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关于电子束光刻工艺技术解读
- 电子束(12988)
- 光刻工艺(1764)
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EUV光刻工艺可用到2030年的1.5nm节点
推动科技进步的半导体技术真的会停滞不前吗？这也不太可能，7nm工艺节点将开始应用EUV光刻工艺，研发EUV光刻机的ASML表示EUV工艺将会支持未来15年，部分客户已经在讨论2030年的1.5nm工艺路线图了。
2017-01-22 11:45:42
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3424半导体器件制造中的蚀刻工艺技术概述
在半导体器件制造中，蚀刻指的是从衬底上的薄膜选择性去除材料并通过这种去除在衬底上产生该材料的图案的任何技术，该图案由抗蚀刻工艺的掩模限定，其产生在光刻中有详细描述，一旦掩模就位，可以通过湿法化学或“干法”物理方法对不受掩模保护的材料进行蚀刻，图1显示了这一过程的示意图。
2022-07-06 17:23:522869
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光刻工艺的基本步骤
传统的光刻工艺是相对目前已经或尚未应用于集成电路产业的先进光刻工艺而言的，普遍认为 193nm 波长的 ArF 深紫外光刻工艺是分水岭（见下表）。这是因为 193nm 的光刻依靠浸没式和多重曝光技术的支撑，可以满足从 0.13um至7nm 共9个技术节点的光刻需要。
2022-10-18 11:20:2913995
13995浅谈半导体制造中的光刻工艺
在之前的文章里，我们介绍了晶圆制造、氧化过程和集成电路的部分发展史。现在，让我们继续了解光刻工艺，通过该过程将电子电路图形转移到晶圆上。光刻过程与使用胶片相机拍照非常相似。但是具体是怎么实现的呢？
2023-06-28 10:07:472427
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半导体制造之光刻工艺讲解
光刻工艺就是把芯片制作所需要的线路与功能做出来。利用光刻机发出的光通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的薄片曝光，光刻胶见光后会发生性质变化，从而使光罩上得图形复印到薄片上，从而使薄片具有电子线路图的作用
2023-12-04 09:17:241338
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光刻技术原理及应用
随着半导体技术的发展，光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2～3个数量级（从毫米级到亚微米级），已从常规光学技术发展到应用电子束、 X射线、微离子束、激光等新技术；使用波长已从4000埃扩展到 0.1埃
2012-01-12 10:51:59
光刻胶在集成电路制造中的应用
时)。EUV光刻和X光光刻则可以达到更高的分辨率。然而, 它们存在的掩膜制造困难，且掩膜易被强光损伤等缺陷限制了它们的工业化生产。而电子束光刻胶极有可能在集成电路线宽降至纳米级时大显身手，目前国外电子束胶
2018-08-23 11:56:31
光刻机工艺的原理及设备
关于光刻工艺的原理，大家可以想象一下胶片照片的冲洗，掩膜版就相当于胶片，而光刻机就是冲洗台，它把掩膜版上的芯片电路一个个的复制到光刻胶薄膜上，然后通过刻蚀技术把电路“画”在晶圆上。 当然
2020-07-07 14:22:55
关于MEMS的技术简介
`MEMS全称Micro Electromechanical System（微机电系统），是一种通常在硅晶圆上以IC工艺制备的微机电系统，微机械结构的制备工艺包括光刻、离子束刻蚀、化学腐蚀、晶片键合
2020-05-12 17:27:14
电子束沿多层膜表面运动时产生的电磁辐射
都按指数规律变化,实际电子束自发辐射的总辐射功率与金属-介质多层膜的空间周期成反比。【关键词】：激光技术;;史密斯-帕塞尔效应;;金属-介质多层膜;;光栅【DOI】：CNKI:SUN
2010-04-26 16:15:43
CHA2066-QAG低噪声放大器UMS
，横穿基板的通孔，空气桥和电子束栅极光刻技术。CHA2066-QAG以无铅SMD封装形式提供。主要特征宽带性能10-16GHZ2.5db相位噪声，10-16GHZ（BD）16db增益值，1.5db增益值
2024-02-05 09:13:49
CHA3688aQDG低噪声放大器UMS
UMS的CHA3688aQDG是款三级自偏置宽带单片低噪声放大器单片电路。
CHA3688aQDG选用 pHEMT 工艺技术、0.25μm 栅极尺寸、横穿基板的通孔、空气桥和电子束栅极光刻工艺生产
2024-03-06 15:46:20
Dual Beam FIB(双束聚焦离子束)
Dual Beam FIB(双束聚焦离子束)机台能在使用离子束切割样品的同时，用电子束对样品断面(剖面)进行观察，亦可进行EDX的成份分析。iST宜特检测具备超高分辨率的离子束及电子束的Dual
2018-09-04 16:33:22
Sic mesfet工艺技术研究与器件研究
Sic mesfet工艺技术研究与器件研究针对ＳｉＣ 衬底缺陷密度相对较高的问题，研究了消除或减弱其影响的工艺技术并进行了器件研制。通过优化刻蚀条件获得了粗糙度为２?０７ ｎｍ的刻蚀表面；牺牲氧化
2009-10-06 09:48:48
《炬丰科技-半导体工艺》硅纳米柱与金属辅助化学蚀刻的比较
下方的蚀刻速率远高于没有金属时的蚀刻速率，因此当半导体正被蚀刻在下方时，金属层会下降到半导体中。4 本报告描述了使用 MacEtch 工艺制造 100 到 1000 nm 的纳米柱。电子束光刻：硅晶片用
2021-07-06 09:33:58
【AWorks280试用申请】电子束高压逆变电源控制系统研究
申请理由：我们是北京航空航天大学新型电源研究实验室，我们的电子束焊接项目欲用arm架构的开发板进行试验，故申请致远电子AWorks开发板免费试用机会项目描述：我们是北京航空航天大学新型电源研究实验室
2015-10-23 10:09:58
光芯片前端工艺工程师
1、 电子、物理、通信、材料等专业，本科以上学历，3年以上的PECVD\LPCVD沉积工作经验； 2、 了解半导体工艺、精通PECVD或LPCVD材料生长技术； 3、 精通PECVD或LPCVD设备
2012-12-19 22:42:16
刚柔性PCB制造工艺技术的发展趋势
PCB部件使用PI膜作为柔性芯板，并覆盖聚酰亚胺或丙烯酸膜。粘合剂使用低流动性预浸料，最后将这些基材层压在一起以制成刚挠性PCB。刚柔性PCB制造工艺技术的发展趋势：未来，刚柔结合PCB将朝着超薄，高密度
2019-08-20 16:25:23
半导体工艺技术的发展趋势
业界对哪种半导体工艺最适合某一给定应用存在着广泛的争论。虽然某种特殊工艺技术能更好地服务一些应用，但其它工艺技术也有很大的应用空间。像CMOS、BiCMOS、砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP
2019-07-05 08:13:58
半导体工艺技术的发展趋势是什么？
业界对哪种半导体工艺最适合某一给定应用存在着广泛的争论。虽然某种特殊工艺技术能更好地服务一些应用，但其它工艺技术也有很大的应用空间。像CMOS、BiCMOS、砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP
2019-08-20 08:01:20
国科大《集成电路先进光刻技术与版图设计优化》课程分享之二：浸没式光刻工艺缺陷种类、特征及自识别方法
中国科学院大学（以下简称国科大）微电子学院是国家首批支持建设的示范性微电子学院，国科大微电子学院开设的《集成电路先进光刻技术与版图设计优化》课程是国内少有的研究讨论光刻技术的研究生课程，而开设课程
2021-10-14 09:58:07
图形反转工艺用于金属层剥离的研究
图形反转工艺用于金属层剥离的研究研究了ＡＺ?５２１４ 胶的正、负转型和形成适用于剥离技术的倒台面图形的工艺技术。用扫描电镜和台阶仪测试制作出的光刻胶断面呈倒台面，倾角约为６０°，胶厚１?４μｍ。得到
2009-10-06 10:05:30
活性电子束探测技术对现有失效分析过程的补充
失效分析实验室中，我们检查了电阻对比成像(RCI)和电子束感应电流(EBIC)，并成功将其用作失效点隔离技术。从这些技术获得的结果得到了其它失效分析方法的支持，例如光学显微镜和曲线轨迹分析等。最后
2018-10-22 16:44:07
湿法蚀刻工艺
湿法蚀刻工艺的原理是使用化学溶液将固体材料转化为液体化合物。选择性非常高，因为所用化学药品可以非常精确地适应各个薄膜。对于大多数解决方案，选择性大于100：1。
2021-01-08 10:12:57
现代焊接技术中的电子束焊接技术
过程中焊接深度以及焊接宽度之间的比值较高，第四是电子束焊接技术在应用的过程中不仅仅局限在导电材料的焊接工艺中，第五是电子束焊接技术受到磁场的影响较小，再次是电子束焊接在应用的过程中不会出现 X 射线
2018-03-15 11:18:40
芯片制作工艺流程 二
:193nm)为曝光光源。为了 解决上述所提到的缺点，用比光的波长更短的X线(l=1-10nm)作为曝光光源，技术上有很大的进展，利用X线和电子束进行光刻时，其焦深较深，对表面平坦度没有苛刻的要求。 接近式
2019-08-16 11:11:34
锗化硅工艺在高速通信领域有哪些应用？
。IBM采用0.18um光刻工艺制成的120GHz Ft SiGe晶体管是一个很好的例子。 处理这一例子，锗化硅工艺技术还在哪些高速通信领域应用呢？
2019-07-30 07:56:50
电子束蒸镀设备 E-beam
价格货期电议电子束蒸镀设备 E-beam Evaporation System电子束蒸发与热蒸发对比, 能够在非常高的温度下熔化材料, 如钨, 石墨 ... 等等. 结合石英震荡片的反馈信号, 可
2022-11-04 11:01:13
英特尔认为浸入式光刻能延伸到11纳米
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英特尔的先进光刻和制造部的Yan Borodovsky表明,英特尔希望EUV或者无掩模电子束光刻能作为193纳米浸入式光刻在11纳米的后补者
2010-02-25 10:17:55966
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Intel 22nm光刻工艺背后的故事
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去年九月底的旧金山秋季IDF 2009论坛上，Intel第一次向世人展示了22nm工艺晶圆，并宣布将在2011年下半年发布相关产品。
2010-03-24 08:52:581085
1085光刻胶与光刻工艺技术
光刻胶与光刻工艺技术 微电路的制造需要把在数量上精确控制的杂质引入到硅衬底上的微小 区域内,然后把这些区域连起来以形成器件和VLSI电路.确定这些区域图形 的工艺是由光刻来完成的,也就是说,首先在硅片上旋转涂覆光刻胶,再将 其曝露于某种光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:21
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0纳米结构制备技术
随着 纳米加工 技术的发展,纳米结构器件必将成为将来的集成电路的基础. 本文介绍了几种用电子束光刻、反应离子刻蚀方法制备硅量子线、量子点和用电子束光刻、电子束蒸发以及剥
2011-06-20 16:16:0935
35MIT实现9纳米工艺电子束光刻技术
麻省理工学院 (MIT)的研究人员表示，已经开发出一种技术，可望提升在芯片上写入图案的高速电子束光刻解析度，甚至可达9nm，远小于原先所预期的尺寸
2011-07-12 09:01:371498
1498看懂光刻机:光刻工艺流程详解
光刻是半导体芯片生产流程中最复杂、最关键的工艺步骤，耗时长、成本高。半导体芯片生产的难点和关键点在于将电路图从掩模上转移至硅片上，这一过程通过光刻来实现， 光刻的工艺水平直接决定芯片的制程水平和性能
2018-04-08 16:10:52162273
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PCB蚀刻工艺原理_pcb蚀刻工艺流程详解
本文首先介绍了PCB蚀刻工艺原理和蚀刻工艺品质要求及控制要点，其次介绍了PCB蚀刻工艺制程管控参数及蚀刻工艺品质确认，最后阐述了PCB蚀刻工艺流程详解，具体的跟随小编一起来了解一下吧。
2018-05-07 09:09:0940479
40479美光表示：EUV光刻机在DRAM芯片制造上不是必须的，直到1α及1β工艺上都也不会用到它
今年台积电、三星及Globalfoundries等公司都会量产7nm工艺，第一代7nm工艺将使用传统的DUV光刻工艺，二代7nm才会上EUV光刻工艺，预计明年量产。那么存储芯片行业何时会用上EUV
2018-06-07 14:49:006059
6059美光认为暂时用不上EUV光刻机，DRAM工艺还需发展
随着技术的发展，今年台积电、三星及Globalfoundries等公司都会量产7nm工艺，下一代将在2020年进入5nm工艺，2022年进入3nm工艺。目前第一代7nm工艺将使用传统的DUV光刻工艺，预计到5nm工艺将会上EUV光刻工艺。
2018-08-20 17:41:491149
1149EUV光刻工艺终于商业化 新一代EUV光刻工艺正在筹备
随着三星宣布7nm EUV工艺的量产，2018年EUV光刻工艺终于商业化了，这是EUV工艺研发三十年来的一个里程碑。不过EUV工艺要想大规模量产还有很多技术挑战，目前的光源功率以及晶圆产能输出还没有
2018-10-30 16:28:403376
3376如何进行电子束光刻中的相互邻近效应校正技术研究与分析
本文研究了 基于形状修正的电子束光刻分级邻近效应校正技术，在内部邻近效应校正的基础上，在计算图形之间产生的相互邻近效应过程中，采用了局部曝光窗口和全局曝光窗口机制。局部曝光窗口的区域小，对计算精度
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4曝光成像与显影工艺技术的原理及特点
PCB板上的线路图形就是PCB线路板厂家采用曝光成像与显影蚀刻工艺技术来完成的，无论是PCB多层线路板还是柔性线路板在制作线路图形时都要用到曝光成像与显影工艺技术。下面来详细介绍这两种工艺的加工特点及加工原理。
2019-04-28 15:10:5231336
31336中国与国外相比较光刻工艺差别到底在哪里
作为制造芯片的核心装备，光刻机一直是中国的技术弱项,其技术水平严重制约着中国芯片技术的发展。荷兰ASML公司的光刻机设备处于世界先进水平，日本光刻设备大厂都逐渐被边缘化，国内更是还有很大的差距。那么中国光刻工艺与国外顶尖公司究竟相差多少代技术呢？
2019-06-16 11:18:408244
8244提高光刻机性能的关键技术及光刻机的发展情况
作为光刻工艺中最重要设备之一，光刻机一次次革命性的突破，使大模集成电路制造技术飞速向前发展。了解提高光刻机性能的关键技术以及了解下一代光刻技术的发展情况是十分重要的。 光刻机 光刻机（Mask
2020-08-28 14:39:0411746
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电子束焊是什么意思_电子束焊的应用
电子束焊是指利用加速和聚焦的电子束轰击置于真空或非真空中的焊接面，使被焊工件熔化实现焊接。真空电子束焊是应用最广的电子束焊。
2020-09-02 16:42:307861
7861PCBA开发的开发受到光刻工艺的影响
重要要点 l 什么是光刻？ l 光刻工艺的类型。 l 光刻处理如何用于电路板成像。 l 工业平版印刷处理设计指南。 可以说，有史以来研究最多的文物是都灵裹尸布。进行广泛检查的原因，从来源的宗教建议
2020-09-16 21:01:161361
1361一文看懂电子束与离子束加工工艺
电子束加工和离子束加工是近年来得到较大发展的新型特种加工。他们在精密微细加工方面，尤其是在微电子学领域中得到较多的应用。通常来说，电子束加工主要用于打孔、焊接等热加工和电子束光刻化学加工，而离子束加工则主要用于离子刻蚀、离子镀膜和离子注入等加工。
2021-03-17 20:10:4815
15关于光刻的原理、光刻设备等知识点集合
最近光博会上看到一本关于光刻的小册子，里面有一点内容，分享给大家。 关于光刻的原理、光刻设备、光刻胶的种类和选择等。 开篇 光刻的原理 表面处理：一般的晶圆光刻前都需要清洁干净，特别是有有机物
2021-10-13 10:59:423893
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关于非晶半导体中的光刻工艺的研究报告
。后一种工艺是集成电路微制造技术的基础。微电子工业不断增长的需求需要光刻材料（光刻剂)，具有亚微米分辨率、高灵敏度、对微电子中常用的基质的良好粘附，以及对广泛的等离子体和湿化学蚀刻剂的高抗性。 非晶态半导体材料
2022-01-19 16:08:46375
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关于湿法蚀刻工艺对铜及其合金蚀刻剂的评述
湿法蚀刻工艺已经广泛用于生产各种应用的微元件。这些过程简单易操作。选择合适的化学溶液(即蚀刻剂)是湿法蚀刻工艺中最重要的因素。它影响蚀刻速率和表面光洁度。铜及其合金是各种工业，特别是电子工业的重要
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半导体等精密电子器件制造的核心流程：光刻工艺
光刻胶作为影响光刻效果核心要素之一，是电子产业的关键材料。光刻胶由溶剂、光引发剂和成膜树脂三种主要成分组成，是一种具有光化学敏感性的混合液体。其利用光化学反应，经曝光、显影等光刻工艺，将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上，是用于微细加工技术的关键性电子化学品。
2022-06-21 09:30:0916641
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根据所使用的辐射，有不同类型的光刻方法用于曝光的:光刻(光刻)、电子束光刻、x射线光刻、光刻和离子束光刻。在光学光刻技术中，有部分不透明和部分不透明的图案掩模(光片)半透明区域被使用。紫外线辐射或气体激光的照射以1:1的比例完成或者以4:1或10:1的比例减少。
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美国公司Zyvex使用电子束光刻制造出0.7nm芯片
氢去钝化光刻(HDL)是电子束光刻(EBL)的一种形式，它通过非常简单的仪器实现原子分辨率，并使用能量非常低的电子。它使用量子物理学有效地聚焦低能电子和振动加热方法，以产生高度非线性（多电子）的曝光机制。
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2524深度解析EUV光刻工艺技术
光刻是半导体工艺中最关键的步骤之一。EUV是当今半导体行业最热门的关键词，也是光刻技术。为了更好地理解 EUV 是什么，让我们仔细看看光刻技术。
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计算光刻 (Computational Lithography)技术是指利用计算机辅助技术来增强光刻工艺中图形转移保真度的一种方法，它是分辦率增强技术(ResolutionEnhancement
2022-10-26 15:46:222274
2274厦门云天Fine Pitch光刻工艺突破2um L/S
来源：云天半导体 厦门云天半导体继九月初812吋 “晶圆级封装与无源器件生产线”正式通线后，经过团队的不懈努力， 8英寸晶圆Fine Pitch光刻工艺开发终破2/2um L/S大关； 以下为部分工艺
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854EUV光刻工艺制造技术主要有哪些难题？
光掩模可以被认为是芯片的模板。光掩模用电子束图案化并放置在光刻工具内。然后，光掩模可以吸收或散射光子，或允许它们穿过晶圆。这就是在晶圆上创建图案的原因。
2023-03-03 10:10:321129
1129芯片制造之光刻工艺详细流程图
光刻机可分为前道光刻机和后道光刻机。光刻机既可以用在前道工艺，也可以用在后道工艺，前道光刻机用于芯片的制造，曝光工艺极其复杂，后道光刻机主要用于封装测试，实现高性能的先进封装，技术难度相对较小。
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什么是光刻工艺？光刻的基本原理
光刻是半导体芯片生产流程中最复杂、最关键的工艺步骤，耗时长、成本高。半导体芯片生产的难点和关键点在于将电路图从掩模上转移至硅片上，这一过程通过光刻来实现， 光刻的工艺水平直接决定芯片的制程水平和性能水平。
2023-08-23 10:47:531589
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氦质谱检漏仪电子束***检漏
上海伯东客户某光刻机生产商, 生产的电子束光刻机 Electron Beam Lithography System 最大能容纳 300mmφ 的晶圆片和 6英寸的掩模版, 适合纳米压印, 光子器件
2023-06-02 15:49:40492
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低能量电子束曝光技术
直接蚀刻和剥离是两种比较流行的图案转移工艺。在直接蚀刻工艺中，首先使用光刻技术对聚合物抗蚀剂进行构图，然后通过干法蚀刻技术用抗蚀剂作为掩模将图案转移到衬底或子层上。
2023-09-07 09:57:14292
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光刻工艺的基本步骤 ***的整体结构图
光照条件的设置、掩模版设计以及光刻胶工艺等因素对分辨率的影响都反映在k₁因子中，k₁因子也常被用于评估光刻工艺的难度，ASML认为其物理极限在0.25，k₁体现了各家晶圆厂运用光刻技术的水平。
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德累斯顿工厂的电子束光刻系统
和光通信领域的客户制造高精度微型光学元件。制造商是位于德国耶拿的电子束技术专家Vistec Electron Beam GmbH。该系统将于2025年初交付。 以最高精度创建最小的结构 这种类型的电子束光刻系统可以在直径达300毫米的衬底上以10纳米范围（约为头发丝的1/2,000）精度
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电子束光刻（e-beam lithography，EBL）是无掩膜光刻的一种，它利用波长极短的聚焦电子直接作用于对电子敏感的光刻胶（抗蚀剂）表面绘制形成与设计图形相符的微纳结构。
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