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编辑：黄飞
深度解析GaN功率晶体管技术及可靠性
- 晶体管(134507)
- GaN功率器件(5947)
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GaN FET在应用中的可靠性
鉴于氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 能够提高效率并缩小电源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投资这项技术之前，您可能仍然会好奇GaN 是否具有可靠性。令我惊讶的是，没有人询问硅是否具有可靠性。毕竟仍然有新的硅产品不断问世，电源设计人员对硅功率器件的可靠性也很关心。
2022-07-18 10:06:19
779
779基于GaN的功率晶体管和集成电路硅分立功率器件
基于GaN的功率晶体管和集成电路的早期成功最初源于GaN与硅相比的速度优势。GaN-on-Si晶体管的开关速度比MOSFET快10倍，比IGBT快100倍。
2021-04-23 11:27:113112
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GaN HEMT可靠性测试：为什么业界无法就一种测试标准达成共识
如果基于GaN的HEMT可靠性的标准化测试方法迫在眉睫，那么制造商在帮助同时提供高质量GaN器件方面正在做什么？ GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）由于其极高的耐高温性和高功率密度而在半导体行业中
2020-09-23 10:46:20
GaN可靠性的测试
qualification recipe）即可。由于长期的业界经验和可靠性模型的验证，人们现在可以接受将基于标准的测试用于硅材料的做法，不过也有例外的情况。功率金属氧化物半导体场效应晶体管
2018-09-10 14:48:19
GaN晶体管与其驱动器的封装集成实现高性能
极大地增加了GaN晶体管栅极的应力。需要注意的一点是，任何FET的栅极上的过应力都会对可靠性产生负面影响。栅极环路电感还会对关断保持能力产生巨大影响。当低管器件的栅极保持在关闭电压时，并且高管器件接通
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可靠性是什么？
厂子，和用了5年后相比，它出故障的概率显然小了很多。 “规定功能”是指产品规定了的必须具备的功能及其技术指标。所要求产品功能的多少和其技术指标的高低，直接影响到产品可靠性指标的高低。例如，电风扇的主要功能有转
2015-08-04 11:04:27
可靠性检技术及可靠性检验职业资格取证
中国电子电器可靠性工程协会 关于举办“可靠性检技术及可靠性检验职业资格取证”培训班的通知各有关单位： 根据《中华人民共和国劳动法》劳动和社会保障部《招用技术
2010-08-27 08:25:03
晶体管参数测量技术报告
晶体管参数测量技术报告摘 要晶体管的参数是用来表征管子性能优劣和适应范围的指标，是选管的依据。为了使管子安全可靠的工作，必须注意它的参数。本文主要论述以AduC812为核心的晶体管参数测试系统，该系
2012-08-02 23:57:09
晶体管和FET实用设计教材《晶体管电路设计(下)》
` 《晶体管电路设计（下）》是“实用电子电路设计丛书”之一，共分上下二册。本书作为下册主要介绍晶体管／FET电路设计技术的基础知识和基本实验，内容包括FET放大电路、源极跟随器电路、功率
2019-03-06 17:29:48
晶体管电路设计
从事电子设计7年了，发觉这两本书挺好的，发上来给大家分享一下附件晶体管电路设计（上）放大电路技术的实验解析.pdf42.5 MB晶体管电路设计（下）FET_功率MOS_开关电路的实验解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
晶体管的代表形状
的IC。2. 按功率分类主要以最大额定值的集电极功率PC进行区分的方法。大体分为小信号晶体管和功率晶体管，一般功率晶体管的功率超过1W。ROHM的小信号晶体管可以说是业界第一的。小信号晶体管最大
2019-04-10 06:20:24
晶体管的分类与特征
的电流、电压和应用进行分类。 下面以“功率元器件”为主题，从众多晶体管中选取功率类元器件展开说明。其中，将以近年来控制大功率的应用中广为采用的MOSFET为主来展开。 先来看一下晶体管的分类与特征
2020-06-09 07:34:33
晶体管的分类与特征
题，从众多晶体管中选取功率类元器件展开说明。其中，将以近年来控制大功率的应用中广为采用的MOSFET为主来展开。首先是基础性的内容，来看一下晶体管的分类与特征。Si晶体管的分类Si晶体管的分类根据
2018-11-28 14:29:28
晶体管的开关作用有哪些？
100V到700V，应有尽有．几年前，晶体管的开关能力还小于10kW。目前，它已能控制高达数百千瓦的功率。这主要归功于物理学家、技术人员和电路设计人员的共同努力，改进了功率晶体管的性能。如(1)开关晶体管
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晶体管的选用经验
、S9012、S9014、S9015、2N5551、2N5401、BC337、BC338、BC548、BC558等型号的小功率晶体管，可根据电路的要求选择晶体管的材料与极性，还要考虑被选晶体管的耗散
2012-01-28 11:27:38
CGHV96050F1卫星通信氮化镓高电子迁移率晶体管CREE
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比，这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27:13
CGHV96100F2晶体管
是碳化硅（SiC）衬底上的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。这种GaN内匹配（IM）场效应晶体管与其他技术相比，提供了优异的功率附加效率。GaN与硅或砷化镓相比具有更高的性能，包括更高
2018-08-13 10:58:03
CGHV96100F2氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 该GaN内部匹配（IM）FET与其他技术相比，具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
CMPA801B025F氮化镓（GaN）高电子迁移率 基于晶体管
和更高导热系数。 GaN HEMT还提供更高的功率密度和更宽的功率范围相较于Si和GaAs晶体管的带宽。 此MMIC可用于10引线金属/陶瓷法兰封装（CMPA801B025F）或小型药丸包装
2020-12-03 11:46:10
Diodes Inc MMBT39x车用晶体管
的NPN和PNP晶体管系列，符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。 SOT23封装尺寸适用于卷轴。推荐产品：MMBT3904T-7-F；MMBT3906-7-F；MMBT3904-7-FDiodes其它
2019-08-17 09:43:27
FHX35X高电子迁移率晶体管（HEMT）
金属化技术，可靠性高噪声系数NF典型值。（D b）1.2相关增益气体典型值 （D b）10漏极电压VDS（V）2个漏极电流lDS（mA）10频率f（GHz）12应用低噪声放大器笔记Tc（op）= + 25
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GaAs和GaN宽带功率放大器电路设计考虑因素
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IB0810M210功率晶体管
脉冲功率。 在没有外部调谐的情况下，所有设备都在宽带RF测试夹具中100％屏蔽了大信号RF参数。硅双极匹配50欧姆210W输出功率经过100％大功率射频测试C级操作IB0607S10功率晶体管
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IB0912M600是一种高功率脉冲晶体管器件
500W的峰值脉冲功率。 该双极晶体管利用金金属化系统来实现最大的可靠性。 发射极镇流电阻集成在有源电池中，可实现最佳的热分布和最大的可靠性。 所有设备都针对大信号RF参数进行了100％筛选。硅双极
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2021-04-01 10:29:42
IB1011M800是高功率脉冲航空电子晶体管
至少800W的峰值脉冲功率。 该双极晶体管利用金金属化系统来实现最大的可靠性。 发射极镇流电阻集成在有源电池中，可实现最佳的热分布和最大的可靠性。 所有设备都针对大信号RF参数进行了100％筛选。硅双
2021-04-01 10:11:46
IB3042-5晶体管
于1997年，是一家通过ISO 9001：2008认证的射频功率晶体管，托盘和高功率放大器（HPA）认证的制造商。 这些产品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和双极技术。产品型号
2019-05-14 11:00:13
IB3042-5晶体管
的高功率晶体管产品组合。我们目前的产品提供超过80％的效率，并利用GaN-on-SiC，Si-LDMOS和Si-VDMOS半导体技术。我们还致力于制造一些首批Si-bipolar器件，从而支持传统方案
2019-04-15 15:12:37
IGN0450M250高功率GaN-on-SiC RF功率晶体管
基于SiC HEMT技术的GaN输出功率> 250W预匹配的输入阻抗极高的效率-高达80％在100ms，10％占空比脉冲条件下进行了100％RF测试IGN0450M250功率晶体管
2021-04-01 10:35:32
IGN1090M800雷达晶体管
Technologies公司成立于1997年，是一家通过ISO 9001：2008认证的射频功率晶体管，托盘和高功率放大器（HPA）认证的制造商。 这些产品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2019-05-20 09:16:24
IGN2856S40晶体管现货
和双极技术。产品型号：IGN2856S40产品名称：晶体管IGN2856S40产品特性SiC HEMT技术中的GaN500瓦输出功率AB类操作预匹配内阻抗100%高功率射频测试负栅电压/偏置序列
2018-11-12 11:14:03
IGN2856S40是高功率脉冲晶体管
，装在基于金属的封装中，并用陶瓷环氧树脂盖密封。GaN on SiC HEMT技术40W输出功率AB类操作预先匹配的内部阻抗经过100％大功率射频测试负栅极电压/偏置排序IGN2731M5功率晶体管
2021-04-01 09:57:55
IGT2731L120雷达晶体管现货
9001：2008认证的射频功率晶体管，托盘和高功率放大器（HPA）认证的制造商。 这些产品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和双极技术。相关
2018-11-12 10:26:20
MACOM射频功率产品概览
、通讯、网络、雷达、工业、科研、以及医疗领域。我们的全镀金制造工艺确保了产品的高性能和长期可靠性。我们的双极晶体管旨在为用户严苛的应用提供可靠的解决方案。射频功率晶体管 - 硅MOSFETMACOM公司
2017-08-14 14:41:32
NPT2020射频晶体管
化镓或砷化铝镓技术的这类二极管。产品型号：NPT2020产品名称：射频晶体管NPT2020产品特性GaN上硅HEMT耗尽型晶体管适合线性和饱和应用从直流3.5 GHz调谐48 V操作3.5 GHz
2018-09-26 09:04:23
NPTB00025B射频功率晶体管介绍
500-1000MHz的10W P3dB CW宽带功率25W P3dB CW窄带功率受EAR99出口管制无铅高可靠性金金属化工艺符合RoHS技术指标电源电压：28 VPSAT：25 W增益：13 dB测试
2019-11-01 10:46:19
PH1214-220M脉冲功率晶体管现货
和医疗应用。 我们所有的金金属化制造工艺都能确保高性能和长期可靠性。产品名称: 雷达脉冲功率晶体管PH1214-220M产品特性NPN硅微波功率晶体管符合RoHS标准密封金属/陶瓷封装扩散发射器镇流电
2018-05-21 15:49:50
PH1214-220M雷达脉冲功率晶体管
和医疗应用。 我们所有的金金属化制造工艺都能确保高性能和长期可靠性。 产品名称: 雷达脉冲功率晶体管PH1214-220M产品特性NPN硅微波功率晶体管符合RoHS标准密封金属/陶瓷封装扩散发射器镇流电
2018-07-06 09:47:57
PH1214-220M雷达脉冲功率晶体管
和医疗应用。 我们所有的金金属化制造工艺都能确保高性能和长期可靠性。产品名称: 雷达脉冲功率晶体管PH1214-220M产品特性NPN硅微波功率晶体管符合RoHS标准密封金属/陶瓷封装扩散发射器镇流电
2018-07-06 09:46:43
PH1214-220M雷达脉冲功率晶体管
应用。 我们所有的金金属化制造工艺都能确保高性能和长期可靠性。产品名称: 雷达脉冲功率晶体管PH1214-220M产品特性NPN硅微波功率晶体管符合RoHS标准密封金属/陶瓷封装扩散发射器镇流电
2018-07-13 14:16:37
PH1214-220M雷达脉冲功率晶体管现货
应用。 我们所有的金金属化制造工艺都能确保高性能和长期可靠性。产品名称: 雷达脉冲功率晶体管PH1214-220M产品特性NPN硅微波功率晶体管符合RoHS标准密封金属/陶瓷封装扩散发射器镇流电
2018-11-12 11:02:34
QPD1020射频功率晶体管
QPD1020射频功率晶体管产品介绍QPD1020报价QPD1020代理QPD1020咨询热线QPD1020现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司QPD1020是30 W（p3db），50欧姆输入
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RF功率晶体管耐用性的三个电气参数验证
能够在高输出功率电平下承受严苛的负载失配状况而不降低性能或造成器件故障。当晶体管工作在负载失配状态下时，它的输出功率有很大一部分会被反射进器件，此时功率必须在晶体管中耗散掉。但在比较不同耐用性的晶体管时，重要的是检查不同器件制造商达到其耐用性结果的条件，因为不同制造商的测试条件可能有很大变化。
2019-06-26 07:11:37
SGNE045MK晶体管
电流和宽带应用。高压操作：VDS = 50V高功率：47.5dBm（典型值）@Psat高效率：55％（典型值）@Psat线性增益：16.0dB（典型值）@ f = 2.2GHz经验证的可靠性频率（GHz
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SiC-MOSFET功率晶体管的结构与特征比较
继前篇内容，继续进行各功率晶体管的比较。本篇比较结构和特征。功率晶体管的结构与特征比较下图是各功率晶体管的结构、耐压、导通电阻、开关速度的比较。使用的工艺技术不同结构也不同，因而电气特征也不同。补充
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【PCB】什么是高可靠性？
专业学术组织——可靠性技术组。1950年12月，美国成立了“电子设备可靠性专门委员会”，军方、武器制造公司及学术界开始介入可靠性研究，到1952年3月便提出了具有深远影响的建议；研究成果首先应用于航天
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晶体管，锗PNP晶体管，硅NPN晶体管和硅PNP晶体管。》技术根据其结构和制造工艺，晶体管可分为扩散晶体管、合金晶体管和平面晶体管。》 当前容量根据目前的容量，晶体管可分为低功率晶体管、中功率晶体管和高
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。达林顿通常用于需要低频高增益的地方。常见应用包括音频放大器输出级、功率调节器、电机控制器和显示驱动器。 达林顿晶体管也被称为达林顿对，由贝尔实验室的西德尼达林顿于 1953 年发明。在 1950
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什么是高可靠性？
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传声器管可靠性分析
:SUN:DSJS.0.2010-02-005【正文快照】：1可靠性概述长期以来,国内生产的驻极体电容传声器(简称传声器),一直使用由结型场效应晶体管(JFET)和正向箝位二极管D1组成的简单组合件[1
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的可靠性设计技术和软件系统的可靠性设计技术的解决方法。可供单片机应用系统的开发人员借鉴与参考。单片机应用系统的设计包括功能性设计、可靠性设计和产品化设计。其中，功能性是基础，可靠性是保障，产品化是前途。因此，从事单片机应用系统开发工作的设计人员必须掌握可靠性设计。
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基本晶体管开关电路，使用晶体管开关的关键要点
）需要几毫安才能上电，并且可以由逻辑门输出驱动。然而，螺线管、灯和电机等大功率电子设备比逻辑门电源需要更多的电力。输入晶体管开关。 晶体管开关操作和操作区域 图 1 中图表上的蓝色阴影区域表示饱和
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目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
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所需的组件，降低系统成本，提高可靠性。 英飞凌新型功率晶体管PTVA127002EV非常适用于空中交通管制应用和气象观察应用的L波段雷达系统。雷达系统在特定频率范围内发射高能电子脉冲，然后检测脉冲
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GaN（氮化镓）功率晶体管的全球领导者GaN Systems今天宣布，其低电流，大批量氮化镓晶体管的价格已跌至1美元以下。
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2022-09-19 09:33:211670
1670GaN的可靠性
鉴于氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 能够提高效率并缩小电源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投资这项技术之前，您可能仍然会好奇GaN是否具有可靠性。令我惊讶的是，没有人询问硅是否具有可靠性。毕竟仍然有新的硅产品不断问世，电源设计人员对硅功率器件的可靠性也很关心。
2022-09-20 08:48:00938
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GaN功率器件应用可靠性增长研究
GaN功率器件是雷达T/R组件或发射功放组件中的核心元器件,随着器件的输出功率和功率密度越来越高,器件的长期可靠性成为瓶颈。文章对雷达脉冲工作条件下GaN功率器件的失效机理进行了分析和研究,指出
2023-03-03 14:04:051074
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如何验证 GaN 的可靠性
鉴于氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 能够提高效率并缩小电源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投资这项技术之前，您可能仍然会好奇GaN是否具有可靠性。
2023-07-13 15:34:27411
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