SiC、GaN等下一代功率器件的企业有所增加,为数众多的展示吸引了各方关注。SiC和GaN也变得不再是“下一代”。
2013-07-09 09:46:493475 市场调查公司Yole Developpement(以下简称Yole)认为,市场规模方面,2020年GaN器件市场整体规模有可能达到约6亿美元。从(2020年将支配市场的)电源和PFC(功率因数校正)领域,到UPS(不间断电源)和马达驱动,很多应用领域都将从GaN-on-Si功率器件的特性中受益。
2016-12-19 10:34:181254 (SiC)和氮化镓(GaN)占有约90%至98%的市场份额。供应商。WBG半导体虽然还不是成熟的技术,但由于其优于硅的性能优势(包括更高的效率,更高的功率密度,更小的尺寸和更少的冷却),正在跨行业进军。 使用基于SiC或GaN的功率半导体来获
2021-04-06 17:50:533168 电力电子将在未来几年发展,尤其是对于组件,因为 WBG 半导体技术正变得越来越流行。高工作温度、电压和开关频率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料的能力。从硅到 SiC 和 GaN 组件的过渡标志着功率器件发展和更好地利用电力的重要一步。
2022-07-27 10:48:41761 碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化镓 (GaN) HEMT 等宽带隙 (WBG) 功率器件的采用目前正在广泛的细分市场中全面推进。在许多情况下,WBG 功率器件正在取代它们的硅对应物,并在
2022-07-29 14:09:53807 在很宽的范围内实现对器件制造所需的p型和n型的控制。因此,SiC被认为是有望超越硅极限的功率器件材料。SiC具有多种多型(晶体多晶型),并且每种多型显示不同的物理特性。对于功率器件,4H-SiC被认为是理想的,其单晶4英寸到6英寸之间的晶圆目前已量产。
2022-11-22 09:59:261373 作为一种新型功率器件,GaN 器件在电源的高密小型化方面极具优势。
2023-12-07 09:44:52783 近年来,SiC功率器件的出现大大提升了半导体器件的性能,这对电力电子行业的发展意义重大。据Yole预测,到2023年SiC功率器件市场规模预计将达14亿美元,其主要的市场增长机会在汽车领域,特别是
2019-07-05 11:56:2833343 全球范围内5G技术的迅猛发展,为氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率半导体制造商提供新的增长前景。2020年,GaN和SiC功率半导体市场规模为7亿美元,预计2021年至2027年的复合年增长率
2021-05-21 14:57:182257 GaN 和 SiC 器件在某些方面相似,但有显着差异。
2021-11-17 09:06:184236 电子发烧友网报道(文/梁浩斌)近日,著名咨询公司麦肯锡发表了一份SiC市场的分析报告,其中电动汽车市场以及SiC市场的最新预测数据值得我们关注。 电动汽车以及SiC市场预测 麦肯锡从2018
2023-10-30 06:59:001641 电子发烧友网报道(文/梁浩斌)在我们谈论第三代半导体的时候,常说的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管),而氮化镓功率器件最普遍的则是GaN HEMT(高电子
2023-12-27 09:11:361220 GaN功率半导体器件集成提供应用性能
2023-06-21 13:20:16
。GaN器件尤其在高频高功率的应用领域体现了其独特的优势,其中,针对GaN功率器件的性能特点,该器件可被用于适配器、DC-DC转换、无线充电、激光雷达等应用场合。
图1 半导体材料特性对比
传统的D类
2023-06-25 15:59:21
半导体的关键特性是能带隙,能带动电子进入导通状态所需的能量。宽带隙(WBG)可以实现更高功率,更高开关速度的晶体管,WBG器件包括氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC),以及其他半导体。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
材料在制作耐高温的微波大功率器件方面也极具优势。笔者从材料的角度分析了GaN 适用于微波器件制造的原因,介绍了几种GaN 基微波器件最新研究动态,对GaN 调制掺杂场效应晶体管(MODFETs)的工作原理以及特性进行了具体分析,并同其他微波器件进行了比较,展示了其在微波高功率应用方面的巨大潜力。
2019-06-25 07:41:00
为什么GaN可以在市场中取得主导地位?简单来说,相比LDMOS硅技术而言,GaN这一材料技术,大大提升了效率和功率密度。约翰逊优值,表征高频器件的材料适合性优值, 硅技术的约翰逊优值仅为1, GaN最高,为324。而GaAs,约翰逊优值为1.44。肯定地说,GaN是高频器件材料技术上的突破。
2019-06-26 06:14:34
基于碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)半导体的新型高效率、超快速功率转换器已经开始在各种创新市场和应用领域攻城略地——这类应用包括太阳能光伏逆变器、能源存储、车辆电气化(如充电器
2019-07-31 06:16:52
一样,商用SiC功率器件的发展走过了一条喧嚣的道路。本文旨在将SiC MOSFET的发展置于背景中,并且 - 以及器件技术进步的简要历史 - 展示其技术优势及其未来的商业前景。 碳化硅或碳化硅的历史
2023-02-27 13:48:12
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD(肖特基势垒二极管)结构得到600V以上的高耐压二极管(Si的SBD最高耐压为200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-03-14 06:20:14
新型和未来的 SiC/GaN 功率开关将会给方方面面带来巨大进步,从新一代再生电力的大幅增加到电动汽车市场的迅速增长。其巨大的优势——更高功率密度、更高工作频率、更高电压和更高效率,将有助于实现更紧
2018-10-30 11:48:08
) !important]推动SiC/GaN功率开关普及的主要应用有太阳能光伏逆变器、电动汽车充电器和储能转换器。这里利用了超快的小型高效功率开关的附加价值,为市场带来了超高开关频率和超过99%的杰出效率
2019-07-16 23:57:01
基于SiC/GaN的新一代高密度功率转换器SiC/GaN具有的优势
2021-03-10 08:26:03
电导率调制,向漂移层内注入作为少数载流子的空穴,因此导通电阻比MOSFET还要小,但是同时由于少数载流子的积聚,在Turn-off时会产生尾电流,从而造成极大的开关损耗。SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
)工作频率的高频化,使周边器件小型化(例:电抗器或电容等的小型化)主要应用于工业机器的电源或光伏发电的功率调节器等。2. 电路构成现在量产中的SiC功率模块是一种以一个模块构成半桥电路的2in1类型
2019-05-06 09:15:52
,所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在各种多型体(结晶多系),它们的物性值也各不相同。用于功率器件制作,4H-SiC最为合适
2019-07-23 04:20:21
具有成本效益的大功率高温半导体器件是应用于微电子技术的基本元件。SiC是宽带隙半导体材料,与Si相比,它在应用中具有诸多优势。由于具有较宽的带隙,SiC器件的工作温度可高达600℃,而Si器件
2018-09-11 16:12:04
前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开发背景和具体优点
2018-11-29 14:35:23
与硅相比,SiC有哪些优势?SiC器件与硅器件相比有哪些优越的性能?碳化硅器件的缺点有哪些?
2021-07-12 08:07:35
元件。・虽然是新半导体,但在要求高品质和高可靠性的车载设备市场已拥有丰硕的实际应用业绩。< 相关产品信息 >SiC功率元器件SiC-SBDSiC-MOSFET「全SiC」功率模块
2018-11-29 14:39:47
本帖最后由 chxiangdan 于 2018-7-27 17:22 编辑
亲爱的电子发烧友小伙伴们!罗姆作为 SiC 功率元器件的领先企业,自上世纪 90 年代起便着手于 SiC 功率元器件
2018-07-27 17:20:31
,从而支持每次充电能续航更远的里程。车载充电器(OBC)和牵引逆变器现在正使用宽禁带(WBG)产品来实现这一目标。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是宽禁带材料,提供下一代功率器件的基础。与硅相比
2020-10-27 09:33:16
中国功率器件市场发展现状:功率器件包括功率 IC 和功率分立器件,功率分立器件则主要包括功率MOSFET、大功率晶体管和IGBT 等半导体器件,功率器件几乎用于所有的电子制造业,所应用的产品包括
2009-09-23 19:36:41
引言:前段时间,Tesla Model3的拆解分析在行业内确实很火,现在我们结合最新的市场进展,针对其中使用的碳化硅SiC器件,来了解一下SiC器件的未来需求。我们从前一段时间的报道了解到:目前
2021-09-15 07:42:00
元件来适应略微增加的开关频率,但由于无功能量循环而增加传导损耗[2]。因此,开关模式电源一直是向更高效率和高功率密度设计演进的关键驱动力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半导体器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
的材料特性,各自都有各自的优点和不成熟处,因此在应用方面有区别 。一般的业界共识是:SiC适合高于1200V的高电压大功率应用;GaN器件更适合于40-1200V的高频应用。在600V和1200V器件
2021-09-23 15:02:11
在过去的十多年里,行业专家和分析人士一直在预测,基于氮化镓(GaN)功率开关器件的黄金时期即将到来。与应用广泛的MOSFET硅功率器件相比,基于GaN的功率器件具有更高的效率和更强的功耗处理能力
2019-06-21 08:27:30
`由电气观察主办的“宽禁带半导体(SiC、GaN)电力电子技术应用交流会”将于7月16日在浙江大学玉泉校区举办。宽禁带半导体电力电子技术的应用、宽禁带半导体电力电子器件的封装、宽禁带电力电子技术
2017-07-11 14:06:55
虽然电动和混合动力电动汽车(EV]从作为功率控制器件的标准金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)到基于碳化硅(SiC)衬底和工艺技术的FET的转变代表了提高EV的效率和整体系统级特性的重要步骤
2019-08-11 15:46:45
您好,有人能告诉我如何在原理图窗口中添加GaN器件,因为当我在ADS的原理图窗口中搜索它时,它只显示GaAs,JFET和BJT器件。我想做一个功率放大器模拟,我需要一个GaN器件。请提出你的建议
2019-01-17 15:55:31
`①未来发展导向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半导体”已逐渐步入大众生活,以大功率低损耗为目的二极管和晶体管等分立(分立半导体)元器件备受瞩目。在科技发展道路上的,“小型化”和“节能化
2017-07-22 14:12:43
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD(肖特基势垒二极管)结构得到600V以上的高耐压二极管(Si的SBD最高耐压为200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-05-07 06:21:51
采用热传导率更优的SiC做衬底,因此GaN功率器件具有较高的结温,能在高温环境下工作。不同材料体系射频器件功率-频率工作区间GaN将在高功率,高频率射频市场优势明显相比于4G,5G的通信频段往高频波段
2019-04-13 22:28:48
、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。 在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。SiC功率器件在C波段以上受频率的限制,也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
Stefano GallinaroADI公司各种应用的功率转换器正从纯硅IGBT转向SiC/GaN MOSFET。一些市场(比如电机驱动逆变器市场)采用新技术的速度较慢,而另一些市场(比如太阳能
2018-10-22 17:01:41
SiC功率器件的封装技术要点
具有成本效益的大功率高温半导体器件是应用于微电子技术的基本元件。SiC是宽带隙半导体材料,与S
2009-11-19 08:48:432355 据权威媒体分析,SiC和GaN器件将大举进入电力电子市场,预计到2020年,SiC和GaN功率器件将分别获得14%和8%市场份额。未来电力电子元器件市场发展将更多地集中到SiC和GaN的技术创新上。
2013-09-18 10:13:112464 安华高科技公司(Avago Technologies)推出了四款光电耦合器新产品,主要用于使用 SiC(碳化硅)和 GaN(氮化镓)制造的功率半导体器件等的门极驱动。新产品的最大特点是最大传播延迟
2017-09-12 16:07:001 1.GaN 功率管的发展微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅(SiC)、氮镓(GaN) 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN材料
2017-11-09 11:54:529 引言SiC功率器件已经成为高效率、高电压及高频率的功率转换应用中Si功率器件的可行替代品。正如预期的优越材料
2018-03-20 11:43:024444 本文首先介绍了SiC功率半导体器件技术发展现状及市场前景,其次阐述了SiC功率器件发展中存在的问题,最后介绍了SiC功率半导体器件的突破。
2018-05-28 15:33:5410899 使用SiC的新功率元器件技术
2018-06-26 17:56:005775 SiC(碳化硅)是一种由Si(硅)和C(碳)构成的化合物半导体材料。SiC临界击穿场强是Si的10倍,带隙是Si的3倍,热导率是Si的3倍,所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:419257 基于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等材料的新型功率开关技术的出现促使性能大幅提升,超越了基于MOSFET和IGBT技术的传统系统。
2018-10-04 09:03:004753 EiceDRIVER。籍此我们梳理了一下GaN功率器件在全球市场、产品应用和技术特性方面的信息,以及英飞凌相关业务和此次量产产品的细节。
2018-12-06 18:06:214654 基于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等材料的新型功率开关技术的出现促使性能大幅提升,超越了基于MOSFET和IGBT技术的传统系统。
2019-01-05 09:01:093767 随着我国新能源汽车市场的不断扩大,充电桩市场发展前景广阔。SiC材料的功率器件可以实现比Si基功率器件更高的开关频繁,可以提供高功率密度、超小的体积,因此SiC功率器件在充电桩电源模块中的渗透率不断增大。
2019-03-02 09:35:1813799 很多工程师提问关于氮化镓(GaN)及碳化硅(SiC)的异同。GaN和SiC都是宽带隙半导体,因此可以在更小、更快的器件中处理比硅更多的功率。GaN的一个额外优点是可以在器件表面产生二维电子气(2DEG)。
2019-03-14 17:05:395887 随着我国新能源汽车市场的不断扩大,充电桩市场发展前景广阔。SiC材料的功率器件可以实现比Si基功率器件更高的开关频繁,可以提供高功率密度、超小的体积,因此SiC功率器件在充电桩电源模块中的渗透率不断增大。
2019-06-18 17:24:501774 据麦姆斯咨询介绍,由于特斯拉(Tesla)在其主逆变器中采用了SiC器件,2018~2019年SiC功率器件市场吸引了广泛关注。其他汽车厂商是否会跟进应用SiC器件成为今年热议的话题。近年,汽车行业
2019-07-22 16:53:404551 安森美半导体是功率电子领域的市场领导者之一,在SiC功率器件领域的地位正在迅速攀升。
2019-07-25 08:50:504206 目前世界范围内围绕着GaN功率电子器件的研发工作主要分为两大技术路线,一是在自支撑Ga N衬底上制作垂直导通型器件的技术路线,另一是在Si衬底上制作平面导通型器件的技术路线。
2019-08-01 15:00:037275 了巨大的GaN射频器件市场需求。2019年,GaN射频市场约为6.42亿美元。亚化咨询预计,到2025年GaN射频器件市场将超过30亿美元。
2020-08-27 10:47:422369 的市场收入以两位数增长,到 2029 年将超过 50 亿美元。 GaN 和 SiC 功率半导体全球市场收入预测(单位:百万美元) SiC 肖特
2020-11-16 10:19:322223 ,特别适用于5G射频和高压功率器件。 据集邦咨询(TrendForce)指出,因疫情趋缓所带动5G基站射频前端、手机充电器及车用能源等需求逐步提升,预期2021年GaN通讯及功率器件营收分别为6.8亿和6100万美元,年增30.8%及90.6%,SiC器件功率领域营收
2021-05-03 16:18:0010175 的 3 倍,而且在器件制造时可以在较宽的范围内实现必要的 P 型、N 型控制,所以被认为是一种超越 Si 极限的用于制造功率器件的材料。SiC 存在各种多型体(结晶多系),它们的物性值也各不相同。最适合于制造功率器件的是 4H-SiC,现在 4inch~6inch 的单晶晶圆已经实现了量产。
2021-04-20 16:43:0957 前言 近年来,电力电子领域最重要的发展是所谓的宽禁带(WBG)材料的兴起,即碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。WBG材料的特性有望实现更小、更快、更高效的电力电子产品。 WBG功率器件已经对从普通
2021-08-13 15:22:002206 日前,SiC & GaN功率器件设计和方案商派恩杰官方正式宣告与德国Foxy Power合作组建欧洲&北美销售团队。
2021-09-09 09:39:171065 /dt也就越大。影响dv/dt和di/dt的主要因素是器件材料,其次是器件的电压、电流、温度以及驱动特性。为了加深大家对高速功率半导体器件的理解,今天我们以SiC和GaN为例来聊一下这个话题,看看高速功率器件的dv/dt和di/dt到底有多大?
2022-04-22 11:29:482477 在基本半导体特性(带隙、临界电场和电子迁移率)的材料比较中,GaN 被证明是一种优异的材料。“Si 的带隙略高于一个电子伏特,临界电子场为 0.23 MV/cm,而 GaN 的电子迁移率和带隙更宽
2022-08-03 08:04:292748 意法半导体 在PCIM Europe 虚拟会议上首次向业界展示了该公司用于汽车应用的集成式 STi 2 GaN系列 GaN 功率器件 。利用台积电的 GaN 技术及其自身独特的设计和封装专业知识
2022-08-03 10:44:57641 。与此同时,一种新材料氮化镓 (GaN) 正朝着理论性能边界稳步前进,该边界比老化的硅 MOSFET 好 6000 倍,比当今市场上最好的 GaN 产品好 300 倍(图1)。 图 1:一平方毫米器件的理论导通电阻与基于 Si 和 GaN 的功率器件的阻断电压能力。第 4 代(紫色圆点)和
2022-08-04 11:17:55587 GaN 功率器件的卓越电气特性正在逐步淘汰复杂工业电机控制应用中的传统 MOSFET 和 IGBT。
2022-08-12 15:31:231530 镓 (GaN) 等技术所需的最高开关速度和系统尺寸限制而设计。架构的演进满足了新的效率水平和时序性能的稳定性,从而减少了电压失真。本文以罗姆半导体的基于 SiC 技术的功率器件为参考点。
2022-08-10 15:22:11813 DL-ISO 高压光隔离探头具有 1 GHz 带宽、2500 V 差分输入范围和 60 kV 共模电压范围,提供非常高的测量精度和丰富的连接方式,是GaN 和 SiC 器件测试的理想探头。
2022-11-03 17:47:061121 碳化硅(SiC)被认为是未来功率器件的革命性半导体材料;许多SiC功率器件已成为卓越的替代电源开关技术,特别是在高温或高电场的恶劣环境中。
2022-11-06 18:50:471289 碳化硅(SiC)功率器件具有提高效率、动态性能和可靠性的显著优势电子和电气系统。回顾了SiC功率器件发展的挑战和前景
2022-11-11 11:06:141503 近年来,SiC功率器件结构设计和制造工艺日趋完善,已经接近其材料特性决定的理论极限,依靠Si器件继续完善来提高装置与系统性能的潜力十分有限。本文首先介绍了SiC功率半导体器件技术发展现状及市场前景,其次阐述了SiC功率器件发展中存在的问题,最后介绍了SiC功率半导体器件的突破。
2022-11-24 10:05:102020 随着硅接近其物理极限,电子制造商正在转向非常规半导体材料,特别是宽带隙(WBG)半导体,如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。由于宽带隙材料具有相对较宽的带隙(与常用的硅相比),宽带隙器件可以在高压、高温和高频下工作。宽带隙器件可以提高能效并延长电池寿命,这有助于推动宽带隙半导体的市场。
2023-02-05 14:25:15677 SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开发背景和具体优点进行介绍。通过将SiC应用到功率元器件上,实现以往Si功率元器件无法实现的低损耗功率转换。不难发现这是SiC使用到功率元器件上的一大理由。
2023-02-09 11:50:19448 本文介绍了使用多个电流探头研究SiC和GaN功率半导体器件的电极间电容。它分为四部分:双电流探头法原理、测量结果、三电流探头法原理和测量结果。
2023-02-19 17:06:18350 根据市场分析机构 Yole 预测,在未来 5 年内,SiC 功率器件将很快占据整个功率器件市场的 30%,SiC 行业(从衬底到模块,包括器件)的增长率非常高。在Yole看来,到 2027 年,该行
2023-02-20 17:05:161106 前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开发背景和具体优点进行介绍。
2023-02-22 09:15:30346 全球SiC器件产能到2027年将增长两倍,排名前五的公司是:ST、英飞凌、Wolfspeed、onsemi和ROHM。Yole Intelligence的分析师预测,未来五年SiC器件市场价值将达到60亿美元,并可能在2030年代初达到100亿美元。
2023-03-27 11:10:00556 GaN功率器件是雷达T/R组件或发射功放组件中的核心元器件,随着器件的输出功率和功率密度越来越高,器件的长期可靠性成为瓶颈。文章对雷达脉冲工作条件下GaN功率器件的失效机理进行了分析和研究,指出
2023-03-03 14:04:051074 SiC和GaN被称为“宽带隙半导体”(WBG),因为将这些材料的电子从价带炸毁到导带所需的能量:而在硅的情况下,该能量为1.1eV,SiC(碳化硅)为3.3eV,GaN(氮化镓)为3.4eV。这导致了更高的适用击穿电压,在某些应用中可以达到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39431 范围内控制必要的p型、n型,所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在各种多型体(结晶多系),它们的物性值也各不相同。用于功率器件制作,4H-SiC最为
2023-08-21 17:14:581145 调查结果显示,SiC、GaN(氮化镓)等宽带隙半导体单晶主要用于功率半导体器件,市场正在稳步扩大。
2023-09-04 15:13:24365 GaN因其特性,作为高性能功率半导体材料而备受关注,近年来其开发和市场导入不断加速。GaN功率器件有两种类型:水平型(在硅晶圆上生长GaN晶体)和垂直型(原样使用GaN衬底)。
2023-09-13 15:05:25660 年,GaN器件将达到整个功率半导体市场的2.7%,市场规模仅为20.36亿美元。 图注:GaN市场预测(芯查查制表,数据来源:Yole)作为第三代半导体材料,GaN被看好是因为其具有比硅更佳的电气特性,另一个关键点是成本在逐步降低,市场趋势表明,GaN器件将在成本上与MOSFET相媲美。新能源
2023-09-21 17:39:211630 长电科技在功率器件封装领域积累了数十年的技术经验,具备全面的功率产品封装外形,覆盖IGBT、SiC、GaN等热门产品的封装和测试。
2023-10-07 17:41:32398 业务分拆成立新公司,并将投资5亿美元(约750亿日元1)。Coherent一直是三菱电机的SiC衬底供应商,此次投资旨在通过加强与Coherent的纵向合作,扩大其SiC功率器件业务。 电动汽车市场正在
2023-10-18 19:17:17368 随着半导体技术的发展,垂直GaN功率器件逐渐凭借其优势逐渐应用在更多的领域中。高质量的GaN单晶材料是制备高性能器件的基础。
2023-12-27 09:32:54374 和硅器件相比,SiC器件有着耐高温、击穿电压 大、开关频率高等诸多优点,因而适用于更高工作频 率的功率器件。但这些优点同时也给SiC功率器件的互连封装带来了挑战。
2024-03-07 14:28:43107
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