电路原理:
至今单片及混合功率IC几乎都不能获得满意的高频特性。如图3-31所示电路是三洋厚膜IC STK084G的应用图,在20KHZ以内,输出功率50W,失真率仅为0.003%。
电路主要部分已IC化,故外加零件以大电容量电容器为主。如图3-32所示为STK084G内部电路。输入级由VT4及VT5组成的电流镜像电路,把PNP差动放大输出变换为单端输出,同时得到较大的增益,中间级处理大的振幅,也决定放大器转换速率,所以应尽量以大电流驱动,VT8组成的共基极电路消除米勒效应所导致的高频特性恶化。
VT1与VT6为恒流源偏置电路,可以抵制电源变动造成的影响。VT7则为输出三极管提供偏置,消除基极与发射极之间电压V非线性过渡区,还有温度补偿的作用。
元器件选择:
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