(SiC) 场效应晶体管 (FET) 系列，该系列具有出色的导通电阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常适用于主流的 800V 总线架构，这种架构常见于电动汽车
2022-05-17 11:55:24
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车载充电器、工业电池充电器、工业电源、DC-DC太阳能逆变器等应用。 贸泽电子分销的UF4C/SC SiC FET为设计人员提供了多种导通电阻和封装
2022-06-09 16:44:431659 
SiC FET由UnitedSiC率先制造，现已推出第四代产品。第四代产品改进了单元密度以降低单位面积的导通电阻（RDS.A），运用银烧结粘接和晶圆减薄技术改进了热设计，从而尽量减小了到基片的热阻。
2021-05-19 07:06:003205 
UnitedSiC布将推出四种新型SiC FET，其RDS（ON）值可低至7mΩ，并可提供前所未有的性能和高效率，适用于电动汽车（EV）逆变器、高功率DC/DC转换器、大电流电池充电器和固态断路器等高功率应用。
2019-12-10 13:45:241799 UnitedSiC的第4代SiC FET采用了“共源共栅”拓扑结构，其内部集成了一个SiC JFET并将之与一个硅MOSFET封装在一起。
2021-09-14 14:47:19612 
D2PAK-7L 封装中实现业界卓越的 9mΩ 导通电阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作为 Qorvo 全新引脚兼容 SiC FET 系列的首款产品，导通电阻值最高可达 60m
2024-01-31 15:19:34487 
40 A 650V IGBT，它与IGBT相同额定电流的二极管组合封装到表面贴装TO-263-3（亦称D2PAK）封装中。全新D2PAK封装TRENCHSTOP 5 IGBT可满足电源设备对功率密度
2018-10-23 16:21:49
产品系列包括以下SiC MOSFET：1200V 80/120 /160mΩ和1700V750mΩ，均采用TO247-3L封装。其他器件很快将在同一封装中投入生产，加上类似器件将采用TO247-4L
2019-07-30 15:15:17
和1200VSiC二极管系列涵盖2A至40A的额定电流，包括工业专用以及汽车认证的AEC-Q101器件，它们采用表面贴装的DPAKHV（高压）和D²PAK或通孔TO-220AC和TO-247LL（长引线）封装
2020-06-30 16:26:30
系列传感器为设计工程师提供了适用于工业机器视觉应用的2D和3D解决方案，如移动面部识别、智能家居和家电、QR扫描器、AR/VR、无人机、智能可穿戴设备、结构化光视觉等。贸泽电子备货的Mira220
2023-02-28 09:31:06
相位噪声超低的Analog Devices ADF5610宽带频率合成器正式开售
2020-12-18 07:15:16
`描述此设计采用带 SiC-FET 的低成本初级侧调整 (PSR) IC UCC28700，适用于 300VDC-800VDC 的输入范围。产生分别接地的四路输出：25V/19W、25V/17W
2015-04-28 17:08:04
描述 此设计采用带 SiC-FET 的低成本初级侧调整 (PSR) IC UCC28700，适用于 300VDC-800VDC 的输入范围。产生分别接地的四路输出：25V/19W、25V/17W
2022-09-27 06:03:07
。与此同时，SiC模块也已开发出采用第3代SiC-MOSFET的版本。“BSM180D12P3C007”就是通过采用第3代SiC-MOSFET而促进实现更低导通电阻和更大电流的、1200V/180A、Ron
2018-12-04 10:11:50
我用的是贸泽上的AD library loaderAD 是18版本的，但是用它加载从贸泽上下的封装时，时好时坏，坏占大多数根本没办法正常加载库文件...3 这是在线search时出现的问题1.2是用open ECAD时出的问题求救！！！
2019-07-27 22:55:44
TMS320C32的IOSTRB空间中的0x810100h，即SC16C750B的内部寄存器的基地址。 2 TMS320C32的RS232串口软件功能设计 串口工作模式控制和数据收发都是通过TMS320C
2018-12-20 10:53:25
、六轴动作传感器、环境光传感器IC和用于音频输入的PDM 麦克风。 Pioneer板基于即将在贸泽电子开售的微控制器。该器件具有物联网应用所需的超低功耗以及重要安全功能，集成了Arm? Cortex
2018-09-21 11:51:15
业内先进的 AC/DC转换器IC ，采用 一体化封装 ，已将1700V耐压的SiC MOSFET*和针对其驱动而优化的控制电路内置于 小型表贴封装 （TO263-7L）中。主要适用于需要处理大功率
2022-07-27 11:00:52
充电电路用于输出电压经整流后在10ms左右给20uF的储能大电容充电到750V。充电电路设计为典型UC2843构成的反激充电，pwm波为50kHZ左右，占空比0.45左右，输入电压为DC12V，对于
2017-09-29 17:35:51
英飞凌科技股份公司于近日推出了一款车规级基于EDT2技术及EasyPACK™ 2B半桥封装的功率模块，这款模块具有更高的灵活性及可扩展性。根据逆变器的具体条件，这款750V的模块最大可以支撑50kW
2021-11-29 07:42:30
]Nch1700V3.7A35W1.15Ω(Typ.)14nC(Typ.)4A44W57W0.75Ω(Typ.)17nC(Typ.)☆：开发中SCT2H12NZ:1700V高耐压SiC-MOSFET 重点必看与SiC用AC/DC转换器控制IC组合，效率显著提高＜ 相关产品信息 ＞SiC-MOSFETSi-MOSFET
2018-12-05 10:01:25
有谁知道贸泽电子卖的运放里面有假货吗？
2020-06-06 15:40:23
CRD-060DD17P-2，采用市售1700V碳化硅（SiC）MOSFET的单端反激式转换器设计演示板。该设计采用1700V SiC MOSFET，采用新型7LD2PAK表面贴装封装，占板面
2019-04-29 09:25:59
了。 固有优势加上最新进展 碳化硅的固有优势有很多，如高临界击穿电压、高温操作、具有优良的导通电阻/片芯面积和开关损耗、快速开关等。最近，UnitedSiC采用常关型共源共栅的第三代SiC-FET器件已经
2023-02-27 14:28:47
在L7812c2t d^2pak封装上，经常能看到三行标识，分别是l7812c2tgkodj v6chn 327请问第二行第三行那些是什么意思？
2019-06-25 04:36:10
（IPS-RA）4. 航空级智能功率开关（IPS-AA）纳/ 微电网与航空电子5.用于奈米／微电网V2G／V2H的高效双向SiC功率转换器6.航空电子逆变器。航空电子7. LiPo介面8.引擎控制器- 逆变器该
2019-06-27 04:20:26
栅极驱动特性允许真正“直接替代” Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超结器件。该器件采用 D2PAK-7L 封装，具有超低栅极电荷和出
2023-05-11 15:28:08
栅极驱动特性允许真正“直接替代” Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超结器件。该器件采用 D2PAK-7L 封装，具有超低栅极电荷和出
2023-05-11 15:41:16
市场上唯一的标准栅极驱动 SiC 器件。该器件采用 D2PAK-3L 封装，具有超低栅极电荷，而且具有同类额定值器件中最佳的反向恢复特性。这些器件非常适合开关电感
2023-05-11 16:55:02
市场上唯一的标准栅极驱动 SiC 器件。该系列不仅具有超低栅极电荷，而且具有同类额定值器件中最好的反向恢复特性。这些器件采用 D2PAK-3L 封装，非常适合开关
2023-05-11 17:09:34
Qorvo 的 UJ4C075018K3S 是一款 750 V、18 mohm Gen 4 SiC FET。它基于独特的共源共栅电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装
2023-05-11 17:34:17
Qorvo 的 UJ4C075018K4S 是一款 750 V、18 mohm Gen 4 SiC FET。它基于独特的共源共栅电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装
2023-05-11 17:37:32
Qorvo 的 UJ4C075023B7S 是一款 750 V、23 mohm Gen 4 SiC FET。它基于独特的共源共栅电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装
2023-05-11 17:39:53
Qorvo 的 UJ4C075023K3S 是一款 750 V、23 mohm Gen 4 SiC FET。它基于独特的共源共栅电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装
2023-05-11 17:44:32
Qorvo 的 UJ4C075023K4S 是一款 750 V、23 mohm Gen 4 SiC FET。它基于独特的共源共栅电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装
2023-05-11 17:47:24
Qorvo 的 UJ4C075033B7S 是一款 750 V、33 mohm Gen 4 SiC FET。它基于独特的共源共栅电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装
2023-05-11 17:50:43
Qorvo 的 UJ4C075033K3S 是一款 750 V、33 mohm Gen 4 SiC FET。它基于独特的共源共栅电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装
2023-05-11 17:55:43
封装，以生产当今市场上唯一的标准栅极驱动 SiC 器件。该系列不仅具有超低栅极电荷，而且具有同类额定值器件中最好的反向恢复特性。这些器件采用 D2PAK-3L 封
2023-05-11 18:01:04
Qorvo 的 UJ4C075033K4S 是一款 750 V、33 mohm Gen 4 SiC FET。它基于独特的共源共栅电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装
2023-05-12 09:20:45
Qorvo 的 UJ4C075044B7S 是一款 750 V、44 mohm Gen 4 SiC FET。它基于独特的共源共栅电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装
2023-05-12 09:23:36
Qorvo 的 UJ4C075044K3S 是一款 750 V、44 mohm Gen 4 SiC FET。它基于独特的共源共栅电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装
2023-05-12 09:26:11
Qorvo 的 UJ4C075044K4S 是一款 750 V、44 mohm Gen 4 SiC FET。它基于独特的共源共栅电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装
2023-05-12 09:28:29
Qorvo 的 UJ4C075060B7S 是一款 750 V、58 mohm Gen 4 SiC FET。它基于独特的共源共栅电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装
2023-05-12 09:35:54
Qorvo 的 UJ4C075060K3S 是一款 750 V、58 mohm Gen 4 SiC FET。它基于独特的共源共栅电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si
2023-05-12 09:38:53
Qorvo 的 UJ4C075060K4S 是一款 750 V、58 mohm Gen 4 SiC FET。它基于独特的共源共栅电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si
2023-05-12 09:41:31
Qorvo 的 UJ4SC075005L8S 是一款 750 V、5.4 mohm Gen 4 SiC FET。它基于独特的共源共栅电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同
2023-05-12 09:58:02
Qorvo 的 UJ4SC075006K4S 是一款 750 V、5.9 mohm Gen 4 SiC FET。它基于独特的共源共栅电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si
2023-05-12 10:14:25
Qorvo 的 UJ4SC075008L8S 是一款 750 V、8.6 mohm Gen 4 SiC FET。它基于独特的共源共栅电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同
2023-05-12 10:22:05
Qorvo 的 UJ4SC075009B7S 是一款 750 V、9 mohm Gen 4 SiC FET。它基于独特的共源共栅电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si
2023-05-12 10:27:07
Qorvo 的 UJ4SC075009K4S 是一款 750 V、9 mohm Gen 4 SiC FET。它基于独特的共源共栅电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装
2023-05-12 10:31:25
Qorvo 的 UJ4SC075011B7S 是一款 750 V、11 mohm Gen 4 SiC FET。它基于独特的共源共栅电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同
2023-05-12 10:39:28
Qorvo 的 UJ4SC075011K4S 是一款 750 V、11 mohm Gen 4 SiC FET。它基于独特的共源共栅电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同
2023-05-12 10:47:32
Qorvo 的 UJ4SC075018B7S 是一款 750 V、18 mohm Gen 4 SiC FET。它基于独特的共源共栅电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同
2023-05-12 10:55:29
Qorvo 的 UJ4SC075018L8S 是一款 750 V、18 mohm Gen 4 SiC FET。它基于独特的共源共栅电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同
2023-05-12 10:58:10
UF3C120080B7S产品简介Qorvo 的 UF3C120080B7S 1200 V、85 mohm SiC FET 器件基于独特的级联电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si
2023-05-12 11:54:23
UF3SC065007K4S产品简介Qorvo 的 UF3SC065007K4S 650 V、6.7 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于独特的级联电路配置，其中常开 SiC JFET
2023-05-12 14:29:40
UF3SC065030B7S产品简介Qorvo 的 UF3SC065030B7S 650 V、27 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于独特的级联电路配置，其中常开 SiC JFET
2023-05-12 14:35:49
UF3SC065040B7S产品简介Qorvo 的 UF3SC065040B7S 650 V、42 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于独特的级联电路配置，其中常开 SiC JFET
2023-05-12 14:41:53
UF3SC120009K4S产品简介Qorvo 的 UF3SC120009K4S 1200 V、8.6 mohm SiC FET 器件基于独特的级联电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si
2023-05-12 14:47:58
UF3SC120016K4S产品简介Qorvo 的 UF3SC120016K4S 1200 V、16 mohm SiC FET 器件基于独特的级联电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si
2023-05-12 14:59:16
UF3SC120040B7S产品简介Qorvo 的 UF3SC120040B7S 是一款 1200 V、35 mohm RDS(on) SiC FET 器件，基于独特的级联电路配置，其中常开 SiC
2023-05-12 15:05:36
UF4SC120023K4S 产品简介Qorvo 的 UF4SC120023K4S 是一款 1200 V、23 mohm RDS(on) Gen 4 SiC FET。它基于独特的共源共栅
2023-05-12 15:40:44
UF4SC120030K4S产品简介Qorvo 的 UF4SC120030K4S 是一款 1200 V、30 mohm RDS(on) Gen 4 SiC FET。它基于独特的共源共栅电路配置，其中
2023-05-12 15:46:12
MOSFET 共同封装，以生产当今市场上唯一的标准栅极驱动 SiC 器件。该器件采用 D2PAK-3L 封装，具有超低栅极电荷，而且具有同类额定值器件中最佳的反向恢
2023-05-12 15:54:18
UJ3C065030T3S产品简介Qorvo 的 UJ3C065030T3S 是一款 650 V、27 mohm RDS(on) SiC FET 产品，将其高性能第 3 代 SiC JFET
2023-05-12 16:02:53
UJ4SC075018B7S 产品简介Qorvo 的 UJ4SC075018B7S 是一款 750 V、18 mohm Gen 4 SiC FET。它基于独特的共源共栅电路配置，其中
2023-05-12 16:16:38
Qorvo 的 UJ4SC075011B7S 是一款 750 V、11 mohm Gen 4 SiC FET。它基于独特的共源共栅电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同
2023-12-17 10:50:35
Qorvo UF4SC120023B7S G4碳化硅（SiC）FETQorvo UF4SC120023B7S G4碳化硅（SiC）FET是基于独特的“共源共栅”电路配置的1200V、23mΩ器件
2024-02-26 14:19:32
Qorvo / UnitedSiC UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETUnitedSiC/Qorvo UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC是一款高性能系列产品，提供业界最佳
2024-02-26 19:40:31
UnitedSiC / Qorvo D2-PAK封装中的UF3C SiC FET采用D2-PAK-3L和D2-PAK-7L表面贴装封装的UnitedSiC / Qorvo UF3C SiC FET
2024-02-26 19:57:09
功率因数校正（PFC）、主动前端整流器、LLC转换器和相移全桥转换器的设计人员现在可以通过使用来自UnitedSiC的新型UJ3C1200系列碳化硅（SiC ）结型场效应晶体管（JFET
2018-05-25 16:42:001416 碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC宣布扩展UF3C FAST产品系列，并推出采用TO-247-4L 4引脚Kelvin Sense封装的全新系列650 V和1200 V高性能碳化硅
2019-01-01 10:33:003613 碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC/美商联合碳化硅股份有限公司 宣布，已经为UJ3C（通用型）和UF3C（硬开关型）系列650V SiC FET新增加了7种新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封装组合产品。
2019-05-08 09:04:021767 英飞凌推出采用全新D2PAK-7L封装的1200V CoolSiC MOSFET，导通电阻从30mΩ到350mΩ，可助力不同功率的工业电源、充电器及伺服驱动器（不同的电流额定值）实现最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:492695 为电源设计选择初始半导体开关可能是一件繁杂的工作。UnitedSiC的新FET-Jet CalculatorTM可以简化这项工作并准确预测系统性能。
2021-03-19 09:42:401891 UnitedSiC SiC FET用户手册
2021-09-07 18:00:13
17 2020年 750V第四代SiC FET 诞生时，它与650V第三代器件的比较结果令人吃惊，以 6毫欧 器件为例，品质因数RDS•A降了近一半，由于体二极管反向恢复能量，动态损耗也降了近一半。关闭
2022-05-23 17:31:29947 UnitedSiC（现名Qorvo）扩充了其1200V产品系列，将其突破性的第四代SiC FET技术推广到电压更高的应用中。
2022-06-06 09:33:573458 
第一款 UJ4SC075006K4S 器件功能非常强大，导通电阻 (R DS(on) ) 仅为 6 mΩ 和 750 V，是 UnitedSiC 九件套 SiC FET MOSFET 系列的一部分
2022-07-29 09:14:20465 
UnitedSiC（现为Qorvo）扩展了其突破性的第4代 SiC FET产品组合, 通过采用TO-247-4引脚封装的750V/6mOhm SiC FET和采用D2PAK-7L表面贴装封装
2022-08-01 12:14:081068 许多人选择“七”这个数字是因为它的“幸运”属性，而UnitedSiC选择它则当然是因为七个引脚非常适合D2PAK半导体封装。
2022-08-01 14:42:36744 为了满足设计人员对更高性能、更高效系统的需求，UnitedSiC 宣布了新的 SiC FET，可实现更高水平的设计灵活性，最显着的是 750 V、6 mΩ 的解决方案，其稳健的短路耐受时间额定值为 5微秒。
2022-08-03 08:04:48908 
UnitedSiC FET-Jet计算器让为功率设计选择SiC FET和SiC肖特基二极管变得轻而易举。设计工程师只需：
2022-10-11 09:03:28556 UnitedSiC（现已被Qorvo收购）750V UJ4C/SC SiC FET，采用D2PAK-7L封装。UJ4C/SC系列器件是750V碳化硅场效应晶体管（SiC FET），借助D2PAK-7L封装选项提供低开关损耗、在更高速度下提升效率，同时提高系统功率密度。
2022-10-27 16:33:29739 CleanWave200采用UnitedSiC共源共栅FET，能够在100kHz的频率下实现99.3%的系统能效，且每个开关位置并联三个器件。
2022-12-12 09:25:09446 在电源转换这一语境下，性能主要归结为两个互为相关的值：效率和成本。仿真结果和应用实例表明，SiC FET 可以显著提升电源转换器的性能。了解更多。 这篇博客文章最初由 United Silicon
2023-02-08 11:20:01403 比较SiC开关的数据手册可能很困难。SiC MOSFET在导通电阻温度系数较低的情况下似乎具有优势，但与UnitedSiC FET相比，这表明潜在的损耗更高，整体效率低下。
2023-02-21 09:24:56592 
来源：Qorvo 近日，全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo® 宣布，将展示一种全新的无引线表面贴装 (TOLL) 封装技术，其高性能具体表现在：750V SiC FET 拥有全球最低
2023-03-22 16:13:20581 全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo 将展示一种全新的表面贴装 TO- 无引线（TOLL）封装技术，用于其高性能 5.4（mΩ）750V SiC FETs。这是 TOLL 封装中发
2023-04-11 15:55:09493 是一家领先的碳化硅 (SiC) 功率半导体制造商，它的加入促使 Qorvo 将业务扩展到电动汽车 (EV)、工业电源、电路保护、
2023-05-17 12:05:02259 
英飞凌推出采用TO-247PLUS SMD封装的EDT2工业级分立IGBT，采用750V EDT2 IGBT技术，具有最低的导通损耗和开关损耗，这可以使电动商用车的电池电压达到450Vdc
2023-05-19 12:42:27453 新品120-200A750VEDT2工业级分立IGBT120-200A750VEDT2工业级分立IGBT，采用可回流焊，电阻焊的TO-247PLUSSMD封装产品型号
2023-05-18 09:41:31856 
图腾柱功率系数校正电路一直是个构想，许多工程师都在寻找能够有效实现这一构想的技术。如今，人们发现 SiC FET 是能让该拓扑结构发挥最大优势的理想开关。了解应对方式。 这篇博客文章最初
2023-06-21 09:10:02212 
Qorvo （UnitedSiC） 近宣布推出采用新型表面贴装 TOLL 封装的 750V/5.4mΩ SiC FET，扩大了公司的性能地位，并扩大了其突破性的第 4 代 SiC FET 产品组合
2023-08-07 14:47:17369 
镓（GaN）等宽带隙材料的器件技术无疑已经做到了这一点。 与传统硅基产品相比，这些宽带隙技术材料在提升功率转换效率和缩减尺寸方面都有了质的飞跃。 凭借S iC在缩减尺寸方面的全新能力，Qorvo的SiC FET技术用于采用TO-Leadless（TOLL）封装的750V器件开发，并扩大了其领先优势。
2023-08-29 18:10:01225 
UnitedSiC SiC FET用户指南
2023-12-06 15:32:24172 
深圳市至信微电子有限公司（简称：至信微）在深圳威尼斯英迪格酒店成功举办了2024新品发布暨代理商大会。此次大会上，至信微发布了一系列行业领先的SiC芯片，其中包括1200V/7mΩ和750V/5mΩ两款产品。
2024-01-16 15:45:17286 Qorvo，全球领先的综合连接和电源解决方案供应商，近日发布了其全新车规级碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）产品。这款产品拥有紧凑的 D2PAK-7L 封装，实现了业界领先的9mΩ导通电阻RDS
2024-02-01 10:18:06202 在产品研发方面，2023年，Qorvo宣布采用具备业界最低RDS(on)（5.4mΩ）的TOLL封装750V FET，这是任何其它功率半导体技术（如硅基MOSFET、SiC MOSFET、GaN FET）均无法超越的。
2024-02-21 14:40:5266
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