布了能够让应用于汽车中的高速开关实现最高效率的高坚固性650V IGBT系列。
2015-03-04 10:00:291443 G2S06505C 650V 5A 碳化硅肖特基功率二极管 兼容C3D03065E C3D04065E
650V/5A碳化硅肖特基功率二极管
产品特性
•
正温度系数,易于并联使用
•不受温度影响的开关特性
•
最高工作温度175℃•零反向恢复电流• 零正向恢复电压
2016-06-17 15:42:454 意法半导体推出新款M系列650V IGBT,为电源设计人员提供一个更快捷经济的能效解决方案,新款M系列650V IGBT,为电源设计人员提供一个更快捷经济的能效解决方案,适用于暖通空调系统(HVAC
2016-11-02 17:19:431958 英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)进一步壮大其薄晶圆技术TRENCHSTOP™5 IGBT产品阵容。新的产品家族可提供最高40 A 650V IGBT,它与
2018-06-04 08:31:002053 ROHM第三代碳化硅MOSFET特点(相比第二代)ROHM第三代设计应用于650V和1200V产品之中,包括分立或模组封装。本报告深入分析了650V和1200V第三代沟槽MOSFET,并利用光学显微镜和扫描电镜研究复杂的碳化硅沟槽结构。
2018-08-20 17:26:299042 视频简介:这视频介绍我们全新的Q0和Q2系列功率模块,应用于太阳能逆变器,额定功率超过100kVA。Q0PACK模块包括一个T-NPC拓扑结构,具有65A / 1200V IGBT、60A
2019-03-14 06:12:004628 意法半导体的HB2 650V IGBT系列采用最新的第三代沟栅场截止(TFS)技术,可提高PFC转换器、电焊机、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器等中高速应用设计的能效和性能。该系列还包括符合AEC-Q101 Rev. D标准的汽车级产品。
2019-05-14 11:38:533363 碳化硅(SiC)功率半导体制造商UnitedSiC/美商联合碳化硅股份有限公司 宣布,已经为UJ3C(通用型)和UF3C(硬开关型)系列650V SiC FET新增加了7种新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封装组合产品。
2019-05-08 09:04:021767 ROHM新推出四款支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101※1)的1200V耐压IGBT“RGS系列”产品。
2019-05-13 18:30:571418 CoolSiC肖特基二极管650V G6系列是英飞凌不断提高技术和流程的结果,让碳化硅肖特基二极管的设计和开发更具价格优势,性能一代更比一代强。因此,G6是英飞凌最具有性价比的CooSiC肖特基二极管的一代,在同等价格下提供最高能效。
2019-09-24 10:42:523697 英飞凌宣布推出650V SiC MOSFET,标志着公司进一步增强了在低压SiC领域的布局,650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504267 ROHM的RGS系列是符合AEC-Q101标准、且具有1200V和650V宽耐压范围的IGBT产品。该系列具有更低的传导损耗,有助于提高应用产品的效率并实现小型化,是电动压缩机的逆变器和高压加热器的更佳选择。
2020-10-02 17:34:002601 TRENCHSTOP IGBT7现在提供TO-247封装,电流等级为20-75A。 TRENCHSTOP IGBT7带来更高的击穿电压(650V)、一流的性价比和效率,实现简单的即插即用解决方案
2020-10-22 09:33:303189 650 V 场截止 IGBT 如何帮助将厨房烹饪提升到一个全新的水平。 电磁炉制造商正在努力增加最大功率并减少烹饪时间,同时实现高系统效率以满足严格的能源之星标准。 这些趋势对选择合适的 IGBT 提出了新的要求,这些 IGBT 是感应加热系统中的关键
2021-06-01 14:56:251829 东芝电子元件及存储装置株式会社(东芝)宣布,在其TOLL(TO-无引线)封装的DTMOSVI系列中推出650V超级结功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:231117 前言背景: 英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管,取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管
2021-03-26 16:40:202349 650V 60mΩ SiC MOSFET主要应用市场包括光伏和储能、驱动、电动汽车及充电桩、UPS、电源等。据HIS报告,电动汽车充电市场的增长将非常强劲,高达59%。
2022-08-02 15:06:55614 英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管,取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29538 现在主流400V架构中,电驱动的功率管主要采用IGBT器件,但IGBT耐压值通常不高于650V,基本不能用于800V架构。即便采用超级结工艺的高耐压IGBT,工作电压也不超过900V,而且成本高不说,其体积也要比普通IGBT大很多,这无疑为车内空间布置及散热设计带来困难。
2022-08-17 11:12:303877 Wolfspeed 新款车规级 E-系列(E3M)650V、60 mΩ MOSFET 系列帮助设计人员满足 EV 车载充电机应用。采用 Wolfspeed 第三代 SiC MOSFET 技术
2022-11-07 09:59:21917 650V 快速恢复 SuperFET® II MOSFET 在谐振拓扑中实现高系统效率和可靠性
2022-11-14 21:08:360 毕竟选择一款650V、40A的IGBT,还能替代仙童FGH40N60SFD型号参数的国产IGBT还是值得考虑的。
2023-01-14 10:38:391252 关键词 兼具业内优异的降噪和低损耗特性 600V耐压IGBT IPM/li> 各种变频器的功率转换用 BM6337x系列 无需自举二极管和限流电阻 当保护电路被激活时,警报输出(...
2023-02-08 13:43:21561 600V耐压IGBT IPM:BM6337x系列 关键词 兼具业内优异的降噪和低损耗特性 600V耐压IGBT IPM 各种变频器的功率转换用 BM6337x系列 优化内置...
2023-02-08 13:43:21869 ROHM一直专注于功率元器件的开发。最近推出并已投入量产的“SCT2H12NZ”,是实现1700V高耐压的SiC-MOSFET。是在现有650V与1200V的产品阵容中新增的更高耐压版本。
2023-02-13 09:30:05515 RJP65T43DPQ-A0 数据表 (650V - 30A - IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)
2023-03-22 18:36:590 RJP65T54DPM-A0 数据表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-03-23 19:10:100 RJH65D27BDPQ-A0 数据表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-03-24 18:53:250 全球知名半导体制造商ROHM(以下简称“ROHM”)将650V耐压的GaN(Gallium Nitride:氮化镓)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产
2023-05-18 16:34:23464 Nexperia | 用于汽车和工业的650V超快恢复整流管
2023-05-24 12:16:57300 全球知名半导体制造商ROHM(以下简称“ROHM”)将650V耐压的GaN(Gallium Nitride:氮化镓)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产,这两款产品非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统。
2023-05-24 15:19:34447 非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统的效率提升和小型化 全球知名半导体制造商ROHM(以下简称“ROHM”)将650V耐压的GaN(Gallium Nitride:氮化镓)HEMT
2023-05-25 00:25:01322 润新微电子(Runxin Microelectronics)荣幸推出了最新一代的650V GaN功率晶体管(FET),该产品具备卓越的性能和广泛的应用领域。 产品特点: 易于使用:650V GaN
2023-06-12 16:38:34693 上海陆芯电子科技有限公司拥有最新一代TrenchField-Stop技术的400V200A~400A系列IGBT、650V5A~200A系列IGBT、1200V&1350V10A~100A
2022-05-19 09:54:26705 新品EVAL-IHW65R62EDS06J这块感应加热半桥评估板采用新一代650V逆导型R6系列IGBT和SOI技术的EiceDRIVERIGBT驱动器,产品针对100kHz的谐振开关应用感应
2022-03-01 09:32:40558 RJP65T43DPQ-A0 数据表 (650V - 30A - IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)
2023-07-07 20:26:120 RJP65T54DPM-A0 数据表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-07-10 19:00:430 RJH65D27BDPQ-A0 数据表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-07-10 20:42:510 圳市森国科科技股份有限公司日前发布了第五代Thinned MPS SiC二极管KS04065(650V/4A)、KS06065(650V/6A)
2023-07-12 17:06:27522 继先后推出成熟化的全系列碳化硅二极管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模块产品后,2023年7月 森国科正式对外推出650V超结MOSFET系列新品 ,相较于传统的功率MOSFET,SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16639 供应SVSP14N65FJHE2超结mos耐压650V14A,适用于硬/软开关拓扑,更多产品手册、应用料资请向士兰微MOS管一级代理骊微电子申请。>>
2022-05-18 15:27:311 电子发烧友网站提供《SLP12N65C美浦森高压MOSFET 650V 12A.pdf》资料免费下载
2022-04-29 14:06:570 电子发烧友网站提供《SLP10N65C美浦森高压MOSFET 650V 12A.pdf》资料免费下载
2022-04-29 14:12:250 电子发烧友网站提供《SLP8N65C美浦森高压MOSFET 650V 7.5A.pdf》资料免费下载
2022-04-29 14:30:151 电子发烧友网站提供《SLP5N65C美浦森高压MOSFET 650V 4.5A.pdf》资料免费下载
2022-04-29 14:33:490 供应40A、650V新能源绝缘栅双极型晶体管SGTP40V65SDB1P7,提供SGTP40V65SDB1P7关键参数,更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-08-01 16:18:473 供应SGTP75V65SDS1P775A、650V光伏逆变器igbt-三相igbt逆变电源,提供SGTP75V65SDS1P7关键参数,更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-08-02 17:12:195 SVSP35NF65P7D3士兰微高压超结mos管650V,35A,提供SVSP35NF65P7D3关键参数,更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-09-06 14:57:507 供应无锡士兰微mos管SVS11N65FJD211A,650V高压超结mos管,适用于硬/软开关拓扑,照明,适配器等领域,更多产品手册、应用料资请向士兰微MOS管一级代理骊微电子申请。>>
2022-11-02 15:07:350 供应SVSP11N65DD211A,650V士兰微超结MOS,提供SVSP11N65DD211A,650V士兰微超结MOS关键参数,更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-11-02 15:17:061 650V高压低功耗非隔离电源芯片,默认输出12V,最大电流2A,具有输出可设置3-24V
2023-12-01 19:19:030 IGBT 作为一种功率半导体器件,广泛应用于工业节能、电动汽车和新能源装备等领域。IGBT 具有节能、安装方便、维护方便、散热稳定等特点,是能量转换和传输的核心装置。瑞能的650V IGBT产品在电性能和可靠性等方面具备诸多优势,在行业内也处于领先地位。
2023-12-26 13:31:35276 本次推出的产品主要为50A 650V TO-247封装IGBT单管;
2024-03-15 14:26:07188 近日,国内半导体功率器件领军企业扬州扬杰电子科技股份有限公司(以下简称“扬杰科技”)再度刷新业界认知,推出了一款专为光伏储能充电桩等高频应用而设计的50A 650V TO-247封装IGBT单管产品
2024-03-16 10:48:19564 电子发烧友网站提供《具有集成驱动器的 650V 120mΩ GaN FET LMG3612数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-21 10:20:580
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