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Hynix宣布已成功开发出26nm制程NAND闪存芯片产品
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2081美光科技宣布已批量出货全球首款 176 层 3D NAND 闪存
IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出货全球首款 176 层 3D NAND 闪存，刷新行业纪录，实现闪存产品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，这款 176 层 NAND 产品采用
2020-11-12 13:04:571856
1856芯片巨头美光宣布向客户交付176层闪存
芯片巨头美光11月10日正式宣布，将向客户交付176层TLC NAND闪存。 这使得美光成为全球第一家量产176层TLC NAND闪存的芯片商。 176层NAND支持的接口速度为 1600MT
2020-11-13 14:25:131552
1552SK海力士宣布推出最新一代的3D NAND
据报道，SK hynix日前发布了其最新一代的3D NAND。据介绍，新产品具有176层电荷charge trap单元。在美光宣布他们的176L NAND开始以Crucial品牌产品发货之后，SK hynix是第二家达到这一层数的NAND制造商。
2020-12-08 14:29:122027
2027176层NAND闪存芯片的特点性能及原理
从96层NAND闪存芯片开始，海力士一直在推动4D技术的发展。本文介绍的176层NAND芯片，已经发展到第三代。从制造上来说，其能够确保业内最佳的每片晶圆产出。
2020-12-15 17:55:342755
2755铠侠开发出约170层的NAND闪存
日本芯片制造商Kioxia开发了大约170层的NAND闪存，加入了与美国同行Micron Technology和韩国的SK Hynix的竞赛。
2021-02-20 11:10:002580
2580三星正式宣布3nm成功流片，性能将完胜台积电
据外媒最新报道，三星宣布，3nm制程技术已经正式流片! 据悉，三星的3nm制程采用的是GAA架构，性能上完胜台积电的3nm FinFET架构! 据报导，三星在3nm制程的流片进度是与新思科技合作完成
2021-07-01 15:27:444315
43152nm芯片最新官方消息 IBM已开发出全球首个2nm芯片
目前，IBM已开发出全球首个2nm芯片，这种新型2nm芯片所体现的IBM创新对整个半导体和IT行业至关重要，能够在指甲大小的芯片上容纳多达500亿个晶体管，在半导体设计上实现了重大的突破。
2022-06-24 09:52:421762
1762中科院研发2nm芯片 中科院攻克2nm芯片关键技术
现阶段全球芯片行业都聚焦在了2nm工艺制程上，台积电、IBM等芯片巨头也都相继宣布了2nm制程技术的相关消息。
2022-06-27 16:55:3811543
11543台积电2nm芯片什么时候研发出来的
台积电2nm芯片什么时候研发出来的？去年五月份，美国企业IBM推出了全球首个2nm芯片制造技术，2nm芯片在市场掀起风起云涌。早在去年下半年，台积电就实现了5nm芯片的量产，而它的下一个目标就是3nm和2nm制程。
2022-06-29 09:54:491081
1081国产2nm芯片有望成功吗？
2nm是目前芯片行业最先进的制程，虽然还没有一家企业能够量产2nm芯片，但已经有不少企业开始了2nm工艺的相关研发。 台积电和三星都已计划好在2025年左右实现2nm制程工艺的量产，而美国和日本
2022-06-30 10:01:392423
24232nm芯片技术成功了吗
。 成功是指IBM确确实实已经研发出了2nm芯片，还没成功指的是IBM虽然研发出了2nm芯片，但还没有实现量产，并不能真正的投入到生产当中去，并且我国中科院也仅仅只是攻克了两项2nm关键技术而已，还有很多方面的技术需要继续研发。 虽然到现在为止还没有厂商
2022-07-04 10:26:212307
2307IBM已开发出全球首个2nm芯片
IBM宣布已开发出全球首个2nm工艺的半导体芯片,采用三层GAA环绕栅极晶体管技术，首次使用底介电隔离通道，其潜在性能和电池续航能力都将得到巨大的提升。
2022-07-04 12:22:561068
10682nm芯片是真的吗 2nm芯片研究成功意味着什么
台积电完成了3nm工艺，然而早在去年IBM公司就已经宣布研制出了2nm芯片，要知道三星和台积电是全球最顶尖的两家晶圆代工企业，他们都只在今年才进入3nm制程，IBM公司的2nm芯片是真的吗？ IBM公司的2nm芯片是真的，不过IBM成功研制出2nm芯片和三星成功量产
2022-07-07 10:17:583921
3921Intel和SK Hynix提出闪存未来的两项重要进展
TLC是当今使用最广泛的闪存，尽管市场上有每单元4位的芯片。Lee表示，Hynix正在考虑增加层数和每个单元的位数。
2023-03-14 12:27:17340
340SK海力士发布全球首款321层NAND！
SK海力士宣布将首次展示全球首款321层NAND闪存，成为业界首家开发出300层以上NAND闪存的公司。他们展示了321层1Tb TLC 4D NAND闪存的样品，并介绍了开发进展情况。
2023-08-10 16:01:47704
704中兴宣布已成功自研7nm芯片，已拥有芯片设计和开发能力
除了中兴通讯和华为之外，国内还有其他拥有自研芯片设计和开发能力的公司。例如，小米旗下的松果电子于2017年发布了其首款自研芯片澎湃S1。虽然与7nm芯片相比，澎湃S1采用的制造工艺是10nm或14nm，但这一成果仍然显示了松果电子在芯片设计和开发领域的实力。
2023-08-30 17:11:309506
9506联发科台积电3nm天玑旗舰芯片成功流片 或为“天玑9400”
已成功流片。 3NM制程天玑旗舰芯片量产时间预计在2024年，2024年下半年会正式上市。业内估计3NM的MediaTek旗舰芯片型号应该不是今年上市的天玑9300，天玑9300可能采用
2023-09-08 12:36:131373
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