日本半导体制造商 ROHM 已正式将适用于工业装置、太阳能发电功率调节器等变流器/转换器的碳化硅MOSFET 模组（额定规格1200V/ 180A）投入量产。
2013-01-30 09:32:42
1610 签订战略合作协议，合作内容包含了基于某些客户的需求，进行基于罗姆碳化硅芯片的功率半导体模块，及对应电机控制器的开发。本文即介绍臻驱对碳化硅功率模块的开发、测试及系统评估。 Introduction 碳化硅功率半导体近年来在能源转换
2020-11-24 11:51:472702 
随着电动车（EV）需求上升，也让日本各家电子零件厂增产 EV 零件抢攻 EV 商机，其中罗姆（Rohm）传出计划将 EV 用碳化硅（SiC）功率半导体产能扩增至现行的 5 倍。
2021-01-21 10:05:083446 2025 年 9 月 24 日，在 PCIM Asia Shanghai 展会现场，罗姆（ROHM）携多款功率半导体新品及解决方案精彩亮相。展会上罗姆重点展示了EcoSiC™碳化硅（SiC）模块
2025-09-29 14:35:1812443 
，从而支持每次充电能续航更远的里程。车载充电器(OBC)和牵引逆变器现在正使用宽禁带(WBG)产品来实现这一目标。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是宽禁带材料，提供下一代功率器件的基础。与硅相比
2020-10-27 09:33:16
复杂的设计，功率模块的集成能力使其成为首选。但是哪些封装适用于快速开关碳化硅器件？ 当传统硅器件在功率损耗和开关频率方面达到极限时，碳化硅可能是合适的半导体选择。高达 30 至 40kHz，最新一代
2023-02-20 16:29:54
PN结器件优越的指标是正向导通电压低，具有低的导通损耗。 但硅肖特基二极管也有两个缺点，一是反向耐压VR较低，一般只有100V左右;二是反向漏电流IR较大。 二、碳化硅半导体材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
由于碳化硅具有不可比拟的优良性能，碳化硅是宽禁带半导体材料的一种，主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管
2020-06-28 17:30:27
社会的重要元器件。碳化硅被广泛视为下一代功率器件的材料，因为碳化硅相较于硅材料可进一步提高电压并降低损耗。虽然碳化硅功率器件目前主要用于列车逆变器，但其具有极为广泛的应用前景，包括车辆电气化和工业设备
2023-04-11 15:29:18
更新换代，SiC并不例外 新一代半导体开关技术出现得越来越快。下一代宽带隙技术仍处于初级阶段，有望进一步改善许多应用领域的效率、尺寸和成本。虽然，随着碳化硅技术的进步，未来还将面临挑战，例如，晶圆
2023-02-27 14:28:47
应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员！附件是海飞乐技术碳化硅二极管选型表，欢迎大家选购！碳化硅（SiC）半导体材料是自第一代元素半导体材料（Si、Ge）和第二代化合物半导体材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
的碳化硅压敏电阻由约90%的不同晶粒尺寸的碳化硅和10%的陶瓷粘合剂和添加剂制成。将原材料制成各种几何尺寸的压敏电阻，然后在特定的大气和环境条件下在高温下烧结。然后将一层黄铜作为电触点喷上火焰。其他标准
2024-03-08 08:37:49
进一步了解碳化硅器件是如何组成逆变器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我们来聊聊碳化硅器件的特点
2021-03-16 08:00:04
超过40%，其中以碳化硅材料（SiC）为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。根据中国半导体行业协会统计，2019年中国半导体产业市场规模达7562亿元
2021-01-12 11:48:45
电磁性。因碳化硅是一种共价键化合物，原子间结合的键很强，它具有以下一些独特的性能，因而得以广泛应用。1)高熔点。关于碳化硅熔点的数据.不同资料取法不一，有2100℃。2)高硬度。碳化硅是超硬度的材料之一
2019-07-04 04:20:22
的化学惰性• 高导热率• 低热膨胀这些高强度、较持久耐用的陶瓷广泛用于各类应用，如汽车制动器和离合器，以及嵌入防弹背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高温和/或高压环境中工作的半导体电子设备，如火焰点火器、电阻加热元件以及恶劣环境下的电子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作为现在比较好的材料，为什么应用的领域会受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
01 碳化硅材料特点及优势 碳化硅作为宽禁带半导体的代表性材料之一，其材料本征特性与硅材料相比具有诸多优势。以现阶段最适合用于做功率半导体的4H型碳化硅材料为例，其禁带宽度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带（3.26eV）、高临界场（3×106V/cm）和高导热系数（49W/mK）使功率半导体器件效率更高，运行速度更快
2023-02-28 16:34:16
已经成为全球最大的半导体消费国，半导体消费量占全球消费量的比重超过40%，其中以碳化硅材料（SiC）为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。根据中国
2021-03-25 14:09:37
通损耗一直是功率半导体行业的不懈追求。 相较于传统的硅MOSFET和硅IGBT 产品，基于宽禁带碳化硅材料设计的碳化硅 MOSFET 具有耐压高、导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低器件损耗、减小
2023-02-27 16:14:19
项目名称：基于碳化硅功率器件的永磁同步电机先进驱动技术研究试用计划：申请理由：碳化硅作为最典型的宽禁带半导体材料，近年来被越来越广泛地用于高频高温的工作场合。为了提高永磁同步电机伺服控制系统的性能
2020-04-21 16:04:04
）------------------------------------------------------------------------------------------------会议主题：罗姆 SiC（碳化硅）功率器件的活用直播时间：2018
2018-07-27 17:20:31
处于领先地位。氮化镓功率半导体虽然适用性极高，但依然面临三项社会问题仅从物理特性来看，氮化镓比碳化硅更适合做功率半导体的材料。研究人员还将碳化硅与氮化镓的“Baliga特性指标（与硅相比，硅是1）相比
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的结构是如何构成的？
2021-06-18 08:32:43
氧化层？如何测试碳化硅MOSFET的栅氧可靠性？”让我们一起跟随基本半导体市场部总监魏炜老师的讲解，揭开这一技术领域的神秘面纱。
2025-01-04 12:37:34
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
相较于硅，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。
2020-07-30 07:14:58
碳化硅 (SiC) 是一种下一代材料，可以显著降低功率损耗并实现更高的功率密度、电压、温度和频率，同时减少散热。高温可操作性降低了冷却系统的复杂性，从而降低了电源系统的整体架构。与过去几十年相比
2022-06-13 11:27:24
大功率适配器为了减小对电网的干扰，都会采用PFC电路、使用氮化镓的充电器，基本也离不开碳化硅二极管，第三代半导体材料几乎都是同时出现，强强联手避免短板。创能动力推出的碳化硅二极管
2023-02-22 15:27:51
步提升电源效率。针对上述情况，解决方案有以下两种。 方案一：将IGBT单管上反并联的快速恢复二极管换成基本半导体的“零反向恢复”的碳化硅肖特基二极管（碳化硅 SBD），这种组合起来封装的器件，称之为
2023-02-28 16:48:24
相较于硅，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。
2019-07-25 07:51:59
导 读 追求更低损耗、更高可靠性、更高性价比是碳化硅功率器件行业的共同目标。为不断提升产品核心竞争力，基本半导体成功研发第三代碳化硅肖特基二极管，这是基本半导体系列标准封装碳化硅肖特基二极管
2023-02-28 17:13:35
采用沟槽型、低导通电阻碳化硅MOSFET芯片的半桥功率模块系列 产品型号 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽车级全碳化硅半桥MOSFET模块Pcore2
2023-02-27 11:55:35
的一大难点所在。3 多功能集成封装技术3.1 多功能集成封装技术碳化硅器件的出现推动了电力电子朝着小型化的方向发展，其中集成化的趋势也日渐明显。瓷片电容的集成较为常见，通过将瓷片电容尽可能靠近功率芯片
2023-02-22 16:06:08
碳化硅 MOSFET 量身打造的解决方案，搭配基本半导体TO-247-3 封装碳化硅 MOSFET。 2、通用型驱动核 1CD0214T17-XXYY 是青铜剑科技自主研发的一系列针对于单管碳化硅
2023-02-27 16:03:36
是宽禁带半导体材料的一种，主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管。功率二极管包括结势垒肖特基（JBS）二极管
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅，采用的是ICP系列设备，刻蚀气体使用的是SF6+O2，碳化硅上面没有做任何掩膜，就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
日本知名半导体制造商罗姆株式会社（总部：日本京都市）推出的“全SiC”功率模块（额定1200V/100A）开始投入量产。该产品的内置功率半导体元件全部采用SiC（Silicon Carbide：碳化硅）构
2012-03-23 08:52:572163 你可能不知道，采用碳化硅取代传统的硅半导体材料制作的电力芯片能减少75%的能耗，碳化硅半导体已成为国际上公认的将引领电力电子，特别是大功率电力电子下一个50年的最佳电
2012-04-12 08:54:552531 当前，材料的发展引领了产品性能的提升，碳化硅和氮化镓的发展也就推动了在变频器和转换器设计上用到的功率半导体的发展，下面我们就下一代的功率半导体发展趋势进行分析。
2012-12-03 09:09:052568 罗姆碳化硅产品介
2018-02-24 17:06:29
14 意法半导体与罗姆集团旗下的SiCrystal公司签署一了份碳化硅（SiC）晶圆长期供应协议。
2020-01-17 09:07:481766 、测试及推广以碳化硅为基础材料的功率半导体技术，服务上海以至全国的功率半导体芯片、功率模块、零部件供应商和整机厂全产业链，加快下一代先进功率半导体芯片和功率模块的推广和产业化应用。 揭牌仪式上，臻驱科技董事长兼总经理沈捷表示，
2020-07-09 16:35:582677 来源：罗姆半导体社区 作为第三代半导体中的明星，碳化硅因为其独有的特性和优势受到各方青睐。尤其是时下电动汽车市场的火爆，助推了碳化硅器件的发展与应用。不过，作为新兴事物，碳化硅器件的产品良率及价格
2022-12-27 18:08:191883 SiC-碳化硅-功率半导体的介绍讲解说明。
2021-04-26 10:11:32148 7月29日，基本半导体碳化硅功率模块装车测试发车仪式在深圳成功举行，搭载自主研发碳化硅模块的测试车辆正式启程。
2021-07-30 15:55:332145 
，基本半导体总经理和巍巍博士发布了汽车级全碳化硅模块、第三代碳化硅肖特基二极管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品。至此基本半导体产品布局进一步完善，产品竞争力再度提升，将助力国内第三代半导体产业进一步发展。基本半导体的碳化硅
2021-11-29 14:54:089429 
电子发烧友网报道（文/李弯弯）近年来，电动汽车产销量不断增长，同时越来越多车企将碳化硅产品用于电动汽车上，碳化硅功率半导体的未来市场被极度看好，为此，近日博世、东芝、罗姆等厂商纷纷表示，将大量扩大碳化硅功率半导体的产能。
2021-12-14 16:52:565079 12月30日，基本半导体位于无锡市新吴区的汽车级碳化硅功率模块制造基地正式通线运行，首批碳化硅模块产品成功下线。这是目前国内第一条汽车级碳化硅功率模块专用产线，采用先进碳化硅专用封装工艺技术，打造
2021-12-31 10:55:433454 
“双碳时代”已缓缓拉开帷幕，各行各业都将面临减排挑战。在电动车领域中，如何开发出小型化、更低功耗、更高性能的电控系统已成为产业链上下共同探索的方向。罗姆半导体集团顺应时代发展潮流，开发出新型碳化硅
2022-03-19 11:12:212869 碳化硅正被用于多种电力应用。ROHM 与意法半导体之间的协议将增加其在行业中的广泛采用。 汽车和工业市场都在加速采用SiC 材料的能源解决方案。制造碳化硅 (SiC) 晶圆的过程比制造硅晶圆要复杂
2022-07-28 17:05:012981 
为提升新能源汽车整体性能，全球各大车企纷纷将目光锁定在碳化硅功率半导体。相较传统硅基模块，碳化硅功率模块可大幅提升电机控制器的功率密度和效率，在降低电池成本、增加续航里程、缩短充电时间、减少整车重量等方面表现出了非凡的科技魅力，堪比功率半导体里的“学霸”。
2022-08-01 14:58:551638 %。新公司将合作开发、设计、制造和销售使用碳化硅（SiC）功率器件的功率模块，旨在发展可用于牵引逆变器和其他新能源汽车的功率模块业务。应用程序。 “新公司将设计、量产和销售使用 ROHM 的 SiC 半导体的功率模块。” 在接受《电力电子报》采访时，罗
2022-08-03 15:50:241335 
相比硅基功率半导体，碳化硅功率半导体在开关频率、损耗、散热、小型化等方面存在优势，随着特斯拉大规模量产碳化硅逆变器之后，更多的企业也开始落地碳化硅产品。
2022-10-14 17:52:067086 双方将围绕车载碳化硅功率器件的开发助力新能源汽车技术革新 日前，深圳基本半导体有限公司（以下简称“基本半导体”）与全球知名半导体制造商ROHM Co., Ltd.（以下简称“罗姆”）在位于日本京都
2022-11-16 12:15:021151 日本共同社25日消息，罗姆（ROHM）将于12月开始量产碳化硅(SiC)制成的下一代功率半导体。 据悉，量产将在日本福冈县筑后市工厂今年开设的碳化硅功率半导体专用厂房实施，今后罗姆将为增产投资最多
2022-11-28 10:22:231837 汽车碳化硅技术原理图 相比硅基功率半导体，碳化硅功率半导体在开关频率、损耗、散热、小型化等方面存在优势，随着特斯拉大规模量产碳化硅逆变器之后，更多的企业也开始落地碳化硅产品。 功率半导体碳化硅
2023-02-02 15:10:001067 ） 第一代半导体材料以传统的硅（Si）和锗（Ge）为代表，是集成电路制造的基 础，广泛应用于低压、低频、低功率的晶体管和探测器中，90%以上的半导体产品 是用硅基材料制作的； 2） 第二代半导体材料以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）和磷化镓
2023-02-03 15:25:165686 
功率半导体碳化硅（SiC）技术 Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅（SiC）技术的需求继续增长，这种技术可以最大限度地提高当今电力系统的效率
2023-02-15 16:03:4410 的方法来构建这此关键元素。碳化硅(SiC)半导体不同于普通的硅半导体。当使用动力电子设备和电力系统时，它表现出有限的导热性、在某些应用中难以改变频率、低带隙能量以及更多的功率损耗然而，它也有好处。以下是碳化硅
2023-02-20 15:51:553 什么是第三代半导体？我们把SiC碳化硅功率器件和氮化镓功率器件统称为第三代半导体，这个是相对以硅基为核心的第二代半导体功率器件的。今天我们着重介绍SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二极管
2023-02-21 10:16:473721 罗姆半导体（上海）有限公司市场宣传课高级经理张嘉煜表示，罗姆拥有世界先进的碳化硅及氮化镓技术，打造了高效处理电力的功率半导体器件，面向汽车、工业设备等应用场景当中。
2023-03-10 11:49:333096 
碳化硅（SiC）功率器件是一种基于碳化硅材料的半导体器件，具有许多优势和广泛的应用前景。
2023-06-28 09:58:095189 
罗姆收购Solar Frontier碳化硅工厂 计划到2027碳化硅功率半导体业务达139亿 罗姆一直看好碳化硅功率半导体的发展，一直在积极布局碳化硅业务。罗姆计划到2025年拿下碳化硅市场30
2023-07-19 19:37:011445 碳化硅，也称为SiC，是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基础材料。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体，或将其与铍，硼，铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化硅存在许多品种和纯度，但半导体级质量的碳化硅仅在过去几十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:453687 第三代半导体以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，用于高压、高温、高频场景。广泛应用于新能源汽车、光伏、工控等领域。因此第三代半导体研究主要是集中在材料特征研究，本文主要是研究碳化硅的产业结构。
2023-08-11 10:17:541658 
碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等领域的发展，碳化硅需求增速可观。
2023-08-19 11:45:224787 SiC器件是一种新型的硅基MOSFET，特别是SiC功率器件具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN结组成。
在众多的半导体器件中，碳化硅材料具有低热导率、高击穿
2023-09-26 16:42:291898 
点击 “东芝半导体”，马上加入我们哦！ 碳化硅（SiC）是第3代半导体材料的典型代表，具有高禁带宽度、高击穿电场和高功率密度、高电导率、高热导率等优越的物理性能，应用前景广阔。 目前，东芝的碳化硅
2023-10-17 23:10:021787 
， 纳微半导体收购了GeneSiC半导体， 创建了业界唯一一家专注于SiC和GaN的纯下一代功率半导体公司
2023-10-25 16:32:013041 
如何保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡
2023-11-23 17:00:21843 
目前，全球碳化硅产业处于快速发展阶段。据市场研究机构预测，未来几年碳化硅市场将保持高速增长态势。根据公开信息统计，2022年全球碳化硅市场份额约为18亿美元，该数据包括多家上市公司，如意法半导体、英飞凌、Wolfspeed和安森美罗姆等。
2023-12-06 17:17:372134 
碳化硅，又称SiC，是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基材。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体，或将其与铍、硼、铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化硅的品种和纯度很多，但半导体级质量的碳化硅只是在过去几十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:233791 碳化硅（SiC）是一种优良的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点，因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的电力电子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:494326 第三代半导体性能优越，应用场景更广。半导体材料作为电子信息技术发展的 基础，经历了数代的更迭。随着应用场景提出更高的要求，以碳化硅、氮化镓为代 表的第三代半导体材料逐渐进入产业化加速放量阶段。相较于
2024-01-16 10:48:492367 
罗姆与服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体（简称ST）宣布，双方将在意法半导体与罗姆集团旗下SiCrystal公司现有的150mm（6英寸）碳化硅（SiC）衬底晶圆多年长期供货协议基础上，
2024-04-23 10:17:57957 代码:STM) 宣布，双方将在意法半导体与罗姆集团旗下SiCrystal公司现有的150mm (6英寸) 碳化硅 (SiC) 衬底晶圆多年长期供货协议基础上，继续扩大合作。根据新签署的长期供货协议
2024-04-26 11:30:001058 
罗姆集团与全球知名的半导体巨头意法半导体（简称ST）近日共同宣布，双方将深化合作关系，进一步扩展在碳化硅（SiC）衬底晶圆领域的合作。此次合作基于双方现有的针对150mm（6英寸）碳化硅衬底晶圆的多年长期供货协议，意法半导体将获得罗姆集团旗下SiCrystal公司更大量的碳化硅衬底晶圆供应。
2024-05-07 10:16:491123 纳微半导体作为GaNFast™氮化镓和GeneSiC™碳化硅功率半导体的行业领军者，近日正式推出了其最新研发的第三代快速（G3F）碳化硅MOSFETs产品系列，包括650V和1200V两大规格。
2024-06-11 16:24:441716 近日，纳微半导体CEO Gene Sheridan做客CNBC，与WORLDWIDE EXCHANGE主持人Frank Holland对话，分享了在AI数据中心所需电源功率呈指数级增长的需求下，下一代氮化镓和碳化硅将迎来怎样的火热前景。
2024-06-13 10:30:041343 随着新能源汽车产业的蓬勃发展，功率密度的不断提升与服役条件的日趋苛刻给车载功率模块封装技术带来了更严峻的挑战。碳化硅凭借其优异的材料特性，成为了下一代车载功率芯片的理想选择。同时，高温、高压、大电流
2024-07-18 15:26:051199 
在电力电子领域，碳化硅（SiC）功率器件正以其独特的性能和优势，逐步成为行业的新宠。碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点，使得碳化硅功率器件在高温、高频、大功率应用领域展现出显著的优势。本文将深入探讨碳化硅功率器件的工作原理、优势、应用领域以及未来发展趋势。
2024-09-13 10:56:421990 
碳化硅功率器件作为下一代半导体技术的重要代表，以其优越的性能和广阔的应用前景，成为能源革命中的重要推动力。本文将从市场资讯的角度，深入探讨碳化硅功率器件的发展趋势、应用领域和市场前景。
2024-10-24 15:46:411490 碳化硅（SiC）在半导体产业中的发展呈现出蓬勃的态势，其独特的物理和化学性质使其成为新一代高性能半导体材料的佼佼者。以下是对碳化硅在半导体产业中发展的分析： 一、碳化硅的基本特性 碳化硅是一种无机物
2024-11-29 09:30:051573 碳化硅（SiC）在半导体中扮演着至关重要的角色，其独特的物理和化学特性使其成为制作高性能半导体器件的理想材料。以下是碳化硅在半导体中的主要作用及优势： 一、碳化硅的物理特性 碳化硅具有高禁带宽度、高
2025-01-23 17:09:352667 近日，唯一全面专注的下一代功率半导体公司及下一代氮化镓（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技术领导者——纳微半导体 (纳斯达克股票代码: NVTS) 宣布将参加APEC 2025，展示氮化镓和碳化硅技术在AI数据中心、电动汽车和移动设备领域的应用新突破。
2025-02-25 10:16:381786 近日，全球电力电子领域的“顶流”盛会——PCIM Europe 2025在德国纽伦堡会展中心盛大开幕。基本半导体携全系列碳化硅功率器件及门极驱动解决方案盛装亮相，并隆重发布新一代碳化硅MOSFET
2025-05-09 09:19:101116 
SiC碳化硅MOSFET国产化替代浪潮：国产SiC碳化硅功率半导体企业引领全球市场格局重构 1 国产SiC碳化硅功率半导体企业的崛起与技术突破 1.1 国产SiC碳化硅功率半导体企业从Fabless
2025-06-07 06:17:30911 随着全球汽车产业加速向电动化、智能化转型，碳化硅功率器件凭借其高效率、高功率密度和耐高温特性，正成为下一代电驱动系统的核心技术。在此背景下，2025年1月，在上海正式设立碳化硅功率半导体研发与测试实验室，旨在面向本土市场，提供领先的碳化硅产品研发、测试及验证能力，助力客户高性能电驱产品落地。
2025-06-27 11:09:561065 9 月 28 日消息，两家重要功率半导体企业德国英飞凌 Infineon 和日本罗姆 ROHM 本月 25 宣布双方就建立碳化硅 (SiC) 功率器件封装合作机制签署了备忘录。 根据这份协议，双方
2025-09-29 18:24:361709 
博世为智能出行领域提供全面的碳化硅功率半导体产品组合，包括用于逆变器、车载充电器和直流/直流转换器的碳化硅功率MOSFET和碳化硅功率模块。这些解决方案已面向全球整车厂、一级供应商以及分销商，产品
2025-12-12 14:14:06565
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