V、13 mOhm导通内阻、逻辑控制电平MOSFET，应用于LFPAK33封装。ASFET是专门为用于某一应用而设计并优化的MOSFET。此产品组合是Nexperia为电池隔离、电机控制、热插拔和以太网
2022-05-12 10:20:49
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恩智浦半导体近日推出54款符合汽车工业标准并采用LFPAK56封装的全新MOSFET——是目前市场上最全的Power-SO8 MOSFET产品组合。恩智浦的LFPAK56 MOSFET具有业界领先的性能和可靠性，与DPAK相比还可节省超过55%的尺寸面积，从而能大幅降低总成本。
2013-03-08 12:41:542961 LFPAK封装采用铜夹片结构，由Nexperia率先应用，已在汽车等要求严格的应用领域中使用近20年。
2020-05-08 09:02:451216 Nexperia为电池隔离、电机控制、热插拔和以太网供电（PoE）应用提供ASFET系列。
2020-10-23 09:38:13881 新型8 x 8 mm LFPAK88 MOSFET将最新的高性能超结硅技术与成熟的LFPAK铜夹片技术相结合，后者因提供显著的电气性能和热性能而著称。
2021-05-27 09:34:36804 现可提供具备高效开关和低尖峰特性的LFPAK56和LFPAK88封装 奈梅亨， 2023 年 6 月 21 日： 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布扩充NextPower
2023-06-21 09:21:57596 
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 编辑
0805封装尺寸/0402封装尺寸/0603封装尺寸/1206封装尺寸封装尺寸与功率关系：0201 1/20W0402 1
2008-07-02 14:05:50
`NPN中功率晶体管系列，采用表面贴装器件（SMD）塑料封装，具有大电流，高功耗，出色的导热性和导电性等优势。n具有中等功率能力的无铅超小型SMD塑料封装（SOT1061）。符合AEC-Q101
2020-03-11 17:20:01
的工作环境，由于其额定温度为+175°C，因此非常适合用于要求高温的环境。Nexperia汽车用MOSFET具有额定重复性雪崩，开关速度非常快，ESD电阻高。Nexperia MOSFET采用先进的业界领先
2021-01-23 11:20:27
不会影响其他参数的性能。例如，采用 LFPAK88铜夹片封装的 Nexperia PSMNR90-50SLH 在 10 V 栅源电压下具有 0.9 mΩ的最大导通电阻。且最大漏极电流额定值可达 410
2022-10-28 16:18:03
封装在开关速度、效率和驱动能力等方面的有效性。最后，第四节分析了实验波形和效率测量，以验证最新推出的TO247 4引脚封装的性能。 II.分析升压转换器中采用传统的TO247封装的MOSFET A.开关
2018-10-08 15:19:33
概述：LTC1647-1是双通道热插拔 (Hot Swap) 控制器，允许在带电背板上安全地进行电路板的插拔操作；通过采用外部 N 沟道 MOSFET，能够以一种可编程速率使电路板电源电压斜坡上升。
2021-04-07 06:31:01
LTC4219采用16引脚5mmx3mmDFN封装。为5A 热插拔 (Hot SwapTM) 控制器 ，用于保护负载电源电压范围为 2.9V 至15V 的低功率电路板。通过在加电时限制流向负载电源
2021-04-15 07:44:58
概述：LTC4227-2采用20引脚4mmx5mmQFN封装和16引脚SSOP封装，提供了故障之后的自动重试功能。通过控制外部 N 沟道 MOSFET 为两个电源轨提供了理想二极管和热插拔 (Hot SwapTM)...
2021-04-12 07:24:18
概述：TPS2411是一款热插拔控制器，它采用14-PINTSSOP封装，供应3V宽电压范围为16.5V，从0.8V控制16.5V，控制外部FET为N+1和ORing，线性或开/关控制方法，内置的N沟道MOSFET...
2021-04-07 06:29:45
什么是热插拔？热插拔（hot-plugging或Hot Swap）即带电插拔，热插拔功能就是允许用户在不关闭系统，不切断电源的情况下取出和更换损坏的硬盘、电源或板卡等部件，从而提高了系统对灾难的及时
2011-12-13 10:53:12
热插拔的基本原理是什么？热插拔有哪些功能？
2021-05-24 06:01:21
应用输入功率后，输出端发生短路。MOSFET在达到饱和区（高VDS电压）时会开启，此时的功率损耗可能会很高。某些热插拔控制器（例如TPS24770）可能会在这种情况下限制MOSFET的功率损耗，而其他控制器
2018-05-30 10:10:53
产品尺寸，从而提升系统效率。而在实际应用中，我们发现：带辅助源极管脚的TO-247-4封装更适合于碳化硅MOSFET这种新型的高频器件，它可以进一步降低器件的开关损耗，也更有利于分立器件的驱动
2023-02-27 16:14:19
TO247是比较常用的小外形封装，表面贴封装型之一，247是封装标准的序号。常见的TO-247AC和TO-247AD应该都是vishay的名称。TO-247封装尺寸介于模块与单管之间，能封装大部分
2020-09-24 15:57:31
MOSFET的安全工作区为什么SOA对于热插拔应用非常重要？
2021-03-08 07:49:01
应用输入功率后，输出端发生短路。MOSFET在达到饱和区（高VDS电压）时会开启，此时的功率损耗可能会很高。某些热插拔控制器（例如TPS24770）可能会在这种情况下限制MOSFET的功率损耗，而其他控制器
2018-09-03 15:17:27
应用实例设计 2.1 TPS2491功能结构 TPS2491是TI推出的一款正高压热插拔控制器，支持9-80 V正压系统，适用于保护新兴正高压分布式电源系统，如12 V、24 V与48 V服务器背板
2018-10-08 15:26:22
是最小的。 一般来说，主要的热路径是通过封装漏极片，进入任何连接到这个连接的平面，这是本指南中要考虑的配置。 通过对不同尺寸的“x”进行实验设计，我们可以确定器件结温度（Tj）随铜面积的变化情况
2023-04-20 16:54:04
导读：一般情况下，二极管或电路用于采用备用电源的系统，本文所介绍的LTC4225、LTC4227 和 LTC4228 通过控制外部 N 沟道 MOSFET,为两个电源轨实现了理想二极管和热插拔
2018-09-29 16:41:57
示波器获取MAX5976热插拔电路中MOSFET功耗和负载电容的精确值。简介数字示波器的计算功能是数字示波器最有趣的功能之一，可以简化和扩展对热插拔与负载切换电路的分析。巧用示波器的计算功能可以得出
2018-04-19 10:54:40
的封装尺寸和厂商建议焊垫几何尺寸。 表2:热插拔电路组件封装尺寸和建议焊垫几何尺寸 MOSFET, Q1 在我们的例子中，我们使用了TI NexFET CSD17309Q3[3]，它是一种25℃下
2018-09-26 17:32:54
` 本帖最后由 踏歌电子 于 2016-10-17 16:36 编辑
英制封装图尺寸：0603公制封装图尺寸：1608●表面贴装SMD保险丝应用范围:SMD贴片保险丝：SMD保险丝系列产品专为
2016-10-11 14:57:10
内容简介
• 热插拔简介• 热插拔控制器及其应用• MOSFET的安全运作范围（SOA）• LM5068 负电压热插拔控制器• LM5069 正电压热插拔控制器
2010-06-30 19:32:54
20 Power SO-8LFPAK封装60V和100V晶体管
恩智浦半导体(NXP Semiconductors)推出全新60 V和100 V晶体管，扩充Trench 6 MOSFET产品线。新产品采用Power SO-8LFPAK封装，支持60 V和100 V两种工作
2010-02-09 09:27:392203 用于高压功率MOSFET的全新无管脚SMD封装ThinPAK 8x8
英飞凌科技股份公司近日推出适用于高压功率MOSFET的全新无管脚SMD封装ThinPAK 8x8。新封装的占板空间
2010-05-12 18:17:18951 本电源设计小贴士以及下次的小贴士中，我们将研究一种估算热插拔 MOSFET 温升的简单方法。热插拔电路用于将电容
2011-01-06 14:28:18748 
电源设计小贴士28&29：估算热插拔MOSFET的瞬态温升
2018-08-16 00:10:005975 半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布首次采用高鲁棒性、高空间利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封装的P沟道MOSFET系列产品。
2020-05-09 11:07:263164 MOSFET 安全工作区对实现稳固热插拔应用的意义所在
2021-03-20 08:32:3316 LTC4218演示电路-采用并联MOSFET的12V 100A热插拔设计
2021-06-07 16:44:306 Nexperia全新POWER MOSFET工程师设计指南 认识理解功率 MOSFET 数据手册中的参数 功率 MOSFET 单次和重复雪崩强度限值 RC 热阻模型的使用 基于 LFPAK 封装的 MOSFET 热设
2022-04-07 11:40:220 Nexperia发布超小尺寸DFN MOSFET DFN0603封装提高性能并显著减少空间需求 奈梅亨，2022年7月6日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出采用
2022-07-06 16:13:22586 
电力电子领域的各种应用。MOSFET 的基本特性之一是其能够承受甚至非常高的工作电流、卓越的性能、稳健性和可靠性。该LFPAK88 MOSFET 提供出色的性能和高可靠性。LFPAK88 封装设计用于比 D²PAK 等旧金属电缆封装小尺寸和更高的功率密度，适用于当今空间受限的高功率汽车应用。
2022-08-09 08:02:112783 
和软启动的ASFET产品组合，推出10款全面优化的25V和30V器件。新款器件将业内领先的安全工作区(SOA)性能与超低的RDS(on)相结合，非常适合用于12V热插拔应用，包括数据中心服务器和通信
2022-11-18 10:32:58399 
基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布扩展其适用于热插拔和软启动的 ASFET 产品组合，推出 10 款全面优化的 25V 和 30V 器件。新款器件将业内领先
2022-11-21 16:11:38647 LTC®4234 是一款用于热插拔的集成式解决方案™允许从带电背板上安全插入和拔出电路板的应用程序。该器件在单个封装中集成了热插拔控制器、功率 MOSFET 和电流检测电阻器，适用于小尺寸应用。MOSFET 安全工作区 （SOA） 经过生产测试，可保证承受热插拔应用中的应力。
2023-01-08 15:59:05707 
只能通过D2PAK封装(160 mm2)来实现。借助Nexperia的新型ASFET，设计人员可在30 mm2 LFPAK56E封装中提供所需的低RDS(on)值和强大线性模式性能，与D2PAK相比，可节省80%的占板面积和75%的高度。
2023-02-07 09:20:16257 
N 沟道 80 V、2.5 mOhm MOSFET，采用增强型 SOA，采用 LFPAK88-PSMN2R5-80SSE
2023-02-07 18:55:060 N 沟道 80 V、1.9 mOhm MOSFET，采用增强型 SOA，采用 LFPAK88-PSMN1R9-80SSE
2023-02-07 18:55:190 N 沟道 100 V、2.9 mOhm MOSFET，采用增强型 SOA，采用 LFPAK88-PSMN2R9-100SSE
2023-02-07 18:55:330 N 沟道 100 V、2.3 mOhm MOSFET，采用增强型 SOA，采用 LFPAK88-PSMN2R3-100SSE
2023-02-07 18:56:070 N 沟道 25 V、1.9 mOhm、用于热插拔的 ASFET，在 LFPAK56 中具有增强的 SOA-PSMN1R6-25YLE
2023-02-07 19:09:320 N 沟道 25 V、1.1 mOhm、用于热插拔的 ASFET，在 LFPAK56 中具有增强的 SOA-PSMNR98-25YLE
2023-02-07 19:09:480 N 沟道 25 V、0.98 mOhm、用于热插拔的 ASFET，在 LFPAK56 中具有增强的 SOA-PSMNR89-25YLE
2023-02-07 19:10:070 采用 LFPAK88 封装的 NextPower 80 V、1.8 mOhm、270 A、N 沟道 MOSFET-PSMN1R8-80SSF
2023-02-07 20:09:170 采用 LFPAK88 封装的 NextPower 100 V、2.07 mOhm、267 A、N 沟道 MOSFET-PSMN2R0-100SSF
2023-02-07 20:09:310 N 沟道 30 V、2.2 mOhm、用于热插拔的 ASFET，在 LFPAK56 中具有增强的 SOA-PSMN2R1-30YLE
2023-02-07 20:22:450 N 沟道 30 V、1.3 mOhm、用于热插拔的 ASFET，在 LFPAK56 中具有增强的 SOA-PSMN1R1-30YLE
2023-02-07 20:23:010 N 沟道 30 V、1.1 mOhm、用于热插拔的 ASFET，在 LFPAK56 中具有增强的 SOA-PSMN1R0-30YLE
2023-02-07 20:23:200 N 沟道 30 V、0.87 mOhm、用于热插拔的 ASFET，采用增强型 SOA，采用 LFPAK56-PSMNR82-30YLE
2023-02-07 20:23:370 N 沟道 30 V、0.70 mOhm、用于热插拔的 ASFET，在 LFPAK56E 中具有增强的 SOA-PSMNR67-30YLE
2023-02-07 20:23:550 N 沟道 25 V、0.63 mOhm、用于热插拔的 ASFET，在 LFPAK56E 中具有增强的 SOA-PSMNR56-25YLE
2023-02-07 20:24:141 N 沟道 25 V、0.77 mOhm、用于热插拔的 ASFET，在 LFPAK56 中具有增强的 SOA-PSMNR68-25YLE
2023-02-07 20:24:310 针对空间非常紧凑的功率MOSFET应用而言，3x3封装是理想的尺寸。因此，在Nexperia的MOSFET产品序列中，采用了非常可靠的高性能LFPAK33封装。Nexperia开发了MLPAK33，它是一款功率MOSFET封装，与业界闻名的DFN3333封装保持管脚兼容性，提供给客户另外一个选项。
2023-02-08 09:18:00244 采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D 中的 N 沟道 60 V、12.5 mOhm、逻辑电平 MOSFET-PSMN013-60HL
2023-02-08 19:07:050 采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D 中的 N 沟道 60 V、11.5 mOhm、逻辑电平 MOSFET-PSMN011-60HL
2023-02-08 19:07:250 LFPAK88 中的 N 沟道 40 V、1.2 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7S1R2-40H
2023-02-08 19:09:240 采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D 中的 N 沟道 60 V、14 mOhm、标准电平 MOSFET-PSMN014-60HS
2023-02-08 19:10:200 采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D 中的 N 沟道 60 V、10 mOhm、标准电平 MOSFET-PSMN013-60HS
2023-02-08 19:10:330 采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D 中的 N 沟道 60 V、9.3 mOhm、标准电平 MOSFET-PSMN9R3-60HS
2023-02-08 19:10:460 NextPower 80 V、2.3 mOhm、240 A、N 沟道 MOSFET，采用 LFPAK88 封装-PSMN2R3-80SSF
2023-02-08 19:24:130 采用 LFPAK88 封装的 NextPower 100 V、3.3 mOhm、180 A、N 沟道 MOSFET-PSMN3R3-100SSF
2023-02-08 19:25:250 采用 LFPAK88 封装的 NextPower 100 V、2.6 mΩ、200 A、N 沟道 MOSFET-PSMN2R6-100SSF
2023-02-08 19:26:340 采用 LFPAK88 封装的 NextPower 80 V、2.8 mOhm、190 A、N 沟道 MOSFET-PSMN2R8-80SSF
2023-02-09 19:21:000 N 沟道 100 V 42 mOhm 标准级 ASFET，具有增强型 SOA，采用 LFPAK33 封装。专为大功率 PoE 应用而设计-PSMN041-100MSE
2023-02-09 21:36:080 LFPAK88 中的 N 沟道 40 V、1.0 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7S1R0-40H
2023-02-09 21:51:430 N 沟道 50 V、0.90 mOhm、410 A 逻辑电平 LFPAK88 中的特定应用 MOSFET-PSMNR90-50SLH
2023-02-09 21:57:060 Nexperia的LFPAK88不使用内部焊线，减小了源极引脚长度，从而最大程度地减少在开关过程中产生的寄生源极电感，以此提高效率。 无引脚(QFN)封装或开尔文源极连接等备选方案也具有类似的优点，但它们也存在很大的缺陷，这就使得“提高效率的捷径”LFPAK88成为我们的首选。
2023-02-10 09:38:03448 
为了适应业界对节省空间、提高功率密度和电流处理能力的需要，Nexperia大大改进了最新的铜夹封装。 LFPAK88结合了低RDSon和高ID，将功率密度基准设定为1 W / mm3以上。
2023-02-10 09:39:061313 
随着电路的缩小，热性能变得非常重要。我们将LFPAK88的热性能与D²PAK进行了比较，发现LFPAK88的性能非常好。
2023-02-10 10:00:39759 
N 沟道 55 V、1.03 mOhm、330 A 逻辑电平 LFPAK88 中的特定应用 MOSFET-PSMN1R2-55SLH
2023-02-10 18:34:190 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK88 中的 N 沟道 40 V、0.55 mOhm、500 Amps 连续、标准电平 MOSFET-PSMNR55-40SSH
2023-02-16 20:57:060 LFPAK88 中的 N 沟道 40 V、2 mOhm 标准电平 MOSFET-BUK7S2R0-40H
2023-02-16 20:59:320 LFPAK88 中的 N 沟道 40 V、2.5 mOhm 标准电平 MOSFET-BUK7S2R5-40H
2023-02-16 20:59:450 LFPAK88 中的 N 沟道 40 V、0.5 mOhm 标准电平 MOSFET-BUK7S0R5-40H
2023-02-16 20:59:550 NEXPERIA LFPAK 功率 MOSFET 中的最大连续电流-AN90016
2023-02-17 19:38:100 LFPAK88 中的 N 沟道 40 V、1.5 mOhm 标准电平 MOSFET-BUK7S1R5-40H
2023-02-17 19:45:060 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK88 中的 N 沟道 40 V、0.9 mΩ、375 Amps 连续、标准电平 MOSFET-PSMNR90-40SSH
2023-02-20 19:48:220 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK88 中的 N 沟道 40 V、0.7 mΩ、425 Amps 连续、标准电平 MOSFET-PSMNR70-40SSH
2023-02-20 19:48:380 LFPAK88 中的 N 沟道 40 V、0.9 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7S0R9-40H
2023-02-20 19:52:510 LFPAK88 中的 N 沟道 40 V、0.7 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7S0R7-40H
2023-02-20 19:53:120 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK88 中的 N 沟道 40 V、1 mΩ、325 Amps 连续、标准电平 MOSFET-PSMN1R0-40SSH
2023-02-20 19:53:320 N 沟道 60 V、11.3 mΩ 标准电平 MOSFET，采用 LFPAK33-PSMN011-60MS
2023-02-23 18:40:310 日：基础半导体器件领域的专家 Nexperia（安世半导体）推出了用于自动化安全气囊应用的专用 MOSFET (ASFET) 新产品组合，重点发布的 BUK9M20-60EL 为单 N 沟道 60 V、13 m
2023-05-29 10:35:11372 高可用性系统中常见的两种系统功率级别（–48 V和+12 V）使用不同的热插拔保护配置。–48V 系统集成了低侧热插拔控制和调整 MOSFET;+12 V系统使用高边控制器和调整MOSFET。
2023-06-17 17:24:561085 
和管理者。今年，Nexperia（安世半导体）的热插拔MOSFET与碳化硅肖特基二极管两款明星产品现已双双入围年度功率半导体！ 采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET(ASFET) 同时
2023-08-28 15:45:311140 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出首批 80 V 和 100 V 热插拔专用 MOSFET(ASFET)，该系列产品采用紧凑型 8x8 mm
2023-09-22 09:08:10386 Nexperia ASFET 是定制器件。经过优化，可用于特定的设计和 IU。通过专注于对某一应用至关重要的特定参数，它提供全新性能水平，从而最好地满足系统要求。
2023-11-02 16:07:45292 
电子发烧友网站提供《PSMN1R3-80SSF：N沟道MOSFET LFPAK88包目标数据表.pdf》资料免费下载
2023-12-19 16:08:210 热插拔和非热插拔的区别 热插拔和非热插拔是指电子设备或组件在工作状态下是否可以进行插拔操作的一种分类。热插拔指的是可以在设备或系统正常运行的情况下进行插拔操作，而非热插拔则表示插拔操作需要在设备
2023-12-28 10:01:21772 电子发烧友网站提供《N沟道80 V，1.2 mOhm，标准级MOSFET LFPAK88数据手册.pdf》资料免费下载
2024-02-21 10:04:260
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