联发科今（14）日举行股东会，董事长蔡明介表示，去年是获利结构明显改善的一年，今年是多项技术投资开始营收贡献的一年，蔡明介也强调，联发科是全世界第一个做出5G系统单晶片（SoC）的，预计第3季向主要
2019-06-16 01:56:00
6828 意法半导体（ST）推出先进单晶片数位动作控制器，为工业自动化和医药制造商实现更安静、更精巧、更轻盈、更简单且更高效的精密动作和定位系统。 意法半导体已与主要客户合作将
2012-11-20 08:45:081799 引言 随着半导体技术的发展，为了在有限的面积内 形成很多器件，技术正在向多层结构发展。要想形成多层结构，会形成比现有更多的薄膜层 ,这时晶片背面也会堆积膜。目前，在桔叶式设备中，冷却晶片背面膜的方法
2022-01-05 14:23:201067 
提供了一种在单个晶片清洁系统中去除后处理残留物的方法。该方法开始于向设置在衬底上方的邻近头提供第一加热流体。然后，在基板的表面和邻近头的相对表面之间产生第一流体的弯液面。基板在接近头下方线性移动。还提供了单晶片清洁系统。
2022-03-22 14:11:041444 
;>2012年阿姆斯特丹国际清洁与维护展览会<br/>【展览时间】： 2012年5月8-11日<br/>【展览地点】：荷兰阿姆斯特丹
2010-11-13 10:22:00
单晶的晶圆制造步骤是什么？
2021-06-08 06:58:26
(Si-needle)。之后再硅晶片放在一单晶片蚀刻机台(single wafer machine)上，以背面蚀刻方式(backside etching)去除晶片正面边缘上的硅针。 夹持臂用以夹持晶片至工作台
2018-03-16 11:53:10
关于清洁度的标准是什么？关于IPC清洁度有哪些要求？
2021-04-20 06:35:47
Multisim基础上的智能空调设计（测温，换气，自清洁）该怎么做，求大佬指导一下
2023-06-05 09:14:43
PL88101产品介绍：PL88101是一款支持高达60V输入电压，最大可支持1.2A持续输出电流的单晶片降压转换器。PL88101集成80v耐压/550 mΩ的高侧MOSFET及 80V耐压
2022-10-28 17:03:44
基于 STM32F4芯片的校园清洁卫士结合6轴机械臂，能够自动识别垃圾抓举垃圾，上电后自检，进入工作模式，自动避障自动避开过往车辆，实现无人操控的智能型清洁卫士。
2015-11-11 11:02:41
。以固体传导介质为例，简要介绍以下三种探头。 （1）单晶直探头。俗称直探头，其压电晶片采用PZT压电陶瓷制作。发射超声波时，将500V以上的高压电脉冲加到压电晶片上，利用逆压电效应，使晶片发射出一束
2022-08-24 17:59:52
纳米到底有多细微？什么晶圆？如何制造单晶的晶圆？
2021-06-08 07:06:42
倒装晶片元件损坏的原因是什么？
2021-04-25 06:27:25
的晶片电气面朝上，而倒装晶片的电气面朝下，相当于将前者翻转过来， 故称其为“倒装晶片”。在晶圆盘（Waff1∝）上晶片植完球后，需要将其翻转，送入贴片机，便于贴装，也由 于这一翻转过程，而被称为“倒装
2018-11-22 11:01:58
芯片贴装于锡膏上不是一种可采用的装配方法 。业内推出了无须清洁的助焊剂，晶片浸蘸助焊剂工艺成为广泛使用的助焊技术。目前主要的替代方法是使用免 洗助焊剂，将元件浸蘸在助焊剂薄膜里让元件焊球蘸取一定量
2018-11-23 16:00:22
WLP的命名上还存在分歧。CSP晶片级技术非常独特，封装内部并没有采用键合方式。封装芯片的命名也存在分歧。常用名称有：倒装芯片(STMicroelectronics和Dalias
2018-08-27 15:45:31
是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。因此，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。但是，与面结型相比较，点接触型二极管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流
2015-11-27 18:09:05
测控电路--单晶管
2017-01-22 11:08:20
请问一下8寸 原子层沉积设备ALD，单晶片。国内设备大约在什么价位啊？
2023-06-16 11:12:27
我对工艺不是很懂，在氧化层上直接淀积的话是不是非晶硅？如果要单晶硅的话应该怎么做？（有个思路也可以）
2011-06-23 11:06:36
产品描述JW5250是一款电流模式单晶片式降压开关稳压器。 JW5250的输入范围为2.5V-6.0V，可提供1A的连续输出电流，并集成了P沟道和N沟道MOSFET。 内部同步电源开关提供高效率
2022-04-08 15:56:42
产品描述JW5211是一款电流模式单晶片式降压开关稳压器。 JW5211的输入范围为2.5V-6V，可提供1.2A的连续输出电流，并集成了P沟道和N沟道MOSFET。 内部同步电源开关提供高效率
2022-04-08 16:33:31
产品描述JW5231是一款电流模式单晶片式降压开关稳压器。 JW5231的输入范围为2.5V-5.5V，可提供1.5A的连续输出电流，并集成了P沟道和N沟道MOSFET。 内部同步电源开关提供高效率
2022-04-08 16:37:08
产品描述JW5223是一款电流模式单晶片式降压开关稳压器。 JW5223的输入范围为2.5V-6V，可提供2A的连续输出电流，集成P沟道和N沟道MOSFET。 内部同步电源开关提供高效率。 在轻负载
2022-04-08 16:42:53
产品描述JW5252是一款电流模式单晶片降压开关稳压器。 JW5252的输入范围为2.5V-6V，可提供2A的连续输出电流，集成P沟道和N沟道MOSFET。 内部同步电源开关提供高效率。 在轻负载
2022-04-08 16:48:41
产品描述JW5213A是一款电流模式单晶片式降压开关稳压器。 JW5213A的输入范围为2.5V-6V，可提供3A的连续输出电流，集成P沟道和N沟道MOSFET。 内部同步电源开关提供高效率。 在轻
2022-04-08 16:56:02
产品描述JW5222是一款电流模式单晶片式降压开关稳压器。 JW5222的输入范围为2.5V-6V，可提供2.5A的连续输出电流，并集成了P沟道和N沟道MOSFET。 内部同步电源开关
2022-04-11 11:07:25
在线咨询产品介绍产品描述JW®5223是一款电流模式单晶片式降压开关稳压器。 JW5223的输入范围为2.5V-6V，可提供2A的连续输出电流，集成P沟道和N沟道MOSFET。 内部同步电源开关提供
2022-04-11 11:17:11
产品描述JW®5211是一款电流模式单晶片式降压开关稳压器。 JW5211的输入范围为2.5V-6V，可提供1.2A的连续输出电流，并集成了P沟道和N沟道MOSFET。 内部同步电源开关提供高效率
2022-04-11 11:24:06
产品描述JW®5213是一款电流模式单晶片式降压开关稳压器。 JW5213的输入范围为2.5V-6V，可提供3A的连续输出电流，集成P沟道和N沟道MOSFET。 内部同步电源开关提供
2022-04-11 11:40:40
本文介绍如何使用VB程式透过RS232传输控制指令到89C51单晶片上，输出派波讯号至放大电路，控制步进马达反转，放大电路也就是所谓的步进马达驱动器，市售步进马达驱动器借个在
2009-10-17 14:47:00
21 QGM600-8XB 单晶硅棒切方滚磨机床是在硅单晶棒数控滚磨机上开发而成，单晶棒数控滚磨机床是我公司独立开发研制的。该产品全部替代了日本滚磨机床，国内很多企业需单晶硅棒
2009-12-20 09:25:3742 本研究对四足机器人在斜面静态步行的稳定性问题进行分析。针对机器人在斜面步行中存在绕支撑脚连线翻转的现象，采用Sne 工具分析稳定性，并提出了通过降低机器人重心高度来
2010-01-13 14:54:2111 综述了半导体材料SiC抛光技术的发展,介绍了SiC单晶片CMP技术的研究现状, 分析了CMP的原理和工艺参数对抛光的影响,指出了SiC单晶片CMP急待解决的技术和理论问题,并对其发展方
2010-10-21 15:51:210 单晶片PLL电路
ＰＬＬ用ＩＣ已快速的进入高集积化，以往需要２～３晶片之情形，现在只需单晶片之专用ＩＣ就可以概括所有的功能了
2008-08-17 16:05:222075 
什么是单晶硅
单晶硅英文名称：Monocrystalline silicon
分
2009-04-08 17:17:458937 LED晶片的组成,作用及分类
一、LED晶片的作用：LED晶片为LED的主要原材料，LED主要依靠晶
2009-05-09 09:05:581617 
新唐科技，宣布推出业界第一颗单晶片数位音讯 IC-- ChipCorder ISD2100，协助工业与消费性产品制造商以符合高经济效益的方式
2011-07-04 09:06:10829 德州仪器(TI)推出全新微型、单晶片电源管理积体电路(PMIC)系列产品，可以为固态硬碟(SSD)、混合驱动和其他快闪记忆体管理应用的所有电源轨供电。
2011-12-28 09:33:22989 亚信电子针对嵌入式网路应用之通用序列汇流排转区域网路(USB to LAN)系列，新增一款网路控制晶片--AX88179。
2012-01-04 09:39:051198 威信科电(WonderMedia)宣布整合威信科电 PRIZM WM8720 系统单晶片平台的 Intel WiDi 产品于2012年美国消费电子展(CES)展出。其中包括英特尔将展示宝龙达制造的 WiDi 接收器及景智所制造的 WiDi 显
2012-01-17 09:41:091397 电子发烧友网核心提示 ：Cypress推出PRoC-UI单晶片解决方案 结合2.4GHz、低功耗无线电及电容式触控功能 Cypress宣佈推出新款整合无线电与触控感测器电路的单晶片解决方案，能够支援无线
2012-10-26 09:24:511406 美高森美公司（Microsemi Corporation） 推出世界第一个用于IEEE 802.11ac标準的第五代Wi-Fi产品的单晶片硅锗（SiGe） RF前端（FE）元件。新型LX5586 RF FE元件凭藉高整合水準和高性能SiGe製程技术
2012-11-13 08:51:04999 Silicon Laboratories （芯科实验室有限公司）宣佈推出数位相对湿度（RH）和温度「单晶片感测器」解决方案。新型Si7005感测器透过在标準CMOS基础上融合混合讯号IC製造技术，并採用经过验证
2012-11-13 09:26:571023 TI的CC2430单晶片机的范例程式
非常实用的示例代码
2015-12-29 15:43:281 基于静态平衡的四足机器人斜面步态规划_张文宇
2017-03-16 08:00:003 单晶硅晶片及单晶硅的制造方法 本发明的单晶硅晶片及单晶硅的制造方法，是属于切克劳斯基法（CZ法）生长单晶硅晶片，其特征为：对全部晶片进行热氧化处理时，在环状发生OSF的外侧的N区域，不存在通过Cu
2017-09-28 16:35:3018 美高森美公司（Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC）日前推出世界首款单晶片硅锗（SiGe）RF前端（FE）器件LX5586，该模块用于IEEE
2018-04-27 09:49:001213 本文的主要内容是介绍了TI的产品TMS320DM369数字媒体系统单晶片(DMSoC)的技术英文原版资料概述
2018-04-20 10:39:590 协议用于主动式 3D 眼镜的单晶片。AB1128 为一包含了基频处理器、无线发射接收器、LCD 开关控制、EEPROM、电池充电等器件的高整合度单晶片。 全球 3D 电视在2015年预期将有一亿台的销售量。3D 眼镜随着 3D 技术的成熟而更显得重要。和传统的红外线技术比较，蓝牙有不受限
2018-10-13 11:14:01368 联发科技 24 日宣布推出曦力 P70（Helio P70）系统单晶片，其结合 CPU 与GPU的升级，实现了更强大的 AI 处理能力，预计将抢在高通之前于今年 11 月上市。
2018-10-25 16:05:083913 单晶硅圆片按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直径越大的圆片，所能刻制的集成电路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。单晶
2018-11-19 08:00:0024 本发明的工艺一般涉及到半导体晶片的清洗。更确切地说，本发明涉及到可能存在于被研磨的单晶硅晶片的表面上的有机残留物、金属杂质和其它特定的沾污物的清洗处理步骤的顺序。 集成电路制造中所用的半导体晶片
2020-12-29 14:45:211999 通过对 Si ， CaAs ， Ge 等半导体材料单晶抛光片清洗工艺技术的研究 ， 分析得出了半导体材料单晶抛光片的清洗关键技术条件。首先用氧化性溶液将晶片表面氧化 ， 然后用一定的方法将晶片表面
2021-04-08 14:05:3949 单晶片兆频超声波清洗机的声音分布通过晶片清洗测试、视觉观察、声音测量和建模结果来表征。该清洁器由一个水平晶圆旋转器和一个兆频超声波换能器/发射器组件组成。声音通过液体弯月面从换能器组件传输到水平石英
2021-12-20 15:40:31776 
半导体行业需要具有超成品表面和无损伤地下的硅晶片。因此，了解单晶硅在表面处理过程中的变形机制一直是研究重点。
2021-12-22 17:35:40724 
近年来，随着集成电路的微细化，半导体制造的清洗方式从被称为“批量式”的25枚晶片一次清洗的方式逐渐改变为“单张式”的晶片一次清洗的方式。在半导体的制造中，各工序之间进行晶片的清洗，清洗工序
2022-02-22 16:01:08905 
摘要 提供了一种用于半导体晶片清洁操作的系统。清洁系统具有顶盖和底盖。顶盖密封在晶片的顶面接触环上，底盖密封在晶片的底面接触环上。文章全部详情：壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁晶片保持在顶盖和底盖之间。边缘
2022-02-24 13:41:20862 
)和第二槽(138)中；晶片在第二槽(138)中处理后，将晶片从第二槽(138)中取出，文章全部详情：壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁使晶片保持湿润状态。在将晶片之一转移到单个晶片清洁模块150中的夹盘上的同时旋转夹盘，同时将化学溶液施加到晶片上；将去离子水涂
2022-02-28 14:56:03927 
介绍 单晶片清洗工具正在成为半导体行业取代批量工具的新标准。事实上，它们成功地提高了清洁性能（工艺均匀性、缺陷率、产量）和工业方面的考虑（周期时间、DIW 消耗、环境）。 尽管如此，单晶圆/批量工具
2022-02-28 14:58:45314 
摘要 硅晶片制造涉及许多湿法工艺，其中液体分布在整个晶片表面。在单晶片工具中，流体分配是至关重要的，它决定了清洁过程的均匀性。研究了冲洗流中的流体动力学和化学传输，结果表明在冲洗时间的一般分析中必须
2022-03-01 14:38:07330 
摘要 研究了泵送方法对晶片清洗的影响。两种类型的泵，例如隔膜泵和离心泵，用于在湿浴和单晶片工具中循环和供应用于晶片清洁的去离子水。清洗研究表明，泵送方法对清洗性能有很大影响。实验研究表明，在 MLC
2022-03-02 13:56:46521 
兆声波增强了较小和较大颗粒尺寸的颗粒去除。99% 的 PRE 值是通过使用稀释的 HF/SC1 化学物质和通过使用 SC1 增加兆声波功率而获得的。如果需要，单晶片清洁系统允许在正面分配 DIW，以在将化学物质施加到背面时最大限度地减少晶片器件侧的化学接触。蚀刻速率测试证实没有化
2022-03-03 14:17:11664 
接触层是器件与铝或铜互连之间的第一个金属（通常是钨）连接层。根据器件类型（CMOS、存储器、光子器件）和技术节点，触点图案化正在不断发展以提高性能。在接触清洁步骤中，由于金属或敏感材料暴露于清洁
2022-03-04 15:06:38825 
随着半导体技术的发展，为了在有限的面积内形成很多器件，技术正在向多层结构发展，要想形成多层结构，将形成比现有的更多的薄膜层，这时晶片背面也会堆积膜。如果在背面有膜的情况下进行batch方式的润湿工序
2022-03-28 15:54:481282 
喷涂工具、或单晶片旋转工具。在批量浸渍工具中，与其他湿法加工工具相比，存在由水槽中晶片之间的颗粒转移引起的交叉污染问题。批量旋转喷涂工具用于在生产线后端(BEOL)进行蚀刻后互连清洗。
2022-04-08 14:48:32585 
用氟化氢-氯化氢-氯气混合物进行各向异性酸性蚀刻是一种有效的方法 单晶硅晶片纹理化的替代方法 在晶片表面形成倒金字塔结构[1，2]形貌取决于以下成分 蚀刻混合物[3]硅在HF-HCl[1]Cl2
2022-04-12 14:10:22362 
本发明公开了一种用湿式均匀清洗半导体晶片的方法,所公开的本发明的特点是:具备半导体晶片和含有预定清洁液的清洁组、对齐上述半导体晶片的平坦区域，使其不与上述清洁组的入口相对、将上述对齐的半导体晶片浸入
2022-04-14 15:13:57605 作为用于高寿命蓝色LD (半导体激光器)、高亮度蓝色LED (发光二极管)、高特性电子器件的GaN单晶晶片，通过hvpe (氢化物气相)生长法等进行生长制造出了变位低的自立型GaN单晶晶片。GaN
2022-04-15 14:50:00510 
抛光的硅片是通过各种机械和化学工艺制备的。首先，通过切片将单晶硅锭切成圆盘(晶片)，然后进行称为研磨的平整过程，该过程包括使用研磨浆擦洗晶片。 在先前的成形过程中引起的机械损伤通过蚀刻是本文的重点。在准备用于器件制造之前，蚀刻之后是各种单元操作，例如抛光和清洁。
2022-04-28 16:32:37670 
在这项研究中，我们华林科纳使用经济特区单晶片自旋处理器开发了一种单一背面清洁解决方案，能够通过蚀刻晶片背面的几埃来去除任何金属或外来污染物，无论其涂层如何(无涂层、Si3N4或SiO2)。选择H2O
2022-05-06 14:06:45339 
本文的目标是讨论一种新技术，它可以在保持竞争力的首席运营官的同时改善权衡。 将开发湿化学抗蚀剂去除溶液的能力与对工艺和工具要求的理解相结合，导致了用于光刻胶去除的单晶片清洗技术的发展。 该技术针对
2022-05-07 15:11:11621 
，FIB-SEM用于评估镀铜性能，TSV泄漏电流图和电压斜坡介电击穿(VRDB)作为主要电气可靠性指标，也用于评估清洁效果，测试结果表明，兆声能量可以传播到TSV的底部，与传统的单晶片喷淋清洗相比，经过SAPS清洗的晶片表现出明显的电学性能提高。
2022-05-26 15:07:03701 
高级应用 在正面具有对损坏敏感的关键结构的应用中，例如对于32nm栅极多晶硅(AR5:1)图案化的晶片，该 系统可以被设置为无损坏地清洁。这是通过修改背面化学喷嘴和配方配置，并保持正面干燥来实现
2022-06-27 17:04:27746 
虽然听起来可能没有极紫外(EUV)光刻那么性感，但对于确保成功的前沿节点、先进半导体器件制造，湿法晶片清洗技术可能比EUV更重要，这是因为器件的可靠性和最终产品的产量都与晶片的清洁度直接相关，因为晶片要经过数百个图案化、蚀刻、沉积和互连工艺步骤。
2022-07-07 16:24:231578 
摘要 随着越来越高的VLSIs集成度成为商业实践，对高质量晶片的需求越来越大。对于表面上几乎没有金属杂质、颗粒和有机物的高度洁净的晶片来说，尤其如此。为了生产高清洁度的晶片，有必要通过对表面杂质行为
2022-07-11 15:55:451026 
抛光硅晶片是通过各种机械和化学工艺制备的。首先，硅单晶锭被切成圆盘（晶片），然后是一个称为拍打的扁平过程，包括使用磨料清洗晶片。通过蚀刻消除了以往成形过程中引起的机械损伤，蚀刻之后是各种单元操作，如抛光和清洗之前，它已经准备好为设备制造。
2023-05-16 10:03:00584 
运用异质外延工艺，Diamond Foundry以可扩展的基底制造单晶金刚石，这是一项前所未有的技术突破。过去已有技术用于生产金刚石晶片，但这些晶片基于压缩金刚石粉末制备，缺乏单晶金刚石的特性。
2023-11-10 16:04:03857 单晶硅光伏板是一种基于单晶硅材料制造的太阳能光电设备，常用于太阳能光伏发电系统中。单晶硅光伏板由多个单晶硅太阳能电池片组成，每个电池片都被覆盖在透明的防反射玻璃上，并使用铝框架进行支撑和保护。
2023-11-29 09:46:061006
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