PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM兼具高浪涌耐受性、非常低的触发电压和极低的钳位电压,为敏感系统的保护提供了一种高效的解决方案
奈梅亨,2022年12月19日:基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia宣布Nexperia TrEOS产品组合再添新产品,即PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM极低钳位电压ESD保护二极管。这些器件兼具高浪涌耐受性、非常低的触发电压和极低的钳位电压以及宽通带,浪涌抗扰度出众,出众的IEC61000-4-5浪涌等级。
Nexperia高级产品经理Stefan Seider表示:“Nexperia开发了TrEOS产品组合,专门用于为我们的客户提供一系列适用于USB3.2、USB4™、Thunderbolt™、HDMI 2.1和通用闪存等应用的高性能ESD保护解决方案。PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM的快速开关速度可为高速数据线提供极为有效的ESD峰值抑制性能,而其低触发电压有助于显著降低IEC61000-4-5 8/20 µs浪涌脉冲所含的能量。”
单数据线PESD4V0Y1BBSF采用低电感DSN0603-2封装,触发电压为6.3 V TLP,典型器件鲁棒性和电容分别为25 A 8/20 µs和0.7 pF。PESD4V0Y1BBSF提供的钳位电压在16 A 100 ns TLP时仅为2.4 V,在20 A 8/20 µs浪涌时仅为3.4 V。双数据线PESD4V0X2UM采用紧凑型DFN1006-3封装,触发电压为8 V,典型器件鲁棒性超过14 A 8/20 µs,典型器件电容为0.82 pF。
虽然这两种器件都可为USB2.0 D+/D-线路提供出色的保护作用,但PESD4V0Y1BBSF的S21通带超过7.5 GHz,因此适用于5 Gbps时的USB3.x。这两种器件都可提供高水平的抗浪涌性能,出众的IEC61000-4-5浪涌等级。
关于新款器件的更多信息,包括产品规范和数据手册,请访问:nexperia.com/pip/PESD4V0Y1BBSF以及nexperia.com/pip/PESD4V0X2UM。关于Nexperia完整的Nexperia TrEOS产品组合,请访问nexperia.com/xx。
Nexperia宣布面向高速数据线的TrEOS系列ESD保护器件再添两款新产品
- Nexperia(56570)
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2022-10-19 14:38:00616
ESD如何去静电,ESD保护器件使用有哪些注意事项
有人问电子产品断电了,还有静电损坏吗?使用电子产品会有静电,不过电子产品目前都有ESD保护器件。ESD静电保护器件有以下三类。1、聚合物ESD抑制器:新技术,最小电容值(
2022-12-05 17:17:14665
静电保护器件ESD是什么?如何选型?
在行业内,对ESD器件的称法有很多种:静电保护器件、静电防护元器件、ESD静电保护元器件、ESD管、ESD保护管、ESD二极管、ESD静电保护二极管、ESD防护二极管、ESD、ESD保护器件、ESD
2023-02-27 18:06:102573
Nexperia超低结电容ESD保护二极管保护汽车数据接口
可靠的保护器件可大幅降低对信号完整性的影响 奈梅亨, 2023 年 10 月 11 日: 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布扩展其超低电容ESD保护二极管产品组合。该系列器件
2023-10-11 11:27:00266
Nexperia超低结电容ESD保护二极管保护汽车数据接口
近日,基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)宣布扩展其超低电容 ESD 保护二极管产品组合。该系列器件旨在保护汽车信息娱乐应用的 USB、HDMI、高速视频链路和以太网等接口的高速数据线路。
2023-10-12 16:23:43507
ESD静电保护器件的特点及选型
ESD静电保护器件的特点及选型 ESD静电保护器件是一种用于防止静电击穿和静电放电对电子产品的损害的器件。静电释放是一种突然的瞬态电流,可能会导致电子元件和芯片的永久损坏。因此,为了保护电子设备
2024-01-03 10:24:39222
安世 | Nexperia超低结电容ESD保护二极管保护汽车数据接口
静电放电(ESD)二极管通过耗散静电放电的高能量来保护关键电子系统和子系统。这可以保护重要的 SOC(系统芯片)和其他器件在 ESD 事件期间免遭损坏。向高速数据线路添加其他器件会导致降低传输数据的信号完整性。
2024-03-01 14:41:11115
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