1.8V断态电压的低容ESD二极管超低电压、低容值的小封装SOD-323的ESD静电二极管DL1821D3该款器件主要用在低压电源上的保护，且DL1821D3具有超低的正向导通电压，能更好的满足客户
2021-12-22 14:22:26
编辑-Z10A10在R-6封装里采用的1个芯片，是一款轴向大电流整流二极管。10A10的浪涌电流Ifsm为600A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。10A10采用
2021-09-08 17:00:59
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二极管特性 封装外形⚫最大结温为 175°C⚫高浪涌电流容量⚫零反向恢复电流⚫零正向恢复电压⚫高频工作⚫开关特性不受温度
2020-03-13 13:42:49
快恢复二极管HFD2020ED（可完全替换D94-02/FML4204S），电压400V，电流20A，快恢复时间短（25ns），开关速度快，高浪涌特性，低开关损耗和电磁干扰，可靠性高。可应用
2020-09-24 16:21:10
STTH30R04快恢复二极管，电压400V，电流30A，TO-220封装，反向恢复时间快，降低开关和导通损耗，快速开关，低反向漏电流，结温高。主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等
2020-09-24 16:18:20
@ 1MHz工作温度-40°C ~ 125°C （TJ）安装类型表面贴装封装/外壳SC-76，SOD-3233K/盘SOD-323封装TVS二极管双向系列：SD03C SD05C SD12C SD15C
2021-07-12 11:22:27
`5 V 15 A 低电容 I/O 保护DL5465ES2 SRV05-4阵列内置齐纳二极管，有助于保护 I/O 引脚免受 ESD 和强浪涌事件的影响集成了轨到轨二极管，并额外内置一个齐纳二极管
2019-11-18 13:51:21
` 本帖最后由 dodo1999 于 2021-2-25 15:33 编辑
5.0SMDJ40CATVS DIODE 40V 64.5V DO214AB 5KW贴片瞬变抑制二极管5.0SMDJ
2021-02-25 15:31:46
功率密度。得益于此，英飞凌率先将40 A 650V IGBT和40 A二极管组合到D2PAK封装中。较之竞争对手的D2PAK封装产品，这个新的产品家族的额定参数高于市场上的所有其他产品，其他组合封装
2018-10-23 16:21:49
逆变器等中高功率领域，可显著的减少电路的损耗，提高电路的工作频率。 关断波形图（650V/10A产品） 650V/1200V碳化硅肖特基二极管选型
2020-09-24 16:22:14
`二极管档，在路测1、3脚是通的。黑表笔接中间，红表笔分别接两边，显示500多的值。三个脚的二极管实质就是两个二极管的组合吧。有共阴极的，有共阳极的。D10LC40从图上看是共阴极的吧。但是1、3脚为什么是连通的？难道是两个二极管的并联？`
2013-11-11 09:10:18
(a)二极管一般符号;(b)发光二极管;(c)热敏二极管;(d)变容二极管;(e)隧道二极管;(f)隐压二极管;(g)双向击穿二极管;(h)双向二极管、交流开关二极管;(i)体效应二极管:(j)磁敏
2012-12-18 10:01:03
下图为MDD品牌1700V/450A的IGBT模块具体测试波形。在关断下管IGBT瞬间，观测上管整流二极管的电流及电压。可以看到，在极管开的时刻二极管开通的时刻，二极管的阳极的电位比阴极要高，峰值大约150V，持续时间为300 400ns ~400ns。 二极管规格书下载：
2021-04-14 15:07:25
采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件7、肖特基二极管，反向耐压值较低40V-50V，通态压降0.3-0.6V，小于
2020-02-08 15:04:50
大电流二极管贴片的封装SMC或DO-214AB的,反向压降1000V以上,电流6A以上,正向压降小于0.5V.哪位大神知道请相告.
2015-06-18 17:41:40
二极管组件由2只或2只以上的二极管组合而成，主要是为了缩小体积和便于安装。 常用的二极管组件有整流桥堆、高压硅堆及二极管排等。 （一）整流桥堆 整流桥堆一般用在全波整流电路中，它又分为全桥
2021-05-25 06:35:33
，新一代MOSFET的通态电压大幅降低（例如，在10A二极管电流下，通态电压为0.45V，而不是0.65V。）；另一方面，由于没有需要充电的体二极管，反向恢复电荷（Qrr）可以忽略不计。新型号可通过
2018-12-06 09:46:29
编辑人：LLMBR1040CT肖特基二极管，ASEMI品牌MBR1040CT型号：MBR1040CT品牌：ASEMI封装：TO-220特性：肖特基二极管★电性参数：10A，40V★芯片材质：SI
2018-09-04 16:58:09
编辑-ZASEMI二极管A7参数：型号：A7二极管最大循环峰值反向电压（VRRM）：1000V最大有效值电压（VRMS）：700V最大直流阻断电压（VDC）：1000V最大平均正向整流电流（I(AV
2022-01-14 17:02:00
ASEMI大功率快恢复二极管DH40-18A电流和耐压是多少？-Z
2021-07-13 14:01:11
`编辑-Z不同类型的二极管有不同的特性参数。选用DH40-18A二极管必须了解以下几个主要参数： DH40-18A参数描述型号：DH40-18A封装：TO-247特性：大功率快恢复二极管电性参数
2021-07-24 13:48:34
)：10uA工作温度：-55~+150℃恢复时间(Trr)：35nS引线数量：2 在电子电路中，将快恢复二极管SFF806A的阳极接高电位端，阴极接低电位端，快恢复二极管就会导通。这种连接方式称为正向偏置。需要
2021-09-01 15:56:11
编辑-Z整流二极管10A10是一种用于将交流电转换为直流电的半导体器件。二极管10A10最重要的特性是它的单向导电性。在电路中，电流只能从二极管的阳极流入，从阴极流出。通常它包含一个带有两个端子
2021-09-23 16:18:28
输出，就算是这样开关电源上的整流管的温度还是很高的。 MBR60100PT参数描述型号：MBR60100PT封装：TO-247/3P特性：肖特基二极管电性参数：60A 100V芯片材质：SI正向电流
2021-11-08 15:33:04
`编辑ZASEMI肖特基二极管MBR60200PT是肖特基二极管中非常常见的型号，TO-247封装，正向整流60A，反向耐压200V，正向压降0.87V，正向峰值浪涌电流500A，反向漏电流为
2021-04-29 16:26:23
`DL0521P0 0603封装ESD保护二极管 DL0521P0 ESD保护二极管具有低RDYN动态电阻和低钳位电压。DL0521P0的额定ESD冲击消散值超过IEC 61000-4-2国际标准中
2021-02-02 10:42:22
和照明电压瞬变，特别是对汽车负载突降保护的应用。DO-218AB封装的TVS二极管，可通过ISO 7637-2 5a/5b及ISO 16750抛负载测试要求并符合AEC-Q101认证标准。专业的被动保护器
2019-08-09 17:18:58
形式。ESD保护二极管封装形式有哪些？您知道多少？目前市场常用的ESD二极管封装形式有：SOD-323封装、SOD-523封装、DFN0603-D封装、DFN1006-2L封装、SOD-323F封装
2020-10-15 17:20:47
和次级保护。三、再选用ESD静电二极管时，更多看的是ESD二极管的的ESD rating (HBM/MM)和IEC61000-4-2的LEVEL，高速的USB和I/O非常重视ESD二极管的C；而选用TVS二极管时，看的是功率和封装形式。静电二极管规格书下载：
2022-05-18 11:23:17
MSTTH60R04/FFH60UP40S3/STTH61W04S快恢复二极管，电流60A，电压400V。在传导正向电流时，都将从阳极和阴极注入大量的载流子，从阳极注入的空穴载流子在基区则以少子
2020-09-24 16:16:02
电荷小，快恢复二极管MUR860D的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压）较高。 MUR860D参数描述型号：MUR860D封装：TO-252特性：贴片快恢复二极管电性参数：8A 600V正向
2021-12-07 16:12:41
)等电子装置追求小型、薄型化的趋势。 该公司利用芯片组件构造及超精密加工技术，推出PIN二极管RN142ZS8A(1.6×0.8×0.3mm)及RN142ZS12A(2.4×0.8×0.3mm)2
2008-11-14 14:32:57
小轻薄，小尺寸，大能量B1D04065E PD快充用碳化硅肖特基二极管。特性：⚫极低反向电流⚫ 无反向恢复电流⚫ 温度无关开关⚫ VF上的正温度系数⚫ 卓越的浪涌电流能力⚫ 低电容电荷优势：⚫基本上
2021-11-06 09:26:20
在内的各种应用中的采用。当前的SiC-SBD产品结构分为耐压为650V与1200V、额定电流为5A～40A的产品，具体因封装而异。其概要如下表所示。另外，ROHM正在开发650V产品可支持达100A
2018-12-04 10:09:17
和1200VSiC二极管系列涵盖2A至40A的额定电流，包括工业专用以及汽车认证的AEC-Q101器件，它们采用表面贴装的DPAKHV（高压）和D²PAK或通孔TO-220AC和TO-247LL（长引线）封装
2020-06-30 16:26:30
所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式
2010-08-17 09:31:20
集成电路的电源轨，从而提供强大的保护功能。 SR70系列瞬态抑制二极管阵列还能够在±30kV电压下安全地吸收高达40A（tP=8/20μs）的反复性ESD放电，且性能不会下降。 与同类竞争
2020-09-23 18:12:40
比如我想用光敏二极管接收650nm的光线，该采用什么类型的光敏二极管呢？最好有型号，封装信息的，这个光敏二极管越小越好！！！
2015-04-29 14:59:32
用7个恒流二极管均压，总会出现其中某一个二极管分的电压格外多，70V的电压每一个二极管端电压应该是10V左右，但是其中一个二极管端电压40V，其他6个二极管端电压才5V，将端电压是40V的二极管拆下来以后，这种现象会转移到旁边的二极管上，二极管没有问题，请问这是什么原因啊，请指教！！
2019-06-19 19:50:01
电子设备和工业设备。目前推出的650V耐压产品包括RGW60TS65CHR（30A）、RGW80TS65CHR（40A）、RGW00TS65CHR（50A）。＜内置SiC二极管的IGBT
2022-07-27 10:27:04
如题。整流二极管的IF=3A,VB>40V，Ir
2021-04-02 13:57:56
参照如下的简单电路在该电路中，D1和D2是不同的二极管，D1的反向漏电流为0.1pA，D2的反向漏电流为5pA，电压V为3V。需要求出两个二极管的电流及电压。 考虑到两个二极管是串联的，所以经过两个
2018-10-09 14:18:09
发光二极管的波长一般为650~700nm，琥珀色发光二极管的波长一般为630~650nm，橙色发光二极管的波长一般为610~630nm摆布，黄色发光二极管的波长一般为585nm摆布，绿色发光二极管的波长一般为
2018-04-03 11:33:11
发光二极管的波长一般为650~700nm，琥珀色发光二极管的波长一般为630~650nm，橙色发光二极管的波长一般为610~630nm摆布，黄色发光二极管的波长一般为585nm摆布，绿色发光二极管的波长一般为
2018-09-07 11:29:24
在看IGBT这一节的时候，提到了加速二极管，新手没看懂，请大神赐教。书上说图中的VD2是加速二极管。
2015-01-08 15:10:57
（16A400V）只能做一下几种封装：TO-220的铁封和塑封、TO-252。Type封装所属分类MUR1640FCTITO-220AB快恢复二极管MUR1640CTTO-220AB快恢复二极管
2016-12-14 11:45:54
1.典型back电路（1）二极管的选用：可选用快恢复二极管、肖特基二极管，不适用硅二极管（如1N4007）的原因：1KHZ以上时，不能正常进行半波整流，会反相导通。常用为SS14,SS34,SS54
2021-12-28 07:03:10
稳压二极管1）DO-41封装：1N4728A-Z1330A、1N5919B-1N5956B;2）SMA/DO-214AC封装：SMA4728A-SZ1330A、SMA5919B-SMA5956B;3
2021-09-27 17:25:16
92-02参数描述型号：D92-02封装：TO-247/3P特性：超快恢复二极管电性参数：20A，200V芯片材质：抗冲击硅芯片正向电流(Io)：20A芯片个数：2正向电压(VF)：0.85V芯片尺寸：110
2021-09-09 16:34:24
泄露电流 高浪涌特性 外延芯片结构 工作结温度175℃ 功耗低，射频干扰和电磁干扰少 600V30A二极管主要参数 600V30A二极管特性曲线 600V30A二极管封装结构
2020-09-24 16:10:01
快恢复二极管HFD15U12SC2可完全替换DSEI12-12A/STTH1512二极管，电流15A，电压1200V，TO-220封装。开关特性好，低反向漏电流，低热阻，低开关损耗，高浪涌特性
2020-09-24 16:00:29
升压等开关电源应用1）如下图是BOOST升压电路，FR154为400V/1.5A快恢复二极管，起到防止电流倒灌作用2）在RCD等钳位吸收回路应用，如下图D1/UF4007与R1、C2组成吸收回路二
2023-02-16 14:56:38
升压等开关电源应用1）如下图是BOOST升压电路，FR154为400V/1.5A快恢复二极管，起到防止电流倒灌作用2）在RCD等钳位吸收回路应用，如下图D1/UF4007与R1、C2组成吸收回路二
2023-02-20 15:22:29
耐压100V大电流（大于80A)的肖特基二极管很贵，也很少(有性价比好的请推荐)。相对来说一个封装里2个40A的管子很好买，能当一个80A的管子用么?大概50Khz开关频率,导通时间小于10%。
2016-01-12 15:21:01
一、肖特基二极管的定义与特点1.什么是肖特基二极管肖特基二极管(肖特基势垒二极管):它是属于一种低功耗、超高速的半导体器件，其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒)。正向导通压降仅0.4V左右。2
2016-04-19 14:24:47
整流二极管M7与A7，都是整流二极管，在电子电路中的应用有哪些区别呢？M7和A7最大的区别在于封装形式，二极管M7封装是SMA/DO-214AC，二极管A7封装是SOD-123FL，M7的体积要比
2022-04-29 11:49:16
整流二极管的工作频率小于3KHz。全密封金属结构封装和塑料封装是整流二极管常见的封装方式，其中正向额定电流在1A以上的整流管采用...
2021-11-16 08:17:29
,150mA,300mW,4nS,3PF,450ma,2AN1二极管5A,f=100KHz2CK100硅开关二极管40V,150mA,300mW,4nS,3PF,450ma,2CK101硅开关二极管
2020-03-16 17:20:18
），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为
2019-06-12 02:34:10
浙江地区回收INFINEON英飞凌IGBT模块收购INFINEON英飞凌IGBT模块长期大量回收IC,三极管,单片机,IGBT模块浙江安徽省回收三菱功率模块,回收英飞凌二极管模块,回收西门康可控硅
2021-02-24 17:06:50
技术参数RoHS：ROHS无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求封装：管件说明：DIODE ULT FAST 1200V 60A TO247标准包装：30类别：分立式导体产品家庭：单二极管/整流器
2019-04-26 10:01:34
、节材、可靠性提高，是高频逆变电路和斩波电路不可缺少的关健配套器件，随着我国***节能政策的进一步落实，快恢复二极管模块必将获得更大的发展。DSEI2x121-02A特征芯片与底板电气绝缘2500V
2019-04-18 18:11:18
`海飞乐技术现货替换DSEI12-12A二极管海飞乐技术15A 1200V二极管可替换DSEI12-12ADSEI12-12A二极管参数制造商:IXYS产品种类:整流器RoHS: 详细信息安装风格
2020-06-29 17:26:18
`海飞乐技术快恢复二极管现货替换DSEI2x61-10B。我国一般快恢复二极管的水平与国际先进水平相差无几。国产器件不但在国内市场占有80%以上的份额，而且还有越来越多的出口。为区别于一般快恢复
2019-04-16 09:37:22
`用于保护VFD/IGBT逆变器的TVS二极管AK3-380C在几乎所有的工业控制系统中，变频器(VFD)/逆变器通常安装在电机的前端，以便调节速度和节约能源。根据不同的输入电压要求，逆变器通常分为
2021-07-23 14:47:02
的最高耐压值，如：G×××150××、××N120x××就分别表示最高耐压值为1．5kV、1．2kV。3．管子型号后缀字母含“D”则表示该管内含阻尼二极管。但未标“D”并不一定是无阻尼二极管，因此在检修
2012-03-22 19:09:22
二极管时，看的是功率和封装形式；在实际应用中，二者通常相辅相成，紧密相连，各自发挥优势，更有效地为电路安全保驾护航！TVS二极管规格书下载：
2020-12-24 14:55:58
二极管时，看的是功率和封装形式；在实际应用中，二者通常相辅相成，紧密相连，各自发挥优势，更有效地为电路安全保驾护航！ESD二极管规格书下载：
2021-12-30 17:52:36
碳化硅肖特基二极管主要特点及产品系列 基本半导体B1D系列碳化硅肖特基二极管主要技术参数如下： 650V、1200V系列B1D碳化硅肖特基二极管电流范围从2-40A，封装涵盖TO-220，TO-252，TO-263，TO-247及其家族群封装，产品列表见下：原作者：基本半导体
2023-02-28 16:55:45
基于基本半导体碳化硅肖特基二极管1D20065K（650V/20A），电流特性（5A、10A、15A）： 硅快速恢复二极管（环境温度25℃） 碳化硅肖特基二极管（环境温度25℃） 硅快恢复二极管在
2023-02-28 16:34:16
稳压二极管的功率一般不是很大。常用稳压二极管包括1W、2W等，其功率由允许温升决定。事实上，它是稳定电压和电流的产物。例如稳压二极管1n4742a，其最大功率仅为1W，其稳压值为12V，因此通过它
2021-12-21 11:16:32
肖特基二极管DSS32 DSS34 DSS36 D36 DSS38DSS310 DFLS230-7肖特基 二极管, Io=1A, Vrev=30V, 2引脚 PowerDI 123封装
2020-11-02 10:14:46
的。肖特基二极管是属于一种低功耗、超高速、反向恢复时间短的二极管，所以肖特基二极管的用途有很多种，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，在通信电路中作整流二极管、小信号检波二极管等使用。一般
2021-07-09 11:45:01
的肖特基二极管有单管型、双管型和三管型等多种封装形式，有 A~19 种管脚引出方式。 3、常用的肖特基二极管 常用的有引线式肖特基二极管，1N5817、1N5819、MBR1045、MBR20200 等
2021-06-30 16:48:53
测试二极管MUR3040PT的数量为40个。测试表格如下序号反向击穿1（V）反向击穿2（V）正向压降1(V)正向压降2(V
2015-08-14 09:53:53
肖特基二极管的额定电流是什么呢？额定电流是肖特基二极管的主要标称值，比如10A /100V的肖特基二极管，10A就是该肖特基二极管的额定电流。通常额定电流的定义是该肖特基二极管所能通过的额定平均电流
2020-09-16 16:04:11
肖特基二极管的额定电流是什么呢？额定电流是肖特基二极管的主要标称值，比如10A /100V的肖特基二极管，10A就是该肖特基二极管的额定电流。通常额定电流的定义是该肖特基二极管所能通过的额定平均电流
2021-07-21 15:26:58
菜鸟一枚，请问下面5V稳压电路中的二极管D2是什么作用？是开关二极管？还是稳压二极管？
2017-06-21 17:39:13
最近在对比研究不同类型二极管，发现有些二极管的反向耐压值一般（VRRM=30V/40/100V）,但也有二极管的VRRM能达到1000V，对此有如下疑问：二极管的反向耐压值具体受什么因素影响呢？工艺
2021-02-09 10:35:14
二极管（H.V.）以及瞬间突波电压吸收二极管（TVS）稳压二极管（ZENER）等各种系列多种封装形式的二极管,并大量生产SMA|SMB|SMC|SOD-123FL|SOD-123|SOD-323系列片
2013-08-02 16:17:14
650V IGBT4的损耗增大引起的RMS模块电流降低的幅度很小。在2kHz至10kHz的开关频率范围内（通用应用的典型范围），其降幅为4%至 9%。图4图4 在600A EconoDUALTM 3 模块中
2018-12-07 10:16:11
在下面的图中（假设二极管为理想二极管,正向导通电阻为0）,为什么二极管D1先导通,请解释得清楚合理些,不要光说V1比V2电压高所以二极管D1先导通,请详细给出个合理好理解的解释.
2016-05-24 11:05:43
请教高手如下电路中二类二极管组合的作用：1. D1~D5这5个二极管的组合，并在二个电路之间，从这些二极管方向看，在任何时候都不会导通，不知起到什么作用？2.图片中部的Q6 BAV199的二个串联
2020-04-08 22:01:04
型号：DH40-18A封装：TO-247特性：大功率快恢复二极管电性参数：40A1800V正向电流(Io)：40A正向电压(VF)：1.38V浪涌电流Ifsm：400A漏电流(Ir)：100uA反向恢复时间（Trr
2021-07-30 14:36:39
摘要新一代CoolMOS™ 650V CFD2技术为具备高性能体二极管的高压功率MOSFET树立了行业新杆标。该晶体管将650V的击穿电压、超低通态电阻、低容性损耗特性与改进反向恢复过程中的体二极管
2018-12-03 13:43:55
SBR40U200CTBQ产品简介DIODES 的 SBR40U200CTBQ 采用坚固的行业标准 TO263AB (D2PAK) 封装，在高温下提供极低的 VF 和出色的反向泄漏稳定性。它们非常
2023-06-16 14:00:57
CoolSiC肖特基二极管650V G6系列是英飞凌不断提高技术和流程的结果，让碳化硅肖特基二极管的设计和开发更具价格优势，性能一代更比一代强。因此，G6是英飞凌最具有性价比的CooSiC肖特基二极管的一代，在同等价格下提供最高能效。
2019-09-24 10:42:52
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D2PAK 中的 N 沟道 40 V 7.6 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN8R0-40BS
2023-03-03 18:49:59
0 D2PAK 中的 N 沟道 40 V 2.9 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN2R8-40BS
2023-03-03 18:50:290 D2PAK 中的 N 沟道 40 V 4.5 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN4R5-40BS
2023-03-03 18:54:460 D2PAK 中的 N 沟道 40 V 2.2 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN2R2-40BS
2023-03-03 18:57:590 D2PAK 中的 N 沟道 40 V 1.3 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN1R1-40BS
2023-03-03 18:59:000 开关电源设计能效和可靠性。 日前发布的新一代 SiC 二极管包括 4A 至 40A 器件，采用 TO-22OAC 2L 和 TO-247AD 3L 插件封装和 D2PAK 2L（TO-263AB 2L）表面贴装封
2023-05-26 03:05:02358 
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