本文介绍了在缓冲氧化物腐蚀(BOE)溶液中温度对氮化物和氧化物层腐蚀速率的影响。明确的框架结构和减少的蚀刻时间将提高制造过程的生产率，该方法从图案化氮化硅开始，以研究在BOE工艺之后形成的框架结构
2022-05-05 14:00:50
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随着科技的不断进步，新的半导体材料正在为整个电子行业带来深刻的变革。在这场技术革命的前沿，第三代半导体材料崭露头角。与前两代半导体材料相比，第三代半导体在高温、高压、高频等应用环境中展现出了更为出色的性能。从材料分类的角度来看，第三代半导体材料主要可以分为以下四类。
2023-08-21 09:33:071580 
来源 华西证券编辑：智东西内参作者：吴吉森等随着 5G、IoT 物联网时代的来临，以砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表的化合物半导体市场有望快速崛起。其中，Ga...
2021-08-31 06:32:26
半导体材料可分为单质半导体及化合物半导体两类，前者如硅（Si）、锗(Ge）等所形成的半导体，后者为砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等化合物形成。半导体在过去主要经历了三代变化
2019-05-06 10:04:10
氧化镓是一种新型超宽禁带半导体材料，是被国际普遍关注并认可已开启产业化的第四代半导体材料。与碳化硅、氮化镓等第三代半导体相比，氧化镓的禁带宽度远高于后两者，其禁带宽度达到4.9eV，高于碳化硅
2023-03-15 11:09:59
敏感，据此可以制造各种敏感元件，用于信息转换。 半导体材料的特性参数有禁带宽度、电阻率、载流子迁移率、非平衡载流子寿命和位错密度。禁带宽度由半导体的电子态、原子组态决定，反映组成这种材料的原子中价
2013-01-28 14:58:38
隔着一条禁带，当电子吸收了光的能量从价带跳跃到导带中去时就把光的能量变成了电，而带有电能的电子从导带跳回价带，又可以把电的能量变成光，这时材料禁带的宽度就决定了光电器件的工作波长。 小功率半导体
2016-01-14 15:34:44
宽禁带半导体的介绍
2016-04-18 16:06:50
，从而支持每次充电能续航更远的里程。车载充电器(OBC)和牵引逆变器现在正使用宽禁带(WBG)产品来实现这一目标。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是宽禁带材料，提供下一代功率器件的基础。与硅相比
2018-10-30 08:57:22
市场趋势和更严格的行业标准推动电子产品向更高能效和更紧凑的方向发展。宽禁带产品有出色的性能优势，有助于高频应用实现高能效、高功率密度。安森美半导体作为顶尖的功率器件半导体供应商，除了提供适合全功率
2019-07-31 08:33:30
在所有电力电子应用中，功率密度是关键指标之一，这主要由更高能效和更高开关频率驱动。随着基于硅的技术接近其发展极限，设计工程师现在正寻求宽禁带技术如氮化镓（GaN）来提供方案。
2020-10-28 06:01:23
是什么氮化镓（GaN）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器方面，主要是集成氮化镓MOS管，可适配小型变压器和高功率器件，充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
GaNFast功率半导体建模(氮化镓)
2023-06-19 07:07:27
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半导体在快速充电市场的应用(氮化镓)
2023-06-19 11:00:42
宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅（Si）和第二代化合物半导体砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、磷化铟（InP）等之后迅速发展起来的第三代半导体
2019-06-25 07:41:00
，传统的硅功率器件的效率、开关速度以及最高工作温度已逼近其极限，使得宽禁带半导体氮化镓成为应用于功率管理的理想替代材料。香港科技大学教授陈敬做了全GaN功率集成技术的报告，该技术能够实现智能功率集成
2018-11-05 09:51:35
兼首席执行官John Croteau表示：“本协议是我们引领射频工业向硅上氮化镓技术转化的漫长征程中的一个里程碑。截至今天，MACOM通过化合物半导体小厂改善并验证了硅上氮化镓技术的优势，射频性能和可靠性
2018-02-12 15:11:38
负有盛名。MACOM公司氮化镓产品已经是第四代，且极具价格优势和广阔的应用前景。2017 电子设计创新大会展台现场Demo关于MACOM据悉，MACOM是一家高性能模拟射频、微波和光学半导体产品领域
2017-07-18 16:38:20
同质性范围的化学计量化合物，因此在评估中被视为线化合物。纤锌矿结构被认为是唯一稳定的固体形式。尽管亚稳态闪锌矿结构可以在薄膜中产生并且在高压下预计在 III 族氮化物中会出现 NiAs 型改性，但并未
2021-07-07 10:28:12
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaN 半导体材料与器件手册编号：JFSJ-21-059III族氮化物半导体的光学特性介绍III 族氮化物材料的光学特性显然与光电应用直接相关，但测量光学特性
2021-07-08 13:08:32
解决的问题，以开发适用于 III 族氮化物外延的 GaN 衬底的表面处理。 1. 介绍 单晶体 GaN 衬底是最有希望替代蓝宝石衬底的候选者之一，蓝宝石衬底常用于 III 族氮化物器件，如发光二极管 (LED
2021-07-07 10:26:01
重要材料的湿法腐蚀，即氧化锌、氮化镓和碳化硅。虽然氧化锌很容易在许多酸溶液中蚀刻，包括硝酸/盐酸和氢氟酸/硝酸，在非酸性乙酰丙酮中，第三族氮化物和碳化硅很难湿法蚀刻，通常使用干法蚀刻。已经研究了用于氮化
2021-10-14 11:48:31
大多数 III 族氮化物的加工都是通过干式等离子体蚀刻完成的。 干式蚀刻有几个缺点，包括产生离子诱导损伤 并且难以获得激光所需的光滑蚀刻侧壁。通过干法蚀刻产生的侧壁的粗糙度约为 50 nm，尽管最近
2021-07-07 10:24:07
使用这些纳米线阵列，可以实现宽带光捕获。接触电极，如氧化铟锡 (ITO)、银和铜，对具有不同带隙的半导体纳米线太阳能电池器件的影响，重点是光吸收。虽然传统的导电氧化物材料，如氧化铟锡 (ITO
2021-07-09 10:20:13
的开路条件下被光蚀刻。 介绍近年来，氮化镓和相关氮化物半导体在蓝绿色发光二极管、激光二极管和高温大功率电子器件中的应用备受关注。蚀刻组成材料的有效工艺的可用性因此非常重要。由于第三族氮化物不寻常的化学
2021-10-13 14:43:35
和 6 英寸晶片具有 100 纳米 LPCVD 氮化物层掩蔽材料。晶片在一侧用光刻法进行图案化，然后在工艺流程中通过干法蚀刻氮化物和/或热氧化物层以给出所需的图案略III. 电阻结果与讨论 略IV.
2021-07-19 11:03:23
，主要用于LED等方面。 （3）有机合成物半导体。有机化合物是指含分子中含有碳键的化合物，把有机化合物和碳键垂直，叠加的方式可以构成导带，经过化学的添加，可以让其进入到能带，这样能够发作电导率，从而
2020-03-26 15:40:25
市场趋势和更严格的行业标准推动电子产品向更高能效和更紧凑的方向发展。宽禁带产品有出色的性能优势，有助于高频应用实现高能效、高功率密度。安森美半导体作为顶尖的功率器件半导体供应商，除了提供适合全功率
2020-10-30 08:37:36
，从而支持每次充电能续航更远的里程。车载充电器(OBC)和牵引逆变器现在正使用宽禁带(WBG)产品来实现这一目标。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是宽禁带材料，提供下一代功率器件的基础。与硅相比
2020-10-27 09:33:16
计算中的瓶颈。此外当PBG结构为圆环形时，一般的阶梯近似不足以满足计算精度。针对以上两个问题，本文采用本课题组带有共形网格建模的MPI并行FDTD程序对圆环形PBG结构进行了分析。讨论了单元数目，单元间距，圆孔内径和导带宽度对S参数的影响，最后设计了一种宽禁带圆环形PBG结构。
2019-06-27 07:01:22
”，无疑令三星雪上加霜。 因受市况每况愈下的影响和制约，韩国三星电子的发展面临着巨大的挑战。据最新报导显示，三星电子计划明年将半导体事业的投资ST22I支出砍半，从134亿美元降至70亿美元，提前
2012-09-21 16:53:46
三极管具有什么特性？什么是宽禁带半导体？
2021-06-08 07:09:36
氮化镓(GaN)是一种“宽禁带”(WBG)材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离出来所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以说氮化镓拥有宽禁带特性（WBG）。
硅的禁带宽
2023-06-15 15:53:16
目前，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，宽禁带，以下简称为：WBG）”以及基于新型材料的电力半导体，其研究开发技术备受瞩目。根据日本环保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
1、GaAs半导体材料可以分为元素半导体和化合物半导体两大类，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。砷化镓的电子迁移速率比硅高5.7 倍，非常适合
2019-07-29 07:16:49
，从而支持每次充电能续航更远的里程。车载充电器(OBC)和牵引逆变器现在正使用宽禁带(WBG)产品来实现这一目标。那么具体什么是宽禁带技术呢？
2019-07-31 07:42:54
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
氮化镓，由镓（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
（SiC）和氮化镓（GaN）是功率半导体生产中采用的主要半导体材料。与硅相比，两种材料中较低的本征载流子浓度有助于降低漏电流，从而可以提高半导体工作温度。此外，SiC 的导热性和 GaN 器件中稳定的导通电
2023-02-21 16:01:16
流，但随着5G的到来，砷化镓器件将无法满足在如此高的频率下保持高集成度。[color=rgb(51, 51, 51) !important]于是，GaN成为下一个热点。氮化镓作为一种宽禁带半导体，可承受更高
2019-07-08 04:20:32
功率半导体器件以功率金属氧化物半导体场效应晶体管(功率MOSFET，常简写为功率MOS)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及功率集成电路(power IC，常简写为PIC)为主。
2020-04-07 09:00:54
单芯片互补式金属氧化物半导体（CMOS）传感器有哪几种？它们分别有什么应用以及特点？
2021-06-17 08:54:54
。今天安泰测试就给大家分享一下吉时利源表在宽禁带材料测试的应用方案。一·宽禁带材料介绍宽禁带材料是指禁带宽度大于2.3eV的半导体材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最为常见。随着电子电力的发展，功率器件
2022-01-23 14:15:50
类型包括硅锗双极互补金属氧化物半导体（BiCMOS）和硅锗异质结双极晶体管（SiGe HBTs）。DTRA关注的其他设备类型还包括45纳米绝缘硅（SOI）芯片、氮化镓异质结场效应晶体管（GaAn HFET）功率半导体和其他抗辐射微电子和光子器件，用于当前和未来军事系统，如卫星和导弹。
2012-12-04 19:52:12
本文基于Agilent ADS仿真软件设计实现一款高效GaN宽禁带功率放大器，详细说明设计步骤并对放大器进行了测试，结果表明放大器可以在2．3～2．4 GHz内实现功率15W以上，附加效率超过67％的输出。
2021-04-06 06:56:41
际此万物互联时代的来临，图像传感可说是促进物联网应用的一个重要接口，是万物之“眼”。安森美半导体宽广的成像和像素技术和图像传感器阵容，配以公司在成像领域的经验和专长，实现超越人眼界限的创新
2019-07-25 06:36:49
下一代电源半导体的方案阵容，包括针对汽车功能电子化的宽禁带WBG（碳化硅SiC和氮化镓GaN）、全系列电子保险丝eFuse以减少线束、和免电池的智能无源传感器以在汽车感测/车身应用中增添功能。
2018-10-25 08:53:48
安森美半导体应用于物联网的成像技术和方案分享
2021-05-31 07:07:32
`由电气观察主办的“宽禁带半导体(SiC、GaN)电力电子技术应用交流会”将于7月16日在浙江大学玉泉校区举办。宽禁带半导体电力电子技术的应用、宽禁带半导体电力电子器件的封装、宽禁带电力电子技术
2017-07-11 14:06:55
流，但随着5G的到来，砷化镓器件将无法满足在如此高的频率下保持高集成度。于是，GaN成为下一个热点。氮化镓作为一种宽禁带半导体，可承受更高的工作电压，意味着其功率密度及可工作温度更高，因而具有高功率密度
2019-07-05 04:20:06
氮化镓(GaN)是一种全新的使能技术，可实现更高的效率、显着减小系统尺寸、更轻和于应用中取得硅器件无法实现的性能。那么，为什么关于氮化镓半导体仍然有如此多的误解？事实又是怎样的呢？
关于氮化镓技术
2023-06-25 14:17:47
摘要：介绍了氧化物半导体甲烷气体敏感元件的工作机理，论述了改善氧化物半导体甲烷气敏传感器性能的几种途径。采用加入催化剂、控制材料的微细结构、利用新制备工艺和表面修饰等新方法、新技术可提高氧化物半导体
2018-10-24 14:21:10
一、化合物半导体应用前景广阔，市场规模持续扩大 化合物半导体是由两种及以上元素构成的半导体材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等，作为第二代和第三代半导体的主要代表，因其在高功率
2019-06-13 04:20:24
之一和全球第二大功率分立器件和模块半导体供应商，提供广泛的高能效和高可靠性的系统方案，并采用新型的宽禁带材料如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等进行新产品开发，用于汽车功能电子化和HEV/EV应用。
2019-07-23 07:30:07
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
2019-09-02 07:16:34
由于碳化硅具有不可比拟的优良性能，碳化硅是宽禁带半导体材料的一种，主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管
2020-06-28 17:30:27
`海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等
2019-10-24 14:21:23
泛的宽禁带半导体材料之一，凭借碳化硅（SiC）陶瓷材料自身优异的半导体性能，在各个现代工业领域发挥重要革新作用。是高温、高频、抗辐射、大功率应用场合下极为理想的半导体材料。由于碳化硅功率器件可显著降低
2021-01-12 11:48:45
(SiC)、氮镓(GaN)为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN材料，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs
2017-06-16 10:37:22
半导体制作的器件。半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中
2016-11-27 22:34:51
请问怎么优化宽禁带材料器件的半桥和门驱动器设计？
2021-06-17 06:45:48
半导体材料是一类具有半导体性能（导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内）、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。按种类可以分为元素半导体和化合物半导体两大类
2019-06-27 06:18:41
氮化镓单晶材料生长难度非常大，苏州纳维的2英寸氮化镓名列第一。真正的实现了“中国造”的氮化镓衬底晶片。氮化物半导体的产业发展非常快，同样也是氮化物半导体产业发展不可或缺的要素。
2018-01-30 13:48:017651 本文首先介绍了SiC功率半导体器件技术发展现状及市场前景，其次阐述了SiC功率器件发展中存在的问题，最后介绍了SiC功率半导体器件的突破。
2018-05-28 15:33:5410898 
本文首先介绍了半导体属于什么行业以及半导体是做什么的，其次介绍了半导体行业公司，最后阐述了半导体发展前景，分别从销售额、发展状况以及2018-2023年全球半导体前景预测三个方面详细介绍。
2018-05-31 11:43:22126523 
台积电昨日宣布，与意法半导体合作加速市场采用氮化镓产品。意法半导体预计今年晚些时候将首批样品交给其主要客户。
2020-02-21 15:41:182538 。III族氮化物化合物半导体具有带隙可调的优点，响应波段范围可覆盖可见-紫外波段。GaN紫外传感器具有体积小、灵敏度高、噪声低、抗可见光干扰能力强、功耗低、寿命长等优点。（以下为系列中部分产品）
2020-07-13 10:54:581678 镓（GaN）为代表的第三代半导体产业前景广阔。 全球范围内，氮化镓（GaN）专利申请量排名前四的国家及地区是日本、中国大陆、美国、韩国、中国台湾，其中中国专利量占全球的23%。虽然在专利方面国内有一定有一定
2021-06-01 11:37:087297 第三族氮化物已成为短波长发射器、高温微波晶体管、光电探测器和场发射尖端的通用半导体。这些材料的加工非常重要，因为它们具有异常高的键能。综述了近年来针对这些材料发展起来的湿法刻蚀方法。提出了通过
2022-02-23 16:20:242208 
了解氮化镓
-宽带隙半导体：为什么？
-氮化镓与其他半导体的比较(FOM)
-如何获得高片电荷和高迁移率？
2023-01-15 14:54:25829 氮化镓前景怎么样 氮化镓产业概述 1、产业地位 随着半导体化合物持续发展，相较第一代硅基半导体和第二代砷化镓等半导体，第三代半导体具有高击穿电场、高热导率、高电子迁移率、高工作温度等优点。以SiC
2023-02-03 14:31:18693 氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。
2023-02-03 18:21:212564 生长在c面生长表面上的c面氮化镓基半导体层由于自发极化和压电极化而产生内电场，这降低了辐射复合率。为了防止这样的极化现象，正在进行对非极性或半极性氮化镓基半导体层的研究。
2023-02-05 14:23:451979 
氮化镓（GaN）主要是指一种由人工合成的半导体材料，是第三代半导体材料的典型代表， 研制微电子器件、光电子器件的新型材料。氮化镓技术及产业链已经初步形成，相关器件快速发展。第三代半导体氮化镓产业范围涵盖氮化镓单晶衬底、半导体器件芯片设计、制造、封测以及芯片等主要应用场景。
2023-02-07 09:36:56980 
来源：《半导体芯科技》杂志12/1月刊 近年来，芯片材料、设备以及制程工艺等技术不断突破，在高压、高温、高频应用场景中第三代半导体材质优势逐渐显现。其中，氮化镓凭借着在消费产品快充电源领域的如
2023-02-17 18:13:202222 在材料领域的第一代，第二代， 第三代 并不具有“后一代优于前一代”的说法。国外一般会把氮化镓、碳化硅等材料叫做宽
禁带半导体；把氮化镓、氮化铝、氮化铟和他们的混晶材料成为氮化物半导体、或者把氮化
2023-02-27 14:50:12
5 氮化镓 (GaN) 是一种半导体材料，因其卓越的性能而越来越受欢迎。与传统的硅基半导体不同，GaN 具有更宽的带隙，这使其成为高频和大功率应用的理想选择。
2023-03-03 10:14:39718 郝跃院士长期从事新型宽禁带半导体材料和器件、微纳米半导体器件与高可靠集成电路等方面的科学研究与人才培养。在氮化镓∕碳化硅第三代(宽禁带)半导体功能材料和微波器件、半导体短波长光电材料与器件研究和推广、微纳米CMOS器件可靠性与失效机理研究等方面取得了系统的创新成果。
2023-04-26 10:21:32719 以氮化镓（GaN）为代表的一系列具有纤锌矿结构的氮化物半导体是直接带隙半导体材料，其组成的二元混晶或三元混晶在室温下禁带宽度从0.7 eV到6.28 eV连续可调，是制备蓝绿光波段光电器件的优选材料。
2023-08-04 11:47:57742 
氮化镓是一种无机物质，化学式为GaN，是氮和镓的化合物，是一种具有直接带隙的半导体。自1990年起常用于发光二极管。这种化合物的结构与纤锌矿相似，硬度非常高。氮化镓具有3.4电子伏特的宽能隙，可用
2023-09-13 16:41:45860 氮化镓（GaN）被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代 GaAs、InP 化合物半导体材料之后的第三代半导体材料，今天金誉半导体带大家来简单了解一下，这个材料有什么厉害的地方。
2023-11-03 10:59:12663 
由于其独特的材料特性，III族氮化物半导体广泛应用于电力、高频电子和固态照明等领域。加热的四甲基氢氧化铵(TMAH)和KOH3处理的取向相关蚀刻已经被用于去除III族氮化物材料中干法蚀刻引起的损伤，并缩小垂直结构。
2023-11-30 09:01:58166 
氮化镓半导体和碳化硅半导体是两种主要的宽禁带半导体材料，在诸多方面都有明显的区别。本文将详尽、详实、细致地比较这两种材料的物理特性、制备方法、电学性能以及应用领域等方面的差异。 一、物理特性： 氮化
2023-12-27 14:54:18331 氮化镓半导体芯片（GaN芯片）和传统的硅半导体芯片在组成材料、性能特点、应用领域等方面存在着明显的区别。本文将从这几个方面进行详细介绍。 首先，氮化镓半导体芯片和传统的硅半导体芯片的组成
2023-12-27 14:58:24424 氮化镓半导体并不属于金属材料，它属于半导体材料。为了满足你的要求，我将详细介绍氮化镓半导体的性质、制备方法、应用领域以及未来发展方向等方面的内容。 氮化镓半导体的性质 氮化镓（GaN）是一种
2024-01-10 09:27:32398
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