摘要 本文主要研究了从接触刻蚀、沟槽刻蚀到一体刻蚀的介质刻蚀工艺中的刻蚀后处理。优化正电子发射断层扫描步骤，不仅可以有效地去除蚀刻过程中在接触通孔的侧壁底部形成的副产物，还可以消除包含特征的蚀刻金属
2021-12-27 14:45:13
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引言 化学蚀刻是通过与强化学溶液接触来控制工件材料的溶解。该过程可以应用于任何材料。铜是利用化学腐蚀工艺制造微电子元件、微工程结构和精密零件中广泛使用的工程材料之一。在这项研究中，铜在50℃用两种
2021-12-29 13:21:462088 
摘要 在印刷和蚀刻生产厚金属膜中的精密图案时，需要对化学蚀刻剂有基本的了解，以实现工艺优化和工艺控制。 为了蚀刻纯铝电路，研究了正磷酸、多磷酸和氯化铁的配方。 研究的目的是确定蚀刻速率和图案定义对正
2022-01-07 15:07:481129 
摘要 我们华林科纳研究了正磷酸、聚磷酸、和铁(III)氯化物蚀刻剂对工艺条件变化的敏感性，以确定该蚀刻剂系统在纯铝电路光刻制造中的潜在生产应用。温度变化、正磷酸浓度、多磷酸浓度的影响。检测了酸浓度
2022-01-07 15:40:121194 
被划分为与晶体表面的不同状态和各种蚀刻机制相对应的部分。蚀刻后的晶体表面的形状与同一溶液中沿同一方向蚀刻的凹槽的轮廓密切相关。 介绍 本文研究（100）砷化镓在硫酸、过氧化氢和水溶液中的化学蚀刻具有重要的技术和科学意义。该解决方案通常用于
2022-01-25 10:32:242215 
摘要 本文从晶体生长科学的角度回顾了单晶的湿化学蚀刻。起点是有光滑和粗糙的晶体表面。光滑面的动力学是由粗糙面上不存在的成核势垒控制的。因此后者蚀刻速度更快数量级。对金刚石晶体结构的分析表明，晶面
2022-01-25 13:51:111721 
在本研究中，我们设计了一个150mm晶片的湿蚀刻槽来防止硅片的背面蚀刻，并演示了优化的工艺配方，使各向异性湿蚀刻的背面没有任何损伤，我们还提出了300mm晶圆处理用湿浴槽的设计，作为一种很有前途的工艺发展。
2022-03-28 11:01:491943 
基本化学成分以Cl2为基础，外加用于侧壁钝化的N2。优化的ICP蚀刻工艺能够产生具有光滑侧壁的高纵横比结构。使用670nm波长的激光进行原位反射监测，以高精度在材料界面停止蚀刻。考虑到在基于GaSb
2022-05-11 14:00:421025 
引言 本研究针对12英寸晶圆厂近期技术开发过程中后端一体化(AIO)蚀刻工艺导致的图案失效缺陷。AIO蚀刻直接限定了沟槽和通孔的形状，然而，包括层间介电膜的沉积、金属硬掩模和湿法清洗的那些先前的工艺
2022-06-01 15:55:467809 
初始屏蔽检查 对蚀刻工艺的良好理解始于理解初始掩模轮廓，无论是光致抗蚀剂还是硬掩模。掩模的重要参数是厚度和侧壁角度。如果可能，对横截面进行SEM检查，以确定适用于您的蚀刻步骤的不同特征尺寸的侧壁角度
2022-06-10 16:09:335071 
在半导体器件制造中，蚀刻指的是从衬底上的薄膜选择性去除材料并通过这种去除在衬底上产生该材料的图案的任何技术，该图案由抗蚀刻工艺的掩模限定，其产生在光刻中有详细描述，一旦掩模就位，可以通过湿法化学或“干法”物理方法对不受掩模保护的材料进行蚀刻，图1显示了这一过程的示意图。
2022-07-06 17:23:522869 
的影响和相互作用。确定的最显著的粘附性改进是在光致抗蚀剂涂覆之前立即结合了天然氧化物蚀刻。除了改善粘附性，这种预涂处理还改变了，使得与未经表面处理的晶片相比，反应限制蚀刻更加各向同性；轮廓中都具有正锥度
2022-07-12 14:01:131365 
的最显著的粘附性改进是在光致抗蚀剂涂覆之前立即结合了天然氧化物蚀刻。除了改善粘附性，这种预涂处理还改变了GaAs，使得与未经表面处理的晶片相比，反应限制蚀刻更加各向同性；轮廓在都具有正锥度方向
2022-07-13 16:55:042263 
他方向上的蚀刻速度快，而各向同性蚀刻(如HF)会向所有方向侵蚀。使用KOH工艺是因为其在制造中的可重复性和均匀性，同时保持了较低的生产成本。异丙醇(IPA)经常添加到溶液中，以改变从{110}壁到{100}壁的选择性，并提高表面光滑度。 氧化物和氮化物
2022-07-14 16:06:062775 
湿法蚀刻工艺的原理是利用化学溶液将固体材料转化为liquid化合物。由于采用了高选择性化学物质可以非常精确地适用于每一部电影。对于大多数解决方案选择性大于100:1。
2022-07-27 15:50:252109 
湿蚀刻是光刻之后的微细加工过程，该过程中使用化学物质去除晶圆层。晶圆，也称为基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料层，以用作电子和微流体设备的基础；最常见的晶圆是由硅或玻璃制成的。湿法刻蚀
2021-01-08 10:15:01
光泽浸渍处理 是一种对金属表面轻微咬蚀，使呈现更平滑光亮者，其槽液湿式处理谓之。 7、Chemical Milling 化学研磨 是以化学湿式槽液方法，对金属材料进行各种程度的腐蚀加工，如表面粗化
2018-08-29 16:29:01
、氢氟酸系、硫酸盐系、硫酸系、碱性氯化铜和酸性氯化铜系。蚀刻开始时，金属板表面被图形保护，其余金属面均和蚀刻液接触，此时蚀刻垂直向深度进行。当金属表面被蚀刻到一定深度后，裸露的两侧出现新的金属面，这时蚀刻液
2017-02-21 17:44:26
能不能通过一些特殊工艺实现出来！
但是绝对不止这个想法，高速先生做出来是为了研究走线在不同表面处理下的高频性能。在同一块板上，保证了板材和走线长度一致，在这个前提下，就能够很好的得到由不同表面处理工艺
2023-12-12 13:35:04
`请问PCB蚀刻工艺质量要求有哪些？`
2020-03-03 15:31:05
就是在洁净的裸铜表面上，以化学的方法长出一层有机皮膜。这层膜具有防氧化，耐热冲击，耐湿性，用以保护铜表面于常态环境中不再继续生锈 (氧化或硫化等);但在后续的焊接高温中，此种保护膜又必须很容易被助焊剂所
2018-11-28 11:08:52
其他表面处理工艺的应用较少，下面来看应用相对较多的电镀镍金和化学镀钯工艺。 电镀镍金是PCB表面处理工艺的鼻祖，自从PCB出现它就出现，以后慢慢演化为其他方式。它是在PCB表面导体先镀上一层镍后再
2018-09-17 17:17:11
) OSP是印刷电路板(PCB)铜箔表面处理的符合RoHS指令要求的一种工艺。 OSP是Organic Solderability Preservatives的简称， 中译为有机保焊膜，又称护铜剂，英文
2019-08-13 04:36:05
上，以化学的方法长出一层有机皮膜。这层膜具有防氧化，耐热冲击，耐湿性，用以保护铜表面于常态环境中不再继续生锈 （氧化或硫化等）；但在后续的焊接高温中，此种保护膜又必须很容易被助焊剂所迅速清除，如此方可
2017-02-08 13:05:30
禁止用铅。于是SMOBC 工艺的表面涂覆变为今天的化学浸银、沉锡、沉Ni/Au 、OSP来代替Pb-Sn 合金。万变不离其宗，这些工艺归根结底都属于图形电镀蚀刻法SMOBC 工艺。
2018-09-21 16:45:08
一、蚀刻液的选择 蚀刻液的选择是非常重要的，它所以重要是因为它在印制电路板制造工艺中直接影响高密度细导线图像的精度和质量。当然蚀刻液的蚀刻特性要受到诸多因素的影响，有物理、化学及机械方面的。现
2018-09-11 15:19:38
改善固体表面润湿程度。所以，要获得最隹的蚀刻质量，就必须加强对基板铜箔表面的清洁处理，改善表面性质使与蚀刻液更好的处在润湿状态。要改善液体的表面张力，还需提高作业温度，温度越高，液体的表面张力就越小，与固体
2013-10-31 10:52:34
）▪化学沉银▪化学沉锡▪无铅喷锡（LFHASL）▪有机保焊膜（OSP）▪电解硬金▪电解可键合软金1、化学镍金（ENIG）ENIG也称为化学镍金工艺，是广泛用于PCB板导体的表面处理。这是一种相对简单
2023-04-19 11:53:15
，可以参阅内层制作工艺中的蚀刻。目前，锡或铅锡是最常用的抗蚀层,用在氨性蚀刻剂的蚀刻工艺中.氨性蚀刻剂是普遍使用的化工药液，与锡或铅锡不发生任何化学反应。氨性蚀刻剂主要是指氨水/氯化氨蚀刻液。此外
2018-11-26 16:58:50
与电路元件混合布设或是使电源和电路合用地线。因为这种布线不仅容易产生干扰，同时在维修时无法将负载断开，到时只能切割部分印制导线，从而损伤印制板。 虽然目前来看，PCB的表面处理工艺方面的变化并不是很大
2018-09-19 15:36:04
方面的变化并不是很大，好像还是比较遥远的事情，但是应该注意到：长期的缓慢变化将会导致巨大的变化。在环保呼声愈来愈高的情况下，PCB的表面处理工艺未来肯定会发生巨变。 表面处理最基本的目的是保证良好的可焊
2018-07-14 14:53:48
目前，印刷电路板（pcb）加工的典型工艺采用“图形电镀法”.即先在板子外层需保留的铜箔部分上，也就是电路的图形部分上预镀一层铅锡抗蚀层，然后用化学方式将其余的铜箔腐蚀掉，称为蚀刻。PCB蚀刻工艺
2018-09-13 15:46:18
使用化学溶液去除材料。在 CMOS 制造中，湿法工艺用于清洁晶片和去除薄膜。湿法清洁过程在整个工艺流程中重复多次。一些清洁过程旨在去除微粒，而另一些则是去除有机和/或无机表面污染物。湿蚀刻剂可以是各向同性
2021-07-06 09:32:40
、CMP、ICP 干蚀刻、亚表面损伤、等离子体诱导损伤 直接比较了 GaN 衬底的表面处理方法，即使用胶体二氧化硅浆料的化学机械抛光 (CMP) 和使用 SiCl4 气体的电感耦合等离子体 (ICP) 干
2021-07-07 10:26:01
的自顶向下 GaN 纳米线制造工艺得到改进，以实现直径低于 50nm 的特征。提出了 SPE 制造的初始工艺，并引入了电化学蚀刻设置以扩大处理能力和应用。这些新工艺的初步实验显示出有希望的结果。如有侵权，请联系作者删除`
2021-07-08 13:11:24
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaN、ZnO和SiC的湿法化学蚀刻编号：JFKJ-21-830作者：炬丰科技摘要宽带隙半导体具有许多特性，使其对高功率、高温器件应用具有吸引力。本文综述了三种
2021-10-14 11:48:31
各向异性（晶体）化学蚀刻是半导体器件的基础工艺技术，其中小平面和小平面定义的几何形状决定了器件的特性。例子是：（1）具有原子级光滑面的光学设备（波导、激光器）减少损失（2）MEMS，其中几何形状可以通过
2021-07-08 13:09:52
。这个蚀刻步骤可以产生光滑的晶体表面，并且可以通过改变第一步骤的方向、化学试剂和温度来选择特定的蚀刻平面。GaN晶体的湿化学蚀刻是一个非常重要的工艺。清洗效果的好坏极大地影响了芯片的特性。性能可靠、功能
2021-07-07 10:24:07
kJ/摩尔)。这是一个相对较高的值，这是蚀刻工艺的典型值，其速率受化学反应本身的限制，而不是受反应产物的溶解或反应物质向蚀刻表面扩散的限制。类似地，使用光学显微镜观察到的蚀刻表面的光滑度表明蚀刻
2021-07-09 10:23:37
阳极偏压光照下，在氢氧化钾、硫酸和盐酸溶液中的腐蚀速率测量结果。这项研究的目的是了解在这些不同的环境下，氮化镓蚀刻的动力学和机制。蚀刻后半导体表面的表面分析提供了关于蚀刻过程的附加信息。 实验 蚀刻
2021-10-13 14:43:35
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：光刻前 GaAs 表面处理以改善湿化学蚀刻过程中的光刻胶附着力和改善湿蚀刻轮廓[/td][td]编号：JFSJ-21-0作者：炬丰科技网址：http
2021-07-06 09:39:22
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：半导体行业的湿化学分析——总览编号：JFSJ-21-075作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html对液体和溶液进行
2021-07-09 11:30:18
，干法蚀刻制备的氮化镓（GaN）侧壁通常具有较大的粗糙度和蚀刻损伤，这会导致由于表面非辐射复合导致的光学散射和载流子注入损失引起的镜面损失。详细研究了干法蚀刻形成的GaN侧壁面的湿化学抛光工艺，以去除蚀刻
2021-07-09 10:21:36
镜面硅结构时，表面的平滑度和蚀刻速率是关键参数。我们展示了一种从单晶硅创建 45° 和 90° 蚀刻平面的方法，用作微流体装置中的逆反射侧壁。该技术使用相同的光刻图案方向，但使用两种不同的蚀刻剂。用
2021-07-19 11:03:23
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：硅纳米柱与金属辅助化学蚀刻的比较编号：JFSJ-21-015作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:33:58
中的蚀刻。目前，锡或铅锡是最常用的抗蚀层,用在氨性蚀刻剂的蚀刻工艺中.氨性蚀刻剂是普遍使用的化工药液，与锡或铅锡不发生任何化学反应。氨性蚀刻剂主要是指氨水/氯化氨蚀刻液。此外，在市场上还可以买到氨水
2018-04-05 19:27:39
分的喷射力就会降低而不能有效地将蚀刻表面上的旧溶液冲掉使新溶液与其接触。在喷淋面的边缘处,这种情况尤为突出,其喷射力比垂直喷射要小得多。这项研究发现﹐最新的设计参数是65磅/平方英寸(即4+Bar
2017-06-23 16:01:38
的PCB，而且通过多次回流焊、清洗和存储后表面层还可以焊接。对于ICT而言，HASL也提供了焊料自动覆盖测试焊盘和过孔的工艺。然而，与现有的替代方法相比，HASL表面的平整性或者同面性很差。现在出现了一些无
2008-06-18 10:01:53
连接点上形成一层与基体的机械、物理和化学性能不同的表层的工艺方法，表面处理的目的是保证PCB良好的可焊性和电气性能。通俗来说就是，我们知道PCB本身的导体是铜，但是铜这个金属如果长期暴露在空气中的话
2022-04-26 10:10:27
现在有许多PCB表面处理工艺，常见的是热风整平、有机涂覆、化学镀镍/浸金、浸银和浸锡这五种工艺，下面将逐一介绍。
2021-04-23 06:26:30
改善。是绝佳高CP值选择的MOSFET正面金属化工艺。接下来，将深入介绍化学镀工艺如何进行。 一、化学镀工艺最重要的起始点-前处理(一)铝垫的清洗和蚀刻 前处理主要是在进行铝垫的清洗和蚀刻，将铝垫表面的
2021-06-26 13:45:06
湿法蚀刻工艺的原理是使用化学溶液将固体材料转化为液体化合物。选择性非常高，因为所用化学药品可以非常精确地适应各个薄膜。对于大多数解决方案，选择性大于100：1。
2021-01-08 10:12:57
方面的变化并不是很大，好像还是比较遥远的事情，但是应该注意到：长期的缓慢变化将会导致巨大的变化。在环保呼声愈来愈高的情况下，PCB的表面处理工艺未来肯定会发生巨变。 表面处理最基本的目的是保证良好的可焊
2018-08-18 21:48:12
：铜表面无氧化、铜表面被均匀粗化、铜表面具有严格的平整性，还要铜表面无水迹。这种效果增强了湿膜与铜箔表面的结合力，以满足后续工序工艺的要求。刷板后的铜箔表面状态直接影响PCB的成品率。 2．丝网印刷
2018-08-29 10:20:48
先在板子外层需保留的铜箔部分上，也就是电路的图形部分上预镀一层铅锡抗蚀层，然后用化学方式将其余的铜箔腐蚀掉,称为蚀刻。 一.蚀刻的种类 要注意的是，蚀刻时的板子上面有两层铜。在外层蚀刻工艺中仅仅有
2018-09-19 15:39:21
`求助铝合金表面镀化学镍处理焊接不良问题:1. 焊接后表面发黑2. 焊接润湿性不良化学镍厚度25um, 该产品焊接两次,一次在孔内焊接PIN, 发现表明发黑; 二次焊接一个感应器及铝合金基座, 润湿不良, 请各位帮忙指导!`
2014-10-14 13:13:22
超细线蚀刻工艺技术介绍
目前，集成度呈越来越高的趋势，许多公司纷纷开始SOC技术，但SOC并不能解决所有系统集成的问题，因
2010-03-30 16:43:081181 焊垫表面处理(OSP,化学镍金)
2017-01-28 21:32:49
0 印刷线路板从光板到显出线路图形的过程是一个比较复杂的物理和化学反应的过程，本文就对其最后的一步--蚀刻进行解析。目前,印刷电路板(PCB)加工的典型工艺采用"图形电镀法"。即先在板子外层需保留的铜箔部分上，也就是电路的图形部分上预镀一层铅锡抗蚀层，然后用化学方式将其余的铜箔腐蚀掉,称为蚀刻。
2017-12-26 08:57:1628238 本文首先介绍了PCB蚀刻工艺原理和蚀刻工艺品质要求及控制要点，其次介绍了PCB蚀刻工艺制程管控参数及蚀刻工艺品质确认，最后阐述了PCB蚀刻工艺流程详解，具体的跟随小编一起来了解一下吧。
2018-05-07 09:09:0940479 印刷线路板从光板到显出线路图形的过程是一个比较复杂的物理和化学反应的过程，本文就对其最后的一步--蚀刻进行解析。目前，印刷电路板（PCB）加工的典型工艺采用“图形电镀法”。即先在板子外层需保留的铜箔部分上，也就是电路的图形部分上预镀一层铅锡抗蚀层，然后用化学方式将其余的铜箔腐蚀掉，称为蚀刻。
2019-08-16 11:31:004647 在印制板外层电路的加工工艺中，还有另外一种方法，就是用感光膜代替金属镀层做抗蚀层。这种方法非常近似于内层蚀刻工艺，可以参阅内层制作工艺中的蚀刻。目前，锡或铅锡是最常用的抗蚀层,用在氨性蚀刻剂的蚀刻工艺
2019-07-10 15:11:352710 
要注意的是，这时的板子上面有两层铜。在外层蚀刻工艺中仅仅有一层铜是必须被全部蚀刻掉的，其余的将形成最终所需要的电路。这种类型的图形电镀，其特点是镀铜层仅存在于铅锡抗蚀层的下面。另外一种工艺方法是整个
2019-07-08 14:51:342432 
PCB板蚀刻工艺用传统的化学蚀刻过程腐蚀未被保护的区域。有点像是挖沟，是一种可行但低效的方法。在蚀刻过程中也分正片工艺和负片工艺之分，正片工艺使用固定的锡保护线路，负片工艺则是使用干膜或者湿膜来保护线路。用传统的蚀刻方法到线或焊盘的边缘是畸形的。
2020-07-12 10:26:563060 石英是振动陀螺仪的理想材料。我们研究了热处理和化学后处理对熔融石英表面质量改善的影响。我们的研究包括高频蚀刻、氢氧化钾蚀刻、RCA-1表面处理的影响，这些在熔融石英玻璃陀螺仪的制造中很常见，以及
2021-12-16 17:41:141211 
)、(TMAH)、NaOH等，但KOH与TMAH相比，平整度更好，并且只对硅的 100 表面做出反应，因此Fig。如1所示，具有54.74的各向异性蚀刻特性，毒性小。使用KOH的硅各向异性湿式蚀刻在压力传感器、加速度计、光学传感器等整体MEMS装置结构形成等中使用。 实验 KOH硅湿法蚀刻工艺 工艺
2021-12-23 09:55:35484 
在含HF/HNO 3的溶液中进行酸性蚀刻来实现。酸性溶液各向同性地蚀刻多晶硅晶片，即在所有晶体取向上产生圆形纹理。然而，酸性蚀刻工艺难以控制，并且化学废物的处理昂贵。 为了克服这种对环境有害的酸性蚀刻工艺，同时保持mc-Si晶片
2022-01-13 14:47:19624 
光增强电化学（PEC）湿蚀刻也被证明用于氮化镓。PEC蚀刻具有设备成本相对较低、表面损伤较低的优点，但尚未找到一种生产光滑的垂直侧壁的方法。氮化镓的裂切面也有报道，在蓝宝石基质上生长的氮化
2022-01-17 15:38:05942 
引言 我们华林科纳研究了KOH基溶液中AIN的湿式化学蚀刻与蚀刻温度和材料质量的关系。这两种材料的蚀刻速率都随着蚀刻温度的增加而增加，从20~80°C不等。通过在1100°C下快速热退火，提高了反应
2022-01-17 16:21:48324 
在薄膜硅太阳能电池中的光收集。AZO薄膜通过脉冲直流磁控溅射沉积在石灰玻璃片上。利用稀释的盐酸（盐酸）和氢氟酸(HF)进行两步蚀刻工艺，研究了几种AZO纹理化方法。所开发的纹理程序结合了盐酸盐诱导的坑的优点和高频蚀刻产生的更小、锯齿状但横向更均
2022-01-20 13:54:59289 
湿法蚀刻工艺已经广泛用于生产各种应用的微元件。这些过程简单易操作。选择合适的化学溶液(即蚀刻剂)是湿法蚀刻工艺中最重要的因素。它影响蚀刻速率和表面光洁度。铜及其合金是各种工业，特别是电子工业的重要
2022-01-20 16:02:241862 
，表面的Ga-As键断裂，元素砷留在砷化镓表面。此外，用盐酸+2-丙醇溶液蚀刻时可以观察到吸附的2-丙醇分子，但用氨水溶液蚀刻时没有检测到吸附的水分子。 介绍 湿式化学蚀刻工艺在器件制造中已被广泛应用。半导体/电解质界面上发生的过程
2022-01-24 15:07:301071 
基于HC1的蚀刻剂被广泛应用于InP半导体器件，HC1溶液中其他酸的存在对蚀刻速率有显著影响，然而，InP并不溶在涉及简单氧化剂的传统蚀刻剂中，为了解决溶解机理的问题，我们江苏华林科纳研究了p-InP在不同HC1溶液中的刻蚀作用和电化学反应。
2022-02-09 10:54:58727 
本文对单晶石英局部等离子体化学刻蚀工艺的主要工艺参数进行了优化。在射频(射频，13.56兆赫)放电激励下，在CF4和H2的气体混合物中进行蚀刻。采用田口矩阵法的科学实验设计来检验腔室压力、射频发生器
2022-02-17 15:25:421804 
的氧化镍未完全去除造成的。这项研究对这些多余金属缺陷的成分进行了分类和确定，评估了推荐的去除氧化镍的湿蚀刻方法，最后提出了一种湿蚀刻工艺，该工艺将快速去除缺陷，同时继续保持所需的半各向异性蚀刻轮廓，这是大多数金属
2022-02-28 14:59:351780 
摘要 综述了半导体各向异性蚀刻的表面化学和电化学。描述了对碱性溶液中硅的各向异性化学蚀刻和 n 型半导体中各向异性孔的电化学蚀刻的最新见解。强调了电流效应在开路蚀刻中的可能作用。 介绍 由于简单
2022-03-03 14:16:37905 
我们开发了一种改进的各向异性湿法蚀刻工艺，通过在晶片上使用单个蚀刻掩模来制造各种硅微结构，这些微结构具有圆形凹角和尖锐凸角、用于芯片隔离的凹槽、蜿蜒的微流体通道、具有弯曲V形凹槽的台面结构以及具有
2022-03-14 10:51:42581 
硅是微电子学和微细力学中最常用的衬底材料。它不仅可用作无源衬底，也可用作电子或机械元件的有源材料。如本章所述，所需的图案也可以通过湿化学蚀刻方法来实现。
2022-03-23 14:17:161812 
本文章将对表面组织工艺优化进行研究，多晶硅晶片表面组织化工艺主要分为干法和湿法，其中利用酸或碱性溶液的湿法蚀刻工艺在时间和成本上都比较优秀，主要适用于太阳能电池量产工艺。本研究在多晶晶片表面组织化工艺
2022-03-25 16:33:49516 
为了能够使用基于 GaAs 的器件作为化学传感器，它们的表面必须进行化学改性。GaAs 表面上液相中分子的可重复吸附需要受控的蚀刻程序。应用了几种分析方法，包括衰减全反射和多重内反射模式 (ATR
2022-03-31 14:57:03729 
薄晶片已成为各种新型微电子产品的基本需求。 需要更薄的模具来适应更薄的包装。 使用最后的湿蚀刻工艺在背面变薄的晶圆与标准的机械背面磨削相比，应力更小。 硅的各向同性湿蚀刻通常是用硝酸和氢氟酸的混合物
2022-04-07 14:46:33751 
旋转轴的多片晶片在蚀刻溶液中旋转，通过化学反应进行蚀刻的表面处理。在化学处理之后，晶片的平坦度，因此为了控制作为旋转圆板的晶圆周边的蚀刻溶液的流动，实际上进行了各种改进。例如图1所示的同轴旋转的多个圆板的配置为基础，旋转圆板和静止圆板交替配置等。
2022-04-12 15:28:16943 
的各向同性湿法蚀刻条件相比，由于非常高的各向异性，反应离子蚀刻工艺能够实现更好的蚀刻尺寸控制。尽管如此，当使用敏感材料(即栅极氧化物[1])或当尺寸放宽时，使用光敏抗蚀剂的湿法图案化仍然是参考工艺。本文研究了整个湿法腐蚀过程中抗蚀剂保护的完整性。给出了确保这种保护的一些提示，以及评估这种保护的相关新方法。
2022-04-22 14:04:19591 
抛光的硅片是通过各种机械和化学工艺制备的。首先，通过切片将单晶硅锭切成圆盘(晶片)，然后进行称为研磨的平整过程，该过程包括使用研磨浆擦洗晶片。 在先前的成形过程中引起的机械损伤通过蚀刻是本文的重点。在准备用于器件制造之前，蚀刻之后是各种单元操作，例如抛光和清洁。
2022-04-28 16:32:37670 
金属涂层，如铜膜，可以很容易地沉积在半导体材料上，如硅晶片，而无需使无电镀工艺进行预先的表面预处理。然而，铜膜的粘附性可能非常弱，并且容易剥离。在本研究中，研究了在氢氟酸溶液中蚀刻作为硅晶片化学
2022-04-29 15:09:06464 
硅微腔。由超声波蚀刻引起的质量提高可归因于氢气泡和其它蚀刻化学物质从多孔硅柱表面逃逸的速率增加。该效应归因于自由空穴载流子浓度的有效变化。超声波已导致表明可能在键合结构的变化，并增加氧化。此外，在超声波处理和微观结构之间建
2022-05-10 15:43:25941 
通过使用多级等离子体蚀刻实验设计、用于蚀刻后光致抗蚀剂去除的替代方法，以及开发自动蚀刻后遮盖物去除顺序；一种可再现的基板通孔处理方法被集成到大批量GaAs制造中。对于等离子体蚀刻部分，使用光学显微镜
2022-06-23 14:26:57516 
50纳米，4，5，尽管最近有报道称rms粗糙度低至4–6纳米的表面。6光增强电化学(PEC)湿法蚀刻也已被证明适用于氮化镓(GaN)的蚀刻。7–10 PEC蚀刻具有设备成本相对较低和表面损伤较低的优势
2022-07-12 17:19:243454 
蚀刻工艺 蚀刻过程分类
2022-08-08 16:35:34736 
薄晶片已成为各种新型微电子产品的基本需求。更薄的模具需要装进更薄的包装中。与标准的机械背磨相比，在背面使用最终的湿法蚀刻工艺而变薄的晶片的应力更小。
2022-08-26 09:21:362363 
金属蚀刻是一种通过化学反应或物理冲击去除金属材料的技术。金属蚀刻技术可分为湿蚀刻和干蚀刻。金属蚀刻由一系列化学过程组成。不同的蚀刻剂对不同的金属材料具有不同的腐蚀特性和强度。
2023-03-20 12:23:433172 印刷线路板从光板到显出线路图形的过程是一个比较复杂的物理和化学反应的过程，本文就对其最后的一步--蚀刻进行解析。目前,印刷电路板(PCB)加工的典型工艺采用"图形电镀法"。即先在
2023-03-29 10:04:07887 蚀刻可能是湿制程阶段最复杂的工艺，因为有很多因素会影响蚀刻速率。如果不保持这些因素的稳定，蚀刻率就会变化，因而影响产品质量。如果希望利用一种自动化方法来维护蚀刻化学，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31576 
纳米片工艺流程中最关键的蚀刻步骤包括虚拟栅极蚀刻、各向异性柱蚀刻、各向同性间隔蚀刻和通道释放步骤。通过硅和 SiGe 交替层的剖面蚀刻是各向异性的，并使用氟化化学。优化内部间隔蚀刻（压痕）和通道释放步骤，以极低的硅损失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 
关键词：氢能源技术材料，耐高温耐酸碱耐湿胶带，高分子材料，高端胶粘剂引言：蚀刻(etching)是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。蚀刻技术可以分为湿蚀刻(wetetching)和干蚀刻
2023-03-16 10:30:163505 
PCB蚀刻工艺中的“水池效应”现象，通常发生在顶部，这种现象会导致大尺寸PCB整个板面具有不同的蚀刻质量。
2023-08-10 18:25:431014 一站式PCBA智造厂家今天为大家讲讲pcb打样蚀刻工艺注意事项有哪些?PCB打样蚀刻工艺注意事项。PCB打样中，在铜箔部分预镀一层铅锡防腐层，保留在板外层，即电路的图形部分，然后是其余的铜箔被化学方法腐蚀，称为蚀刻。
2023-09-18 11:06:30671 GaN及相关合金可用于制造蓝色/绿色/紫外线发射器以及高温、高功率电子器件。由于 III 族氮化物的湿法化学蚀刻结果有限，因此人们投入了大量精力来开发干法蚀刻工艺。干法蚀刻开发一开始集中于台面结构，其中需要高蚀刻速率、各向异性轮廓、光滑侧壁和不同材料的同等蚀刻。
2023-10-07 15:43:56319 
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