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半导体的制造工序介绍 干法刻蚀设备温度控制原理

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刻蚀是移除晶圆表面材料,达到IC设计要求的一种工艺过程。刻蚀有两种:一种为图形 化刻蚀,这种刻蚀能将指定区域的材料去除,如将光刻胶或光刻版上的图形转移到衬底薄膜 上
2023-02-01 09:09:351748

ICP刻蚀氮化镓基LED结构的研究

氮化镓作为一种宽带隙半导体,已被用于制造发光二极管和激光二极管等光电器件。最近已经开发了几种用于氮化镓基材料的 不同干蚀刻技术。电感耦合等离子体刻蚀因其优越的等离子体均匀性和强可控性而备受关注
2023-02-22 15:45:410

半导体行业之刻蚀工艺介绍

压力主要控制刻蚀均匀性和刻蚀轮廓,同时也能影响刻蚀速率和选择性。改变压力会改变电子和离子的平均自由程(MFP),进而影响等离子体和刻蚀速率的均匀性。
2023-04-17 10:36:431922

划片机:晶圆加工第四篇—刻蚀的两种方法

刻蚀在晶圆上完成电路图的光刻后,就要用刻蚀工艺来去除任何多余的氧化膜且只留下半导体电路图。要做到这一点需要利用液体、气体或等离子体来去除选定的多余部分。刻蚀的方法主要分为两种,取决于所使用的物质
2022-07-12 15:49:251454

BJCORE半导体划片机设备——封装的八道工序

半导体产品的制造过程主要包括前道晶圆制造和后道封装测试,随着先进封装技术的浸透,呈现了介于晶圆制造和封装之间的加工环节,称为中道)。半导体产品的加工工序多,在制造过程中需求大量的半导体设备。在这里
2023-03-27 09:43:57485

半导体八大工艺之刻蚀工艺-干法刻蚀

离子束蚀刻 (Ion beam etch) 是一种物理干法蚀刻工艺。由此,氩离子以约1至3keV的离子束辐射到表面上。由于离子的能量,它们会撞击表面的材料。晶圆垂直或倾斜入离子束,蚀刻过程是绝对
2023-06-20 09:48:563990

半导体图案化工艺流程之刻蚀(一)

Dimension, CD)小型化(2D视角),刻蚀工艺从湿法刻蚀转为干法刻蚀,因此所需的设备和工艺更加复杂。由于积极采用3D单元堆叠方法,刻蚀工艺的核心性能指数出现波动,从而刻蚀工艺与光刻工艺成为半导体制造的重要工艺流程之一。
2023-06-26 09:20:10816

ALD是什么?半导体制造的基本流程

半导体制造过程中,每个半导体元件的产品都需要经过数百道工序。这些工序包括前道工艺和后道工艺,前道工艺是整个制造过程中最为重要的部分,它关系到半导体芯片的基本结构和特性的形成,涉及晶圆制造、沉积、光刻、刻蚀等步骤,技术难点多,操作复杂。
2023-07-11 11:25:552902

干法刻蚀工艺介绍 硅的深沟槽干法刻蚀工艺方法

第一种是间歇式刻蚀方法(BOSCH),即多次交替循环刻蚀和淀积工艺,刻蚀工艺使用的是SF6气体,淀积工艺使用的是C4F8气体
2023-07-14 09:54:463214

北方华创:12英寸CCP晶边干法刻蚀设备已在客户端实现量产

半导体工程装备、北方华创的主要品种是刻蚀、薄膜、清洗、热处理、晶体生长等核心技术装备,广泛应用逻辑部件,存储半导体零部件、先进封装、第三代半导体照明、微机电系统、新型显示、新能源,衬底材料制造等工艺过程。
2023-09-18 09:47:19578

北方华创12英寸CCP晶边干法刻蚀设备已在客户端实现量产

9月17日,北方华创在投资者互动平台表示,公司前期已经发布了首台国产12英寸CCP晶边干法刻蚀设备研发成功有关信息,目前已在客户端实现量产,其优秀的工艺均匀性、稳定性赢得客户高度评价。
2023-09-20 10:09:49559

干法刻蚀与湿法刻蚀各有什么利弊?

半导体制造中,刻蚀工序是必不可少的环节。而刻蚀又可以分为干法刻蚀与湿法刻蚀,这两种技术各有优势,也各有一定的局限性,理解它们之间的差异是至关重要的。
2023-09-26 18:21:003307

干法刻蚀的负载效应是怎么产生的?有什么危害?如何抑制呢?

有过深硅刻蚀的朋友经常会遇到这种情况:在一片晶圆上不同尺寸的孔或槽刻蚀速率是不同的。
2023-10-07 11:29:171454

工信部就干法刻蚀设备测试方法等行业标准公开征集意见

据工信部网站11月16日消息,工信部公开征集了《半导体设备 集成电路制造干法刻蚀设备测试方法》等196个行业标准、1个行业标准外文版、38个推荐性国家标准计划项目的意见。
2023-11-16 17:04:49652

半导体前端工艺(第四篇):刻蚀——有选择性地刻蚀材料,以创建所需图形

半导体前端工艺(第四篇):刻蚀——有选择性地刻蚀材料,以创建所需图形
2023-11-27 16:54:26256

北方华创公开“刻蚀方法和半导体工艺设备”相关专利

该专利详细阐述了一种针对含硅有机介电层的高效刻蚀方法及相应的半导体工艺设备。它主要涉及到通过交替运用至少两个刻蚀步骤来刻蚀含硅有机介电层。这两个步骤分别为第一刻蚀步骤和第二刻蚀步骤。
2023-12-06 11:58:16370

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