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电子发烧友网>制造/封装>GaAs的湿法蚀刻和光刻工艺

GaAs的湿法蚀刻和光刻工艺

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通过光刻蚀刻工艺顺序提高整个晶圆的关键尺寸均匀性(1)

新的方法,通过光刻和刻蚀工艺顺序来提高跨晶片栅极CD的均匀性。我们华林科纳所提出的方法是通过优化整个晶片曝光后烘烤(PEB)温度曲线来补偿光刻工艺顺序中的上游和下游系统CD变化成分。更准确地说,我们首先构建了一个温度-偏移模型,该模型将
2022-06-22 14:58:341301

一种穿过衬底的通孔蚀刻工艺

通过使用多级等离子体蚀刻实验设计、用于蚀刻后光致抗蚀剂去除的替代方法,以及开发自动蚀刻后遮盖物去除顺序;一种可再现的基板通孔处理方法被集成到大批量GaAs制造中。对于等离子体蚀刻部分,使用光学显微镜
2022-06-23 14:26:57516

GaAs湿法蚀刻光刻

本文报道了InGaP/GaAsNPNHBTs在喷雾湿化学蚀刻过程中修复光刻胶粘附失败的实验结果。我们确定了几个可能影响粘附性的因素,并采用实验设计(DOE)方法研究了所选因素的影响和相互作用。最显著
2022-06-29 11:34:590

晶圆的湿法蚀刻法和清洁度

本文介绍了我们华林科纳在半导体制造过程中进行的湿法蚀刻过程和使用的药液,在晶圆表面,为了形成LSI布线,现在几乎所有的半导体器件都使用干蚀刻方式,这是因为干法蚀刻湿法蚀刻相比,各向异性较好,对于形成细微的布线是有利的。
2022-07-06 16:50:321539

GaN的晶体湿化学蚀刻工艺详解

50纳米,4,5,尽管最近有报道称rms粗糙度低至4–6纳米的表面。6光增强电化学(PEC)湿法蚀刻也已被证明适用于氮化镓(GaN)的蚀刻。7–10 PEC蚀刻具有设备成本相对较低和表面损伤较低的优势
2022-07-12 17:19:243454

蚀刻工艺 蚀刻过程分类的课堂素材4(上)

蚀刻工艺 蚀刻过程分类
2022-08-08 16:35:34736

用于硅片减薄的湿法蚀刻工艺控制的研究

薄晶片已成为各种新型微电子产品的基本需求。更薄的模具需要装进更薄的包装中。与标准的机械背磨相比,在背面使用最终的湿法蚀刻工艺而变薄的晶片的应力更小。
2022-08-26 09:21:362363

磷酸的腐蚀特性及缓蚀剂 氮化硅湿法蚀刻中热磷酸的蚀刻

在半导体湿法蚀刻中, 热磷酸广泛地用于对氮化硅的去除工艺, 实践中发现温下磷酸对氮化硅蚀刻率很难控制。 从热磷酸在氮化硅湿法蚀刻中的蚀刻原理出发, 我们华林科纳分析了影响蚀刻率的各个因素, 并通过
2022-08-30 16:41:592998

厦门云天Fine Pitch光刻工艺突破2um L/S

来源:云天半导体 厦门云天半导体继九月初812吋 “晶圆级封装与无源器件生产线”正式通线后,经过团队的不懈努力, 8英寸晶圆Fine Pitch光刻工艺开发终破2/2um L/S大关; 以下为部分工艺
2022-11-30 17:07:07854

简要说明湿法蚀刻和干法蚀刻每种蚀刻技术的特点和区别

蚀刻不是像沉积或键合那样的“加”过程,而是“减”过程。另外,根据刮削方式的不同,分为两大类,分别称为“湿法蚀刻”和“干法蚀刻”。简单来说,前者是熔法,后者是挖法。
2023-01-29 09:39:003850

什么是金属蚀刻蚀刻工艺

金属蚀刻是一种通过化学反应或物理冲击去除金属材料的技术。金属蚀刻技术可分为湿蚀刻和干蚀刻。金属蚀刻由一系列化学过程组成。不同的蚀刻剂对不同的金属材料具有不同的腐蚀特性和强度。
2023-03-20 12:23:433172

PCB加工的蚀刻工艺

印刷线路板从光板到显出线路图形的过程是一个比较复杂的物理和化学反应的过程,本文就对其最后的一步--蚀刻进行解析。目前,印刷电路板(PCB)加工的典型工艺采用"图形电镀法"。即先在
2023-03-29 10:04:07887

从头到尾的半导体技术

湿法蚀刻工艺的原理是使用化学溶液将固体材料转化为液体化合物。选择性非常高
2023-04-10 17:26:10453

干法蚀刻湿法蚀刻-差异和应用

干法蚀刻湿法蚀刻之间的争论是微电子制造商在项目开始时必须解决的首要问题之一。必须考虑许多因素来决定应在晶圆上使用哪种类型的蚀刻剂来制作电子芯片,是液体(湿法蚀刻)还是气体(干法蚀刻
2023-04-12 14:54:331005

如何在蚀刻工艺中实施控制?

蚀刻可能是湿制程阶段最复杂的工艺,因为有很多因素会影响蚀刻速率。如果不保持这些因素的稳定,蚀刻率就会变化,因而影响产品质量。如果希望利用一种自动化方法来维护蚀刻化学,以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31576

浅谈蚀刻工艺开发的三个阶段

纳米片工艺流程中最关键的蚀刻步骤包括虚拟栅极蚀刻、各向异性柱蚀刻、各向同性间隔蚀刻和通道释放步骤。通过硅和 SiGe 交替层的剖面蚀刻是各向异性的,并使用氟化化学。优化内部间隔蚀刻(压痕)和通道释放步骤,以极低的硅损失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071

重点阐述湿法刻蚀

光刻工艺后,在硅片或晶圆上形成了光刻胶的图形,下一步就是刻蚀。
2023-06-08 10:52:353321

如何实现PCB蚀刻工艺中的均匀性呢?有哪些方法?

PCB蚀刻工艺中的“水池效应”现象,通常发生在顶部,这种现象会导致大尺寸PCB整个板面具有不同的蚀刻质量。
2023-08-10 18:25:431014

什么是光刻工艺光刻的基本原理

光刻是半导体芯片生产流程中最复杂、最关键的工艺步骤,耗时长、成本高。半导体芯片生产的难点和关键点在于将电路图从掩模上转移至硅片上,这一过程通过光刻来实现, 光刻工艺水平直接决定芯片的制程水平和性能水平。
2023-08-23 10:47:531589

半导体制造工艺光刻工艺详解

半导体制造工艺光刻工艺详解
2023-08-24 10:38:541223

PCB线路板的蚀刻工艺需要注意哪些细节问题

一站式PCBA智造厂家今天为大家讲讲pcb打样蚀刻工艺注意事项有哪些?PCB打样蚀刻工艺注意事项。PCB打样中,在铜箔部分预镀一层铅锡防腐层,保留在板外层,即电路的图形部分,然后是其余的铜箔被化学方法腐蚀,称为蚀刻
2023-09-18 11:06:30671

关于氮化镓的干蚀刻综述

GaN及相关合金可用于制造蓝色/绿色/紫外线发射器以及高温、高功率电子器件。由于 III 族氮化物的湿法化学蚀刻结果有限,因此人们投入了大量精力来开发干法蚀刻工艺。干法蚀刻开发一开始集中于台面结构,其中需要高蚀刻速率、各向异性轮廓、光滑侧壁和不同材料的同等蚀刻
2023-10-07 15:43:56319

三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工艺

三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工艺
2023-11-23 18:13:02579

PCB的蚀刻工艺及过程控制

另外一种工艺方法是整个板子上都镀铜,感光膜以外的部分仅仅是锡或铅锡抗蚀层。这种工艺称为“全板镀铜工艺“。与图形电镀相比,全板镀铜的缺点是板面各处都要镀两次铜而且蚀刻时还必须都把它们腐蚀掉。
2023-12-06 15:03:45264

光刻工艺的基本步骤 ***的整体结构图

光照条件的设置、掩模版设计以及光刻工艺等因素对分辨率的影响都反映在k₁因子中,k₁因子也常被用于评估光刻工艺的难度,ASML认为其物理极限在0.25,k₁体现了各家晶圆厂运用光刻技术的水平。
2023-12-18 10:53:05326

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