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富士igbt模块
- IGBT(242700)
- 富士(22174)
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1472IGBT模块的有关保护问题-IGBT模块散热
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三菱igbt模块资料下载
三菱igbt模块资料
三菱电机第5代IGBT模块和IPM模块应用手册
Mitsubishi ElectricThe 5th Generation IGBT Modules & IPM ModulesApplication Note
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197
197富士IGBT模块2MBI75U4A-120
2MBI75U4A-120 技术参数：• Ic(A),Tc=80℃ 75• Vce(sat),Max(V) 2.05• Ton(us)
2023-01-13 08:57:21
富士IGBT模块2MBI75VA-120-50
2MBI75VA-120-50 技术参数：• Ic(A),Tc=80℃ 75• Vce(sat),Max(V) 1.85• Ton(us) &nb
2023-01-13 08:59:32
富士IGBT模块2MBI100U4A-120
性能概要：•紧凑的封装 目标应用：• 变频电机驱动• AC和DC伺服驱动放大器• 不间断电源• 工业机器，如电焊机声明：各位买家朋友，由于电子产品品种多、季节性很强、流量大，价格浮动也大。买家朋友在购买时请先向卖家咨询确认再下单产品型号参数说明封装形式FZ1200R12HP41200A,1200VIHM 130mmFZ900R12KE4900A,1
2023-01-13 09:02:58
富士IGBT模块2MBI150U4H-120-50
性能概要：• 低损耗：与标准U系列相比，导通切换的损耗降低30%以上。• 易于并联• 更低的电磁噪声 目标应用：• 变频器• 有源滤波设备2MBI150U4H-120-50是IGBT模块
2023-01-13 09:08:42
富士IGBT模块2MBI150VA-120-50
2MBI150VA-120-50技术参数：• Ic(A),Tc=80℃ 150• Vce(sat),Max(V) 1.85• Ton(us) &
2023-01-13 09:10:58
富士IGBT模块2MBI150VB-120-50
2MBI150VB-120-50 技术参数：• Ic(A),Tc=80℃ 150• Vce(sat),Max(V) 1.85• Ton(us) &
2023-01-13 09:13:45
富士IGBT模块2MBI200U4B-120-50
2MBI200U4B-120-50 技术参数：• Ic(A),Tc=80℃ 200• Vce(sat),Max(V) 2.05• Ton(us) &
2023-01-13 09:16:30
富士IGBT模块2MBI200U4H-120-50
2MBI200U4H-120-50 技术参数：• Ic(A),Tc=80℃ 200• Vce(sat),Max(V) 2.05• Ton(us) &
2023-01-13 09:19:02
富士IGBT模块2MBI200VB-120-50
2MBI200VB-120-50 技术参数：• Ic(A),Tc=80℃ 200• Vce(sat),Max(V) 1.75• Ton(us) &
2023-01-13 09:21:36
富士IGBT模块
2MBI100VA-060-50 技术参数：• Ic(A),Tc=80℃ 100• Vce(sat),Max(V) 1.6• Vce(V) &nb
2023-03-23 09:07:26
富士IGBT模块2MBI150VA-060-50
2MBI150VA-060-50 技术参数：• Ic(A),Tc=80℃ 150• Vce(sat),Max(V) 1.6• Vce(V) &n
2023-03-23 09:10:15
富士IGBT模块2MBI200VA-060-50
2MBI200VA-060-50 技术参数：• Ic(A),Tc=80℃ 200• Vce(sat),Max(V) 1.6• Vce(V) &nb
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富士IGBT模块2MBI300VB-060-50
2MBI300VB-060-50 技术参数：• Ic(A),Tc=80℃ :300• Vce(sat),Max(V) :1.6• Vce(V) :600• Ton(us) :0.4• Toff(us) :0.52
2023-03-23 09:17:43
富士IGBT模块2MBI400VB-060-50
2MBI400VB-060-50 技术参数：• Ic(A),Tc=80℃ :400• Vce(sat),Max(V) :1.6• Vce(V) :600• Ton(us) :0.4• Toff(us) :0.52
2023-03-23 09:26:39
富士IGBT模块2MBI400VD-060-50-060
2MBI400VD-060-50-060 技术参数：• Ic(A),Tc=80℃ :400• Vce(sat),Max(V) :1.6• Vce(V) :600• Ton(us) :0.6• Toff(us) :0.8 &nb
2023-03-23 09:28:37
富士IGBT模块2MBI600U2E-060
2MBI600U2E-060 技术参数：• Ic(A),Tc=80℃ :600• Vce(sat),Max(V) :2.45• Vce(V) :600• Ton(us) :1.2• Toff(us) :1.2 &n
2023-03-23 09:34:38
富士IGBT模块2MBI600VD-060-50
2MBI600VD-060-50 技术参数：• Ic(A),Tc=80℃ :600• Vce(sat),Max(V) :1.6• Vce(V) :600• Ton(us) :0.6• Toff(us) :0.8 &
2023-03-23 09:38:33
富士IGBT模块
2MBI600VE-060-50 技术参数：• Ic(A),Tc=80℃ :600• Vce(sat),Max(V) :1.6• Vce(V) :600• Ton(us) :0.4• Toff(us) :0.52
2023-03-23 09:40:29
富士IGBT模块6MBI50VA-060-50
6MBI50VA-060-50 技术参数：• Ic(A),Tc=80℃ 50• Vce(sat),Max(V) 1.6• Ton(us) &nbs
2023-03-23 09:42:56
富士IGBT模块6MBI50VW-60-50
6MBI50VW-60-50 技术参数：• Ic(A),Tc=80℃ 50• Vce(sat),Max(V) 1.6• Ton(us)
2023-03-23 09:54:04
富士IGBT模块
6MBI75VA-060-50 技术参数：• Ic(A),Tc=80℃ 75• Vce(sat),Max(V) 1.6• Ton(us) &nbs
2023-03-23 09:55:56
富士IGBT模块6MBI75VW-60-50
6MBI75VW-60-50 技术参数：• Ic(A),Tc=80℃ 75• Vce(sat),Max(V) 1.6• Ton(us)
2023-03-23 09:57:23
富士IGBT模块6MBI100VA-060-50
6MBI100VA-060-50 技术参数：• Ic(A),Tc=80℃ 100• Vce(sat),Max(V) 1.6• Ton(us) &n
2023-03-23 10:00:55
富士IGBT模块6MBI100VW-060-50
6MBI100VW-060-50 技术参数：• Ic(A),Tc=80℃ 100• Vce(sat),Max(V) 1.6• Ton(us) &n
2023-03-23 10:06:49
富士IGBT模块6MBI150VB-060-50
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2023-03-23 10:11:09
富士IGBT模块6MBI150VX-060-50
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2023-03-23 10:13:06
富士IGBT应用手册-RCH984中文资料
RCH984富士IGBT模块中文资料说明书：第 1 章构造与特征1. 元件的构造与特征1-22. 富士电机电子设备技术的IGBT.1-33. 通过控制门极阻断过电流.1-54. 限制过电流功能.1-65. 模
2010-07-20 09:14:48426
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富士电机IGBT模块应用手册
本内容提供了富士电机IGBT模块应用手册 1 元件的构造与特性 2 富士电机电子设备技术的IGBT 3 通过控制门极阻断过电流 4 限制过电流功能 5 模块的构造 6 IGBT模块电路构造
2011-04-15 16:25:31264
264富士IGBT模块资料
2012-06-02 14:55:1713
13富士IGBT模块选型手册2012版
2014-04-03 17:16:360
0压接式IGBT模块结温提取方法
压接式绝缘栅极双极性晶体管（ IGBT）模块因优越的电气性能和封装设计，受到柔性直流输电等大功率应用场合的青睐，其模块可靠性也成为大功率应用场合研究的重点，而IGBT模块结温是影响器件可靠性
2018-02-01 10:20:499
9常见IGBT模块及原理分析
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）模块是一种功率半导体器件，它是由多个IGBT芯片、反并联二极管、驱动电路、保护电路等组成的集成模块。IGBT模块通常根据结构、电压、电流、功率等参数进行分类。
2023-02-20 17:32:254882
4882IGBT功率模块的优势
IGBT最常见的形式其实是模块（Module），而不是单管。IGBT模块是由IGBT与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品，具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点。
2023-02-22 15:08:141760
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什么是IGBT模块（IPM Modules）
IGBT模块的起源可以追溯到20世纪80年代，当时日本的电子工程师们致力于克服传统功率器件的局限性，尤其是普通双极晶体管和场效应晶体管（FET）。IGBT模块的出现正是为了综合这两者的优点，以满足
2023-09-12 16:53:531805
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igbt芯片、igbt单管、igbt模块、igbt器件等这些的区别是什么？
igbt芯片、igbt单管、igbt模块、igbt器件等这些的区别是什么？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种高压、高电流功率半导体器件，常被用于
2023-11-10 14:26:281270
1270igbt模块型号及参数 igbt怎么看型号和牌子
。IGBT的应用领域广泛，包括变频器、电机驱动、电力电子设备等。 IGBT模块是指将多个IGBT芯片和驱动电路封装在一个模块内，使得IGBT能够方便地进行安装和维护。IGBT模块通常由IGBT芯片、散热器
2024-01-18 17:31:231082
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