浅谈半导体器件热设计与热分析技术
- 半导体器件(31456)
- 热设计(26460)
相关推荐
半导体元器件的热设计影响分析
近年来,“小型化”、“高功能化”、“设计灵活性”已经成为半导体元器件技术发展趋势。在此我们需要考虑的是半导体元器件的这些趋势将对热和热设计产生怎样的影响。
2020-12-11 14:33:373224
半导体器件介绍与应用(基础元件+基本应用+器件仿真)
《电子电路分析与设计:半导体器件及其基本应用》主要内容:电子学是研究电荷在空气、真空和半导体内运动的一门科学(注意此处不包括电荷在金属中的运动)。这一概念最早起源于20世纪早期,以便和电气工程
2018-11-13 15:34:39
半导体制冷效率问题!!
大家有没有用过半导体制冷的,我现在选了一种制冷片,72W的,我要对一个2.5W的热负载空间(100x100x100mm)降温,用了两片,在环温60度时热负载所处的空间只降到30度,我采用的时泡沫胶
2012-08-15 20:07:10
半导体制冷片的工作原理是什么?
半导体制冷片是利用半导体材料的Peltier效应而制作的电子元件,当直流电通过两种不同半导体材料串联成的电偶时,在电偶的两端即可分别吸收热量和放出热量,可以实现制冷的目的。它是一种产生负热阻的制冷技术,其特点是无运动部件,可靠性也比较高。半导体制冷片的工作原理是什么?半导体制冷片有哪些优缺点?
2021-02-24 09:24:02
半导体制程
的积体电路所组成,我们的晶圆要通过氧化层成长、微影技术、蚀刻、清洗、杂质扩散、离子植入及薄膜沉积等技术,所须制程多达二百至三百个步骤。半导体制程的繁杂性是为了确保每一个元器件的电性参数和性能,那么他的原理又是
2018-11-08 11:10:34
半导体功率器件的分类
近年来,全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移。目前,我国已经成为全球最重要的半导体功率器件封测基地。如IDM类(吉林华微电子、华润微电子、杭州士兰微电子、比亚迪股份、株洲中车时代半导体
2021-07-12 07:49:57
半导体厂商在家电变频技术竞争
作为通讯乃至军事行业的技术支撑者,半导体厂商曾经离家用电器行业很“远”,而现在,随着家电应用市场和功能的扩展,消费者对家电产品的质量和技术的要求越来越高,半导体厂商转身成为了家电变频技术的竞技者
2019-06-21 07:45:46
半导体基础知识相关资料分享
1. 本征半导体及其特点 纯净的半导体称为本征半导体。在热“激发”条件下,本征半导体中的电子和空穴是成对产生的;当电子和空穴相遇“复合”时,也成对消失;电子和空穴都是载流子温度越高,“电子—空穴
2021-05-24 08:05:48
半导体工艺技术的发展趋势
)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、双极硅、绝缘硅(SoI)和蓝宝石硅(SoS)等工艺技术给业界提供了丰富的选择。虽然半导体器件的集成度越来越高,但分立器件同样在用这些工艺制造。随着全球电信网络向
2019-07-05 08:13:58
半导体工艺技术的发展趋势是什么?
)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、双极硅、绝缘硅(SoI)和蓝宝石硅(SoS)等工艺技术给业界提供了丰富的选择。虽然半导体器件的集成度越来越高,但分立器件同样在用这些工艺制造。随着全球电信网络向长期
2019-08-20 08:01:20
半导体材料的特性与参数
接触处形成位垒,因而这类接触具有单向导电性。利用PN结的单向导电性,可以制成具有不同功能的半导体器件,如二极管、三极管、晶闸管等。此外,半导体材料的导电性对外界前提(如热、光、电、磁等因素)的变化非常
2013-01-28 14:58:38
半导体的导电特性
要的是,如果在纯诤 的半导体中加入适量的微量杂质后,可使其导电能力增加至数十万倍以上。利用 这一特性,已经做成各种不同用途的半导体器件(如二极管、三极管、场效应管 和晶闸管等)。温度、光照和适量掺入杂质
2017-07-28 10:17:42
半导体的导电特性
要的是,如果在纯诤 的半导体中加入适量的微量杂质后,可使其导电能力增加至数十万倍以上。利用 这一特性,已经做成各种不同用途的半导体器件(如二极管、三极管、场效应管 和晶闸管等)。温度、光照和适量掺入杂质
2018-02-11 09:49:21
半导体芯片焊接方法
半导体芯片焊接方法芯片焊接(粘贴)方法及机理 芯片的焊接是指半导体芯片与载体(封装壳体或基片)形成牢固的、传导性或绝缘性连接的方法。焊接层除了为器件提供机械连接
2010-02-26 08:57:57
浅谈一下失效分析
(解剖)分析;先调查了解与失效有关的情况(应用条件、失效现象等),后分析失效器件。三、失效分析常用技术在开展失效分析时,一定是和相应的技术手段和设备手段密不可分的。常用技术手段分为以下几类:1、电气测试
2019-10-11 09:50:49
热分析技术在PCB失效分析中的应用
技术,同时介绍一些典型的案例。 1 热分析技术 1.1 差示扫描量热仪 (DSC) 差示扫描量热法(Differential Scanning Calorimetry)是在程序控温下,测量输入到
2012-07-27 21:05:38
热成像技术原理,不看你绝对后悔
`大家现在看到的这个pard热成像是已经设计完好已经在销售的产品,然而这个完美的产品该什么样求设计呢,大家想过没有,下面就跟大家分享一些干货吧!要想完好的设计出一款性能优异的热成像产品,就必须要先去
2017-08-03 12:12:35
热瞬态分析的理论基础
许多半导体器件在脉冲功率条件下工作,器件的温升与脉冲宽度及占空比有关,因此在许多场合下需要了解器件与施加功率时间相关的热特性;除了与功率持续时间外,半导体器件的瞬态热阻与器件材料的几何尺寸、比热容、热扩散系数有关,因此半导体器件的热瞬态特性可以反映出器件内部的很多特性
2019-05-31 07:36:41
热重分析仪的原理是什么?
热重分析仪的基本原理是将待测物置于一耐高温的容器中,此容器被置于一具有可程式控制温度的高温炉中,而此待测物被悬挂在一个具有高灵敏度及精确度的天平上。
2019-10-14 09:12:09
AMD超威半导体一揽子热招职位分享;请有意向者将简历发送到 [email]Cherry.Zhang
AMD超威半导体一揽子热招职位分享;请有意向者将简历发送到 Cherry.Zhang@amd.comSr.MTS/SMTS Physical Design EngineerSignal
2017-02-15 15:03:49
Android热修复技术选型
、Dexposed,腾讯QQ空间的超级补丁技术和微信的Tinker。最近阿里百川推出的HotFix热修复服务就基于AndFix技术,定位于线上紧急BUG的即时修复,所以AndFix技术这块我们重点分析阿里百川
2017-04-29 09:47:02
Excel作为热分析工具
变量和求解器,来做一些事情,包括将热RC网络拟合到实验数据,调整热RC模型匹配表面加热或体积加热的半导体器件,使用这些模型分析多脉冲和其他复杂的功率循环温度预测,创建单热源系统和多热源系统的节点元件热
2018-10-12 08:58:38
GaN基微波半导体器件材料的特性
材料。与目前绝大多数的半导体材料相比,GaN 具有独特的优势:禁带更宽、饱和漂移速度更大、临界击穿电场和热导率更高,使其成为最令人瞩目的新型半导体材料之一。目前,GaN 基发光器件的研究已取得了很大
2019-06-25 07:41:00
IGBT模块瞬态热特性退化分析
的可再生能源,而IGBT是光伏系统中主要的功率半导体器件,因此其可靠性对光伏系统有重要影响。IGBT模块的热特性是模块的重要特性之一,模块在退化过程中,热性能变化对于半导体模块的整体性
2020-12-10 15:06:03
LED封装器件的热阻测试及散热能力评估
变化,根据变化分析老化机理,从而改善产品散热性能。 5.接触热阻的测量随着半导体制造技术的不断成熟,热界面材料的热性能已经成为制约高性能封装产品的瓶颈。接触热阻的大小与材料、接触质量是息息相关的。常规
2015-07-29 16:05:13
N型与P型半导体
,自由电子为多子,空穴为少子,主要靠自由电子导电。自由电子主要由杂质原子提供,空穴由热激发形成。掺入的杂质越多,多子(自由电子)的浓度就越高,导电性能就越强。P型半导体也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴
2016-10-14 15:11:56
PADS的热分析设计使用指南
PADS 提供的独特功能可以实现在早期对印刷电路板进行热分析。完成元件布局后,您就可以立即对完成布局、部分完成布线或全部完成布线的 PCB 设计进行板级别热问题分析。利用温度分布图、梯度图和过温图,您可以在设计流程的早期解决板和元器件过热问题。
2019-09-16 08:58:39
PCB热设计概述
路径。 在JESD51-x系列标准中描述了应该测量器件热阻数字的方法和条件,正如人们可能期望的那样,这些标准在描述应该如何进行测试时非常精确。因此,可以预期,对于希望对系统进行热分析的设计者来说,热
2023-04-20 16:49:55
SPC在半导体在半导体晶圆厂的实际应用
的应用。 2 SPC技术概述 早期的半导体制造企业为保证产品质量,基本上以工艺检测和产品检验为主要手段进行产品的质量监控,很明显这是一种事后检测的方法,随着各类使用半导体元器件的电子产品的质量需求的提高
2018-08-29 10:28:14
T3Ste热测试仪的典型应用案例
↑)T3Ster的测试结果可以直接导入到FloTHERM软件进行后期系统散热分析。◆ 仿真模型的验证 (返回顶部↑)• 验证模型包括材料热学性能的验证◆ 接触热阻的测量 (返回顶部↑)随着半导体制造技术的不断
2013-01-08 15:29:44
【PCB散热】如何实现板级电路热设计
是由铜导体和绝缘介质材料组成,一般热为绝缘介质材料不发热。铜导体图形由于铜本身存在电阻,当电流通过时就发热。2、加快散热在给定条件下,当板级电路中元器件温度上升到超过可靠性保证温度时,便要采取适当的散热
2014-12-17 15:31:35
【下载】《电子电路分析与设计——半导体器件及其基本应用》
的电子工程是一个崭新的领域,主要研究真空管中的电荷运动。如今,电子学研究的内容一般包括晶体管和晶体管电路。微电子学研究集成电路(IC)技术,它能够在一块半导体材料上制造包含数百万甚至更多个电路元件
2018-02-08 18:13:14
【原创分享】mos管的热阻
电子产品里面半导体器件是非常常见的,半导体器件的应用是会产生热量的,比如说我们的手机芯片在玩游戏的时候发热比较厉害,如果温度高了手机可能会死机等,为了不让手机死机,工程师们就只能解决功耗与扇热
2021-09-08 08:42:59
【基础知识】功率半导体器件的简介
在研究雷达探测整流器时,发现硅存在PN结效应,1958年美国通用电气(GE)公司研发出世界上第一个工业用普通晶闸管,标志着电力电子技术的诞生。从此功率半导体器件的研制及应用得到了飞速发展,并快速成长为
2019-02-26 17:04:37
一种被飞思卡尔使用的高功率射频功放的热测量方法阐述
简介这篇文章阐述了一种被飞思卡尔使用的高功率射频功放的热测量方法。半导体器件的可靠性和器件的使用温度有很大的关系,因此,建立使用了高功率器件的系统的可靠性模型,这些高功率器件的精确的温度特性非常关键。
2019-06-27 07:52:25
不同的PCB和器件配置对热行为的影响
5.1 介绍 在前一章中考虑了不同的PCB和器件配置对热行为的影响。通过对多种情况的分析和比较,可以得出许多关于提供LFPAK MOSFETs散热片冷却的最佳方式的结论。 在第4章中考
2023-04-21 15:19:53
什么是基于SiC和GaN的功率半导体器件?
阻使这些材料成为高温和高功率密度转换器实现的理想选择 [4]。 为了充分利用这些技术,重要的是通过传导和开关损耗模型评估特定所需应用的可用半导体器件。这是设计优化开关模式电源转换器的强大
2023-02-21 16:01:16
什么是用于甚高频率的半导体技术?
去的三十年里,III-V 技术(GaAs 和InP)已经逐渐扩大到这个毫米波范围中。新近以来,由于工艺尺寸持续不断地减小,硅技术已经加入了这个“游戏”。在本文中,按照半导体特性和器件要求,对可用
2019-07-31 07:43:42
优恩半导体电子保护器件的优势分析
电路保护用于几乎所有的电气或电子设备,不仅保护设备,而且保护人、企业和声誉。这些器件有针对性地保护敏感电子免受过流、过压、静电放电、浪涌和其他破坏性的故障所导致的失效。国内电路保护专家优恩半导体专业研发及生产高规格、高性能电路保护元件,本文将介绍优恩半导体电路保护器件的优势
2018-09-25 15:45:33
功率半导体
;nbsp; (2)功耗2.3.1晶闸管的断态特性(续)(1) p+n结的击穿电压雪崩击穿电压:碰撞电离的强弱程度通常用电离率来表示,有如下经验公式:式中a、b、n 均为常数。 功率半导体器件
2008-08-16 11:30:48
功率半导体器件应用基础
;nbsp; 功率电子学是一门包含用功率半导体器件进行功率变换和控制的新技术,同时也是多项高技术
2008-08-03 17:05:29
单片机控制半导体制冷
我想用单片机开发板做个热疗仪,开发板是某宝上买的那种,有两个猜想:一个用半导体制冷片发热,一个用电热片。但我不会中间要不要接个DA转换器还是继电器什么的,查过一些资料,如果用半导体制冷片用PWM控制
2017-11-22 14:15:40
哪些因素会给半导体器件带来静电呢?
根据不同的诱因,常见的对半导体器件的静态损坏可分为人体,机器设备和半导体器件这三种。
当静电与设备导线的主体接触时,设备由于放电而发生充电,设备接地,放电电流将立即流过电路,导致静电击穿。外部物体
2023-12-12 17:18:54
基于ANSYS半导体激光器热特性模拟与分析
。使用Ansys软件进行激光器热分析可以做到模型建立便捷,施加载荷直观,求解速度快,图形显示功能强大,可以应用于各类半导体激光器件的热学特性分析。【关键词】:半导体激光器;;Ansys有限元软件;;热分析
2010-05-04 08:04:50
基于ANSYS半导体激光器热特性模拟与分析
】:半导体激光器电源;;冗余并联技术;;高可靠性;;恒流臂【DOI】:CNKI:SUN:CGJM.0.2010-01-015【正文快照】:半导体激光器(LD)是20世纪发展起来的一种新型固体光源,由于其具有
2010-05-04 08:05:06
基于IGBT热计算的最大化电源设计效用解决方案
ms。因此,使用8.3 ms时长内的50%占空比曲线,就可以计算Psi值: 评估多裸片封装内的半导体裸片温度,在单裸片器件适用技术基础上,要求更多的分析技术。有必要获得两个裸片提供的直流及瞬态热信息
2018-09-30 16:05:03
基于设计数据共享的板级热仿真技术研究(一)
摘要:文中通过分析目前电子设备板级热仿真建模技术存在的不足,基于设计数据共享技术,系统研究了PCB 板卡的叠层铜分布和热过孔仿真建模对芯片温度预测精度带来的较大影响,并结合实际应用给出了仿真优化
2018-09-26 16:22:17
安森美半导体宣布收购Fairchild半导体
进行检查。这工具包括一些提示,强调一些选择会如何影响您的设计。结果表显示了各推荐器件的评估板和设计资源的供货情况。最后,安森美半导体现在提供Power Supply WebDesigner™仿真分析套件-前
2018-10-31 09:17:40
射频集成电路半导体和CAD技术讨论
因特网接入业务的兴起使人们对无线通信技术提出了更高的要求。体积小、重量轻、低功耗和低成本是无线通信终端发展的方向,射频集成电路技术(RFIC)在其中扮演着关键角色。RFIC的出现和发展对半导体器件、射频电路分析方法,乃至接收机系统结构都提出了新的要求。
2019-07-05 06:53:04
常用半导体器件
常用半导体器件本章要求:一、理解PN结的单向导电性,三极管的电流分配和 &
2009-09-30 18:12:20
常用半导体手册
半导体元器件是用半导体材料制成的电子元器件,随着电子技术的飞速发展,各种新型半导体元器件层出不穷。半导体元器件是组成各种电子电路的核心元件,学习电子技术必须首先了解半导体元器件的基本结构和工作原理
2008-05-24 10:29:38
新兴的半导体技术发展趋势
文/编译杨硕王家农在网络无处不在、IP无处不在和无缝移动连接的总趋势下,国际半导体技术路线图(ITRS)项目组在他们的15年半导体技术发展预测中认为,随着技术和体系结构推进“摩尔定律”和生产力极限
2019-07-24 08:21:23
智能家居热成像技术
,以及独居老年人数量增加,这一点至关重要。热成像技术在很多方面都有帮助,从简单的监测温度和运动的生命体征到复杂的行为分析。一个共同的和重要的主题,在老年人的护理是发现,甚至防止跌倒。尽管在起居室安装摄像头
2022-04-09 13:33:05
浅析化合物半导体技术
、日本等国家和组织启动了至少12项研发计划,总计投入研究经费达到6亿美元。借助各国***的大力支持,自从1965年第一支GaAs晶体管诞生以来,化合物半导体器件的制造技术取得了快速的进步,为化合物半导体
2019-06-13 04:20:24
电子热设计分析
成功的电路设计包括正确的热分析:在不同运行条件下会产生多少热量?是否会有组件超过额定值?通常,这个过程交由精通热分析的热/封装工程师负责。虽然在专业技术方面大有优势,但流程不连续却存在劣势,这可
2018-10-17 11:43:12
连接器的热设计与热仿真和热测试
连接器的热可靠性分别三个方面:热分析、热设计和热测试,又可统称为连接器的热管理技术。在生产生活中,连接器热管理的目的是为了针对连接器中的生热及散热问题,通过合理的结构设计和冷却方式,使整个系统
2020-07-07 17:14:14
透过IGBT热计算来优化电源设计
°C/W IGBT裸片的峰值温度就会是: 二极管裸片峰值温度就是: 结论 评估多裸片封装内的半导体裸片温度,在单裸片组件适用技术基础上,要求更多的分析技术。有必要获得两个裸片提供的直流及瞬时热信息
2018-10-08 14:45:41
通过IGBT热计算来将电源设计的效用提升至最高
裸片封装内的半导体裸片温度,在单裸片器件适用技术基础上,要求更多的分析技术。有必要获得两个裸片提供的直流及瞬态热信息,以计算裸片温度。还有必要测量两个器件的功率耗散,分析完整半正弦波范围抽的损耗。此
2014-08-19 15:40:52
半导体制冷差示扫描量热仪
产品介绍: 差示扫描量热仪是一种测量参比端与样品端的热流差与温度参数关系的热分析仪器,主要应用于测量物质加热或冷却过程中的各种特征参数:玻璃化转变温度Tg、氧化诱导期OIT
2021-07-07 16:51:33
同步热分析仪
同步热分析将热重分析TG与差热分析DTA或差示扫描量热DSC结合为一体,在同一次测量中利用同一样品可同步得到TG与DTA或DSC的信息。测量与研究材料的如下特性:DSC:熔融、结晶、相变、反应温度
2022-12-13 11:11:45
同步热分析仪
仪器介绍:DZ-STA200同步热分析仪是一款同步热分析将热重分析TG与差热分析DTA或差示扫描量热DSC结合为一体,在同一次测量中利用同一样品可同步得到TG与DTA或DSC的信息。仪器性能介绍
2023-02-02 15:19:41
功率半导体的优劣势分析_功率半导体器件用途
本文介绍了什么是功率半导体器件,对功率半导体器件分类和功率半导体器件优缺点进行了分析,分析了功率半导体模块的发展趋势以及功率半导体器件的基本功能和用途。
2018-01-13 09:19:4317515
浅谈功率半导体器件与普通半导体器件的区别
功率半导体器件与普通半导体器件的区别在于,其在设计的时候,需要多一块区域,来承担外加的电压,如图5所示,300V器件[1]的“N-drift”区域就是额外承担高压的部分。与没有“N-drift”区的普通半导体器件[2]相比,明显尺寸更大,这也是功率半导体器件的有点之一。
2023-10-18 11:16:21882
评论
查看更多