，近日消息，国内比亚迪也已成功研发可用于电动车的SiCMOSFET。 与Si功率器件相比，SiC功率器件的优势在哪里？SiC功率器件的市场空间有多大？前段时间，在2018年ROHM科技展的SiC功率器件研讨会上，ROHM技术专家谢健佳先生表示，未来SiC功率器件在太阳能发电、数据中心服
2018-12-13 11:26:11
9157 碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化镓 (GaN) HEMT 等宽带隙 (WBG) 功率器件的采用目前正在广泛的细分市场中全面推进。在许多情况下，WBG 功率器件正在取代它们的硅对应物，并在
2022-07-29 14:09:53807 
在很宽的范围内实现对器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被认为是有望超越硅极限的功率器件材料。SiC具有多种多型（晶体多晶型），并且每种多型显示不同的物理特性。对于功率器件，4H-SiC被认为是理想的，其单晶4英寸到6英寸之间的晶圆目前已量产。
2022-11-22 09:59:261373 近年来，SiC功率器件的出现大大提升了半导体器件的性能，这对电力电子行业的发展意义重大。据Yole预测，到2023年SiC功率器件市场规模预计将达14亿美元，其主要的市场增长机会在汽车领域，特别是
2019-07-05 11:56:2833343 ROHM的SiC MOSFET被UAES公司的OBC产品采用，与以往的OBC相比，新OBC所在单元的效率提高了1%（效率高达95.7%，功率损耗比以往降低约20%）。
2020-03-18 07:58:001590 ROHM针对这些挑战，于2019年开始开发内置高耐压、低损耗SiC MOSFET的插装型AC/DC转换器IC，并一直致力于开发出能够更大程度地发挥SiC功率半导体性能的IC，在行业中处于先进地位。
2021-06-20 10:58:48961 
ROHM致力于为广泛的应用提供有效的电源解决方案，不仅专注于行业先进的SiC功率元器件，还积极推动Si功率元器件和驱动IC的技术及产品开发。
2021-07-08 16:31:581605 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在我们谈论第三代半导体的时候，常说的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），而氮化镓功率器件最普遍的则是GaN HEMT（高电子
2023-12-27 09:11:361220 全球知名半导体制造商ROHM在慕尼黑上海电子展上展出了ROHM所擅长的模拟电源、以业界领先的SiC（碳化硅）元器件为首的功率元器件、种类繁多的汽车电子产品、以及能够为IoT（物联网）的发展做出贡献
2019-04-12 05:03:38
全球知名半导体制造商ROHM在慕尼黑上海电子展上展出了ROHM所擅长的模拟电源、以业界领先的SiC（碳化硅）元器件为首的功率元器件、种类繁多的汽车电子产品、以及能够为IoT（物联网）的发展做出贡献
2019-07-11 04:17:44
全球知名半导体制造商ROHM在慕尼黑上海电子展上展出了ROHM所擅长的模拟电源、以业界领先的SiC（碳化硅）元器件为首的功率元器件、种类繁多的汽车电子产品、以及能够为IoT（物联网）的发展做出贡献
2019-07-15 04:20:14
使其内置功率器件芯片（IGBT或SiC MOSFET）和功率分流电阻器成为可能，这将有助于主驱逆变器的小型化发展。与PSR350一样，PSR330通过优化材料和制造工序，缩小了产品尺寸，预计将以15W
2023-03-14 16:13:38
实现了具有硅半导体无法得到的突破性特性的碳化硅半导体（SiC半导体）的量产。另外，在传统的硅半导体功率元器件领域，实现了从分立式半导体到IC全覆盖的融合了ROHM综合实力的复合型产品群。下面介绍这些产品中的一部分。
2019-07-08 08:06:01
标准的产品，并与具有高技术标准和高品质要求的供应商合作。在这过程中，ROHM作为ApexMicrotechnology的SiC功率元器件供应商脱颖而出。ROHM的服务和技术支持都非常出色，使得我们能够
2023-03-29 15:06:13
，而且产品还具有薄型尺寸（1U），有助于削减系统的安装面积。＜关于ROHM的SiC功率器件＞ROHM于2010年在全球开始SiC MOSFET的量产以来，作为SiC功率元器件领域的领军企业，一直在推动先进
2023-03-02 14:24:46
尽管自20世纪70年代以来，与器件相关的SiC材料研究一直在进行，但是Baliga在1989年最正式地提出了SiC用于功率器件的前景。Baliga的品质因素是有抱负的材料和器件科学家继续推进SiC
2023-02-27 13:48:12
MOSFET上进行了加速栅极氧化物寿命测试。两个测试结果之间的密切一致证实了SiC MOSFET是可靠的器件，当在T = 175°C和V GS = 25V 下工作时，预计寿命超过100年。点击显示大图图2加速
2019-07-30 15:15:17
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-03-14 06:20:14
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-04-22 06:20:22
”）应用越来越广泛。关于SiC-MOSFET，这里给出了DMOS结构，不过目前ROHM已经开始量产特性更优异的沟槽式结构的SiC-MOSFET。具体情况计划后续进行介绍。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
。本篇到此结束。关于SiC-MOSFET，将会借其他机会再提供数据。（截至2016年10月）关键要点:・ROHM针对SiC-SBD的可靠性，面向标准的半导体元器件，根据标准进行试验与评估。＜ 相关产品信息 ＞SiC-SBDSiC-MOSFET
2018-11-30 11:50:49
电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此导通电阻比MOSFET还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在Turn-off时会产生尾电流，从而造成极大的开关损耗。SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在各种多型体（结晶多系），它们的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最为合适
2019-07-23 04:20:21
具有成本效益的大功率高温半导体器件是应用于微电子技术的基本元件。SiC是宽带隙半导体材料，与Si相比，它在应用中具有诸多优势。由于具有较宽的带隙，SiC器件的工作温度可高达600℃，而Si器件
2018-09-11 16:12:04
前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开发背景和具体优点
2018-11-29 14:35:23
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
与硅相比，SiC有哪些优势？SiC器件与硅器件相比有哪些优越的性能？碳化硅器件的缺点有哪些？
2021-07-12 08:07:35
的方式相存在。 另外，汽车无疑是SiC最大的应用市场，且业内预计到2025年，汽车电子功率器件领域采用SiC技术的占比会超过20%，因此意法半导体、英飞凌、安森美等都在产能扩张、产业整合、技术创新
2022-12-27 15:05:47
众多电子信息系统的性能。已有文献报道采用SiC 功率器件制作了宽带脉冲功率放大器， 并进行了性能测试和环境试验， 证实了SiC 功率器件可靠性较高、环境适应能力较强等特点。
2019-08-12 06:59:10
。我们就SCS3系列的特点、应用范围展望等，采访了负责开发的ROHM株式会社 功率元器件制造部 千贺 景先生。－今年春天ROHM宣布推出SiC-SBD的第三代产品。后面我会问到第三代SiC-SBD的特点
2018-12-03 15:12:02
。SiC半导体的功率元器件SiC-SBD（肖特基势垒二极管）和SiC-MOSFET已于2010年＊1量产出货，SiC的MOSFET和SBD的“全SiC”功率模块也于2012年＊1实现量产。此时，第二代
2018-11-29 14:39:47
第五届"ROHM技术研讨会"计划于苏州、厦门、北京、惠州、合肥5大城市举行。根据各个城市不同的行业发展情况，将围绕"电源"与"SiC（碳化硅） "开展
2018-09-03 13:24:49
半导体的关键特性是能带隙，能带动电子进入导通状态所需的能量。宽带隙（WBG）可以实现更高功率，更高开关速度的晶体管，WBG器件包括氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半导体。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
解决方案、SiC（碳化硅）功率元器件、电源IC开发趋势、EMC/EMI热设计支持、传感器解决方案、功率元器件故障解析等主题，带来6场技术讲座。 相约“2019 ROHM科技展”，共享ROHM最新的产品
2019-09-29 17:42:28
本帖最后由 chxiangdan 于 2018-7-27 17:22 编辑
亲爱的电子发烧友小伙伴们！罗姆作为 SiC 功率元器件的领先企业，自上世纪 90 年代起便着手于 SiC 功率元器件
2018-07-27 17:20:31
失效模式等。项目计划①根据文档，快速认识评估板的电路结构和功能；②准备元器件，相同耐压的Si-MOSFET和业内3家SiC-MOSFET③项目开展，按时间计划实施，④项目调试，优化，比较，分享。预计成果分享项目的开展，实施，结果过程，展示项目结果
2020-04-24 18:09:12
额定电压SiC功率管和高压无源器件完成双相谐振式DC/DC变换器的板级电路的搭建。预期性能指标：输入电压800V，输出电压400V，额定功率3.3kW；开关频率200kHz；满载效率>90%；电压纹波和电流纹波均小于1%。预计成果：分享项目的开展，实施，结果过程，展示项目结果
2020-04-24 18:11:27
项目名称：微电网结构与控制研究试用计划：本人从事电力电子开发与研究已有10年，目前在进行微电网结构与其控制相关项目，我们拥有两电平和多电平并网逆变器，需要将逆变器功率器件全部更换为SiC MOS，以
2020-04-29 18:26:12
项目名称：电池充放电检测设备试用计划：申请理由：现有的充放电设备的功率密度较低，打算使用SiC来提供功率密度。 使用项目：电池充放电检测设备计划：了解并测试demo的驱动，现有产品的的驱动是否适用于
2020-04-24 18:09:35
。想借助发烧友论坛和罗姆P02SCT3040KR-EVK-001 评估板完善该项目的设计，目前风电领域正值国家最后两年的补贴期，发展势头迅猛，也是国产化的前沿阵地，使用SiC器件预计可以解决部分器件性能
2020-04-24 18:03:59
项目名称：全SiC MMC实验平台设计——功率子模块驱动选型试用计划：申请理由本人在电力电子领域有三年多的学习和开发经验，曾设计过基于半桥级联型拓扑的储能系统，通过电力电子装置实现电池单元的间接
2020-04-21 16:02:34
和学习，现申请此开发板。项目名称:基于碳化硅功率器件的永磁同步电机先进驱动技术研究计划：研究碳化硅功率器件的开关行为；研究碳化硅功率器件热阻抗特性；研究碳化硅功率器件在永磁同步电机伺服控制系统中的驱动技术。预计成果：以上研究及测试总结报告
2020-04-21 16:04:04
元件来适应略微增加的开关频率，但由于无功能量循环而增加传导损耗［2］。因此，开关模式电源一直是向更高效率和高功率密度设计演进的关键驱动力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半导体器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
功率模块具体是什么样的产品，都有哪些机型。之后计划依次介绍其特点、性能、应用案例和使用方法。何谓全SiC功率模块ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全
2018-11-27 16:38:04
ROHM为参战2017年12月2日开幕的电动汽车全球顶级赛事“FIAFormula E锦标赛2017-2018（第4赛季）”的文图瑞Formula E车队提供全SiC功率模块。ROHM在上个赛季（第
2018-12-04 10:24:29
全SiC功率模块与现有的功率模块相比具有SiC与生俱来的优异性能。本文将对开关损耗进行介绍，开关损耗也可以说是传统功率模块所要解决的重大课题。全SiC功率模块的开关损耗全SiC功率模块与现有
2018-11-27 16:37:30
ROHM一直专注于功率元器件的开发。最近推出并已投入量产的“SCT2H12NZ”，是实现1700V高耐压的SiC-MOSFET。是在现有650V与1200V的产品阵容中新增的更高耐压版本。不仅具备
2018-12-04 10:11:25
ROHM努力推进最适合处理高耐压与大电流电路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基势垒二极管）。2010年在日本国内率先开始SiC SBD的量产，目前正在扩充第二代SIC-SBD产品阵容，并推动在
2018-12-04 10:26:52
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
AEC-Q101标准对汽车级离散器件的影响之后，它介绍了ROHM半导体公司的两款符合AEC标准的SiC功率器件，并强调了成功设计必须考虑的关键特性。为电动汽车和混合动力汽车提供动力
2019-08-11 15:46:45
`①未来发展导向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半导体”已逐渐步入大众生活，以大功率低损耗为目的二极管和晶体管等分立（分立半导体）元器件备受瞩目。在科技发展道路上的，“小型化”和“节能化
2017-07-22 14:12:43
) 2019/2020要求的产品，视为满足旧版ERP指令 (EC) No 244/2009，(EC) No 245/2009及 (EU) No 1194/2012的要求。2.新增条款：针对已投放市场的产品
2021-04-02 09:29:09
本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。独有的双沟槽结构SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅电力电子器件研究中最受关注的器件。成果比较突出的就是美国的Cree公司和日本的ROHM公司。在国内虽有几家在持续投入，但还处于开发阶段, 且技术尚不完全成熟。从国内
2019-09-17 09:05:05
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-05-07 06:21:51
SiCMOSFET具有出色的开关特性，但由于其开关过程中电压和电流变化非常大，因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作-前言”中介
2022-09-20 08:00:00
`— —开年了，去把仓库里的元器件拿出来，都盘一盘吧。不论今年是不是过去十年中最差的一年,2019已经在我们面前展开了。本文将尽各方角度为大家展示2019年元器件市场的可能性，您依然可以通过文末暗号
2019-02-25 10:53:53
2019年度末（2020年3月底）将整体MLCC产能提高两成。此外，早在同年6月8日村田曾宣布，计划投资290亿日元兴建一座MLCC新厂，新厂预计于2018年9月动工、2019年12月完工。一下子两个
2018-10-10 16:13:30
着这些电力电子设备的成本和效率。自从二十世纪五十年代真空管被固态器件代替以来，以硅(Si)材料为主的功率半导体器件就一直扮演着重要的角色。功率双极性晶体管及晶闸管的问世，大大减小的电力电子设备的体积重量
2021-03-25 14:09:37
的一种最具有优势的半导体材料.并且具有远大于Si材料的功率器件品质因子。SiC功率器件的研发始于20世纪90年代.目前已成为新型功率半导体器件研究开发的主流。2004年SiC功率MOSFET不仅在高
2017-06-16 10:37:22
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
SiC功率器件的封装技术要点
具有成本效益的大功率高温半导体器件是应用于微电子技术的基本元件。SiC是宽带隙半导体材料，与S
2009-11-19 08:48:432355 【ROHM半导体（上海）有限公司 03月19日上海讯】全球知名半导体制造商ROHM为加强需求日益扩大的二极管等分立元器件产品的生产能力，决定在ROHM旗下的马来西亚制造子公司ROHM ‐ WAKO ELECTRONICS （MALAYSIA）SDN.BHD.（以下简称RWEM）投建新厂房。
2015-03-20 11:35:03889 全球知名半导体制造商ROHM面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器，开发出额定1200V/300A的“全SiC”功率模块“BSM300D12P2E001”。
2015-05-05 14:07:44737 引言SiC功率器件已经成为高效率、高电压及高频率的功率转换应用中Si功率器件的可行替代品。正如预期的优越材料
2018-03-20 11:43:024444 使用SiC的新功率元器件技术
2018-06-26 17:56:005775 本视频介绍了SiC SBD、SiC-MOSFETs、“全SiC”功率模块。ROHM的"全SiC"功率模块具有高速开关、低开关损耗、高速恢复、消除寄生二极管通电导致的原件劣化问题等特点，可用于电机驱动、太阳能发电、转换器等多元化领域。
2018-06-26 17:53:007927 SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。SiC临界击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，热导率是Si的3倍，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:419257 
日刊工业新闻4日报导，Sony计划在长崎县谏早市的现有工厂内兴建使用于智能手机相机等用途的CMOS影像传感器新厂房，预估最快将在2019年末动工、2021年内启用生产。全球智能手机市场虽减速，不过因每台智能机搭载的相机数量增加、加上传感器大尺寸化趋势今后料将持续，也让Sony决议进行增产。
2019-06-05 17:01:243719 随着我国新能源汽车市场的不断扩大，充电桩市场发展前景广阔。SiC材料的功率器件可以实现比Si基功率器件更高的开关频繁，可以提供高功率密度、超小的体积，因此SiC功率器件在充电桩电源模块中的渗透率不断增大。
2019-06-18 17:24:501774 
安森美半导体是功率电子领域的市场领导者之一，在SiC功率器件领域的地位正在迅速攀升。
2019-07-25 08:50:504206 得到的突破性特性的碳化硅半导体（SiC半导体）的量产。另外，在传统的硅半导体功率元器件领域，实现了从分立式半导体到IC全覆盖的融合了ROHM综合实力的复合型产品群。下面介绍这些产品中的一部分。
2020-09-24 10:45:00
0 ROHM于2015年世界上第一家成功地实现了沟槽结构SiC MOSFET的量产，并一直致力于提高SiC功率元器件的性能。
2021-01-07 11:48:121754 的 3 倍，而且在器件制造时可以在较宽的范围内实现必要的 P 型、N 型控制，所以被认为是一种超越 Si 极限的用于制造功率器件的材料。SiC 存在各种多型体（结晶多系），它们的物性值也各不相同。最适合于制造功率器件的是 4H-SiC，现在 4inch～6inch 的单晶晶圆已经实现了量产。
2021-04-20 16:43:0957 罗姆最近在日本筑后市的罗姆阿波罗工厂完成了一座新建筑。该设施旨在提高碳化硅（SiC）功率器件的生产能力。这座创新建筑采用工厂自动化和可再生节能技术，从生态角度看待制造业 Rohm
2022-07-26 17:24:31812 
碳化硅（SiC）被认为是未来功率器件的革命性半导体材料;许多SiC功率器件已成为卓越的替代电源开关技术，特别是在高温或高电场的恶劣环境中。
2022-11-06 18:50:471289 近年来，功率元器件在功率转换应用中发挥着非常重要的作用。在涉及到大功率和高电压的应用产品开发过程中，特别是在预先确保安全性方面，仿真是一种行之有效的方法。 ROHM提供的在线仿真工具“ROHM
2022-11-09 18:36:00463 
碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、动态性能和可靠性的显著优势电子和电气系统。回顾了SiC功率器件发展的挑战和前景
2022-11-11 11:06:141503 近年来，SiC功率器件结构设计和制造工艺日趋完善，已经接近其材料特性决定的理论极限，依靠Si器件继续完善来提高装置与系统性能的潜力十分有限。本文首先介绍了SiC功率半导体器件技术发展现状及市场前景，其次阐述了SiC功率器件发展中存在的问题，最后介绍了SiC功率半导体器件的突破。
2022-11-24 10:05:102020 SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开发背景和具体优点进行介绍。通过将SiC应用到功率元器件上，实现以往Si功率元器件无法实现的低损耗功率转换。不难发现这是SiC使用到功率元器件上的一大理由。
2023-02-09 11:50:19448 
本文就SiC-MOSFET的可靠性进行说明。这里使用的仅仅是ROHM的SiC-MOSFET产品相关的信息和数据。另外，包括MOSFET在内的SiC功率元器件的开发与发展日新月异，如果有不明之处或希望确认现在的产品情况，请点击这里联系我们。
2023-02-08 13:43:21860 
继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇，想让大家了解全SiC功率模块具体是什么样的产品，都有哪些机型。
2023-02-08 13:43:21685 
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2023-02-10 09:41:081333 
业的产值有望超过 60 亿美元。 Yole 表示，EV/混合动力汽车市场将成为 SiC 功率元件的最佳市场，预计超过 70% 的收入将来自该领域。如下图所示，根据 Yole 的预测，除汽车以外，能源、交通、工业、消费者、通信和基础设施等也都将为 SiC 的发展贡献力量。 总结而言，SiC 基器件拥
2023-02-20 17:05:161106 前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开发背景和具体优点进行介绍。
2023-02-22 09:15:30346 
继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文想让大家了解全SiC功率模块具体是什么样的产品，都有哪些机型。之后计划依次介绍其特点、性能、应用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08430 
ROHM的1,200VSiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的这些产品将有助于应用的小型化并提高模块的性能和可靠性。
2023-04-10 09:34:29483 碳化硅（SiC）器件是一种新兴的技术，具有传统硅所缺乏的多种特性。SiC具有比Si更宽的带隙，允许更高的电压阻断，并使其适用于高功率和高电压应用。此外，SiC还具有比Si更低的热阻，这意味着它可以更有效地散热，具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161469 SiC（碳化硅）功率元器件领域的先进企业ROHM Co., Ltd. （以下简称“罗姆”）于2023年6月19日与全球先进驱动技术和电动化解决方案大型制造商纬湃科技（以下简称“Vitesco”）签署
2023-06-20 16:14:54139 范围内控制必要的p型、n型，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在各种多型体（结晶多系），它们的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最为
2023-08-21 17:14:581145 
全球知名半导体制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SiC SBD”)已被成功应用于大功率模拟模块制造商Apex Microtechnology的功率模块
2023-09-14 19:15:14353 已经竣工，并举行了竣工仪式。 RWEM此前主要生产二极管和LED等小信号产品，新厂房建成后计划生产隔离栅极驱动器(模拟IC的重点产品之一)。 隔离栅极驱动器是用来对IGBT和SiC等功率半导体进行合宜驱动的IC，在实现电动汽车和工业设备的节能化及小型化方面发挥着重要作用，预计未来其需求将会进一步
2023-10-18 10:44:34470 
半导体器件，这一计划得到了日本政府的支持。 ROHM和东芝将分别对SiC和Si功率器件进行密集投资，两者将依据对方生产力优势进行互补，有效提高供应能力。 两家公司计划在合作项目上花费3883亿日元（折合人民币约193亿元），其中日本政府可提供最高1294亿日
2023-12-11 13:46:15174 与存储株式会社（"东芝电子设备与存储"）合作生产和增加功率器件产量的计划得到了经济产业省的认可，并将作为支持日本政府实现安全稳定的半导体供应目标的一项措施得到支持。ROHM 公司和东芝电子器件和存储公司将分别在碳化硅（SiC）和硅（Si）功率器件方面加大投资力度，有效
2023-12-26 15:45:38270 
3月5日，据“乐山发布”消息，四川乐山高新区希尔电子功率半导体新项目厂房预计在今年下半年逐步投用，届时企业将新增4个品类的生产线，全部投用后可实现年销售额10亿元。
2024-03-07 09:59:31295 和硅器件相比,SiC器件有着耐高温、击穿电压 大、开关频率高等诸多优点,因而适用于更高工作频 率的功率器件。但这些优点同时也给SiC功率器件的互连封装带来了挑战。
2024-03-07 14:28:43107 
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