电子常识

关于三极管的工作原理想必大家已经非常熟悉了，三极管是电流控制型器件，通过控制小电流来调节较大电流，它有三个极，发射极，基极，集电极，这些基础知识就不再赘言，今天聊一个大家...

在电路正常工作情况下，TVS二极管应该处于截止状态，即TVS的额定反向关断电压VRM应大于被保护电路的最高工作电压，但是我们有时候会发现在一些电路中TVS二极管所在线路的最大工作电压超过...

“  持续更新 8 年，Github 超过 1k star 的项目。一种使用文本替代原理图的语言。   ” 追踪 skidl 项目很久了，之所以之前没有分享是因为老版本只能支持 KiCad 5.0 符号库的解析，而且生成的网表...

Part 01 前言 上一篇文章我们介绍了MOSFET的体二极管，我们知道了MOSFET体二极管在MOSFET中是广泛存在的，并且MOSFET经过了几十年的工艺革新，在目前应用比较广泛的沟道MOSFET中也没能完全解决这个...

Part 01 前言 与三极管等其他的有源器件相比，MOSFET的不同寻常之处在于其原理图符号会包含一个寄生器件——体二极管。那么是不是所有的MOSFET都会有体二极管吗？这个体二极管它有什么作用呢...

01.前言 电阻器有许多不同的阻值、形状和物理尺寸。色环电阻是一种通过色环标示阻值和误差率的电阻器，广泛用于电子电路中。它们以其直观的标示方式而受欢迎，无需额外的工具就能快速...

Part 01 前言 TVS二极管是一种用于保护电路免受瞬态电压，比如浪涌电压和静电放电损害的器件。我们一般在电源线路、控制线路、通信线路等易受电压尖峰影响的地方放置一个TVS二极管。当外界...

Part 01 前言 为了正确使用继电器，应了解所选继电器的特性，并确认继电器的使用条件是否与产品的实际环境条件相匹配，同时，必须事先充分了解实际使用的继电器的线圈规格、触点规格和环...

本文要点 天线的阻抗匹配技术旨在确保将最大功率传输到天线中，从而使天线元件能够强烈辐射。 天线阻抗匹配是指将天线馈线末端的输入阻抗与馈线的特性阻抗相匹配。 为此通常会使用滤波...

关于TVS二极管的选型，会涉及到一系列的计算，当我们进行TVS瞬态抑制二极管选型时，需要确保它能够有效保护电路免受瞬态电压的损害，同时又需要保证TVS二极管自身不会被瞬态电压给打坏了...

硬件工程师的很多项目是在洞洞板上完成的，但有存在不小心将电源正负极接反的现象，导致很多电子元器件都烧毁，甚至整块板子都废掉，还得再焊接一块，不知道有什么好的办法可以解决？...

电路设计指标 输入电压：±1V的正弦波电压，频率10KHz 输出电压：±2V的正弦波电压，频率10KHz 分析： 输出电压±2V，这意味着运放需要采用双电源供电，我们采用±5V电源为运放供电。...

1.示波器的输入阻抗一般为1MΩ，或者50Ω，有的也有10MΩ。 2.手持式万用表电压档输入阻抗一般为10MΩ，台式万用表例如安捷伦34401A输入阻抗为10MΩ默认，可调为10GΩ，下电不保存（其他型号可见其...

输入电压噪声密度，英文名称是Input Voltage NoiseDensity，这个参数有什么用呢？我们一般会考虑输入失调电流，电源电压，共模电压会在运放输出端产生对应的输出失调电压，如果问你噪声会影响...

如果下面的反相放大电路的放大倍数是100，电阻R3的阻值是100K，环境温度是25℃，噪声带宽是100KHz的话，对应的输出噪声电压有效值为： Vos=40nV*√100KHz*100≈1.27mV 1.27mV的输出失调电压对于一些高...

单脉冲雪崩能量简称是EAS，这一参数是描述MOSFET在雪崩模式下能承受的能量极限的参数，我们一般在电路设计中拿这个参数来评估MOSFET 的瞬态过压耐受能力，进而来评估器件在异常瞬态过压情...

开关电源电路中为何需要串联小电阻，起什么作用，在电源中会见到阻值特别小的电阻，通常是0.5-2.2欧姆，它们分别在不同的位置，起到不同的作用。 在电源输入端会串联一颗2.2欧左右的电...

防反接电路 常见的措施： 1.通过机械结构的设计 让接线端子 正确接入时能匹配上，不正确时 匹配不上 2.通过线的颜色做区分 3.通过电路的设计 防反接电路汇总： 典型电路类型： 1.二极管防反...

因为FOC运算需要用到电机的线电流值和母线电压值，所以ADC采样功能必不可少。但是单片机的IO口输入电压范围是0~3.3V，所以为了保证安全，需要把测量电压保持在这个范围之内。 计算运放电路...

电源输入的反接保护电路，一般有以下两种电路形式： 01 自恢复保险丝 + 二极管 优点：防反接的同时，还防过流。 缺点：1.自恢复保险丝有个0.xV左右的压降，大电流时会发热。 2.高耐压大电流...

MOSFET炸管也有三大原因，电压，电流，温度，比如MOSFET漏源极两端的电压超过了最大极限值，或者MOSFET的漏源极电流超过了最大极限值，或者MOSFET的温度超出了最大结温，这些参数限值我们都可...