引言 化学蚀刻是通过与强化学溶液接触来控制工件材料的溶解。该过程可以应用于任何材料。铜是利用化学腐蚀工艺制造微电子元件、微工程结构和精密零件中广泛使用的工程材料之一。在这项研究中,铜在50℃用两种
2021-12-29 13:21:462088 摘要 在印刷和蚀刻生产厚金属膜中的精密图案时,需要对化学蚀刻剂有基本的了解,以实现工艺优化和工艺控制。 为了蚀刻纯铝电路,研究了正磷酸、多磷酸和氯化铁的配方。 研究的目的是确定蚀刻速率和图案定义对正
2022-01-07 15:07:481129 摘要 本文从晶体生长科学的角度回顾了单晶的湿化学蚀刻。起点是有光滑和粗糙的晶体表面。光滑面的动力学是由粗糙面上不存在的成核势垒控制的。因此后者蚀刻速度更快数量级。对金刚石晶体结构的分析表明,晶面
2022-01-25 13:51:111721 为了阐明蚀刻残留物的形成机理,研究了氯/氦-氧、溴化氢/氦-氧和溴化氢/氯等不同气体混合物的影响,我们发现在氧的存在下,蚀刻残留物形成良好,这表明蚀刻残留物是由氧和非挥发性乳化硅化合物的反应
2022-05-06 15:49:501012 引言 正在开发化学下游蚀刻(CDE)工具,作为用于半导体晶片处理的含水酸浴蚀刻的替代物。对CDE的要求包括在接近电中性的环境中获得高蚀刻速率的能力。高蚀刻率是由含NF”和0的混合物的等离子体放电分解
2022-06-29 17:21:423346 蚀刻机理 诸如KOH-、NaOH-或TMAH-溶液的强含水碱性介质蚀刻晶体硅通孔 硅+ 2 OH- + 2 H O 硅(OH) + H 二氧化硅(OH) 2- + 2 H 因为不同晶面的Si原子
2022-07-11 16:07:221344 PCB,电路板,基板上面如何出现电路呢?这就要蚀刻来实现。所谓蚀刻,先在板子外层需保留的铜箔部分,也就是电路的图形部分,在上面预镀一层铅锡抗蚀层,然后用化学方式将其余的铜箔腐蚀掉。铜有两层,一层
2017-02-21 17:44:26
为了在基板上形成功能性的MEMS结构,必须蚀刻先前沉积的薄膜和/或基板本身。通常,蚀刻过程分为两类:浸入化学溶液后材料溶解的湿法蚀刻干蚀刻,其中使用反应性离子或气相蚀刻剂溅射或溶解材料在下文中,我们将简要讨论最流行的湿法和干法蚀刻技术。
2021-01-09 10:17:20
小于0.5%。 (2)整个生产流程不许擦花铝基面:铝基面经手触摸,或经某种化学药品都会产生表面变色、发黑,这都是绝对不可接受的,重新打磨铝基面客户有的也不接受,所以全流程不碰伤、不触及铝基面是生产铝
2018-08-04 17:53:45
的热量并且提高利用率,那么这种材料的应用潜力就会被加倍。 研究人员的这项发明看起来有点不可思议,当这种铝基粉末与水混合之后,水面会开始冒泡,然后开始出现水解过程,而铝在这个过程中作为一种催化剂,催化
2017-08-14 10:33:58
铝壳电动机就是用压铸铝的外壳替换传统的铸铁外壳的电动机。由于铝材的延展性能好、比重小。铝壳电机具有外形美观、体积小、重量轻、结构简单、维修方便、生产过程比较环保、生产效率高,便于运输等优点,从而深受
2021-01-29 06:09:00
可按下式计算:排放量=(分析值-规定值)/分析值 *总体积式中:排放量-从蚀刻槽中排出废液的体积(l)分析值-由化学分析得出的铜含量(g/l)规定值-配方中规定的铜含量(g/l)总体积-蚀刻槽中蚀刻液
2018-02-09 09:26:59
,通过光化学法,网印图形转移或电镀图形抗蚀层,然后蚀刻掉非图形部分的铜箔或采用机械方式去除不需要部分而制成印制电路板PCB。而减成法中主要有雕刻法和蚀刻法两种。雕刻法是用机械加工方法除去不需要的铜箔,在单
2018-09-21 16:45:08
一、蚀刻液的选择 蚀刻液的选择是非常重要的,它所以重要是因为它在印制电路板制造工艺中直接影响高密度细导线图像的精度和质量。当然蚀刻液的蚀刻特性要受到诸多因素的影响,有物理、化学及机械方面的。现
2018-09-11 15:19:38
PCB印制电路中影响蚀刻液特性的因素一、蚀刻液的选择 蚀刻液的选择是非常重要的,它所以重要是因为它在印制电路板制造工艺中直接影响高密度细导线图像的精度和质量。当然蚀刻液的蚀刻特性要受到诸多因素
2013-10-31 10:52:34
PCB印制电路中影响蚀刻液特性的因素有哪些
2021-04-25 06:45:00
工艺,可以参阅内层制作工艺中的蚀刻。目前,锡或铅锡是最常用的抗蚀层,用在氨性蚀刻剂的蚀刻工艺中.氨性蚀刻剂是普遍使用的化工药液,与锡或铅锡不发生任何化学反应。氨性蚀刻剂主要是指氨水/氯化氨蚀刻液。此外
2018-11-26 16:58:50
使用的化工药液,与锡或铅锡不发生任何化学反应。氨性蚀刻剂主要是指氨水/氯化氨蚀刻液。此外,在市场上还可以买到氨水/硫酸氨蚀刻药液。 以硫酸盐为基的蚀刻药液,使用后,其中的铜可以用电解的方法分离出来
2018-09-13 15:46:18
使用化学溶液去除材料。在 CMOS 制造中,湿法工艺用于清洁晶片和去除薄膜。湿法清洁过程在整个工艺流程中重复多次。一些清洁过程旨在去除微粒,而另一些则是去除有机和/或无机表面污染物。湿蚀刻剂可以是各向同性
2021-07-06 09:32:40
书籍:《炬丰科技-半导体工艺》文章:GaN、ZnO和SiC的湿法化学蚀刻编号:JFKJ-21-830作者:炬丰科技摘要宽带隙半导体具有许多特性,使其对高功率、高温器件应用具有吸引力。本文综述了三种
2021-10-14 11:48:31
各向异性(晶体)化学蚀刻是半导体器件的基础工艺技术,其中小平面和小平面定义的几何形状决定了器件的特性。例子是:(1)具有原子级光滑面的光学设备(波导、激光器)减少损失(2)MEMS,其中几何形状可以通过
2021-07-08 13:09:52
。这个蚀刻步骤可以产生光滑的晶体表面,并且可以通过改变第一步骤的方向、化学试剂和温度来选择特定的蚀刻平面。GaN晶体的湿化学蚀刻是一个非常重要的工艺。清洗效果的好坏极大地影响了芯片的特性。性能可靠、功能
2021-07-07 10:24:07
,非常需要寻找可能更适合器件制造的其他蚀刻剂。2. 蚀刻率研究在我们的研究中,我们使用通过低压金属有机化学气相沉积在半绝缘、Cr 掺杂、取向的 GaAs 衬底上生长的 InGaP 层。AsH3、PH3
2021-07-09 10:23:37
的,并且在光刻胶显影步骤后验证了附着力。没有参考文献提到在湿蚀刻过程中使用预涂层处理来提高附着力,也没有观察到对湿蚀刻轮廓的影响,这通常归因于蚀刻剂的 GaAs 晶体结构和特性。 背景: 流程变更 对我们
2021-07-06 09:39:22
书籍:《炬丰科技-半导体工艺》文章:微镜角度依赖性与蚀刻剂选择编号:JFKJ-21-047作者:炬丰科技网址:http://www.wetsemi.com/index.html抽象的:在为微光学创建
2021-07-19 11:03:23
的 Au 膜的 SEM 图像。金属辅助化学蚀刻:为了进行 MacEtch,将带有 Au 图案的 Si 晶片浸入乙醇、HF(49 wt%)和 H2O2(30 wt%)的 1:1:1 (v/v) 混合物中 5
2021-07-06 09:33:58
工艺中的蚀刻。目前,锡或铅锡是最常用的抗蚀层,用在氨性蚀刻剂的蚀刻工艺中.氨性蚀刻剂是普遍使用的化工药液,与锡或铅锡不发生任何化学反应。氨性蚀刻剂主要是指氨水/氯化氨蚀刻液。此外,在市场上还可以买到氨水
2018-04-05 19:27:39
青睐的刻蚀剂是氟化铵和醋酸1:2的混合水溶液。氮化硅湿法刻蚀对于钝化层,另外一种受青睐的化合物是氮化硅。可以用液体化学的方法来刻蚀,但是不想其他层那样容易。使用的化学品是热磷酸。因酸液在此温度下会迅速
2018-12-21 13:49:20
的铜箔,厚铜箔的蚀刻加工需要工程设计线宽补偿,否则,蚀刻後线宽就会超差。 2、铝基板的铝基面在PCB加工过程中必须事先用保护膜给予保护,否则,一些化学药品会浸蚀铝基面,导致外观受损。且保护膜极易被碰伤
2018-06-21 11:50:47
制冷剂有R12. R22. R134a. R152a. R600a. h-01. RH. H. R404. R401. R152a和R22混合制冷剂.常用制冷剂有R12. R22. R134a.
2011-01-14 10:41:32
)的特性制冷剂的分类 氟哩昂的特性制冷剂的要求 热力学的要求在大气压力下,制冷剂的蒸发温度(沸点)ts要低。这是一个很重要的性能指标。ts愈低,则不仅可以制取较低的温度,而且还可以在一定的蒸发温度to下
2011-02-21 15:51:57
进行喷淋蚀刻精细线路过程中沟道内流体分析。通过分析沟道内侧壁,底部流体的相对速度,可以得到沟道内各部位扩散层的相对厚度。最后获得的扩散层相对厚度决定了各个部位蚀刻反应的相对速度。 在精细印制电路制作
2018-09-10 15:56:56
喷洒在板子的表面。它把新鲜的溶液喷洒在板子上,具有很高的蚀刻速率。下列因素决定了蚀刻的均匀程度: 1 )喷洒样式、力量、喷洒量的一致性和排放的位置; 2) 蚀刻剂的化学性能、泵的压力、喷嘴的外形
2018-09-11 15:27:47
压滤母液用于生产碱性蚀刻液;其余废水经金属铝屑置换去除铜离子,进行蒸发浓缩生产混合铵盐。另将三氯化铁蚀刻废液投铁提铜后通入氯气并蒸发浓缩,生成三氯化铁回用于线路板蚀刻。 二、关键技术 硫酸铜、碱性蚀刻
2018-11-26 16:49:52
)光致抗蚀剂:用光化学方法获得的,能抵抗住某种蚀刻液或电镀溶液浸蚀 的感光材料。 2)正性光致抗蚀剂:光照射部分分解(或软化),曝光显影之后,能把生产用照相底版上透 明的部分从板面上除去。3)负性光致抗
2010-03-09 16:22:39
在印制电路加工中﹐氨性蚀刻是一个较为精细和覆杂的化学反应过程,却又是一项易于进行的工作。只要工艺上达至调通﹐就可以进行连续性的生产, 但关键是开机以后就必需保持连续的工作状态﹐不适宜断断续续地生产
2017-06-23 16:01:38
`分析原理 CleverChem380全自动间断化学分析仪将比色分析法自动化的一种分析测试手段,完全模拟人工比色法,将样品、试剂和显色剂加入比色皿中产生颜色反应,待测物浓度与反应液最终颜色深浅
2015-09-21 14:45:25
做,可以有较低的成本及较短的生产时间。化学镀工艺最大特色是,只需利用一系列的氧化还原反应,将镍金/镍钯金选择性的成长在铝垫上,完全不需要经过高真空溅镀/黄光工艺/蚀刻工艺,因此成本可降低,生产时间也可
2021-06-26 13:45:06
分析化学本书是与武汉大学分析化学考研室主编的《分析化学》(第四版)教材配套使用的教学辅导书,参照原书的内容,各章按五个板块设计。通过学习与训练,帮助读者正确理解分析化学的基本概念,掌握题解的方法
2008-12-01 13:45:01
是半导体制造,微机械和微流控设备中的重要过程,需要微尺度的特征来优化性能或创建层流态,这在宏观上几乎是不可能获得的。由于能够通过改变蚀刻剂浓度和蚀刻时间来轻松控制z轴蚀刻,因此常用于分层应用。缺点包括许多化学废物,其中许多是高酸性和多步过程。
2021-01-08 10:15:01
湿法蚀刻工艺的原理是使用化学溶液将固体材料转化为液体化合物。选择性非常高,因为所用化学药品可以非常精确地适应各个薄膜。对于大多数解决方案,选择性大于100:1。
2021-01-08 10:12:57
燃料电池是直接将化学能转化为电能的发电装置,是清洁、高效的新能源。燃料电池催化剂是燃料电池的重要组成部分,它在很大程度上影响燃料电池的性能。氧电极催化剂的催化活性直接影响到电池的过电位、交换电流
2011-03-11 12:46:10
电解合成的;铝、钠等轻金属的冶炼,铜、锌等的精炼也都用的是电解法;②机械工业:要用电镀、电抛光、电泳涂漆等来完成部件的表面精整;③环境保护:用电渗析的方法除去氰离子、铬离子等污染物;④化学电源;⑤金属
2017-10-16 10:06:07
碳粉上的Pt和Pt-CeO2催化剂对四种醇的电化学氧化具有较高的活性。而Pt-CeO2/C催化剂与Pt/C催化剂相比表现了更好的活性和更强的抗毒化能力。
2011-03-11 12:31:25
大量涉及蚀刻面的质量问题都集中在上板面被蚀刻的部分,而这些问题来自于蚀刻剂所产生的胶状板结物的影响。对这一点的了解是十分重要的, 因胶状板结物堆积在铜表面上。一方面会影响喷射力,另一方面会阻档了
2017-06-24 11:56:41
产生干净无腐蚀的芯片表面。检测范围:常规塑封器件的开帽分析包括铜线开封。检测内容:1.芯片开封(正面/背面);2.IC蚀刻,塑封体去除。
2021-12-08 17:06:31
工艺中.氨性蚀刻剂是普遍使用的化工药液,与锡或铅锡不发生任何化学反应。氨性蚀刻剂主要是指氨水/氯化氨蚀刻液。 此外,在市场上还可以买到氨水/硫酸氨蚀刻药液。以硫酸盐为基的蚀刻药液,使用后,其中的铜
2018-09-19 15:39:21
。③ 电化学稳定性 在负极中处于锂的负电势下不被还原,在正极中发生过充电等有氧产生的情况下不发生氧化。伴随充放电过程,锂在活性物质中的嵌入-脱出引起活性物质的膨胀-收缩,要求黏结剂对此能够起到缓冲作用
2013-05-16 10:35:02
采用RCC与化学蚀刻法制作高密度互连印制板 &
2006-04-16 21:23:491075 PCB化学镍金及OSP工艺步骤和特性分析
本文主要对PCB表面处理工艺中两种最常用制程:化学镍金及OSP工艺步骤和特向进行分析。
2009-11-17 13:59:582170 PCB印制电路中影响蚀刻液特性的因素
一、蚀刻液的选择
蚀刻液的选择是非常重要的,它所以重要是因为它在印制电
2009-11-18 08:56:461166 PCB蚀刻技术通常所指蚀刻也称光化学蚀刻,指通过曝光制版、显影后,将要蚀刻区域的保护膜去除,在蚀刻时接触化学溶液,达到溶解腐蚀的作用。
2017-04-21 17:08:275086 蚀刻液的种类:不同的蚀刻液化学组分不同,其蚀刻速率就不同,蚀刻系数也不同。例如:酸性氯化铜蚀刻液的蚀刻系数通常为3,碱性氯化铜蚀刻液的蚀刻系数可达到4。近来的研究表明,以硝酸为基础的蚀刻系统可以做到几乎没有侧蚀,达到蚀刻的线条侧壁接近垂直。这种蚀刻系统正有待于开发。
2018-10-12 11:27:366336 蚀刻(etching)是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。蚀刻技术可以分为湿蚀刻(wet etching)和干蚀刻(dry etching)两类。它可通过曝光制版、显影后,将要蚀刻区域的保护膜去除,在蚀刻时接触化学溶液,达到溶解腐蚀的作用,形成凹凸或者镂空成型的效果。
2019-04-24 15:52:5729780 通常所指蚀刻也称腐蚀或光化学蚀刻(photochemicaletching),指通过曝光制版、显影后,将要蚀刻区域的保护膜去除,在蚀刻时接触化学溶液,达到溶解腐蚀的作用,形成凹凸或者镂空成型的效果。
2019-04-25 15:41:3614173 蚀刻法是用蚀刻液将导电线路以外的铜箔去除掉的方法,雕刻法是用雕刻机将导电线路以外的铜箔去除掉的方法,前者是化学方法,较常见,后者是物理方法。
2019-05-17 11:13:2122179 蚀刻指通过曝光制版、显影后,将要蚀刻区域的保护摸去处,在蚀刻时接触化学溶液,达到溶解腐蚀的作用,形成凹凸或者镂空成型的效果。最早可用来制造铜版、锌版等印刷凹凸版。蚀刻机可以分为化学蚀刻机及电解蚀刻机两类。
2019-06-26 16:02:4820207 PCB,电路板,基板上面如何出现电路呢?这就要蚀刻来实现。所谓蚀刻,先在板子外层需保留的铜箔部分,也就是电路的图形部分,在上面预镀一层铅锡抗蚀层,然后用化学方式将其余的铜箔腐蚀掉。铜有两层,一层需要
2020-03-08 14:45:214248 ,锡铅为抗蚀剂。 二、蚀刻反应基本原理 1.酸性氯化铜蚀刻液 ①.特性 -蚀刻速度容易控制,蚀刻液在稳定状态下能达到高的蚀刻质量 -蚀铜量大 -蚀刻液易再生和回收 ②.主要反应原理 蚀刻过程中,Cu2+有氧化性,将板面铜氧化成Cu+:Cu+CuCl2→2CuC
2020-12-11 11:40:587462 蚀刻:将覆铜箔板表面由化学药水蚀刻去除不需要的铜导体,留下铜导体形成线路图形,这种减去法工艺是当前印制电路板加工的主流
2021-01-06 14:32:018529 1、 PCB蚀刻介绍 蚀刻是使用化学反应而移除多余材料的技术。PCB线路板生产加工对蚀刻质量的基本要求就是能够将除抗蚀层下面以外的所有铜层完全去除干净,仅此而已。在PCB制造过程中,如果要精确地
2021-04-12 13:48:0031019 分析化学小型化的一个方便的起点是使用单c:晶体硅作为起始材料,微加工作为使技术,湿化学蚀刻作为关键的微加工工具。在本文中,我们回顾了硅微加工,并描述了形成可能用于化学分析应用的通道、柱和其他几何图案
2021-12-22 17:29:021095 的光学特性。样品的全反射系数低于未经处理的硅太阳能电池。硅太阳能电池的整体效率取决于所选的银离子浓度制备条件和湿法蚀刻时间。太阳能电池的纹理化表面显示出效率的提高,电路光电流高于没有纹理化的参考硅太阳能电池。给出了
2022-01-04 17:15:35633 光增强电化学(PEC)湿蚀刻也被证明用于氮化镓。PEC蚀刻具有设备成本相对较低、表面损伤较低的优点,但尚未找到一种生产光滑的垂直侧壁的方法。氮化镓的裂切面也有报道,在蓝宝石基质上生长的氮化
2022-01-17 15:38:05942 引言 我们华林科纳研究了KOH基溶液中AIN的湿式化学蚀刻与蚀刻温度和材料质量的关系。这两种材料的蚀刻速率都随着蚀刻温度的增加而增加,从20~80°C不等。通过在1100°C下快速热退火,提高了反应
2022-01-17 16:21:48324 介绍 本文通过详细的动力学研究,阐明了在富含HF的高频/HNO3混合物中对硅的湿式化学蚀刻的机理。蚀刻实验后,我们进行进行了化学分析并研究了蚀刻速率与温度、蚀刻剂的硅含量利用率和搅拌速度的函数关系
2022-01-24 15:41:131340 索引术语:氮化镓,蚀刻 摘要 本文介绍了我们华林科纳的一种利用氢氧化钾溶液和大面积汞灯照明对氮化镓进行光增强湿法化学刻蚀的工艺。讨论了n+氮化镓、非有意掺杂氮化镓和p-氮化镓样品的结果。 介绍 光电化学
2022-02-07 14:35:421479 摘要 综述了半导体各向异性蚀刻的表面化学和电化学。描述了对碱性溶液中硅的各向异性化学蚀刻和 n 型半导体中各向异性孔的电化学蚀刻的最新见解。强调了电流效应在开路蚀刻中的可能作用。 介绍 由于简单
2022-03-03 14:16:37905 HF对基片进行了研究,主要分为随机蚀刻和周期性蚀刻。 我们讨论了蚀刻的问题机理、蚀刻速率、硬掩膜材料、周期性光俘获结构。
2022-03-08 11:52:411214 在本文中,我们首次报道了实现硅111和100晶片的晶体蚀刻的酸性溶液。通过使用六氟硅酸(也称为氟硅酸)和硝酸的混合物,获得暴露出各种面外111平面的硅111的晶体蚀刻。本文描述了用于该研究的溶液的化学组成,随后是使用电子和光学显微镜获得的结果。蚀刻的机理,虽然没有完全理解,将在下面的章节中讨论。
2022-03-09 14:35:42460 本文研究了KOH基溶液中AIN的湿式化学蚀刻与蚀刻温度和材料质量的关系。这两种材料的蚀刻速率都随着蚀刻温度的增加而增加,从20~80°C不等。通过在1100°C下快速热退火,提高了反应性溅射制备
2022-03-09 14:37:47431 分析化学小型化的一个方便的起点在于使用单晶硅作为起始材料,微加工作为使能技术,湿化学蚀刻作为关键的微加工工具。在这次可行性研究和学习中都起到了关键作用。
2022-03-11 13:58:08514 利用作为掩模的阳极多孔氧化铝的模式转移,制备了具有100nm周期性自有序结构的孔和柱阵列纳米结构,纳米图案的转移是通过一个涉及硅的局部阳极化和随后的化学蚀刻的组合过程来实现的。利用这一方法,可以通过改变蚀刻条件来制造负图案和正图案。
2022-03-23 11:05:54373 观察到不同的蚀刻特性,当氢氧化钾浓度固定为20 wt%时,在80℃以上的蚀刻温度下观察到U形槽的蚀刻形状,在80℃以下观察到V形槽的蚀刻形状,蚀刻硅表面产生的小丘随着蚀刻剂温度和浓度的增加而减少。
2022-03-25 13:26:342506 本文采用超声增强化学蚀刻技术制备了多孔硅层,利用高频溶液和硝酸技术在p型取向硅中制备了多孔硅层。超声检测发现p型硅多孔硅层的结构,用该方法可以制备质量因子的多孔硅微腔,超声波蚀刻所导致的质量的提高
2022-04-06 13:32:13331 薄晶片已成为各种新型微电子产品的基本需求。 需要更薄的模具来适应更薄的包装。 使用最后的湿蚀刻工艺在背面变薄的晶圆与标准的机械背面磨削相比,应力更小。 硅的各向同性湿蚀刻通常是用硝酸和氢氟酸的混合
2022-04-07 14:46:33751 本研究根据蚀刻条件的变化,对蚀刻特性——蚀刻率和蚀刻系数进行了球面分析,并使用速度、液滴大小、冲击力(PDA)系统分析了喷嘴、喷射压力、线短距离、工质物性值变化时的喷雾特性,并考察了与蚀刻特性的相互关系。
2022-04-07 16:16:39398 引言 硅晶圆作为硅半导体制造的基础材料,是极其重要的,将作为铸锭成长的硅单晶加工成晶圆阶段的切断、研磨、研磨中,晶圆表面会产生加工变质层。为了去除该加工变质层,进行化学蚀刻,在硅晶片的制造工序
2022-04-08 17:02:101682 用氟化氢-氯化氢-氯气混合物进行各向异性酸性蚀刻是一种有效的方法 单晶硅晶片纹理化的替代方法 在晶片表面形成倒金字塔结构[1,2]形貌取决于以下成分 蚀刻混合物[3]硅在HF-HCl[1]Cl2
2022-04-12 14:10:22362 硅晶圆作为硅半导体制造的基础材料,是极其重要的,将作为铸锭成长的硅单晶加工成晶圆阶段的切断、研磨、研磨中,晶圆表面会产生加工变质层。为了去除该加工变质层,进行化学蚀刻,在硅晶片的制造工序中,使共有
2022-04-12 15:28:16943 本研究根据蚀刻条件的变化,对蚀刻特性——蚀刻率和蚀刻系数进行了球面分析,并使用速度、液滴大小、冲击力(PDA)系统分析了喷嘴、喷射压力、线短距离、工质物性值变化时的喷雾特性,并考察了与蚀刻特性的相互关系。
2022-04-14 14:02:00395 本文采用超声增强化学蚀刻技术制备了多孔硅层,利用高频溶液和硝酸技术在p型取向硅中制备了多孔硅层。超声检测发现p型硅多孔硅层的结构,用该方法可以制备质量因子的多孔硅微腔,超声波蚀刻所导致的质量的提高
2022-04-15 10:18:45332 抛光的硅片是通过各种机械和化学工艺制备的。首先,通过切片将单晶硅锭切成圆盘(晶片),然后进行称为研磨的平整过程,该过程包括使用研磨浆擦洗晶片。 在先前的成形过程中引起的机械损伤通过蚀刻是本文的重点。在准备用于器件制造之前,蚀刻之后是各种单元操作,例如抛光和清洁。
2022-04-28 16:32:37670 镀前的表面预处理的效果。氢氟酸中的蚀刻时间在1、3和5分钟变化,以便研究涂层的粘附行为。使用场发射描电子显微镜(FESEM)观察化学镀样品的表面形态,并使用横截面分析测量涂层厚度,结果表明,较长的蚀刻时间
2022-04-29 15:09:06464 剂浓度观察到不同的蚀刻特性,当氢氧化钾浓度固定为20wt%时,在80℃以上的蚀刻温度下观察到U形槽的蚀刻形状,在80℃以下观察到V形槽的蚀刻形状,蚀刻硅表面产生的小丘随着蚀刻剂温度和浓度的增加而减少。 为了了解单晶硅的KOH溶液和K
2022-05-05 16:37:362658 氢氧化钾(KOH)是一种用于各向异性湿法蚀刻技术的碱金属氢氧化物,是用于硅晶片微加工最常用的硅蚀刻化学物质之一。各向异性蚀刻优先侵蚀衬底。也就是说,它们在某些方向上的蚀刻速度比在其他方向上的蚀刻
2022-05-09 15:09:201420 引用 本文介绍了我们华林科纳半导体研究了取向硅在氢氧化钾水溶液中的各向异性腐蚀特性和凸角底切机理。首先,确定控制底切的蚀刻前沿的晶面,并测量它们的蚀刻速率。然后,基于测量数据,检验了凸角补偿技术
2022-06-10 17:03:481114 的逐层秘密。随着制造工艺的变化和半导体结构的变化,这些技术需要在时间和程序上不断调整。虽然有许多工具有助于这些分析,如RIE(反应离子蚀刻-一种干法蚀刻技术)、离子铣削和微切割,但钨的湿法化学蚀刻有时比RIE技术更具重现性。
2022-06-20 16:38:205220 和扫描电子显微镜(SEM)来确定缺陷密度和通孔尺寸。使用光学显微镜、SEM和俄歇电子能谱(AES)完成对蚀刻后去除的分析。通过一系列评估,来自通用化学公司的化学物质被确定为能有效地同时去除光刻胶掩模
2022-06-23 14:26:57516 50纳米,4,5,尽管最近有报道称rms粗糙度低至4–6纳米的表面。6光增强电化学(PEC)湿法蚀刻也已被证明适用于氮化镓(GaN)的蚀刻。7–10 PEC蚀刻具有设备成本相对较低和表面损伤较低的优势
2022-07-12 17:19:243454 在半导体湿法蚀刻中, 热磷酸广泛地用于对氮化硅的去除工艺, 实践中发现温下磷酸对氮化硅蚀刻率很难控制。 从热磷酸在氮化硅湿法蚀刻中的蚀刻原理出发, 我们华林科纳分析了影响蚀刻率的各个因素, 并通过
2022-08-30 16:41:592998 反应性离子蚀刻综合了离子蚀刻和等离子蚀刻的效果:其具有一定的各向异性,而且未与自由基发生化学反应的材料会被蚀刻。首先,蚀刻速率显著增加。通过离子轰击,基材分子会进入激发态,从而更加易于发生反应。
2022-09-19 15:17:553390 本文综述了工程师们使用的典型的湿化学配方。尽可能多的来源已经被用来提供一个蚀刻剂和过程的简明清单
2023-03-17 16:46:232013 金属蚀刻是一种通过化学反应或物理冲击去除金属材料的技术。金属蚀刻技术可分为湿蚀刻和干蚀刻。金属蚀刻由一系列化学过程组成。不同的蚀刻剂对不同的金属材料具有不同的腐蚀特性和强度。
2023-03-20 12:23:433172 大多数iii\-氮化物的蚀刻目前是通过干燥工艺完成的。虽然干蚀刻具有许多理想的特性,包括高蚀刻率和获得垂直壁的能力,但干蚀刻有几个缺点,包括产生离子致损伤和难以获得光滑的蚀刻侧壁,这是激光所需要的。
2023-03-22 10:55:501110 蚀刻液的化学成分的组成:蚀刻液的化学组分不同,其蚀刻速率就不相同,蚀刻系数也不同。如普遍使用的酸性氯化铜蚀刻液的蚀刻系数通常是&;碱性氯化铜蚀刻液系数可达3.5-4。而正处在开发阶段的以硝酸为主的蚀刻液可以达到几乎没有侧蚀问题,蚀刻后的导线侧壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35553 蚀刻设备的结构及不同成分的蚀刻液都会对蚀刻因子或侧蚀度产生影响,或者用乐观的话来说,可以对其进行控制。采用某些添加剂可以降低侧蚀度。这些添加剂的化学成分一般属于商业秘密,各自的研制者是不向外界透露的。至于蚀刻设备的结构问题,后面的章节将专门讨论。
2023-11-14 15:23:10217 目前,大多数III族氮化物的加工都是通过干法等离子体蚀刻完成的。干法蚀刻有几个缺点,包括产生离子诱导损伤和难以获得激光器所需的光滑蚀刻侧壁。干法蚀刻产生的侧壁典型均方根(rms)粗糙度约为50纳米
2023-11-24 14:10:30241
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