硅上GaN LED 不必受应力的影响，一定量的应力阻碍了输出功率。英国一个研究小组通过原位工具监测温度和晶片曲率，制备出低位错密度的扁平型150mm外延片，并将这些芯片安装到器件中
2011-11-02 10:18:39
1638 单来分，芯片制造过程有这么几个阶段：材料制备——单晶硅制造→晶圆片生成芯片前端——芯片构建（Wafer Fabrication）。##单来分，芯片制造过程有这么几个阶段：材料制备——单晶硅制造
2016-05-12 10:30:2771296 国外厂商主流的GaN快充主控芯片，其中安森美NCP1342解决方案被众多厂商使用。其实，除了国外的GaN控制芯片，国内的GaN控制芯片这几年发展得也不错，特别是今年突如其来的芯片缺货问题，更是加快了国产GaN控制芯片发展的步伐，不少之前使用国外控制芯片方案商和终端厂商开始切换到国内企业的产品。
2021-09-03 08:03:006192 作者：Sandeep Bahl 最近，一位客户问我关于氮化镓（GaN）可靠性的问题：“JEDEC（电子设备工程联合委员会）似乎没把应用条件纳入到开关电源的范畴。我们将在最终产品里使用的任何GaN器件
2018-09-10 14:48:19
芯片制造全工艺流程详情
2020-12-28 06:20:25
芯片生产工艺流程是怎样的？
2021-06-08 06:49:47
基于光机电技术和控制理论,以TMS320LF2407A 数字信号处理器为核心,建立了一种数字式的传感器制备系统。根据传感器制备系统的机械原理、总体结构和各个组成部分的实现方式,提出了基于TMS320LF2407A 的控制系统的设计与实现。
2020-04-02 07:02:59
基于SiC/GaN的新一代高密度功率转换器SiC/GaN具有的优势
2021-03-10 08:26:03
产品详情:TGA2573宽带在Qorvo生产0.25微米SiC工艺制备GaN高功率GaN HEMT放大器。工作从2到18 GHz，它达到40 dBm饱和输出功率，20% PAE，和10分贝小信号增益在漏
2018-06-19 09:07:36
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaN 半导体材料与器件手册编号：JFSJ-21-059III族氮化物半导体的光学特性介绍III 族氮化物材料的光学特性显然与光电应用直接相关，但测量光学特性
2021-07-08 13:08:32
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaN 基板的表面处理编号：JFSJ-21-077作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html关键词： GaN 衬底
2021-07-07 10:26:01
`书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaN 纳米线制造和单光子发射器器件应用的蚀刻工艺编号：JFSJ-21-045作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:11:24
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaN晶体蚀刻的几何方面和光子应用编号：JFSJ-21-044作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要：湿法
2021-07-08 13:09:52
。这个蚀刻步骤可以产生光滑的晶体表面，并且可以通过改变第一步骤的方向、化学试剂和温度来选择特定的蚀刻平面。GaN晶体的湿化学蚀刻是一个非常重要的工艺。清洗效果的好坏极大地影响了芯片的特性。性能可靠、功能
2021-07-07 10:24:07
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：DI-O3水在晶圆表面制备中的应用编号：JFSJ-21-034作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:36:27
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：n-GaN的电化学和光刻编号：JFKJ-21-820作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要 本文利用
2021-10-13 14:43:35
，干法蚀刻制备的氮化镓（GaN）侧壁通常具有较大的粗糙度和蚀刻损伤，这会导致由于表面非辐射复合导致的光学散射和载流子注入损失引起的镜面损失。详细研究了干法蚀刻形成的GaN侧壁面的湿化学抛光工艺，以去除蚀刻
2021-07-09 10:21:36
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：氮化镓发展技术编号：JFSJ-21-041作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在单个芯片上集成多个
2021-07-06 09:38:20
申请理由：用于化学行业中的纯化制备系统中，目前纯化行业还没有一个真正职能化的系统，都是通过工作站进行控制和监测，想借用该开发版打造一个新的纯化制备系统，改变传统的设备定义项目描述：开发一套化学行业中
2015-08-03 20:57:18
`晶圆是如何生长的？又是如何制备的呢？本文的主要内容有：沙子转变为半导体级硅的制备，再将其转变成晶体和晶圆，以及生产抛光晶圆要求的工艺步骤。这其中包括了用于制造操作晶圆的不同类型的描述。生长
2018-07-04 16:46:41
`一体成型电感粉材料对制备的影响分析？制备一体成型电感，我们不但要了解其工艺，材料的匹配，更要透过现象看本质看材料对制备一体成型电感的影响。下面岑科小编以铁粉材料为例简要分析一下：1、绝缘层厚度铁粉
2019-08-03 15:15:23
吴军民a, 汤学华b （上海电机学院a.汽车学院； b.机械学院，上海200245） 摘 要：研究了一种电磁型射频（RF）微机电系统（MEMS）开关的软磁悬臂梁的制备工艺。为了得到适合MEMS器件
2019-07-04 08:14:01
什么是GaN？如何面对GaN在测试方面的挑战？
2021-05-06 07:52:03
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
带来了一定的困难，这已成为当前研究下填充技术的两个重要方向。除上述的下填充技术以外，芯片上“重新布线层”的制备以及与现有SMT设备的兼容问题是影响FC推广应用的两个关键。3焊料凸点倒装芯片工艺典型的焊料
2018-11-26 16:13:59
没有塑封体，芯片背面可用散热片等进行有效的冷却，使电路的可靠性得到提高； （5）倒装凸点等制备基本以圆片、芯片为单位，较单根引线为单位的引线键合互连来讲，生产效率高，降低了批量封装的成本。 3.倒装
2020-07-06 17:53:32
可达每毫米10W。· 高频应用： 我们目前的GaN 工艺产品组合包括针对更高频率的0.15 µm 或150 纳米技术。0.25 µm 技术非常适合X 至Ku 频段的应用。0.25 µm 技术还可提供高效
2017-07-28 19:38:38
)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(PSS);然后,在PSS上进行MOCVD制作GaN基发光二极管(LED)外延片;最终,进行芯片制造和测试。PSS的基本结构为圆孔,直径为3μm,间隔为2μm,深度为864 nm
2010-04-22 11:32:16
在过去的十多年里，行业专家和分析人士一直在预测，基于氮化镓(GaN)功率开关器件的黄金时期即将到来。与应用广泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更强的功耗处理能力
2019-06-21 08:27:30
晶体管管芯的工艺流程？光刻的工艺流程？pcb制版工艺流程？薄膜制备工艺流程？求大佬解答
2019-05-26 21:16:27
有哪位同仁知道Motorola MPC755的详细制备工艺吗？是220nm的工艺，5层金属如果知道的话，可以发到我的邮箱里mht_84@126.com多谢了啊
2011-02-24 16:11:17
电子器件制备工艺
2012-08-20 22:23:29
实验名称：基于电场诱导的白光LED结构化涂层制备及其应用研究 研究方向：电场诱导结构制备工艺试验研究 实验内容： 本文主要围绕：平面电极和机构化电极两种电场诱导工艺进行试验研究，在平面电极
2022-03-29 15:44:41
AB5型贮氢合金是目前国内外MH/Ni电池生产中使用最为广泛的负极材料，而贮氢合金的电化学性能是由合金的成分、微观结构和表面状态决定的。本文综述了ABs型贮氢合金制备工艺-熔炼、热处理以及制粉工艺
2011-03-11 11:57:08
本文介绍了适用于5G毫米波频段等应用的新兴SiC基GaN半导体技术。通过两个例子展示了采用这种GaN工艺设计的MMIC的性能：Ka频段（29.5至36GHz）10W的PA和面向5G应用的24至
2020-12-21 07:09:34
提出了一种制备包覆双金属复合材料的新工艺．即充芯连铸法制备包覆双金属复合材料的工艺。试验研究了包铝双金属棒制备的工艺， 分析了铜包铝双金属棒的外观、断面和界面。
2009-07-07 08:41:39
18 硅原料
原料分检
原料腐蚀
单晶制备
2010-10-11 16:25:060 铁基颜料铁黄制备工艺流程
铁黄产
2009-03-30 20:08:211772 
硫酸渣制备铁红工艺流程
2009-03-30 20:09:321004 
低热量化学气相工艺制备氮化硅美国Aviza工艺公司开发出一种低温化学气相沉积工艺(LPCVD)，可在500℃左右进行氮化硅沉积。这个工艺使用一
2009-06-12 21:08:29729 GaN电源管理芯片市场将增长快速
据iSuppli公司，由于高端服务器、笔记本电脑、手机和有线通讯领域的快速增长，氮化鎵(GaN)电源管理半导体市场到2013年
2010-03-25 10:12:471143 
摘要：通过对贮氢合金的组分、熔炼、粉碎几个方面的实验研究，探讨了贮氢合金的制备工艺过程，分析了不同的工艺参数对合金性能的影响。确定了合金制备的最佳工艺条件为：熔化温度1400～1550℃；熔化保持时间10～15rain；冷却方式为急冷。 关键词：贮氢合金；
2011-02-21 22:14:5750 科锐公司（CREE）宣布推出两项新型GaN工艺：0.25微米、漏极电压最高为40V的G40V4和0.4微米、漏极电压最高为50VG50V3。新的工艺技术增加了工作电压和无线射频功率密度，与传统的技术相比
2012-07-18 14:30:561306 硅基高通量单细胞阵列芯片制备与研究_孟祥
2017-03-19 11:41:390 ABI研究公司一位研究人员表示，对于那些通过氮化镓(GaN)工艺技术来开发并生产设备的厂商来说，无线基础设施领域所需的RF功率半导体可能并不是他们最好的机会。 除了一些军事应用和微波通信，GaN主要
2017-12-13 16:02:01523 微孔制备技术是锂离子电池隔膜制备工艺的核心，其分为干法单向拉伸、干法双向拉伸和湿法工艺。
2018-03-20 13:50:427466 
压敏电阻的制备关键在于掺杂浓度的把控及后续刻蚀成型工艺的优化；金属引线层则主要起到惠斯通电桥的联通；压力敏感膜的制备主要依托深硅刻蚀工艺；压力腔的封装通常会因压力传感器的用途不同而有所变化，本文给出的两种可能的封装形式如图3所示。
2018-05-21 09:37:208574 锂电池硅基负极极片该如何制备呢？KarkarZ等人研究了硅电极的制备工艺。
2018-08-07 15:52:144331 产品包括SBD、常关型FET、常开型FET、级联FET等产品，面向无线充电、电源开关、包络跟踪、逆变器、变流器等市场。而按工艺分，GaN器件则分为HEMT、HBT射频工艺和SBD、Power FET电力电子器件工艺两大类。
2019-02-03 12:54:0011330 目前射频前端元器件基本均由半导体工艺制备，如手机端的功率放大器（PA）和低噪声放大器（LNA）主要基于GaN、GaAs、SOI、SiGe、Si，射频（RF）开关主要基于CMOS、Si、GaAs
2019-02-14 10:49:381650 传统法是在磷酸盐燃料电池的基础上发展起来的。该方法具体制备工艺是：将Pt/C电催化剂与经稀释的PTFE溶液（或粉末）混合，制得分散均匀的催化剂浆料，采用喷涂的方法在扩散层的表面制备催化层，然后在80°C的真空烘箱中烘干，以便除去催化层中的有机溶剂。
2019-06-04 09:45:358470 近期，加州大学圣巴巴拉分校的研发人员基于传统制备工艺，实现了多层可拉伸电路的制备，并成功制备了LED阵列的可拉伸化。这种工艺不但可以实现高达260%的最大拉伸效率，同时基于传统工艺结合制备的方式也有非常大的商业化潜力。
2020-01-31 16:11:001998 科技半导体公司提出的GaN基复合衬底技术，结合企业自身的LED芯片技术，在大大提高LED出光效率的同时，还能大幅降低高端LED芯片的生产成本，改进现有LED的产业链结构，同时该技术还可扩展应用到GaN功率器件和MicroLED领域。
2020-04-17 16:37:573363 
企查查APP显示，近日，华为技术有限公司公开一种“芯片及其制备方法、电子设备”专利，用于解决裸芯片上出现裂纹，导致裸芯片失效的问题。
2021-02-04 09:16:341975 
本章将介绍基本芯片生产工艺的概况，主要阐述4中最基本的平面制造工艺，分别是：薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。
2021-04-08 15:51:30140 介绍了Si衬底功率型GaN基LED芯片和封装制造技术，分析了Si衬底功率型GaN基LED芯片制造和封装工艺及关键技术，提供了
2021-04-21 09:55:203870 
常规光纤的制备工艺称为两步法，即：预制棒制备和光纤拉制。保偏光纤的工艺过程要复杂一些，但是也需要从制备常规光纤的预制棒开始。 01 保偏光纤 预制棒的制备 两步法的第一步是预制棒的制备，这一步采用
2021-04-27 09:11:402996 ），并在蓝宝石衬底上制备了该器件结构。 技术团队对所制备的器件进行了电流-电压测试，通过在器件侧壁及台面边缘处制备场板结构，有效降低了台面边缘处的电势及电流密度［图1（b）和（c）］，从而抑制了因刻蚀工艺导致的侧壁缺陷对载流子的复合效应
2021-07-14 16:46:55959 书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：III-V集成光子的制备 编号：JFKJ-21-212 作者：炬丰科技 摘要 本文主要研究集成光子的制备工艺。基于III-V半导体的器件， 这项工作涵盖
2023-04-19 10:04:00130 
电子发烧友网报道（文/李诚）上一期文章讲述了国外厂商主流的GaN快充主控芯片，其中安森美NCP1342解决方案被众多厂商使用。其实，除了国外的GaN控制芯片，国内的GaN控制芯片这几年发展得也不错
2021-09-18 09:49:533663 
光伏电池制备工艺-扩散(开关电源技术的节能意义)-光伏电池制备工艺-扩散
2021-09-23 14:11:4919 该方法采用光刻技术在压电衬底表面制备SU-8微流道。结合二氧化硅包覆工艺和PDMS（聚二甲基硅氧烷）工艺制备封闭的微流控通道，提供药物的连续雾化，以提高微流控药物雾化的沉积效率。
2022-07-10 15:05:48806 磁性微液滴是基于微流控技术制备的，微流道结构尺寸设计采用L-Edit画图软件完成，设计的微液滴生成区域的十字型流道结构及尺寸示意图如图1所示，图中D1为分散相入口微流道宽度，D2为流体出口微流道宽度，D3为连续相入口微流道宽度，d为制备的磁性微液滴的粒径。
2022-08-17 10:20:054111 本文聊一下GaN芯片的制备工艺。
GaN-般都是用外延技术制备出来。GaN的外延工艺大家可以看看中村修二的书。
2022-10-19 11:53:401459 蒸镀工艺通过高温融化金属材料，蒸发到基膜上实现镀铜/铝，相比于磁控溅射速度更快，效率更高，但由于高温易使基膜变形，在镀铜过程中较少使用；铝的熔点远低于铜，因此蒸镀的温度可以控制在相对更低的水平，可减少高温使基膜变形等问题的发生，因此蒸镀更适合复合铝箔的制备。
2023-01-07 14:13:321119 二极管），并在蓝宝石衬底上制备了该器件结构。技术团队对所制备的器件进行了电流-电压测试[图1(a)]，通过在器件侧壁及台面边缘处制备场板结构，有效降
低了台面边缘处的电势及电流密度[图1(b)和(c)]，从而抑制了因刻蚀工艺导致的侧壁缺陷对载流子的复合效应。
2023-02-27 15:50:380 传统GaN-on-Si功率器件欧姆接触主要采用Ti/Al/X/Au多层金属体系，其中X金属可为Ni，Mo，PT，Ti等。这种传统有Au欧姆接触通常采用高温退火工艺（＞800℃），第1层Ti在常温下
2023-04-29 16:46:00735 
通过湿法转移二维材料与半导体衬底形成异质结是一种常见的制备异质结光电探测器的方法。在湿法转移制备异质结的过程中，不同的制备工艺细节对二维材料与半导体形成的异质结的性能有显著影响。
2023-05-26 10:57:21514 
随着科技的不断发展和进步，传感器技术也在不断创新和改进。其中，传感器厚膜工艺术是一种比较新的工艺，具有广泛的应用前景和市场需求。本文将从传感器厚膜工艺术的定义、原理、制备方法、特点、应用等方面进行探讨。
2023-06-07 09:20:14557 铜基复合材料的制备工艺与综合性能，重点讨论了各种制备工艺的特点、强化机制、构型设计，总结了针对复合界面结合弱与石墨烯分散困难这2类主要技术难点的解决途径，最后对石墨烯增强铜基复合材料的制备工艺进行了展望。
2023-06-14 16:23:483063 
光刻是制备碲镉汞红外探测器芯片过程中非常关键的工艺。
2023-06-18 09:04:49861 
宽禁带半导体GaN能够在更高电压、更高频率以及更高的温度下工作，在高效功率转换，射频功放，以及极端环境电子应用方面具有优异的材料优势。
2023-08-09 16:10:10555 
半导体制造设备厂商DISCO Corporation（总部：东京都大田区；总裁：Kazuma Sekiya）采用了KABRA（一种使用激光加工的晶锭切片方法），并开发了一种针对GaN（氮化镓）晶圆生产而优化的工艺。通过该工艺，可以同时提高GaN晶圆片产量，并缩短生产时间。
2023-08-25 09:43:52435 
磷酸铁锂制备工艺多样，主要分为固相法，液相法这两大主流工艺。固相法是目前最成熟也是应用最广的磷酸铁锂合成方法，液相法工艺难度较大。今天小编给大家介绍几种磷酸铁锂制备工艺方法：
2023-10-20 09:58:141339 
报告内容包含：
微带WBG MMIC工艺
GaN HEMT 结构的生长
GaN HEMT 技术面临的挑战
2023-12-14 11:06:58178 
随着半导体技术的发展，垂直GaN功率器件逐渐凭借其优势逐渐应用在更多的领域中。高质量的GaN单晶材料是制备高性能器件的基础。
2023-12-27 09:32:54374 
氮化镓芯片是一种新型的半导体材料，由于其优良的电学性能，广泛应用于高频电子器件和光电器件中。在氮化镓芯片的生产工艺中，主要包括以下几个方面：材料准备、芯片制备、工厂测试和封装等。 首先，氮化镓芯片
2024-01-10 10:09:41506 LED倒装芯片的制备始于制备芯片的硅晶圆。晶圆通常是通过晶体生长技术，在高温高压的条件下生长出具有所需电特性的半导体材料，如氮化镓（GaN）。
2024-02-06 16:36:432625 的 2.5D/3D 封装技术可以实现芯片之间的高速、低功耗和高带宽的信号传输。常见的垂直 TSV 的制造工艺复杂，容易造成填充缺陷。锥形 TSV 的侧壁倾斜，开口较大，有利于膜层沉积和铜电镀填充，可降低工艺难度和提高填充质量。在相对易于实现的刻蚀条件下制备
2024-02-25 17:19:00119 
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