引言 光刻胶又称“光致抗蚀剂”或“光阻剂”，被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作，是微纳制造技术的关键性材料。 光刻胶是光刻工艺最重要的耗材，其性能决定了加工成品的精密程度和良品率
2022-04-25 17:35:22
9350 
关键词：氧气、微气泡、光刻胶、高剂量离子注入、气水界面 介绍 微气泡是一种很有前途的环保光刻胶去除方法的候选方法。已经证明，臭氧微气泡可以去除硅片上的光刻剂，即使被高剂量的离子注入破坏
2022-01-10 11:37:131396 
关键词:超临界清洗，离子注入光刻胶，光刻胶剥离 摘要 本文提出了一种有效的、环保的干剥离方法，使用超临界二氧化碳(SCCO2)系统，在40℃到100℃和压力从90巴到340巴时去除离子植入的光刻
2022-01-27 14:07:432203 
硫酸(H2SO4)和过氧化氢(H2O2)混合物(SPM)用于各种湿法清洗工艺步骤。表2.1显示了SPM的一些常见清洁和表面处理顺序:
2022-07-11 17:26:015100 
尽管存在从流变学角度描述旋涂工艺的理论，但实际上光刻胶厚度和均匀性随工艺参数的变化必须通过实验来确定。光刻胶旋转速度曲线（图 1-3）是设置旋转速度以获得所需抗蚀剂厚度的重要工具。最终抗蚀剂厚度在旋转速度的平方根上变化，大致与液体光致抗蚀剂的粘度成正比。
2022-08-25 17:12:541021 
光刻胶为何要谋求国产替代？中国国产光刻胶企业的市场发展机会和挑战如何？光刻胶企业发展要具备哪些核心竞争力？在南京半导体大会期间，徐州博康公司董事长傅志伟和研发总监潘新刚给我们带来前沿观点和独家分析。
2022-08-29 15:02:235918 
，增幅11.11%。 截图自企查查 光刻胶是芯片制造中光刻环节的重要材料，目前主要被日美把控，国内在光刻胶方面投入研制的厂商主要晶瑞股份、南大光电、上海新阳、徐州博康、北京科华等，那么华为投资的徐州博康在光刻胶方面有何优势，国内厂商在光
2021-08-12 07:49:005380 电子发烧友原创 章鹰 近日，全球半导体市场规模增长带动了上游半导体材料旺盛需求，“光刻胶”的突破也成为国内关注焦点。正当日本光刻胶企业JSR、东京应化和美国Lam Research在EUV光刻胶
2022-08-31 07:45:002718 的图案。在"刻蚀"过程中，晶圆被烘烤和显影，一些光刻胶被洗掉，从而显示出一个开放通道的3D图案。刻蚀工艺必须在不影响芯片结构的整体完整性和稳定性的情况下，精准且一致地形成导电特征
2022-04-08 15:12:41
有人知道 为什么光刻完事 剥离那么容易脱落呢 怎么避免呢
2012-06-26 12:40:30
介质层上的光致抗蚀剂薄层上。 ②刻蚀工艺：利用化学或物理方法，将抗蚀剂薄层未掩蔽的晶片表面或介质层除去，从而在晶片表面或介质层上获得与抗蚀剂薄层图形完全一致的图形。集成电路各功能层是立体重叠的，因而光刻工艺
2012-01-12 10:51:59
一、光刻胶的选择光刻胶包括两种基本的类型：正性光刻和负性光刻，区别如下
2021-01-12 10:17:47
关于光刻工艺的原理，大家可以想象一下胶片照片的冲洗，掩膜版就相当于胶片，而光刻机就是冲洗台，它把掩膜版上的芯片电路一个个的复制到光刻胶薄膜上，然后通过刻蚀技术把电路“画”在晶圆上。 当然
2020-07-07 14:22:55
SU-8光刻胶 SU-8光刻胶克服了普通光刻胶采用UV光刻深宽比不足的问题，在近紫外光（365nm-400nm）范围内光吸收度很低，且整个光刻胶层所获得的曝光量均匀一致，可得到具有垂直侧壁和高深宽比
2018-07-12 11:57:08
，该分布范围越窄，光刻胶的性能越好。 ③ 抗刻蚀性能。光刻胶在集成电路制造工艺中的抗刻蚀性能主要有两个 [6]：一是耐化学腐蚀性。 光刻胶在印制各层电路图形于Si片及其他薄膜层上时，需把图形保留
2018-08-23 11:56:31
光刻胶也称为光致抗蚀剂，是一种光敏材料，它受到光照后特性会发生改变。光刻胶主要用来将光刻掩膜版上的图形转移到晶圆片上。光刻胶有正胶和负胶之分。正胶经过曝光后，受到光照的部分变得容易溶解，经过显影后被
2019-11-07 09:00:18
这是我的版图一部分，然后生成了图案是这样的： 感觉间距小的地方全都有残留，间距大的地方没有残留；工艺参数：s9920光刻胶， evg 620‘未进行蒸汽底漆层涂覆，前烘：100摄氏度，90s
2016-11-29 14:59:18
AL-CU互连导线侧壁孔洞形成机理及改进方法侧壁孔洞缺陷是当前Ａｌ?Ｃｕ 金属互连导线工艺中的主要缺陷之一。此种缺陷会导致电迁移，从而降低器件的可靠性。缺陷的产生是由于在干法等离子光刻胶去除工艺
2009-10-06 09:50:58
半导体制造领域的标志：NR9-PY 系列负性光刻胶，适用于lift-off工艺；具有高效粘附性，高反应速度并耐高温性能好。 NR71-PY 系列 负性光刻胶，适用于lift-off工艺，耐高温性能好
2010-04-21 10:57:46
高压气）l主要原物料、辅料扩散片、显影液、定影液、剥离液、二甲苯、结合粉、结合剂、光刻胶、盐酸、硝酸、发烟硝酸、冰醋酸、镍组、（镀金水）、IPA、丙酮、玻璃粉 欢迎讨论交流，QQ：490815421
2011-05-13 22:01:41
`浮胶是显影或腐蚀过程中常出现的一种不良现像，也是影响较为严重的一种光刻弊病。显影时产生的浮胶 在显影时，玻璃表面的胶膜皱起呈桔皮状或胶膜大片剥离。产生这一现像，说明胶膜与玻璃表面ITO层粘附不好
2018-11-22 16:04:49
的杂质和油污洗净，然后把水除去并干燥，保证下道工艺的加工质量。C. 涂光刻胶：在ITO玻璃的导电层面上均匀涂上一层光刻胶，涂过光刻胶的玻璃要在一定的温度下作预处理。D. 前烘：在一定的温度下将涂有
2019-07-16 17:46:15
、芯片封装和微加工等领域。目前，直接采用 SU- 8 光刻胶来制备深宽比高的微结构与微零件已经成为微加工领域的一项新技术。SU 8光刻胶光刻前清洗工艺：为了获得更好的光刻效果，在进行光刻胶旋涂之前，需要
2018-07-04 14:42:34
lithography是一种平板印刷技术，在平面光波回路的制作中一直发挥着重要的作用。具体过程如下：首先在二氧化硅为主要成分的芯层材料上面，淀积一层光刻胶；使用掩模版对光刻胶曝光固化，并在
2018-08-24 16:39:21
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：光刻前 GaAs 表面处理以改善湿化学蚀刻过程中的光刻胶附着力和改善湿蚀刻轮廓[/td][td]编号：JFSJ-21-0作者：炬丰科技网址：http
2021-07-06 09:39:22
步骤：光刻：通过在晶片表面涂上均匀的薄薄一层粘性液体（光刻胶）来定义图案的过程。光刻胶通过烘烤硬化，然后通过光穿过包含掩模信息的掩模版进行投射而选择性地去除。蚀刻：从晶片表面选择性地去除不需要的材料
2021-07-08 13:13:06
版与硅片之间的距离较远,可以完全避免对掩膜版的损伤.为了提高分辨率,在投影式暴光中,每次只暴光硅片的一小部分,然后利用扫描和分步重复的方法完成整个硅片的暴光.在现代集成电路工艺中,使用最多的光刻系统
2012-01-12 10:56:23
喷胶机是现代光电子产业中光刻胶涂布的重要设备。可对不同尺寸和形状的基片进行涂胶，最大涂胶尺寸达8寸，得到厚度均匀的光刻胶层，同时可对大深宽比结构的侧壁进行均匀涂胶；通过计算机系统控制器进行工艺参数的编辑和操作。
2020-03-23 09:00:57
图形反转工艺用于金属层剥离的研究研究了ＡＺ?５２１４ 胶的正、负转型和形成适用于剥离技术的倒台面图形的工艺技术。用扫描电镜和台阶仪测试制作出的光刻胶断面呈倒台面，倾角约为６０°，胶厚１?４μｍ。得到
2009-10-06 10:05:30
本人是菜鸟 需要在玻璃上光刻普通的差值电极 以前一直在硅片上面光刻 用的光刻胶是AZ5214E 正胶 同样的工艺和参数在玻璃上附着力差了很多 恳请哪位高人指点一下PS 插值电极的距离为25微米 小女子这厢谢过了
2010-12-02 20:40:41
一．工艺流程简述： 前段工位： ITO 玻璃的投入（grading）—— 玻璃清洗与干燥（CLEANING）——涂光刻胶（PR COAT）——前烘烤（PREBREAK）——曝光（DEVELOP
2016-06-30 09:03:48
的脱落以及防止湿法腐蚀时产生侧面腐蚀(side etching)。光刻胶的涂敷是用转速和旋转时间可自由设定的甩胶机来进行的。首先、用真空吸引法将基片吸在甩胶机的吸盘上，将具有一定粘度的光刻胶滴在基片的表面
2019-08-16 11:11:34
是使用化学或者物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的过程。通常的晶圆加工流程中，刻蚀工艺位于光刻工艺之后，有图形的光刻胶层在刻蚀中不会受到腐蚀源的显著侵蚀，从而完成图形转移的工艺步骤。刻蚀环节是复制
2020-07-07 11:36:10
求大神告知，为什么在我光刻镀膜完之后用丙酮剥离金属老掉呢？
2018-08-19 19:08:42
有一种可剥离防焊胶主要应用于什么工艺生产环节上？产品介绍说主要应用在PCB波峰焊/回流焊，但许多生产车间里不知道或者根本不用这样的产品；请技术大神可以回答，谢谢！
2021-06-08 16:37:08
151n光刻胶曝光显影后开口底部都会有一撮残留，找不到原因。各位帮分析下
2023-04-20 13:13:52
PMT-2离线光刻胶微粒子计数器是一款新型液体颗粒监测仪器。采用激光光散或光阻原理的颗粒检测传感器，可以对超纯水、自来水、饮用水、去离子水、矿泉水、蒸馏水、无机化学品、有机化学品、有机溶剂、清洗剂
2022-12-14 10:44:24
PMT-2在线光刻胶液体粒子计数器，采用英国普洛帝核心技术创新型的第八代双激光窄光颗粒检测传感器，双精准流量控制-精密计量柱塞泵和超精密流量电磁控制系统，可以对清洗剂、半导体、超纯水
2023-01-03 15:54:49
光刻胶（光敏胶）进行光刻，将图形信息转移到基片上，从而实现微细结构的制造。光刻机的工作原理是利用光学系统将光线聚焦到光刻胶上，通过掩膜版（也称为光刻掩膜）上的图形
2023-07-07 11:46:07
光刻胶与光刻工艺技术 微电路的制造需要把在数量上精确控制的杂质引入到硅衬底上的微小 区域内,然后把这些区域连起来以形成器件和VLSI电路.确定这些区域图形 的工艺是由光刻来完成的,也就是说,首先在硅片上旋转涂覆光刻胶,再将 其曝露于某种光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:21
0 这是一种老式的旋转涂胶机，将芯片上涂上光刻胶然后将芯片放到上边，可以通过机器的旋转的力度将光刻胶均匀分布到芯片表面，光刻胶只有均匀涂抹在芯片表面，才能保证光刻的成功。
2018-05-17 14:39:3718498 干膜光刻胶是由预先配制好的液态光刻胶（Photoresist）在精密的涂布机上和高清洁度的条件下均匀涂布在载体聚酯薄膜（PET膜）上，经烘干、冷却后，再覆上聚乙烯薄膜（PE膜），收卷而成卷状的薄膜型光刻胶。
2019-01-30 16:49:1410706 
Mattson Technology Inc.表示，它正与欧洲IMEC合作位于比利时鲁汶的微电子研发中心共同开发新的光刻胶和残留物去除工艺。
2019-08-13 10:15:107843 随着电子信息产业发展的突飞猛进，光刻胶市场总需求不断提升。2019年全球光刻胶市场规模预计接近90亿美元，自2010年至今CAGR约5.4%，预计未来3年仍以年均5%的速度增长，预计至2022年全球光刻胶市场规模将超过100亿美元。
2020-03-01 19:02:484098 光刻胶按应用领域分类，大致分为LCD光刻胶、PCB光刻胶（感光油墨）与半导体光刻胶等。按照下游应用来看，目前LCD光刻胶占比26．6%，刻胶占比24．5%，半导体光刻胶占比24．1%，PCB光其他类光刻胶占比24．8%。
2020-06-12 17:13:395380 来源：浙商证券研究院 光刻胶又称光致抗蚀剂，是一种对光敏感的混合液体。其组成部分包括：光引发剂（包括光增感剂、光致产酸剂）、光刻胶树脂、单体、溶剂和其他助剂。光刻胶可以通过光化学反应，经曝光、显影
2020-09-15 14:00:1416535 全球光刻胶市场规模从2016 年的15 亿美元增长至2019年的18亿美元，年复合增长率达6.3%；应用方面，光刻胶主要应用在PCB、半导体及LCD显示等领域，各占约25%市场份额。
2020-09-21 11:28:043290 
光刻胶是由感光树脂、增感剂和溶剂三种主要成份组成的、对光敏感的混合液体。利用光化学反应，经曝光、显影、刻蚀等工艺将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上的图形转移介质，其中曝光是通过紫外光
2022-12-06 14:53:541238 此外，由于光刻加工分辨率直接关系到芯片特征尺寸大小，而光刻胶的性能关系到光刻分辨率的大小。限制光刻分辨率的是光的干涉和衍射效应。光刻分辨率与曝光波长、数值孔径和工艺系数相关。
2020-10-15 15:09:186447 的可靠性、生产率和灵活性。 光刻胶剥离过去一直被认为是技术含量较低的工艺。然而，随着3D架构、双重图形化技术、多层罩式掩膜和高剂量植入剥离（HDIS）等新技术的出现，光刻胶剥离工艺的复杂度也在不断提升。目前来看，在300mm晶圆领域的高级存储和逻辑节点上，很
2020-11-26 15:48:251813 光刻胶是微纳加工过程中非常关键的材料。有专家表示，中国要制造芯片，光有光刻机还不够，还得打破国外对“光刻胶”的垄断。
2020-12-08 10:53:564168 导 读 日前，南大光电公告称，由旗下控股子公司宁波南大光电材料自主研发的 ArF 光刻胶产品成功通过客户使用认证，线制程工艺可以满足 45nm-90nm光刻需求。 图：南大光电公告 公告
2020-12-25 18:24:096227 光刻是集成电路工艺中的关键性技术。在硅片表面涂上光刻胶薄层，经过光照、显影，在光刻胶上留下掩模版的图形。
2021-04-09 14:27:1963 由于KrF光刻胶产能受限以及全球晶圆厂积极扩产等，占据全球光刻胶市场份额超两成的日本供应商信越化学已经向中国大陆多家一线晶圆厂限制供货KrF光刻胶，且已通知更小规模晶圆厂停止供货KrF光刻胶
2021-06-25 16:12:28784 5月27日，半导体光刻胶概念股开盘即走强，截至收盘，A股光刻胶板块涨幅达6.48%。其中晶瑞股份、广信材料直线拉升大涨20%封涨停，容大感光大涨13.28%，扬帆新材大涨11.37%，南大光电
2021-05-28 10:34:152623 的、颗粒的、会影响光刻胶的厚度。 涂胶：根据工艺要求，目前常用的两种涂胶工艺，一个就是旋转涂覆、一个就是喷涂。根据工艺要求和光刻胶的性能、可以有不同厚度的光刻胶。 前烘：就比较讲究了，因为这东西肉眼看不见变化。只有最后
2021-10-13 10:59:423893 
光刻胶是光刻机研发的重要材料，换句话说光刻机就是利用特殊光线将集成电路映射到硅片的表面，如果想要硅片的表面不留下痕迹，就需要网硅片上涂一层光刻胶。
2022-02-05 16:11:0011281 待加工基片上。其被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作，是微细加工技术的关键性材料。 一言以蔽之，光刻胶是光刻工艺最重要的耗材，其性能决定了加工成品的精密程度和良品率，而光刻工艺又是精密电子元器件制造
2022-01-20 21:02:461208 
摘要 我们华林科纳提出了一种新型的双层光阻剂方法来减少负光阻剂浮渣。选择正光刻胶作为底层抗蚀剂，选择负光刻胶作为顶层抗蚀胶。研究了底层抗蚀剂的粘度和厚度对浮渣平均数量的影响。实验表明，低粘度正光刻胶
2022-01-26 11:43:22687 
摘要 新的全湿剥离工艺在去除高度注入的光刻胶时不需要干等离子体灰化工艺，同时保持低缺陷水平和至少相当于记录工艺的高产量性能。灰化步骤的消除减少了不希望的基板损坏和材料损失，改善了周期时间，释放
2022-03-01 14:39:431351 
类型和智能流体®配方发生反应，将最有希望的组合进行到第二阶段进行深入研究。后续实验结果证明了通过改变工艺温度设置和添加兆声能来优化工艺参数。通过目视检查和接触角测量来量化光刻胶剥离结果。 介绍 光刻胶材料的去
2022-03-03 14:20:05452 
什么是光刻？光刻是将掩模上的几何形状转移到硅片表面的过程。光刻工艺中涉及的步骤是晶圆清洗；阻挡层的形成；光刻胶应用；软烤；掩模对准；曝光和显影；和硬烤。
2022-03-15 11:38:02850 
本文提出了一种新型的双层光阻剂方法来减少负光阻剂浮渣。选择正光刻胶作为底层抗蚀剂，选择负光刻胶作为顶层抗蚀胶。研究了底层抗蚀剂的粘度和厚度对浮渣平均数量的影响。实验表明，低粘度正光刻胶AZ703
2022-03-24 16:04:23756 
，用于抗蚀剂剥离和有机物去除，以消除化学雾的形成。然而，已经表明基于 DIO3 的剥离和清洁工艺会导致光掩模材料的氧化降解。这种材料损坏会影响功能掩模层的光学特性，导致 CD 线宽、相位、透射和反射变化，对光刻过程中的图像传输产生不利影响。
2022-03-30 14:32:31564 
本文一般涉及处理光掩模的领域，具体涉及用于从光掩模上剥离光致抗蚀剂和/或清洗集成电路制造中使用的光掩模的设备和方法。
2022-04-01 14:26:37610 
本发明涉及一种去除光刻胶的方法，更详细地说，是一种半导体制造用光刻胶去除方法，该方法适合于在半导体装置的制造过程中进行吹扫以去除光刻胶。在半导体装置的制造工艺中，将残留在晶片上的光刻胶，在H2O
2022-04-13 13:56:42872 
虽然通过蚀刻的结构化是通过(例如抗蚀剂)掩模对衬底的全表面涂层进行部分腐蚀来完成的，但是在剥离过程中，材料仅沉积在不受抗蚀剂掩模保护的位置。本文章描述了获得合适的抗蚀剂掩模的要求、涂层方面的问题，以及最终去除其沉积材料的抗蚀剂掩模。
2022-05-12 15:42:441986 
本文章介绍了我们华林科纳一种光刻胶剥离用组合物，该组合物不仅对离子注入工艺后或离子注入工艺和高温加热工艺后硬化或变质为聚合物的光刻胶具有良好的去除力，而且使膜质腐蚀性最小化。半导体工艺中离子注入工艺
2022-07-01 15:16:081442 
灰化，简单的理解就是用氧气把光刻胶燃烧掉，光刻胶的基本成分是碳氢有机物，在射频或微波作用下，氧气电离成氧原子并与光刻胶发生化学反应，生成一氧化碳，二氧化碳和水等，再通过泵被真空抽走，完成光刻胶的去除。
2022-07-21 11:20:174871 光刻胶产品说明英文版资料分享。
2022-08-12 16:17:252 南大光电最新消息显示，国产193nm（ArF）光刻胶研发成功，这家公司成为通过国家“02专项”验收的ArF光刻胶项目实施主体；徐州博康宣布，该公司已开发出数十种高端光刻胶产品系列，包括
2022-08-31 09:47:141285 光刻胶的组成：树脂（resin/polymer），光刻胶中不同材料的粘合剂，给与光刻胶的机械与化学性质（如粘附性、胶膜厚度、热稳定性等）；感光剂，感光剂对光能发生光化学反应；溶剂（Solvent
2022-10-21 16:40:0415831 光刻胶经曝光后，其化学性质会发生改变。更准确地说，经曝光后，光刻胶在显影液中的溶解度发生了变化：曝光后溶解度上升的物质称作正性（Positive）光刻胶，反之则为负性（Negative）光刻胶。
2023-01-31 15:59:491222 此前该公司指出，公司已建成年产5吨ArF干式光刻胶生产线、年产20吨ArF浸没式光刻胶生产线及年产45吨的光刻胶配套高纯试剂生产线，具备ArF光刻胶及配套关键组分材料的生产能力，目前公司送样验证的产品均由该自建产线产出。
2023-04-11 09:25:32920 新的High NA EUV 光刻胶不能在封闭的研究环境中开发，必须通过精心设计的底层、新型硬掩模和高选择性蚀刻工艺进行优化以获得最佳性能。为了迎接这一挑战，imec 最近开发了一个新的工具箱来匹配光刻胶和底层的属性。
2023-04-13 11:52:121165 光刻胶可以通过光化学反应，经曝光、显影等光刻工序将所需要的微细图形从光罩（掩模版）转移到待加工基片上。依据使用场景，这里的待加工基片可以是集成电路材料，显示面板材料或者印刷电路板。
2023-05-11 16:10:492775 
半导体制造工艺之光刻工艺详解
2023-08-24 10:38:541223 
金属图案的剥离方法已广泛应用于各种电子器件的制造过程中，如半导体封装、MEMS和LED的制造。与传统的金属刻蚀方法不同的是，采用剥离法的优点是节省成本和工艺简化。在剥离过程中，经过涂层、曝光和开发过程后，光刻胶会在晶片上形成图案。
2023-10-25 10:40:05189 
光刻胶在未曝光之前是一种黏性流体，不同种类的光刻胶具有不同的黏度。黏度是光刻胶的一项重要指标。那么光刻胶的黏度为什么重要？黏度用什么表征？哪些光刻胶算高黏度，哪些算低黏度呢？
2023-11-13 18:14:11571 
20日，西陇科学（株）发布公告称，该公司没有生产销售矿产品。公司生产及销售用于清洗剂、显影液、剥离液等的光刻胶，占公司营业收入的比例，是目前用于上述用途的光刻胶配套。
2023-11-21 14:54:57315 KrF光刻胶是指利用248nm KrF光源进行光刻的光刻胶。248nmKrF光刻技术已广 泛应用于0.13μm工艺的生产中,主要应用于150 , 200和300mm的硅晶圆生产中。
2023-11-29 10:28:50284 
匀胶是光刻中比较重要的一步，而旋涂速度是匀胶中至关重要的参数，那么我们在匀胶时，是如何确定匀胶速度呢？它影响光刻胶的哪些性质？
2023-12-15 09:35:56442 
所谓的“光刻胶”，即是在紫外线、电子束等辐射下，其溶解度会产生变化的耐腐蚀薄膜材料。作为光刻工艺中的关键要素，广泛应用于晶圆和分立器件的精细图案制作中。其品种繁多，此次涨价涉及的KrF 光刻胶则属高级别光刻胶，将成为各厂商关注的焦点。
2023-12-28 11:14:34381 光刻胶主要下游应用包括：显示屏制造、印刷电路板生产、半导体制造等，其中显示屏是光刻胶最大的下游应用，占比30%。光刻胶在半导体制造应用占比24%，是第三达应用场景。
2024-01-03 18:12:21346 
光刻胶是一种涂覆在半导体器件表面的特殊液体材料，可以通过光刻机上的模板或掩模来进行曝光。
2024-03-04 17:19:18402 与正光刻胶相比，电子束负光刻胶会形成相反的图案。基于聚合物的负型光刻胶会在聚合物链之间产生键或交联。未曝光的光刻胶在显影过程中溶解，而曝光的光刻胶则保留下来，从而形成负像。
2024-03-20 11:36:50200 
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