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电子发烧友网>制造/封装>功率SiC器件和GaN器件市场预测

功率SiC器件和GaN器件市场预测

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SIC功率器件的发展现状!

近年来,SiC功率器件结构设计和制造工艺日趋完善,已经接近其材料特性决定的理论极限,依靠Si器件继续完善来提高装置与系统性能的潜力十分有限。本文首先介绍了SiC功率半导体器件技术发展现状及市场前景,其次阐述了SiC功率器件发展中存在的问题,最后介绍了SiC功率半导体器件的突破。
2022-11-24 10:05:102020

SiCGaN功率电子器件的优势和应用

  随着硅接近其物理极限,电子制造商正在转向非常规半导体材料,特别是宽带隙(WBG)半导体,如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。由于宽带隙材料具有相对较宽的带隙(与常用的硅相比),宽带隙器件可以在高压、高温和高频下工作。宽带隙器件可以提高能效并延长电池寿命,这有助于推动宽带隙半导体的市场
2023-02-05 14:25:15677

SiC功率器件的开发背景和优点

SiC功率器件具有优于Si功率器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开发背景和具体优点进行介绍。通过将SiC应用到功率器件上,实现以往Si功率器件无法实现的低损耗功率转换。不难发现这是SiC使用到功率器件上的一大理由。
2023-02-09 11:50:19448

使用多个电流探头研究SiCGaN功率半导体器件的电极间电容

本文介绍了使用多个电流探头研究SiCGaN功率半导体器件的电极间电容。它分为四部分:双电流探头法原理、测量结果、三电流探头法原理和测量结果。
2023-02-19 17:06:18350

Yole:SiC 器件将占领 30% 的功率器件市场

根据市场分析机构 Yole 预测,在未来 5 年内,SiC 功率器件将很快占据整个功率器件市场的 30%,SiC 行业(从衬底到模块,包括器件)的增长率非常高。在Yole看来,到 2027 年,该行
2023-02-20 17:05:161106

SiC功率器件的开发背景和优点

前面对SiC的物理特性和SiC功率器件的特征进行了介绍。SiC功率器件具有优于Si功率器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开发背景和具体优点进行介绍。
2023-02-22 09:15:30346

未来五年SiC器件市场价值将达到60亿美元

全球SiC器件产能到2027年将增长两倍,排名前五的公司是:ST、英飞凌、Wolfspeed、onsemi和ROHM。Yole Intelligence的分析师预测,未来五年SiC器件市场价值将达到60亿美元,并可能在2030年代初达到100亿美元。
2023-03-27 11:10:00556

GaN功率器件应用可靠性增长研究

GaN功率器件是雷达T/R组件或发射功放组件中的核心元器件,随着器件的输出功率功率密度越来越高,器件的长期可靠性成为瓶颈。文章对雷达脉冲工作条件下GaN功率器件的失效机理进行了分析和研究,指出
2023-03-03 14:04:051074

GaNSiC功率器件的特点 GaNSiC的技术挑战

 SiCGaN被称为“宽带隙半导体”(WBG),因为将这些材料的电子从价带炸毁到导带所需的能量:而在硅的情况下,该能量为1.1eV,SiC(碳化硅)为3.3eV,GaN(氮化镓)为3.4eV。这导致了更高的适用击穿电压,在某些应用中可以达到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39431

一文看懂SiC功率器件

范围内控制必要的p型、n型,所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在各种多型体(结晶多系),它们的物性值也各不相同。用于功率器件制作,4H-SiC最为
2023-08-21 17:14:581145

功率半导体器件 氧化镓市场正在稳步扩大

调查结果显示,SiCGaN(氮化镓)等宽带隙半导体单晶主要用于功率半导体器件市场正在稳步扩大。
2023-09-04 15:13:24365

低成本垂直GaN(氮化镓)功率器件的优势

GaN因其特性,作为高性能功率半导体材料而备受关注,近年来其开发和市场导入不断加速。GaN功率器件有两种类型:水平型(在硅晶圆上生长GaN晶体)和垂直型(原样使用GaN衬底)。
2023-09-13 15:05:25660

分析 丨GaN功率器件格局持续变化,重点关注这两家厂商

年,GaN器件将达到整个功率半导体市场的2.7%,市场规模仅为20.36亿美元。 图注:GaN市场预测(芯查查制表,数据来源:Yole)作为第三代半导体材料,GaN被看好是因为其具有比硅更佳的电气特性,另一个关键点是成本在逐步降低,市场趋势表明,GaN器件将在成本上与MOSFET相媲美。新能源
2023-09-21 17:39:211630

长电科技高可靠性车载SiC功率器件封装设计

长电科技在功率器件封装领域积累了数十年的技术经验,具备全面的功率产品封装外形,覆盖IGBT、SiCGaN等热门产品的封装和测试。
2023-10-07 17:41:32398

三菱电机将投资Coherent的SiC业务 发展SiC功率器件业务

业务分拆成立新公司,并将投资5亿美元(约750亿日元1)。Coherent一直是三菱电机的SiC衬底供应商,此次投资旨在通过加强与Coherent的纵向合作,扩大其SiC功率器件业务。 电动汽车市场正在
2023-10-18 19:17:17368

低成本垂直GaN功率器件研究

随着半导体技术的发展,垂直GaN功率器件逐渐凭借其优势逐渐应用在更多的领域中。高质量的GaN单晶材料是制备高性能器件的基础。
2023-12-27 09:32:54374

一文解析SiC功率器件互连技术

和硅器件相比,SiC器件有着耐高温、击穿电压 大、开关频率高等诸多优点,因而适用于更高工作频 率的功率器件。但这些优点同时也给SiC功率器件的互连封装带来了挑战。
2024-03-07 14:28:43107

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