恩智浦半导体近日推出54款符合汽车工业标准并采用LFPAK56封装的全新MOSFET——是目前市场上最全的Power-SO8 MOSFET产品组合。恩智浦的LFPAK56 MOSFET具有业界领先的性能和可靠性，与DPAK相比还可节省超过55%的尺寸面积，从而能大幅降低总成本。
2013-03-08 12:41:54
2961 安世半导体推出采用LFPAK56封装的0.57 mΩ产品,籍此扩展市场领先的低RDS(on) MO,同时优化了安全工作区、漏极电流和栅极电荷。
2020-02-26 08:17:001691 半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布首次采用高鲁棒性、高空间利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封装的P沟道MOSFET系列产品。
2020-05-09 11:07:263164 N 沟道 25 V、1.1 mOhm、用于热插拔的 ASFET，在 LFPAK56 中具有增强的 SOA-PSMNR98-25YLE
2023-02-07 19:09:48
0 N 沟道 25 V、0.98 mOhm、用于热插拔的 ASFET，在 LFPAK56 中具有增强的 SOA-PSMNR89-25YLE
2023-02-07 19:10:070 N 沟道 30 V、1.3 mOhm、用于热插拔的 ASFET，在 LFPAK56 中具有增强的 SOA-PSMN1R1-30YLE
2023-02-07 20:23:010 N 沟道 25 V、0.77 mOhm、用于热插拔的 ASFET，在 LFPAK56 中具有增强的 SOA-PSMNR68-25YLE
2023-02-07 20:24:310 采用 LFPAK56 封装的 NextPower 100 V、5.6 mOhm N 沟道 MOSFET-PSMN5R5-100YSF
2023-02-08 18:42:390 双 N 沟道 40 V、4.2 mOhm 标准电平 MOSFET，采用 LFPAK56D（半桥配置）-BUK7V4R2-40H
2023-02-08 19:27:160 采用 NextPower-S3 Schottky-Plus 技术的 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、1.4 mOhm、240 A 标准电平 MOSFET-PSMN1R4-40YSH
2023-02-09 19:25:480 使用增强型 SOA 技术的 LFPAK56 中的单个 N 沟道 60 V、15 mOhm 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y22-60EL
2023-02-09 21:40:340 使用增强型 SOA 技术的 LFPAK56 中的单个 N 沟道 60 V、7.9 mOhm 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y13-60EL
2023-02-09 21:41:400 使用增强型 SOA 技术的 LFPAK56 中的单个 N 沟道 60 V、5.6 mOhm 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y8R8-60EL
2023-02-09 21:43:240 使用增强型 SOA 技术的 LFPAK56 中的单个 N 沟道 60 V、4.5 mOhm 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y7R0-60EL
2023-02-09 21:43:540 采用 LFPAK56 封装的 NextPower 100 V、15.3 mOhm N 沟道 MOSFET-PSMN015-100YSF
2023-02-09 21:54:470 采用 LFPAK56 封装的 NextPower 100 V、11.7 mOhm N 沟道 MOSFET-PSMN012-100YSF
2023-02-09 21:55:000 采用 LFPAK56 封装的 NextPower 100 V、10 mOhm N 沟道 MOSFET-PSMN9R8-100YSF
2023-02-09 21:55:100 采用 LFPAK56 封装的 NextPower 100 V、6.9 mOhm N 沟道 MOSFET-PSMN7R2-100YSF
2023-02-09 21:55:270 采用 LFPAK56 的 NextPower 80 V、4.5 mOhm N 沟道 MOSFET-PSMN4R5-80YSF
2023-02-14 19:20:100 N 沟道 80 V、4.2 mOhm MOSFET，采用增强型 SOA，采用 LFPAK56E-PSMN4R2-80YSE
2023-02-15 19:43:240 采用 LFPAK56E 封装的 NextPower 80 V、3.5 mOhm、150 A、N 沟道 MOSFET-PSMN3R5-80YSF
2023-02-15 19:43:380 双 N 沟道 40 V、4.2 mOhm 标准电平 MOSFET，采用 LFPAK56D（半桥配置）-PSMN4R2-40VSH
2023-02-15 19:53:060 N 沟道 100 V、4.8 mOhm MOSFET，采用增强型 SOA，采用 LFPAK56E-PSMN4R8-100YSE
2023-02-16 20:01:540 采用 LFPAK56E 封装的 NextPower 100 V、4.3 mOhm、120 A、N 沟道 MOSFET-PSMN3R9-100YSF
2023-02-16 20:07:190 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56 中的 N 沟道 25 V、1.75 mOhm、200 A 逻辑电平 MOSFET-PSMN1R7-25YLD
2023-02-16 20:44:510 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56 中的 N 沟道 25 V、2.09 mΩ、179 A 逻辑电平 MOSFET-PSMN2R0-25YLD
2023-02-16 20:45:110 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56 中的 N 沟道 25 V、1.2 mΩ、230 A 逻辑电平 MOSFET-PSMN1R2-25YLD
2023-02-16 20:45:220 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、7.0 mOhm 标准电平 MOSFET-BUK7Y7R0-40H
2023-02-17 19:59:220 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56 中的 N 沟道 25 V、1.0 mΩ、240 A 逻辑电平 MOSFET-PSMN1R0-25YLD
2023-02-17 20:02:200 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、6.5 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y6R5-40H
2023-02-20 18:50:590 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56 中的 N 沟道 30 V、0.82 mΩ、300 A 逻辑电平 MOSFET-PSMNR70-30YLH
2023-02-20 19:23:340 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56 中的 N 沟道 25 V、0.7 mΩ、300 A 逻辑电平 MOSFET-PSMNR60-25YLH
2023-02-20 19:33:110 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、2.1 mΩ、180 A 逻辑电平 MOSFET，使用 NextPower-S3 Schottky-Plus 技术-PSMN2R0-40YLD
2023-02-20 19:34:010 采用 NextPower-S3 Schottky-Plus 技术的 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、2.2 mΩ、180 A 标准电平 MOSFET-PSMN2R2-40YSD
2023-02-20 19:34:180 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、2.6 mΩ、160 A 逻辑电平 MOSFET，使用 NextPower-S3 Schottky-Plus 技术-PSMN2R5-40YLD
2023-02-20 19:38:160 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、1.8 mΩ、200 A 逻辑电平 MOSFET，使用 NextPower-S3 Schottky-Plus 技术-PSMN1R7-40YLD
2023-02-20 19:38:350 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、3.3 mΩ、120 A 逻辑电平 MOSFET，使用 NextPower-S3 Schottky-Plus 技术-PSMN3R2-40YLD
2023-02-20 19:39:220 采用 NextPower-S3 技术的 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、1.4 mΩ、240 A 逻辑电平 MOSFET-PSMN1R4-40YLD
2023-02-20 19:43:150 采用 LFPAK56 封装的 NextPower 100V、10.9mΩ N 沟道 MOSFET-PSMN011-100YSF
2023-02-20 19:50:190 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56 中的 N 沟道 30 V、1.2 mΩ、250 A 逻辑电平 MOSFET-PSMN1R2-30YLD
2023-02-20 20:08:220 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56 中的 N 沟道 30 V、2.0 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN2R0-30YLD
2023-02-21 18:34:140 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、2.4 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y2R4-40H
2023-02-21 18:48:530 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、1.9 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y1R9-40H
2023-02-21 18:49:070 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、1.6 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y1R6-40H
2023-02-21 18:49:250 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、1.4 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7Y1R4-40H
2023-02-21 18:49:370 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、1.3 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y1R3-40H
2023-02-21 18:49:560 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、2.8 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y2R8-40H
2023-02-21 19:25:590 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、3.8 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y3R5-40E
2023-02-21 19:27:370 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、3.5 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7Y3R5-40H
2023-02-21 19:28:000 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、1.7 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7Y1R7-40H
2023-02-21 19:28:180 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、2.0 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7Y2R0-40H
2023-02-21 19:28:280 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、2.5 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7Y2R5-40H
2023-02-21 19:28:460 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、3.0 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7Y3R0-40H
2023-02-21 19:29:010 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、3.0 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y3R0-40E
2023-02-21 19:38:060 LFPAK56 中的 N 沟道 100 V、153 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y153-100E
2023-02-21 19:38:260 LFPAK56 中的 N 沟道 80 V、15 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y14-80E
2023-02-21 19:38:420 LFPAK56 中的 N 沟道 60 V、7.2 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7Y7R2-60E
2023-02-21 19:41:160 LFPAK56 中的 N 沟道 100 V、19 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7Y19-100E
2023-02-21 19:41:370 LFPAK56 中的 N 沟道 60 V、4.8 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y4R8-60E
2023-02-21 19:44:580 LFPAK56 中的 N 沟道 100 V、22 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y22-100E
2023-02-21 19:45:120 LFPAK56 中的 N 沟道 100 V、19 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y19-100E
2023-02-21 19:45:300 LFPAK56 中的 N 沟道 60 V、15 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y15-60E
2023-02-21 19:45:460 LFPAK56 中的 N 沟道 100 V、15 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y15-100E
2023-02-21 19:46:020 LFPAK56 中的 N 沟道 100 V、12 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y12-100E
2023-02-21 19:46:180 LFPAK56 中的 N 沟道 60 V、7.2 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y7R2-60E
2023-02-21 19:54:181 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、3.5 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7Y3R5-40E
2023-02-22 18:40:510 LFPAK56 中的 N 沟道 80 V、10 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN010-80YL
2023-02-22 18:50:380 LFPAK56 中的 N 沟道 100 V、12 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN012-100YL
2023-02-22 18:50:480 LFPAK56 中的 N 沟道 60 V、13 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN013-60YL
2023-02-22 18:51:070 LFPAK56 中的 N 沟道 80 V、14 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN014-80YL
2023-02-22 18:51:220 LFPAK56 中的 N 沟道 100 V、15 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN015-100YL
2023-02-22 18:51:320 LFPAK56 中的 N 沟道 100 V、19 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN019-100YL
2023-02-22 18:51:500 LFPAK56 中的 N 沟道 100 V、21 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN021-100YL
2023-02-22 18:52:060 LFPAK56 中的 N 沟道 80 V、25 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN025-80YL
2023-02-22 18:52:160 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56 中的 N 沟道 25 V、0.85 mΩ、300 A 逻辑电平 MOSFET-PSMN0R9-25YLD
2023-02-22 18:52:290 LFPAK56 中的 N 沟道 60 V、4.1 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN4R1-60YL
2023-02-22 18:53:300 LFPAK56 中的 N 沟道 60 V、5.2 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN5R2-60YL
2023-02-22 18:53:440 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56 中的 N 沟道 25 V、5.69 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN5R4-25YLD
2023-02-22 18:54:570 LFPAK56 中的 N 沟道 60 V、5.6 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN5R6-60YL
2023-02-22 18:55:070 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56 中的 N 沟道 25 V、6.75 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN6R0-25YLD
2023-02-22 18:55:170 LFPAK56 中的 N 沟道 80 V、8 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN8R0-80YL
2023-02-22 18:55:510 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56 中的 N 沟道 30 V、0.87 mΩ、300 A 逻辑电平 MOSFET-PSMN0R9-30YLD
2023-02-22 18:56:120 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56 中的 N 沟道 30 V、1.0 mΩ、300 A 逻辑电平 MOSFET-PSMN1R0-30YLD
2023-02-22 18:56:460 LFPAK56 中的 N 沟道 100 V、37.5 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN038-100YL
2023-02-22 19:05:130 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56 中的 N 沟道 30 V、4.0 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN4R0-30YLD
2023-02-23 18:36:320 LFPAK56 中的 N 沟道 80 V、41 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN041-80YL
2023-02-23 18:39:260 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56 中的 N 沟道 30 V、7.5 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN7R5-30YLD
2023-02-23 18:41:280 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56 中的 N 沟道 30 V、6.1 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN6R1-30YLD
2023-02-23 18:41:450 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56 中的 N 沟道 30 V、6.0 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN6R0-30YLD
2023-02-23 18:42:000 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56 中的 N 沟道 30 V、3.0 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN3R0-30YLD
2023-02-23 18:42:530 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56 中的 N 沟道 30 V、2.4 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN2R4-30YLD
2023-02-23 18:43:080 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56 中的 N 沟道 30 V、1.4 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN1R4-30YLD
2023-02-23 18:43:240 LFPAK56 中的 N 沟道 60 V、7.5 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN7R5-60YL
2023-02-23 18:46:190 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56 中的 N 沟道 25 V、0.72 mΩ、300 A 逻辑电平 MOSFET-PSMN0R7-25YLD
2023-02-23 18:51:320 采用 LFPAK56 封装的 NextPower 100 V、9 mΩ N 沟道 MOSFET-PSMN8R7-100YSF
2023-02-23 18:51:500 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、1.1 mΩ、280 A 逻辑电平 MOSFET，使用 NextPower-S3 Schottky-Plus 技术-PSMN1R0-40YLD
2023-02-23 18:52:090 采用 LFPAK56 封装的 NextPower 100 V、7 mΩ N 沟道 MOSFET-PSMN6R9-100YSF
2023-02-23 18:52:290 电子发烧友网站提供《NextPower 80 V，3.1 mOhm，160 A，N沟道MOSFET LFPAK56包装产品数据表.pdf》资料免费下载
2024-01-03 16:42:000 电子发烧友网站提供《LFPAK56中的N沟道40 V，1.3 mΩ逻辑电平MOSFET BUK9Y1R3-40H数据手册.pdf》资料免费下载
2024-01-26 09:25:320 电子发烧友网站提供《N沟道80 V，3.1 mOhm，标准级MOSFET LFPAK56数据手册.pdf》资料免费下载
2024-01-29 11:15:260
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