全球领先的EEPROM存储器供应商意法半导体率先发布针对密集型数据写应用的2-Mbit串口EEPROM芯片.
2011-06-21 09:00:35
1310 富士通半导体（上海）有限公司今日宣布，推出两款新型FRAM产品－MB85RS1MT 和 MB85RS2MT，两款产品分别带有1 Mbit 和 2 Mbit的存储器，是富士通半导体提供的最大容量的串口FRAM。这两款产品将于2013年3月起开始提供新品样片。
2013-03-25 16:09:371037 目前主流的基于浮栅闪存技术的非易失性存储器（NVM）技术有望成为未来几年的参考技术。但是，闪存本身固有的技术和物理局限性使其很难再缩小技术节点。在这种环境下，业界试图利用新材料和新概念发明一种更好
2017-12-18 10:02:214925 
16Mbit 和 8Mbit 产品。 这个创新架构让设计人员能够在同一存储器上管理固件和灵活存储数据，这种组合在以前是没有的
2022-07-01 11:17:26697 ，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）进一步扩展其EXCELON™ F-RAM存储器产品，推出两款分别具有1Mbit和4Mbit存储密度的新型F-RAM存储器。全新
2023-08-09 14:32:40399 
嗨，
我有 8Mbit 的 esp-03 的 corect 固件问题
当我将新的 lua 固件下载到 4Mb 时，一切都是 corect，
当我尝试对 8Mb 做同样的事情时，我也必须
2023-04-26 08:48:33
F-RAM存储技术是怎样进入汽车核心应用领域的？
2021-05-13 06:29:08
你好！关于FRAM存储器的可靠性和需要考虑什么样的软件，我有一些问题。在写操作期间电源故障的影响是什么？这会影响被更新的字节，使其处于未知和潜在的易失状态吗？这会影响整排吗？读/写干扰F RAM
2018-11-02 14:27:34
Access Memory：铁电随机存取存储器，简称铁电存储器)。把FRAM归类为非易失性存储器是可以，但是FRAM的高速读写性质又与SRAM、DRAM更为接近，它也是一种RAM。于是，存储器的分类令人
2012-01-06 22:58:43
存储器ram的特点
2021-01-05 06:57:06
失是指存储器断电后，里面存储的内容是否会丢失，另一边的速度而言呢，易失性存储器的速度要快于非易失性存储器。1.1 易失性存储器 按照RAM的物理存储机制，可以...
2021-07-16 07:55:26
： 这种存储器的特点是：从原理上看，它们属于ROM型存储器，从功能上看，它们又可以随时改写信息，作用又相当于RAM。所以，ROM、RAM的定义和划分已逐渐的失去意义。 1、快擦写存储器（FLASH
2017-10-24 14:31:49
： 这种存储器的特点是：从原理上看，它们属于ROM型存储器，从功能上看，它们又可以随时改写信息，作用又相当于RAM。所以，ROM、RAM的定义和划分已逐渐的失去意义。 1、快擦写存储器（FLASH
2017-12-21 17:10:53
所谓的寄存器、内存等用于存储信息的复杂结构。存储器的分类存储器分为易失性存储器和非易失性存储器；所谓易失性存储器是指设备掉电，存储的信息自动清除，而非易失性存储器具有存储时间长的功能。易失性存储器主要指
2021-12-10 06:54:11
本篇文章介绍的是非易失性存储器EEPROM与内存Flash消耗能量计算。
2020-12-31 06:11:04
存储设备，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之间的差异Flash和EEPROM均被视为非易失性存储器。非易失性存储器意味着该设备能够保存数据且无需持续供电，即使关闭电源也能保存
2023-04-07 16:42:42
非易失性存储器平衡方法
2021-01-07 07:26:13
非易失性存储器的特点及应用介绍
2012-08-20 12:54:28
~64Mbit.5,Die(祼片)1Mbit~64Mbit.6.NvSRAM,F-RAM,MRAM(非易失性存储器)256Kbit~1Gbit7.MCP 512Mbit+256Mbit
2013-08-22 09:30:32
一块DDR2的说明写的是512Mbit (32Mbit * 16) ，这个是什么意思？
2015-02-10 15:15:26
EVERSPIN非易失性存储器嵌入式技术
2020-12-21 07:04:49
~64Mbit.5,Die(祼片)1Mbit~64Mbit.6.NvSRAM,F-RAM,MRAM(非易失性存储器)256Kbit~1Gbit7.MCP 512Mbit+256Mbit
2013-08-02 09:43:10
~64Mbit.5,Die(祼片)1Mbit~64Mbit.6.NvSRAM,F-RAM,MRAM(非易失性存储器)256Kbit~1Gbit7.MCP 512Mbit+256Mbit
2013-08-16 09:22:13
该板上检测到NLP。我尝试在重置线上电后重置PHY，但这没有用。显然，我的PHY配置有问题，但由于Ido没有PHY的数据表，我不知道如何重新配置它甚至测试其当前配置。 PHY是否将配置数据存储在非易失性存储器中？寄存器中有一点需要改变吗？部件是否完全坏了？
2019-08-27 07:45:17
Ramtron推出高速和低电压的F-RAM存储器Ramtron International Corporation宣布推出新型F-RAM系列中的首款产品，具有高速
2008-10-08 09:23:16
SRAM接口。所有这些实现都以某种形式的8引脚封装提供。 SRAM和FRAM技术的常用功能 在最高级别上，SRAM和FRAM的基本功能是相同的-从Kilobits到即时存储在内存中的少量兆位的随机存取存储器的容量。该存储器没有特殊配置或页面边界，并且支持标准SPI物理引脚排列。
2020-12-17 16:18:54
/stm32f427vg.pdf)，STM32F429有一个“具有高达 32 位数据总线的灵活外部存储器控制器：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、Compact Flash/NOR
2023-01-04 06:10:10
世界顶尖的非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM产品之第二款并口器件FM28V020。
2019-09-16 10:31:20
)64Kbit-512Kbit.3.PSRAM[Pseudo SRAM,UtRAM(虚拟静态随机存储器)4Mbit-64Mbit.4.Cellular RAM(伪静态随机存储器)4Mbit-64Mbit.6.NvSRAM,F-RAM
2013-08-27 09:34:11
)4Mbit-64Mbit.7.NvSRAM,F-RAM,MRAM(非易失性存储器)256Kbit-16Mbit8.Mobile SDRAM/DDR(低功耗SDRAM/DDR
2013-08-29 10:11:56
MIKROE-2768，FRAM 2 CLICK Board带有CY15B104Q 4 Mbit（512K x 8）串行F-RAM。铁电随机存取存储器或F-RAM是非易失性的，并且执行类似于SRAM
2020-07-22 10:30:31
我们在PSoC™ Creator 中有一个 PSoC6 项目，并希望将 QSPI F-RAM™存储器添加到TDA5235_868_5_BOARD中。我很难找到如何在F-RAM™ PSoC
2024-03-01 12:14:13
常用存储器存储器的种类RAM存储器非易失性存储器存储器的种类易失性存储器： 掉电数据会丢失读写速度较快内存非易失性存储器：掉电数据不会丢失读写速度较慢机械硬盘RAM存储器RAM是“Random
2021-12-10 07:09:20
)4Mbit-64Mbit.4.Cellular RAM(伪静态随机存储器)4Mbit-64Mbit.6.NvSRAM,F-RAM,MRAM(非易失性存储器)256Kbit-16Mbit8.Mobile SDRAM
2013-08-23 11:00:03
1.芯片简介铁电存储器F-RAM，2Mbit（256K * 8） SPI（Upto 40MHz）项目有用到，做个mark，有错误请指正。2.接线引脚较少，具体可参考datasheet中引脚定义和接线
2022-03-02 06:55:36
数据存储器 FLASH程序存储器 FLASH数据存储器 片内RAM数据存储器16M字节外部数据存储器各有什么区别？特点？小弟看到这段 很晕。ADuC812的用户数据存储器包含三部分，片内640字节的FLASH数据存储器、256字节的RAM以及片外可扩展到16M字节的数据存储器。求助高手。解释一下不同。
2011-11-29 09:50:46
汽车系统的设计变得越来越复杂，因为要不断的加入新的功能，如高级驾驶辅助，图形仪表，车身控制和车辆信息娱乐系统。为了确保可靠、安全的操作，每个子系统均需要使用特定的非易失性存储器，以便在复位操作和电源
2019-07-23 06:15:10
题目：某计算机字长16位，主存容量128KW，请用16K 8 的静态RAM存储芯片和32K 16的ROM芯片，为该机设计一个主存储器。要求18000H1FFFFH为ROM区，其余为RAM区。画出存储器结构及其与CPU连接的框图。答案：...
2021-07-28 06:33:04
大侠帮忙简述一下英飞凌XC878的存储器扩展机制{:10:}
2018-12-18 09:43:54
stm32f103zet6搭配256Mbit SDRAM有意义么，看原子战舰也才8M，是不是有点浪费，F1性能能消耗这么大内存么？
2019-05-07 02:35:35
查看了Microchip 的EEPROM资料，好像都是只有到1Mbit， 这样折算下来，也才有128KByte的数据量可以存储。请问各位见多识广的大神，有没有1MByte的数据量存储的EEPROM推荐，有的话型号是什么？
2019-01-21 08:12:36
.7.NvSRAM,F-RAM,MRAM(非易失性存储器)256Kbit-16Mbit8.Mobile SDRAM/DDR(低功耗SDRAM/DDR)128Mbit-512Mbit9.DDR2/DDR3 SDRAM (动态随机
2013-08-30 10:31:33
~64Mbit.5,Die(祼片)1Mbit~64Mbit.6.NvSRAM,F-RAM,MRAM(非易失性存储器)256Kbit~1Gbit7.MCP 512Mbit+256Mbit
2013-07-17 09:52:33
论述2,4-Mbit
2009-05-23 15:17:40
16 FM22LD16 datasheet pdf,4Mbit F-RAM Memory
The FM22LD16 is a 256Kx16 nonvolatile memorythat reads
2010-03-03 15:05:3111 FM28V100 datasheet pdf ,1Mbit Bytewide F-RAM Memory
The FM28V100 is a 128K x 8 nonvolatile
2010-03-03 15:07:3928 FM28V020 推出V系列并口256Kb F-RAM器件
世界顶尖的非易失性铁电存储器(F-RAM) 和集成半导
2009-08-18 11:58:321555 旺宏电子推出全球首颗256Mbit序列快闪存储器
全球最大的序列式快闪存储器(Serial Flash)生产制造公司宣布，领先业界推出全球第一颗256Mbit序列快闪存储器产品─MX25L25635E
2009-11-02 15:30:01677 面向纳电子时代的非易失性存储器
摘要
目前主流的基于浮栅闪存技术的非易失性存储器（NVM）技术有望成为未来几年的参考技术。但是，闪存本身固有的
2009-12-25 09:37:28636 32-Mbit和64-Mbit快速异步SRAM器件在如此高的密度上，拥有非常快的响应时间和最小化的封装尺寸。目标应用领域包括存储服务器、交换机和路由器、测试设备、高端安全系统和军事
2010-06-22 10:15:46883 本文对目前几种比较有竞争力和发展潜力的新型非易失性存储器做了一个简单的介绍。
铁电存储器(FeRAM)
铁电存储器是一种在断电时不会丢失内容的非易
2010-08-31 10:50:591942 
世界领先的低功耗铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation (简称Ramtron) 宣布，
2010-12-20 09:02:481087 赛普拉斯半导体公司日前宣布推出新型36-Mbit 和 18-Mbit 容量的四倍速 (QDR) 和双倍速 (DDR) SRAM，这些新产品是其65-nm SRAM
2011-01-10 09:48:43532 Ramtron International Corporation (简称Ramtron)发布W系列 F-RAM存储器，W系列器件带有串口I2C、SPI接口和并行接口，能够提供从2.7V 到 5.5V的更宽电压范围
2011-03-12 10:47:551740 赛普拉斯半导体公司日前宣布推出一款容量高达 72 Mbit 的先进先出 (FIFO) 存储器。该款全新的高容量 (HD) FIFO 是视频及成像应用的理想选择，可满足高效缓冲所需的高容量和高频率要求
2011-06-17 09:42:022396 Ramtron International Corporation (简称Ramtron)宣布，现已在IBM的新生产线上广泛制造其最新铁电随机存取存储器 (F-RAM) 产品的样片FM24C64C具有低功率运作特性，有效电流为100 µA (在100 kHz下)，典型
2011-07-22 09:38:011523 Ramtron宣布提供全新4至64Kb串口非易失性铁电 RAM (F-RAM)存储器的预认证样片，新产品采用Ramtron全新美国晶圆供应商的铁电存储器工艺制造，具有1万次 (1e12)的读/写循环、低功耗和无延迟
2011-10-27 09:34:131244 Ramtron宣布推出世界上最低功耗的非易失性存储器。该16 kb器件的型号为FM25P16，是业界功耗最低的非易失性存储器，为对功耗敏感的系统设计开创了全新的机遇.
2012-02-07 09:00:551190 赛普拉斯半导体公司日前推出了16-Mbit 非易失性静态随机访问存储器 （nvSRAM） 系列，其中包括具备同步 NAND 闪存接口的器件、16-Mbit 并行、nvSRAM和同步NAND 接口，全新系列包含了支持用于
2012-09-13 12:04:25654 世界领先随机存取存储器（F-RAM）和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron宣布，现已提供可与飞思卡尔半导体公司广受欢迎的Tower System开发平台共用的全新F-RAM存储器模块。
2012-10-08 14:31:23930 电子发烧友网核心提示 ：什么是F-RAM？F-RAM：铁电随机存储器。 相对于其它类型的半导体技术而言，铁电随机存储器（F-RAM）具有一些独一无二的特性。已经确定的半导体存储器可以分
2012-10-19 11:25:353151 
什么是F-RAM？ F-RAM：铁电随机存储器。相对于其它类型的半导体技术而言，铁电随机存储器（F-RAM）具有一些独一无二的特性。已经确定的半导体存储器可以分为两类：易失性和非易失性
2012-10-19 17:16:334704 A ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile and performs reads and writes similar to a RAM.
2017-09-11 14:09:563 A ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile and performs reads and writes similar to a RAM.
2017-09-12 15:33:1110 A ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile and performs reads and writes similar to a RAM.
2017-09-14 11:26:2518 The FM28V202A is a 128 K × 16 nonvolatile memory that reads and writes similar to a standard SRAM. A ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile
2017-09-14 11:29:227 The FM28V102A is a 64 K × 16 nonvolatile memory that reads and writes similar to a standard SRAM. A ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile,
2017-09-14 11:32:150 The FM16W08 is a 8 K × 8 nonvolatile memory that reads and writes similar to a standard SRAM. A ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile
2017-09-14 11:43:0513 The IS66WVC2M16ALL is an integrated memory device containing 32Mbit Pseudo Static Random Access
2017-09-20 11:37:326 提供卓越性能和高可靠性。Excelon铁电随机存取存储器（F-RAM）系列具有高速非易失性数据记录功能，即使在恶劣的汽车和工业环境中，以及处于极端温度的情况下均可防止数据的丢失。
2018-03-17 09:40:004456 先进嵌入式解决方案的领导者赛普拉斯半导体公司（纳斯达克股票代码：CY）近日宣布推出新型串行非易失性存储器系列，为关键任务数据采集提供卓越性能和高可靠性。Excelon™铁电随机存取存储器（F-RAM
2018-03-19 10:12:586838 关键词：赛普拉斯 , 16-Mbit , 存储器 , nvSRAM 赛普拉斯半导体公司（纳斯达克股票代码：CY）日前推出了 16-Mbit 非易失性静态随机访问存储器 (nvSRAM) 系列，其中
2018-09-30 00:22:02539 非易失性存储器是指当电流关掉后，所存储的数据不会消失者的电脑存储器。非易失性存储器中，依存储器内的数据是否能在使用电脑时随时改写为标准，可分为二大类产品，即ROM和Flash memory。
2018-12-23 13:31:0010224 ramtron international corporation宣布推出新型f-ram系列中的首款产品，具有高速读/写性能、低电压工作和可选器件的特性。
2019-01-01 15:48:002405 非易失性存储器技术是在关闭计算机或者突然性、意外性关闭计算机的时候数据不会丢失的技术。非易失性存储器技术得到了快速发展，非易失性存储器主要分为块寻址和字节寻址两类。
2019-01-23 11:33:4117003 非易失性存储器技术是在关闭计算机或者突然性、意外性关闭计算机的时候数据不会丢失的技术。非易失性存储器技术得到了快速发展，非易失性存储器主要分为块寻址和字节寻址两类。
2019-04-07 14:33:008357 RS组件公司正在发布一个易于使用且价格低廉的开发工具包，使工程师能够估计赛普拉斯半导体公司（Cypress Semiconductor）的高性能Excelon Ultra QSPI F-RAM内存技术。
2019-11-11 11:21:09910 良好的设计是成功制造非易失性存储器产品的重要关键，包括测试和验证设备性能以及在制造后一次在晶圆和设备级别进行质量控制测试。新兴的非易失性存储器技术的制造和测试，这些技术将支持物联网，人工智能以及先进
2020-06-09 13:46:16847 
Ramtron International公司近日宣布推出采用精简的FBGA封装的4M F-RAM存储器FM22LD16。FM22LD16是一个容量为4M，3V工作电压，并行非易失性RAM，48
2020-08-30 10:09:01677 世界顶尖的非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商 Ramtron International Corporation宣布已与 IBM 达成
2021-03-29 18:13:201569 赛普拉斯型号CY15B104Q-LHXI主要采用先进铁电工艺的4Mbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器或FRAM是非易失性的，并且执行类似于RAM的读取和写入操作。它提供了151年的可靠数据保留，同时消除了由串行闪存，EEPROM和其他非易失性存储器引起的复杂性，开销和系统级可靠性问题。
2021-05-16 16:59:521643 
FM25V10-GTR是采用先进铁电工艺的1Mbit非易失性存储器。铁电存储器或FRAM是非易失性的，并且执行类似于RAM的读取和写入操作。它提供了151年的可靠数据保留，同时消除了由串行闪存
2021-06-08 16:39:521134 FRAM是一种非易失性存储器产品，具有读写耐久性高、写入速度快、功耗低等优点，富士通推出了具有并行接口型号MB85R8M2TA的8Mbit FRAM存储芯片，这是富士通FRAM产品系列中第一款保证
2021-12-11 14:46:17579 FRAM 是一种具有快速写入速度的非易失性存储器。与传统的非易失性存储器 （如EEPROM、闪存）相比，FRAM不需要备用电池来保留数据，并且具有更高的读/写耐久性，更快的写入速度操作和更低的功耗
2022-01-10 15:50:314123 富士通半导体存储器解决方案有限公司推出12Mbit ReRAM(电阻式随机存取存储器)MB85AS12MT，这是富士通ReRAM产品系列中密度最大的产品。
2022-04-24 16:06:021133 VDSR8M16XS54XX2C12是一款高速、高度集成的产品。静态随机存取存储器8.388.608位。它由两个4Mbit的银行组成。
2022-06-08 11:48:581 加贺富仪艾电子旗下代理品牌富士通半导体正在批量生产具有快速数据传输功能的 4Mbit FeRAM MB85RQ4ML。这种非易失性存储器可以在最大 108MHz 的工作频率下实现每秒 54MByte 的数据传输率，并具有四个 I/O 引脚的 Quad SPI 接口(图1)。
2022-08-26 15:35:44445 Everspin型号MR0A16A容量为1Mbit的MRAM存储芯片，组织为16位的65536个字。提供与SRAM兼容的35ns读/写时序，续航时间无限制。数据在20年以上的时间内始终是非易失性的。
2023-05-31 17:23:08403 ROM中存储的数据在断电后依然存在，不会丢失，因此也被称为非易失性存储器。而RAM是易失性存储器，当断电时，其中的数据将会丢失。
2023-06-20 16:38:442024 汽车事件数据记录系统（EDR）市场的不断发展正在推动专用数据记录存储设备的需求，这些设备能够即时捕获关键数据并可靠地存储数据长达数十年。
2023-10-13 16:34:32451 是Volatile RAM（易失性存储器），又称为SRAM（Static Random Access Memory，静态随机访问存储器）；另一种是Non-volatile RAM（非易失性存储器），又称
2024-01-12 17:27:15522
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